JPH09500475A

JPH09500475A - 不揮発メモリ

Info

Publication number: JPH09500475A
Application number: JP7504587A
Authority: JP
Inventors: 孝士三原; デアロウジョ，カルロスエー．パズ; ディー．マクミラン，ラリー
Original assignee: Olympus Optic Co Ltd; Symetrix Corp
Current assignee: Olympus Corp; Symetrix Corp
Priority date: 1993-07-15
Filing date: 1994-06-30
Publication date: 1997-01-14
Also published as: US5406510A; EP0708968A1; KR960704321A; KR100345892B1; WO1995002883A1

Abstract

(57)【要約】強誘電性不揮発メモリ（３３６）は、定電圧源（８５）と、ビット線（７９）と、ビット線（７９）と定電圧源（７５）の間に接続された第１の強誘電性コンデンサ（７６）と、基準電圧源（１０５）とビット線（７９）と基準電圧源（１０５）の間に接続されたラッチ（７４）とを含む。ラッチ（７４）はビット線（７９）を強誘電性コンデンサ（７６）と同じ論理状態にドライブして単一の動作で読み出しと復帰を行う。Ｑ₁を前記第１の強誘電性コンデンサ（７６）のリニア容量とし、Ｃ_Dを前記ビット線（７９）の容量とし、Ｑ_SWを前記第１の強誘電性欄（７６）のスイッチング電荷とすると、基準電圧は、Ｑ₁／Ｃ_DとＱ_SW／Ｃ_D＋Ｑ₁／Ｃ_Dの間にある。一実施例において、基準電圧は第１のコンデンサ（１２８）の面積より小さく第１のコンデンサ（１２８）の面積の１／２より大きい面積の強誘電性ダミーコンデンサ（１４１）により与えられる。

Description

【発明の詳細な説明】不揮発メモリ発明の背景１．発明の分野本発明は概略的には不揮発メモリに関し、より特定的にはメモリセル内の強誘電性コンデンサの読み出し及び復帰のための装置及び方法に関する。２．問題の記述強誘電性材料は不揮発メモリに情報を格納するために用いられ得る分極を保持することができるということは良く知られている。例えば、十分に強い電界が強誘電性コンデンサの両端に印加され、その電界が除去されると、電界方向の分極が残る。反対方向の電界が同じコンデンサの両端に印加され、その電界が除去されると、反対方向に分極が残る。電子回路は、一方向の分極をディジタル論理“ １”状態に関係付け、反対方向の分極を論理“０”に関係付けるように設計されてきた。しかしながら、今日まで、これらの回路は比較的複雑であった。すべて、エス・シェフィールド・イートン・ジュニアその他(shefield Eaton，Jr.et． al.)に対して発行された、米国特許第4,873,664 号、米国特許第4,853,893 号、米国特許第4,914,627 号，及び米国特許第4,910,708 号、エス・シェフィールド・イートン・ジュニアその他に対して発行された米国特許第893,272 号、ケニース・ジェー・モーブレイ(Kenneth J．Mobley)に対して発行された米国特許第4,8 83,733 号に記載されたようないくつかの回路は、従来の非強誘電性の揮発ＤＲＡＭに用いられる周知の簡単なセンスアンプとメモリの構造を利用している。これらの周知のＤＲＡＭ構造は行と列に配置されたメモリセルを含み、各メモリセルはゲートと一対のソース／ドレインとを有する少なくとも一つのトランジスタと、一対のプレート電極を有するコンデンサとを含み、メモリはまた各セル内のコンデンサの一つのプレートに接続されたプレート線と、トランジスタを介してコンデンサの他のプレートに接続されたビット線と、トランジスタの制御用ゲートに接続されたワード線とを含んでいる。トランジスタはそのゲートにより制御されるスイッチとして働いて、コンデンサをビット線に接続する。しかしながら、従来のＤＲＡＭを強誘電性材料に採用するために、上記参考文献に記載の回路はすべて、集積回路チップ上の大きいスペースを必要とし、且つ大量のエネルギーを利用する複雑なパルス回路を必要とし、及び／又はやはり集積回路チップ上の大きいスペースを必要とする複雑な構造を必要とし、これらすべてはメモリ動作を行うのに要する時間を増大させる。この結果、市場で成功した強誘電性メモリは未だ製造されていない。この複雑性の問題に対する一つの解決は、レオナルド・ジェー・シュウィー(L eonard J.Schwee)に対して発行された米国特許第5,038,323 号に記載されている。この特許は、電源電圧のおよそ１／２、即ち、メモリ内の論理“１”に関係付けられた高電圧の１／２、の定電圧の単一のプレート線に全てのコンデンサが接続された不揮発強誘電性メモリを記載している。ＤＲＡＭにおける従来と同様に、ビット線はセンスアンプに接続されている。しかしながら、シュウィーの特許はセンスアンプの回路を記載しておらず、センスアンプの出力が読み出しサイクルの終わりにおいてのみビット線に接続されるということを示している。これは、読み出しサイクルが十分に完了してセンスアンプの出力をそれに接続する時が何時であるかを決定するための複雑な論理回路を示唆している。さらに、センスプロセスに関係するフローチャートは、センスアンプ回路が複雑であることを示唆している。これに加えて、その開示は、読み出し前のビット線がロー状態であるので、強誘電性コンデンサが論理“０”状態のときも論理“１”状態のときもビット線上に電荷を排出する、ということを認識していない。