KR960704321A - 비-소멸성 강유전체 메모리(non-volatile memory) - Google Patents

비-소멸성 강유전체 메모리(non-volatile memory) Download PDF

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Abstract

비-소멸성 강유전체 메모리(336)는 정전압원(85), 비트선(79), 비트선(79)과 정전압원(85)사이에 연결된 제1 강유전체 커패시터(76)를 가지는 메모리 셀(70), 기준전압원(105) 및 비트선(79)과 기준전압원(105)사이에 연결된 래치(74)를 포함한다. 래치(74)는 단일작동으로 커패시터(76)를 판독 및 재기록하기 위하여 강유전체 커패시터(76)와 동일한 논리 상태로 비트선(79)을 구동시킨다. 기준전압은 Q1/CD와 QSW/CD+Q1/CD사이이고, Q1는 상기 제1강유전체 커패시터(76)의 성형용량이고 CD는 상기 비트선(79)의 용량이고 그리고 QSW는 상기 제1강유전체 커패시터(76)의 스위칭 전하이다. 한 실시예에서 기준전압은 제1커패시터(128)의 면적보다는 작지만 제1커패시터(128)의 면적의 1/2보다는 큰 면적을 가지는 강유전체 의사 커패시터(141)로 제공된다.

Description

「발명의 명칭」
비-소멸성 강유전체 메모리(NON-VOLATILE MEMORY)
[도면의 간단한 설명]
제5도는 본 발명에 따른 감지 및 복귀회로를 가지는, 제1도의 1T, 1CT셀을 조합하는 본 발명에 따른 메모리 배열의 바람직한 실리예의 회로도,
제11도는 본 발명에 따른 감지 및 복귀회로를 가지는 2T, 2C셀 메모리를 조합하는 본 발명에 따른 메모리 배열의 바람직한 실시예의 회로도.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 정전압원(85), 비트선(79), 논리"1"상태에 대응하는 제1분극 상태와 논리"O"상태에 대응하는 제2분극상태를 가질 수 있는 제1강유전체 커패시터(76)를 포함하는 메모리 셀(70), 상기 제1강유전체 커패시터(76)가 판독될 때 상기 강유전체 커패시터(76)로부터 상기 비트선(79)으로 전하가 전송되게 허용하기 위한 스위치 수단(78), 및 상기 제1강유전체 커패시터(76)가 판독될 때 상기 비트선(79)상에 놓여진 신호를 감지하고 증폭하기 위한 감지증폭기(72)를 가지되, 상기 제1강유전체 커패시터(76)가 상기 비트선(79)과 정전압원(85)사이에 연결되어 있는 비-소멸성 강유전체 메모리에 있어서, 상기 메모리는 기준전압원(105)을 추가로 포함하고, 상기 감지 증폭기는 상기 기준전압원(105)과 상기 비트선(70)사이에 연결된 래치를 포함하는 것이 특징인 비-소멸성 강유전체 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전하가 상기 강유전체 커패시터(76)에서 상기 비트선(79)으로 전송될 때 상기 강유전체 커패시터(76)의 논리상태가 파괴되는 메모리로서, 메모리는 단일의 전자적 작동으로 상기 전하 전송 이전에 상기 강유전체 커패시터(76)에 의해 결정된 논리 상태로 상기 비트선(79)을 구동시키고 및 상기 전하 전송 이전의 상태로 상기 강유전체 커패시터(76)를 복귀시키기 위한 판독/기록 회로수단(111)이 특징인 메모리.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기준전압원(140)은 제2강유전체 커패시터(141)를 포함하는 것이 특징인 메모리.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2강유전체 커패시터(141)는 상기 제1강유전체 커패시터(138)의 면적보다 작지만 상기 제1강유전체 커패시터(128)의 면적의 1/2보다는 큰 면적을 가지는 것이 특징인 메모리.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기준전압원(170)은 선형 커패시터(172)를 포함하는 것이 특징인 메모리.
  6. 제1항에 있어서, 상기 메모리 셀(70)은 1트랜지스터(78), 1커패시터(76)셀인 것이 특징인 메모리.
  7. 제1항에 있어서, 상기 메모리 셀은 2트랜지스터(216, 218), 2커패시터(212, 217)메모리 셀인 것이 특징인 메모리.
  8. 제1항에 있어서, 상기 감지증폭기(72)는 상기 제1커패시터(76)가 논리"1"상태일 때 상기 비트선(79)을 제2전압으로 만들기 위한 수단을 포함하고, 상기 정전압은 상기 제1전압과 상기 제2전압 사이의 중간인 것이 특징인 메모리.
  9. 제1항에 있어서 성기 기준전압은 Q1/CD와 QSW/CD+Q1/C|D사이이고, 이 때 Q1은 제1강유전체 커패시터(76)의 선형용량이고, CD는 상기 비트선(79)의 용량이고 및 QSW는 상기 제1강유전체 커패시터(76)의 스위칭 전하인 것이 특징인 메모리.
  10. 제1항에 있어서, 상기 스위치 수단(35)은 상기 제1강유전체 커패시터(31)와 상기 정전압원(38)사이에 연결되는 것이 특징인 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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