シュウィーは、論理信号がデータ読み出し端子に出力されるときの読み出しサイクルと、信号電圧が強誘電性コンデンサに印加されてそれを復帰させるときの復帰サイクルとの間で、電子的動作が更に行われなければならないことを要求している。特に、論理ゲートはセンスアンプの出力をビット線に接続して強誘電性コンデンサの分極状態を復帰する。論理ゲートは論理制御システムにより制御されるので、読み出し動作と復帰動作との間で多くの論理動作が生じる必要がある。他の強誘電性メモリにおいては、読み出し動作から復帰動作に行くために、別々の電子信号が用いられる。例えば、上記米国特許第4,873,664 号においては、強誘電性コンデンサを復帰させるためにプレート線は読み出し動作の後にローに落とされる。各論理動作及及び電子信号は、少なくとも一つの電子ライン又はデバイスがその状態を変えることを要求するので、これは特に読み出し及び復帰造作を遅延させる。したがって、強誘電性メモリは、動作速度については、従来のメモリと競合できるものではなかった。本発明は、シュウィーの文献のように、全てのメモリコンデンサを実質的に定電圧源に接続するメモリ回路を提供することにより、上記の問題を解決するものである。好ましくは、定電圧は電源電圧の１／２である。しかしながら、シュウィーの文献と異なり、センスアンプは、それ自体で、強誘電性材料の分極状態の読み出しとその元の分極状態への復帰とを共に行うように、回路が設計されている。センスアンプの出力は読み出しサイクルの間全体にわたって、ビット線に接続されている。好ましくは、上記問題は、定電圧源と、ビット線と、論理“１”に対応する第１の分極状態と論理“０”に対応する第２の分極状態をとり得る第１の強誘電性コンデンサと、コンデンサの状態が読み出されるときコンデンサによりビット線上に供給される信号を検出し増幅するセンスアンプとを有し、強誘電性コンデンサはビット線と定電圧源との間に接続されているタイプの不揮発メモリにおいて、メモリはさらに基準電圧源を備え、センスアンプは基準電圧源とビット線との間に接続されたラッチを備えているものを用いることにより、解決される。好ましくは、分極スイッチング電荷は強誘電性コンデンサの容量による電荷よりも十分に大きい。基準電圧源は第２の定電圧源により提供されてもよい。これに替えて、基準電圧はダミー強誘電性コンデンサ回路により提供される。好ましくは、ダミー強誘電性コンデンサは動作用コンデンサの面積より小さいが動作用コンデンサの面積の１／２より大きい面積を有する。他の実施例においては、基準電圧はリニアコンデンサ回路により提供される。本発明の単純な読み出し及び復帰回路は、１Ｔ，１Ｃセル以外の不揮発、強誘電性メモリにも使用できる。他の態様においては、その問題は、定電圧源と、ビット線と、基準電圧源に接続された基準電圧線と、論理“１”に対応する第１の分極状態と論理“０”に対応する第２の分極状態をとり得る第１の強誘電性コンデンサとを備えたメモリセルとを備え、第１の強誘電性コンデンサはビット線と定電圧源との間に接続されているタイプの不揮発メモリであって、そのメモリは、ビット線と基準線との間に接続されてビット線及び基準線を反対の論理状態に対応する異なる電圧にドライブするセンスアンプ手段を含んでいるものを用いることにより解決される。本発明によるセンスアンプ／復帰回路の単純な組み合わせの性能は極めて優れている。２．６ｍ（ミクロン）×２．６ｍ（ミクロン）という小さいコンデンサを有するメモリはこの回路を用いて読み出し及び復帰をすることができる。本発明の多くの他の特徴、目的及び利益は添付の図面とともに読まれる以下の記載から明らかとなろう。図面の簡単な説明第１図は本発明の好ましい実施例による１Ｔ，１Ｃメモリセルの回路図、第２図は本発明による他の１Ｔ，１Ｃメモリセルの回路図、第３図は本発明による１Ｔ，１Ｃメモリセルの他の配置の回路図、第４図は本発明による２Ｔ，２Ｃメモリセルの回路図、第５図は第１図の１Ｔ，１Ｃセルを本発明によるセンス及び復帰回路に結合する、本発明によるメモリアレイの好ましい実施例の回路図、第６図は第５図の回路のタイミング図、第７図は強誘電性ダミーコンデンサ回路を用いて基準電圧を与える本発明によるメモリアレイの好ましい実施例の回路図、第８図はリニアなダミーコンデンサ回路を用いて基準電圧を与える本発明によるメモリアレイの好ましい実施例の回路図、第９図は第７図の回路のタイミング図、第１０図は第８図の回路のタイミング図、第１１図は２Ｔ，２Ｃセルメモリセルを本発明によるセンス及び復帰回路に結合する本発明によるメモリアレイの好ましい実施例の回路図、第１２図は第１１図の回路のタイミング図、そして第１３図は本発明によるメモリの典型的な実施例を示す。好ましい実施例の記載第１図から第４図に注目すると、本発明によるメモリに含まれ得るメモリセルのいくつかの典型的な実施例が示されている。第１図は、トランジスタ１２と強誘電性コンデンサ１４を含む１Ｔ，１Ｃ（１トランジスタ、１キャパシタ）セル１０を示す。従来のＤＲＡＭの１Ｔ，１Ｃメモリセルと同様に、トランジスタ１２のソース／ドレインの一つ１６はビット線１８に接続されており、トランジスタ１２の他のソース／ドレイン２３はコンデンサ１４の、一般にはプレート２０と呼ばれる、一つの電極２０に接続されており、トランジスタ１２のゲート１９はワード線２１に接続されている。トランジスタは、コンデンサ１４とビット線１８との接続及び切断をするスイッチとして作用し、アクセスすべきメモリ行を選択する信号を伝達するワード線上の信号により制御される。ビット線１８はセル１０へ及びセル１０からの情報信号を伝達する。本発明により、コンデンサ１４の他の電極プレート２２は定電圧源２４に接続されており、その定電圧源２４は好ましくは電源電圧の約１／２であり、その電源電圧はここではＶｃｃとして表されている。電圧源２４はプレート線と称する線でよいが、複数のプレート線が変化する電圧パルスを伝達する従来の強誘電性メモリと対照的に、本発明によるメモリにおいては、単一の定電圧を伝達する単一の「プレート線」が存在するという事実を強調するために、単一のソース端子として示されている。第２図は本発明による１Ｔ，１Ｃメモリセル３０の他の実施例を示す。この実施例においては、強誘電性コンデンサ３１の一つのプレート２９はビット線３２に直接接続されており、コンデンサ３１の他のプレート３３はトランジスタ３５のソース／ドレインの一つ３４に接続されており、トランジスタ３５のソース／ドレインの他の一つ３６は定電圧源３８に接続されている。トランジスタ３５のゲート３９はワード線３９に接続されている。第３図は第１図に示したタイプの２つの１Ｔ，１Ｃメモリセル４１及び４２を示す。両セル４１及び４２は、好ましくは１／２Ｖｃｃの定電圧を伝達する共通プレート線４４に接続されている。セルのグループが同一のプレート線を共有する多くの他のアーキテクチャが本発明によるメモリにおいて用いられ得る。第４図は２Ｔ，２Ｃ（２トランジスタ、２キャバシタ）メモリセル４６を示す。セル内の両トランジスタ４９、５０のゲート４７、４８は同一ワード線に接続されている。ビット線５８はトランジスタ４９に接続されており、信号Ｄｉを伝達する。ビット線５９はトランジスタ５０に接続されており、Ｄｉの反転信号である信号Ｄｉ^*を伝達する。強誘電性コンデンサ５３及び５４は、やはり好ましくは１／２Ｖｃｃの定電圧を伝達する同一のプレート線５６に接続されている。以下に、より詳細にわかるように、第１図から第４図に示したメモリセルのいずれも、他のメモリセルと同様に、本発明による不揮発強誘電性メモリに利用され得る。メモリは多数のメモリセルをアレイと称する行と列に配列することにより製造される。メモリアレイ３４５を含む典型的なメモリ３３６を第１３図に示す。アレイ３４５にはセンスアンプのバンク３７９が接続されている。第５図及び第１３図において、アレイ３４５内の７０の如きメモリセルはセンスアンプのバンク３７９内のセンスアンプ７２に接続されているか接続可能である。上述した、且つ以下に記載するメモリセルの各々は、第１図における１４の如き、強誘電性コンデンサを含んでいる。強誘電性コンデンサにおいては、プレート２０、２２の間の材料１７が強誘電性である。周知のように、強誘電性コンデンサはコンデンサ１４の下に矢印２８で表される２つの異なる分極状態になり得る。これらの分極状態はコンデンサのプレート２０と２２の間の十分に強力な電界により生成される。電界が第１図において右から左に方向にある場合、その電界を除去した後に、同一方向の分極（上側の矢印の方向）の分極が残る。電界が左から右の方向にある場合は、その電界を除去した後に、同一方向の分極（下側の矢印の方向）の分極が残る。こうして、一つの分極状態では、強誘電性コンデンサ１４は上側の矢印の方向に分極され、他の分極状態では、強誘電性コンデンサ１４は下側の矢印の方向に分極されている。強誘電性メモリは、一つの分極状態が論理“１”に対応し、他の分極状態が論理“０”に対応するように設計されている。分極の状態は一般的にセンスアンプにより検出され、そのセンスアンプはコンデンサにより出力された信号を、メモリアレイの外部の回路が読み出すことができるレベルにまで増幅する。ここで議論されたメモリは、少なくとも一つの分極状態がその読み出しの過程で破壊されるので、ＤＲＯ（破壊読出し）と称する種類である。このようなメモリにおいては、メモリが読み出し前に保持していたのと同じ情報を読み出し後に保持するために、分極はその元の値に復帰する必要がある。本発明により、７２（第５図）のようなセンスアンプは、好ましくは交差結合したラッチ７４であり、一つの動作でメモリセル７０内の強誘電性コンデンサ７６の状態を検出し、それを増幅し、そしてその元の状態に復帰する。メモリセルとセンスアンプの組み合わせの他の実施例は第７図、第８図及び第１１図に示されている。第５図、第７図、第８図、及び第１１図の回路の動作を理解するのに有用なタイミング図が第６図、第９図、第１０図、及び第１２図にそれぞれ示されている。２．本発明によるメモリの詳細な説明ここで、本発明のさらに詳細な説明に戻り、第５図は１Ｔ，１Ｃメモリセル７０、７１を用いたメモリ部を示す。各メモリセルは強誘電性コンデンサ７６とトランジスタ７８を含んでいる。このメモリセルはしたがって、第１図のメモリセルの構造を有する。メモリセル７０はメモリアレイ３４５のｉ番目の列内にあり、メモリセル７１は（ｉ＋１）番目の列内にある。各列内には複数の同様なメモリセルがあり、線８１、８２で表されている。ｉ番目の列の各メモリセル内の、７６のようなコンデンサは、それに接続されたトランジスタ７８を介してビット線７９に接続されており、一方、（ｉ＋１）番目の列内の各メモリセル内の、８３のようなコンデンサはビット線８０に同様に接続されている。ビット線７９はＤｉとラベルされて、ｉ番目のディジットまたはビット線信号を伝達することを表しており、一方、ビット線８０はＤｉ＋１とラベルされて、（ｉ＋１）番目のディジットまたはビット線信号を伝達することを表している。メモリセルのｉ番目の列はｉ番目のセンスアンプ７２に接続されており、（ｉ＋１）番目の列は（ｉ＋１）番目のセンスアンプに接続されている。一つ以上のセンスアンプが各列に接続されているが、単一のセンスアンプが複数の列に接続されている実施例もまた、本発明により意図されていることを理解すべきである。セル７０及び７１を含む行内で、７７、７８のような各トランジスタのゲートに接続されたワード線８６のように、一本のワード線がメモリセルの各行に関係付けられている。７０のような各メモリセル内で、７６のようなコンデンサの、トランジスタに接続されていない片側は、好ましくは電源電圧Ｖｃｃの１／２である、定電圧源８５に接続されている。センスアンプ７２は好ましくは、２つのｐ形トランジスタ８８及び９０と２つのｎ形トランジスタ９２及び９４を備える交差結合したラッチ７４を備えている。ｐチャネルトランジスタ８８及び９０のドレインは互いに接続されており、且つラッチイネーブルトランジスタ８９を介してＶｃｃ電圧にも接続されている。ｐチャネルトランジスタ８８のソースはｎチャネルトランジスタ９２のドレインに接続されている。ｐチャネルトランジスタ９０のソースはｎチャネルトランジスタ９４のドレインに接続されている。ｐチャネルトランジスタ８８とｎチャネルトランジスタ９２の間のノード９６はトランジスタ９０及び９４のゲートに接続されており、ｐチャネルトランジスタ９０とｎチャネルトランジスタ９４の間のノード９８はトランジスタ８８及び９２のゲートに接続されている。ラッチイネーブルトランジスタ８９及び９３のゲートはφ₃信号入力に接続されている。好ましくは、Ｖｃｃは正の５ボルトでＶｓｓはゼロボルトである。上記の交差結合したラッチは周知のＣＭＯＳ交差結合ラッチである。２つのノードのうち、より高い方を論理“１”電圧にドライブし、２つのノードのうち、より低い方を論理“０”電圧にドライブする他のラッチがラッチ７４に置き換えられることができる。ラッチ７４のノード９６はトランジスタ１００を介してビット線７９に接続されており、ノード９８はトランジスタ１０２を介して基準電圧線１０４に接続されている。好ましくは、基準電圧線１０４は基準電圧Ｖ_Rの電圧源１０５に接続されている。好ましくは、Ｖ_Rは、論理“０”状態にある強誘電性コンデンサ７６がビット７９に接続されたときの前回アンチャージされたビット線７９により仮定される電圧と、論理“ １”状態の強誘電性コンデンサ７６がビット７９に接続されたときの前回アンチャージされたビット線７９により仮定される電圧との中間のある。この電圧は以下に、より詳細に記載する。トランジスタ１００及び１０２のゲートはφ₁信号を伝達する線に接続されている。ビット線７９はまたゲートがφ₂信号線に接続されているプリチャージトランジスタ１１０を介してＶｓｓ（グランド）に接続されている。第６図は読み出しサイクル中の第５図の回路による各種信号入力及び出力のタイミングを示すタイミングチャートである。このタイミングチャート及び以下の議論において、ビット線に起因する電圧または他の値は大文字のサブスクリプト “Ｄ”をラベルする。８３のようなダミーコンデンサに起因する電圧または他の値は小文字のサブスクリプト“ｄ”をラベルする。７６のような動作用強誘電性コンデンサに起因する電圧または他のパラメータはサブスクリプト“ｆ”をラベルする。動作用コンデンサ（ダミーコンデンサに対向する）が論理“０”状態にあるときの状態に起因する電圧はサブスクリプト“０”をラベルし、動作用コンデンサが論理“１”状態のときの状態に起因する電圧はサブスクリプト“１”をラベルする。したがって、Ｖ_Dはビット線７９の電圧であり、Ｖ_D1はコンデンサ７６が論理“１”の状態、即ち、第５図において矢印１の方向に分極した状態のときのビット線７９の電圧であり、Ｖ_D0はコンデンサ７６が論理“０”状態、即ち、第５図において矢印０の方向に分極した状態のときのビット線７９の電圧である。読み出しプロセス前にコンデンサが論理“１”の方向に分極しているときの強誘電性コンデンサ７６の両端の電圧はＶ_f1で表されており、読み出しプロセス前にコンデンサが論理“０”の方向に分極しているときの強誘電性コンデンサ７６の両端の電圧はＶ_f0で表されている。他の信号は第５図に表されている通りである。第６図のタイミング図において、読み出しサイクルが開始する前は、φ₂はハイであり、したがって、ビット線７９はトランジスタ１１０を介してクランドに接続され、その前に線上にあった電荷を放電する。読み出しサイクルの最初に、 φ₂はゼロになり、トランジスタ１１０をオフにする。次いで、ビット線７６とノード９６がＶｓｓ電圧から完全に分離されるのを確実にするための短い遅延の後に、φ₁がハイになって、センスアンプ７２のノード９６、９８をビット線７９及び基準電圧線１０４にそれぞれ接続する。ついで、ビット線を安定化するための他の短い遅延の後に、ワード線８６がハイになってコンデンサ７６をビット７９に接続する。ビット線はグランドにあり、且つ実質的な容量Ｃ_Dを有するので、ほぼ−1/2 Ｖ_ccがコンデンサ７６の両端に印加される。コンデンサ７６が論理“０”の方向に分極していると、それは電界の方向にすでに分極しており、それが蓄積する電荷、Ｑ₁、はリニアキャパシタンスＣ₁により決定され、およそ、Ｑ₁＝Ｃ₁（−1/2 Ｖｃｃ）である。コンデンサ７６のプレート７５Ａ上には負の電荷が蓄積される。こうして、コンデンサが論理“０”状態にあるときは、コンデンサ７６への負の電荷の移動によりビット線７９上におよそ、（１）Ｖ_D0＝Ｑ₁／Ｃ_D に等しい正の電圧Ｖ_D0を生成する。しかし、コンデンサ７６が論理“１”の方向に分極している場合、その分極は最初は電界の方向と反対であり、その電界は分極の分極状態を切替える。コンデンサ７６のこの分極状態の切替えにより、追加の負の電荷、Ｑ_SW、がコンデンサ７６に引き込まれる。したがって、ビット線７９上に追加の正の電圧Ｑ_SW／Ｃ_Dが発生する。こうして、メモリセルが論理“１”状態にある場合は、ビット線７９上に発生する全体の電圧、Ｖ_D1、はおよそ（２）Ｖ_D1＝Ｑ₁／Ｃ_D＋Ｑ_SW／Ｃ_D に等しい。強誘電性コンデンサ７６は、Ｑ_SW＞＞Ｑ₁となって、ビット線７９上に発生する論理“１”電圧または論理“０”電圧と基準電圧１０５との差がノイズマージン、即ち、２００ｍと５００ｍＶの間、より大であるように選ばれるべきである。上記から、Ｑ₁／Ｃ_D＜Ｖ_R＜Ｑ_SW／Ｃ_D＋Ｑ₁／Ｃ_Dであることがわかる。上記から、トランジスタ７８は、電荷が強誘電性コンデンサ７６からビット線７９に転送されるのを可能にするスイッチ手段であり、コンデンサ７６が最初に論理“１”状態にある場合、電荷の転送が行われている間に、強誘電性コンデンサ７６上の論理状態が破壊されることがわかる。したがって、コンデンサが論理 “１”の場合、コンデンサ７６はその元の状態に復帰する必要がある。電圧Ｖ_D0またはＶ_D1がビット線７９上に発生した後に、信号φ₃がハイになる。これによりトランジスタ８９及び９３がオンになってセンスアンプ７２が活性化し、ラッチ７４がイネーブルになる。ビット線７９上の電圧が基準電圧源１０５より高いと、ゲートトランジスタ８８はトランジスタ９０よりも良好に導通する。これらは、ｐ形トランジスタであり、それらのゲートの電圧が高いほど、導通が少ないからである。さらに、トランジスタ９４はトランジスタ９２よりも良好に導通する。これらはｎ形トランジスタだからである。この結果、ノード９６における電圧は増大し、ノード９８における電圧は減少する。これは、さらにトランジスタ９４及び８８をオンにさせ、トランジスタ９０及び９２をさらにオフにさせ、等となり、ノード９６を急速にＶ_CCに向かわせ、ノード９８を急速にＶ_SSに向かわせる。これにより、ラッチ７４のノード９６をＶ_CCに、ノード９８をＶ_SSにラッチする。ビット線７９上のＶ_CC電圧は２つの事項を行う。その一つは、それが論理“１”をＤｉ信号としてアレイ３４５（第１３図）の外部の線３４７の一つの上の回路に出力させることであり、第２には、それが1/2 Ｖ_CCの電圧を論理“１”の矢印の方向に分極を生じさせる方向でコンデンサ７６の両端に印加させることである。ビット線７９上の電圧が基準電圧１０５より低い場合、ノード９６はＶ_SSにドライブされ、ノード９８はＶ_CCにドライブされ、それによりラッチ７４はノード９８がＶ_CCに、ノード９６がＶ_SSの状態になるようにラッチされる。これもやはり２つの事項を行う。その一つは、それが論理“０”をＤｉ信号としてアレイ３４５（第１３図）の外部の線３４７の一つの上の回路に出力させることであり、第２には、それが1/2 Ｖ_CCの電圧を論理“０”の矢印の方向に分極を生じさせる方向でコンデンサ７６の両端に印加させることである。上記の結果、センスアンプ７２は単一の電子的動作でメモリセル７０の読み出しと復帰または「再書き込み」の両方を行うことが理解できる。即ち、ビット線７９を電荷の転送の前にコンデンサ７６の状態によって決まる論理状態に駆動するの同じ電子的動作が、電荷の転送の前の状態に強誘電性コンデンサ７６を復帰もさせる。「単一の電子的動作」とは、論理ゲート動作、信号をハイまたはローに向かわせること、その他の追加の電子的動作が、ハイに向かうビット線７９と復帰が起きるための復帰中のコンデンサ７６との間で行う必要がないことを意味している。これにより、読み出し／書き込み動作の速度がかなり増大する。ビット線７９に接続されていないコンデンサ７６のプレート７５Ｂ上の電圧変化が必要ではないので、定電圧源８５はこの速度に貢献しているということにも着目される。換言すれば、センスアンプ７２及び定電圧源８５は共に、単一の電子的動作で、ビット線７９を電荷転送前のコンデンサ７６の状態により決まる論理状態にドライブすることと、電荷転送前にあった状態に強誘電性コンデンサ７６を復帰することの両方のための読み出し／書き込み回路手段１１１を備えている。コンデンサ７６が復帰した後は、信号φ₁及びφ₃がローに向かい、トランジスタ１００、１０２、及び８９、９３をそれオフにする。次いで、ワード線８６はロー向かい、コンデンサ７６をビット線７９から切り離す。ワード線８６がローになる正確なタイミングは、トランジスタ７８が完全にオフになるのを確実にするべくφ₂がハイになる十分に前であることを除き、厳密ではない。次いでφ₂信号はハイに戻り、トランジスタ１１０をオンにしてビット線７９を放電する。第７図において、本発明によるメモリの他の好ましい実施例が示されている。この実施例においては、メモリセル１１２はやはり第５図の実施例におけると同様に１Ｔ，１Ｃメモリセルを備えている。センスアンプ１１４はやはり、ｐ形トランジスタ１１６及び１１７のドレインがラッチイネーブルトランジスタ１１９を介してＶ_CCに接続され、ｎ形トランジスタ１２１及び１２２のソースがラッチイネーブルトランジスタ１２３を介してＶ_SSに接続され、ノード１２５及び１２６がトランジスタ１３３及び１３４を介してビット線１３１及び基準線１３２にそれぞれ接続された、交差結合したラッチ１１５を備えている。この実施例においては、基準電圧は、強誘電性コンデンサ１４１とトランジスタ１４２を含むダミー１Ｔ，１Ｃメモリセル１４０により与えられる。ダミーセル１４０のトランジスタ１４２のゲートはその行内のセル１１２のためのワード線１４５に接続されている。基準電圧線１３２はトランジスタ１４２を介してコンデンサ１４１の片側に接続されており、ダミーコンデンサの他の側は定電圧源１４８に接続されている。基準線１３２はまたダミーセル再書き込みトランジスタ１５０を介してＶ_CCに接続されており、放電トランジスタ１５１を介してＶ_SSに接続されている。トランジスタ１５０のゲートはφ₄信号に接続されており、トランジスタ１５１のゲートはφ₂信号に接続されている。第７図の実施例はまた、センスアンプ１６０がｙ−選択用マルチプレクサ１５６によって、多数のビット線１３１、１５４、１５５、その他の任意の一つに接続され得るという点で、第５図の実施例と異なる。しかしながら、メモリセルの各列のための、即ち、各ビット線のための、別のセンスアンプ及びダミーセルが存在する配置、及び他の多くの変形が可能である。この実施例においては、メモリセルの他の行があり、その各々が基準線１３２に接続されたダミーセルを含んでいる。但し、これらは図示していない。第７図の実施例において、ダミーセル１４０は常に論理“１”に「再書き込み」され、メモリセル１１２はこれと比較されて論理“１”か論理“０”状態かを決定する。第７図のメモリのタイミング図は第９図に示されている。第６図のタイミングチャートにおいて与えられている電圧に加えて、第９図は、Ｖ_R、基準電圧線１３２の電圧、φ₄、動作用メモリセル１１２が論理“０”状態の時のダミーコンデンサ１４１の両端の電圧である電圧Ｖ_d0、及び、動作用メモリセル１１２が論理“１”状態の時のダミーコンデンサ１４１の両端の電圧である電圧Ｖ_d1 を示している。ビット線１３１及び基準線１３２は共に、読み出しサイクルの前に、信号φ₂をハイにしてトランジスタ１５１と１５２をオンにすることにより、放電される。読み出しサイクルは、 φ₂をローにしてトランジスタ１５１と１５２をオフにすることにより開始する。次いでφ₁がハイとなって、センスアンプ１１４をビット線１３１及び基準線１３２に接続する。次にワード線１４５がハイになってコンデンサ１２８をビット線１３１に接続し、ダミーコンデンサ１４１を基準線１３２に接続する。第５図の実施例におけるのと同様に、コンデンサ１２８が論理“１”状態の場合、電圧：（３）Ｖ_D1＝Ｑ_1f／Ｃ_D＋Ｑ_SW／Ｃ_D がビット線１３１上に発生する。ただし、Ｑ_1fは動作用強誘電性コンデンサ１２８に、そのリニア容量により発生する電荷であり、Ｃ_Dはビット線１３２のコンデンサであり、Ｑ_SWは動作用コンデンサ１２８のスイッチング電荷である。同様に、動作用コンデンサ１２８が論理“０”状態の場合、電圧：（４）Ｖ_D0＝Ｑ_1f／Ｃ_D がビット線１３１上に発生する。ダミービット線、即ち、基準線１３２は常に、論理“１”状態により決定される電圧となっている。したがって、基準線１３２上の電圧Ｖ_Rは、（５）Ｖ_R＝Ｑ_1d／Ｃ_R＋Ｑ_SWd／Ｃ_R となる。ただし、Ｑ_1dはダミーコンデンサ１４１にそのリニア容量により発生する電荷であり、Ｃ_Rは基準線１３２の容量であり、Ｑ_SWdダミーコンデンサ１４１のスイッチング電荷である。ダミーコンデンサ１４１が強誘電性コンデンサ１２８と同じ材料で作られ、同じ厚さを持つと仮定すると、基準線１３２に発生する電圧をＱ_1f／Ｃ_DとＱ_SW／Ｃ_D＋Ｑ_1f／Ｃ_Dの中間にすべき場合、ダミーコンデンサの面積、Ａ_d、をどれだけにすべきかを計算できる。動作用コンデンサ１２８の両端の電圧をＶ_fとし、ダミーコンデンサ１４１のリニア容量をＣ_1dとし、動作用強誘電性コンデンサ１２８の面積をＡ_fとすると、（６）Ｃ_1f＝∈Ａ_f／ｄ、及び（７）Ｃ_1d＝∈Ａ_d／ｄとなる。ただし、∈はコンデンサ１２８及び１４１内の強誘電性材料の比誘電率、ｄはコンデンサの厚さである。式（３）及び（４）から、（８）Ｃ_1d＝Ａ_dＣ_1f／Ａ_f が得られる。次いで、スイッチング電圧が動作用コンデンサ１２８及びダミーコンデンサ１４１の両方を完全にスイッチするのに十分であると仮定すると、コンデンサにおける唯一の相違はそれらの面積にあるので、またコンデンサにより発生する電荷はコンデンサの面積に比例するので、（９）Ｑ_SWd＝Ｑ_SWＡ_d／Ａ_f となる。電荷、電圧及びリニア容量のコンデンサの間の周知の関係、Ｑ_1f＝Ｃ_1f Ｖ_f及びＱ_1d＝Ｃ_1dＶ_dを用い、読み出しサイクルの関係する部分でＶ_f1≒Ｖ_f0≡ Ｖ_fと仮定し、上記の式を式（３）、（４）、及び（５）に代入すると、次の式が得られる。次に式（８）及び（９）を式（１２）に代入すると、が得られる。次にＶ_RはＶ_d0とＶ_d1の中間であることが必要なので、となる。式１０、１１、及び１３を式１４に代入して、簡単化すると、ダミー強誘電性コンデンサ１４１の面積を動作中の強誘電性コンデンサ１２８の面積で表して決定するための一般式として、が得られる。この式を検討すると、Ｖ_DはＶ_fより小さいので、Ｑ_SW＞＞Ｑ₁＝Ｃ₁ _f Ｖ_fであれば、Ｑ_SW＞＞Ｃ_1fＶ_dとなり、概略的にはこの場合（２Ｃ_1fＶ_f＋Ｑ_SW ）／（Ｃ_1fＶ_d＋Ｑ_SW）は１に近づくが若干１より大きくなる。したがって、Ｃ_R とＣ_Dがほぼ等しい場合、Ａ_d＝Ａ_f／２となる。Ｑ_SWがＱ_1fより小さくなる限界では、（２Ｃ_1fＶ_f＋Ｑ_SW）／（Ｃ_1fＶ_d＋Ｑ_SW）は約２となり、またはＡ_d＝Ａ_f となる。したがって、概略的には、（１６）Ａ_f／２＜Ａ_d＜Ａ_f となる。即ち、ダミーコンデンサ１４１の面積が強誘電性コンデンサ１２８の面積より小さい場合、コンデンサ１２８が論理“１”状態に分極しているときは、ダミーコンデンサに引き込まれる電流はコンデンサ１２８に引き込まれる電流より少ない。コンデンサ１４１の面積がコンデンサ１２８の面積の半分より大きい場合、コンデンサ１４１は常に論理“１”状態であり、Ｑ_SW＞＞Ｑ₁なので、コンデンサ１２８が論理“０”状態のときコンデンサ１４１はコンデンサ１２８よりも多くの電流を引き込む。好ましくは、Ａ_dはＡ_fよりもＡ_f／２に近い。式（１６）の関係は、近似的にのみ正しい式Ｖ_D1−Ｖ_R＝Ｖ_R−Ｖ_D0に設定したことにより決定したが、この関係（１６）は依然として有効である。一般的には、Ｖ_RはＶ_D0とＶ_D1の中間の±δの範囲内であり、２００ｍＶ＜Ｖ_D1−Ｖ_R ４００ｍＶ、２００ｍＶ＜Ｖ_R−Ｖ_D0＜４００ｍＶである。最後に、コンデンサが１ ×１０⁶スイッチングサイクルにさらされる場合のように疲労により劣化するＱ_S _W の値を用いるべきであるということに着目すべきである。大雑把に、ΔＶ＝２００ｍＶのノイズマージン、ストロンチウム・ビスマス・タンタル塩酸のような層上の超格子物質の典型である１５Ｃ／ｃｍ²の特定のスイッチング電荷ｑ_SW＝Ｑ_SW／Ａ、ビット線容量Ｃ_D＝ｍ×Ｃ_d（但し一つのビット線に２５６セルがあり、基準電圧はおよそＶ_D0とＶ_D1の中間であるとして、Ｃ_dは単一セルのディジット線容量で約１０ｆＦ／セルに等しい）を採用すると、ΔＶ＝（Ｖ_D1−Ｖ_D0）／２＝Ｑ_SW／（２Ｃ_D）＝（ｑ_SWＡ／２Ｃ_D）、となり、強誘電性コンデンサの面積はまたはコンデンサは約２．６１ｍ（ミクロン）×２．６１ｍ（ミクロン）である。それぞれの電圧がビット線１３１と基準線１３２上に発生すると、φ₃がハイとなってセンスアンプ１１４を活性化する。セル１１２が論理“１”状態にあったか又は論理“０”状態にあったかによって、ビット線上の電圧が前と同じようにハイまたはローにそれぞれドライブされる。再びセンスアンプ１１４は自動的に論理“１”を再書き込みするか論理“０”状態を補強する。しかしながら、メモリセル１１２が論理“１”状態にある場合、ダミーセル１４０内の強誘電性コンデンサ１４１は論理“１”に再書き込みはされない。したがって、φ₃及びφ₁ がローになった後は、φ₄はハイになってトランジスタ１５０をオンにして、基準線１３２をハイにし、それによりコンデンサ１４１の両端に1/2 Ｖ_CCを印加して論理“１”に復帰させる。φ₄がハイの間ワード線１４５はローとなる。正確なタイミングは厳密ではなく、φ₄とφ₂がハイになる間である限り、実線１６３と点線１６４の間の任意の時間にあればよい。次いでφ₄はローになりφ₂はハイになってサイクルを終了し次のサイクルに備える。第８図は本発明によるメモリの第３の好ましい実施例を示す。この実施例は、ダミーセル１７０が強誘電性コンデンサではなくてリニアコンデンサ１７２を含んでいることを除き、第７図の実施例と同じである。さらに、ダミーの「再書き込み」トランジスタは存在しない。第８図の回路のタイミングチャートは第１０図に示される。この場合、センスアンプ１７８の切断を通してビット線１７５上に発生する信号及び電圧のタイミングは第６図と同じであるので、繰り返さない。ここでも、ダミーリニアコンデンサ１７２の面積は、Ｖ_RがＶ_D1とＶ_D0のおよそ中間であるという要請から、動作中の強誘電性コンデンサ１８２の面積により計算出来る。この場合、であり、Ｃ_1fがＣ_1dと同じではないので、また、コンデンサが同じ厚さであれは、Ｃ_1dはに等しい。ただし、∈_dはダミーコンデンサの比誘電圧率、∈_fは強誘電性コンデンサの比誘電圧率である。すると、となり、またはさらに一般的に、厚さ、ｄ、が同じではない場合、となる。ただし、ｄ_dはダミーコンデンサ１７２の厚さであり、ｄ_fは強誘電性動作中コンデンサ１８２の厚さである。コンデンサ１７２の容量についての上記値で、第１０図のタイミングチャートは第６図についてのそれと同じとなり、ダミー復帰サイクルが存在しないということを除き基本的に第９図のそれと同じである。基準線１８０はビット線１７５と反対の値をとるようになり、リニアコンデンサ１４１の両端の電圧は強誘電性コンデンサ１８２の両端の値と反対符号となる。リニアコンデンサは強誘電性ではないので、その両端の電荷に注意を払う必要がない。第１１図は本発明によるメモリの第４の実施例を示す。この実施例においては、メモリセル２１０は２Ｔ，２Ｃセルである。２１０のような各セルは、同等の２つの強誘電性コンデンサ２１２及び２１４を有している。コンデンサ２１２の一つのプレート２１１はトランジスタ２１６を介してビット線２２０に接続されており、コンデンサ２１４の一つのプレート２１７はトランジスタ２１８を介して基準線２２２に接続されている。コンデンサ２１２及び２１４の他のプレート２１３及び２１５はそれぞれ、線２２４を介して定電圧源に接続されている。この実施例においては、コンデンサ２１２及び２１４は反対の状態となり、ビット線２２０及び基準線２２２上の信号Ｄｉ及びＤｉ^*は互いに反転している。センスアンプ２２０及びそのビット２２０への接続は、第８図の回路のそれと同じであるが、ここでは複数の基準線２２２、２２５、２２６、その他があり、接続はビット線とともにそれらの基準線に対してなされなければならないので、ｙ−マルチプレクサ２３３におけるスイッチの数は倍である。第１１図の回路のタイミングチャートを第１２図に示す。ビット線２２０上に発生する信号及び電圧は第６図におけるのと基本的に同じであり、繰り返さない。この場合、セル２１０が論理“１”状態にあると、即ち、コンデンサ２１２が論理“１”に分極しておりコンデンサ２１４が論理“０”に分極していると、ビット線２２０上に発生する電圧はＱ_SW／Ｃ_D＋Ｑ₁／Ｃ_Dであり、基準線２２２上に発生する電圧はＱ₁／Ｃ_Dである。線２２２上の電圧は低いので、センスアンプ２３０は線２２０をＶ_CCにし、線２２２をＶ_SSにする。同様に、セル２１０が論理“０”状態にある場合、即ち、コンデンサ２１２が論理“０”状態に分極しており、コンデンサ２１４が論理“１”状態に分極している場合、基準線２２２上に発生する電圧はＱ_SW／Ｃ_D＋Ｑ₁／Ｃ_Dであり、基準線２２０上に発生する電圧はＱ₁／Ｃ_Dである。線２２０上の電圧は低いので、センスアンプ２３０は線２２２をＶ_CCにし、線２２０をＶ_SSにする。コンデンサ２１２及びコンデンサ２１４は共に読み出し過程でそれらの元の状態に復帰する。第１３図は本発明によるメモリセルが用いられている典型的な集積回路メモリ３３６を示すブロック図である。簡単のために、図示した実施例は１６Ｋ×１のＤＲＡＭであるが、本発明は不揮発メモリの広範な寸法及びタイプに利用できる。図示した１６Ｋの実施例においては、７本のアドレス入力線３３８が行アドレスレジスタ３３９と列アドレスレジスタ３４０に接続されている。行アドレスレジスタ３３９は７本の線３４２を介して行デコーダ３４１に接続されており、列アドレスレジスタ３４０は７本の線３４４を介して列デコーダ／データ入出力マルチプレクサ３４３に接続されている。行デコーダ３４１は１２８本の線３４６を介して１２８×１２８メモリセルアレイ３４５に接続されており、列デコーダ／データ入出力マルチプレクサ３４３は１２８本の線３４７を介してセンスアンプ３７９及びメモリセルアレイ３４５に接続されている。ＲＡＳ^*信号線３４８が行アドレスレジスタ３３９、行デコーダ３４１、及び列デコーダ／データ入出力マルチプレクサ３４３に接続されており、ＣＡＳ^*信号線３４９が列アドレスレジスタ３４０及び列デコーダ／データ入出力マルチプレクサ３４３に接続されている。入出力データ線３３５は列デコーダ／データ入出力マルチプレクサ３４３に接続されている。メモリセルアレイ３４５は１２８×１２８＝１６，３８４個のメモリセルを含んでおり、通常１６Ｋと呼ばれている。セルアレイ３４５及びこれに接続されたセンスアンプ３４７は上述したメモリセルとセンスアンプの任意の組み合わせを含んでもよい。メモリ３３６の動作は以下の通りである。線３３８上に置かれた行アドレス信号Ａ₀からＡ₆と列アドレス信号Ａ₇からＡ₁₃は、アドレスレジスタ３３９、３４０及び行デコーダ３４１及び列デコーダ／データ入出力マルチプレクサ３４３にそれぞれ向かうＲＡＳ^*及びＣＡＳ^*信号を経由して多重化される。行デコーダ３４１はアドレスされたワード線線３４６の一つをハイ信号にする。列デコーダ／データ入出力マルチプレクサ３４３は、機能が書き込み機能か読み出し機能かによって、列アドレスに対応するビット線３４７の一つに線３３５上のデータ信号を配置するか、または列アドレスに対応するビット線３４７の一つの上の信号をデータ線３３５に出力する。この分野で知られているように、読み出し機能は、ＲＡＳ^*信号がＣＡＳ^*信号に先行するときにトリガされ、書き込み機能はＣＡＳ^*信号がＲＡＳ^*信号の前に現れる場合にトリガされる。ハイになったワード線に接続されたセル内の７８及び７７（第５図）のようなトランジスタは、書き込み機能または読み出し機能のいずれが行われるかに依存して、上述したように、ビット線７９、８０上のデータ信号をコンデンサ７８及び７７に書き込むか、コンデンサ７８、７７の論理状態をビット線７９、８０にそれぞれ読み出すことを可能にする。上記に略述した機能を実行するのに必要なまたは便利な他の論理は他のメモリ機能とともにメモリ３３６に含まれるが、これは本発明に直接的に応用可能ではないので、図示も記載もしない。本発明によりコンデンサ内で用いられる１７のような強誘電性物質は、米国特許出願シリアル番号第965,190 号に記載のような、層状の超格子物質であることが好ましい。これらの物質は、ストロンチウム、カルシウム、バリウム、ビスマス、カドミウム、鉛、チタニウム、ハフニウム、タングステン、ニオブ、ジルコニウム、ビスマス、スカンジウム、イットリウム、ランタン、アンチモン、クロム、及びタリウムといった、金属の複合酸化物を備えている。好ましい層状超格子物質はストロンチウム・ビスマス・タンタル塩酸（ＳｒＢｉ₂Ｔａ₂Ｏ₉）である。強誘電性コンデンサの読み出しと復帰を単一動作で行う単純なメモリ回路と多くの他の利益について記載してきた。当業者は、発明のコンセフトから離れることなく、記載した特定の実施例の多くの利用と変形をなすことができることは明らかである。例えば、特定の基準電圧またはダミーコンデンサの使用により、如何にして読み出される強誘電性コンデンサを復帰させるセンスアンプとしての単一のラッチの使用が可能になるかを記載してきたが、同じことを行う基準電圧及び他のラッチと読み出しプロセスを与える他の方法及び装置で置き換えられる。上記した信号はある場合には異なる順序であり得ることも明らかである。または等価な構造及びプロセスが記載した様々な構造及びプロセスと置き換えられ得る。或いは、様々な異なる回路及び強誘電性物質が利用できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者マクミラン，ラリーディー. アメリカ合衆国，コロラド 80909，コロラドスプリングス，ローチロマンドレーン 4255

Claims

【特許請求の範囲】１．定電圧源（８５）と、ビット線（７９）と、論理“１”状態に対応する第１の分極状態と論理“０”に対応する第２の分極状態をとることができる第１の強誘電性コンデンサ（７６）を備えるメモリセル（７０）と、前記第１の強誘電性コンデンサ（７６）の状態が読み出されるとき前記強誘電性コンデンサ（７６）から前記ビット線（７９）に電荷を転送させることができるスイッチ手段（７８）と、前記第１の強誘電性コンデンサ（７６）の状態が読み出されるとき前記ビット線（７９）上の信号を検出し増幅するセンスアンプ（７２）とを有し、前記第１の強誘電性コンデンサ（７６）は前記ビット線（７６）と前記定電圧源（８５）との間に接続されているタイプの強誘電性不揮発メモリ（３３６）において、前記メモリはさらに基準電圧源（１０５）を備え、前記センスアンプは前記基準電圧源（１０５）と前記ビット線（７９）の間に接続されたラッチを備えていることを特徴とする、強誘電性不揮発メモリ。２．前記強誘電性コンデンサ（７６）の論理状態は、前記電荷が前記強誘電性コンデンサ（７６）から前記ビット線（７９）に転送されるとき破壊されるタイプの強誘電性メモリであって、前記メモリはさらに、単一の電子的動作で、前記電荷の転送前にビット線（７９）を前記強誘電性コンデンサ（７６）の状態により決定される論理状態にドライブすることと、前記強誘電性コンデンサ（７６）を前記電荷転送前にあった状態に復帰させることとの両方を行う読み出し／書き込み手段（１１１）により特徴づけられる、請求の範囲第１項記載の強誘電性メモリ。３．前記基準電圧源（１４０）は第２の強誘電性コンデンサ（１４１）を備えていることを特徴とする、請求の範囲第１項記載の強誘電性メモリ。４．前記第２の強誘電性コンデンサ（１４１）は前記第１の強誘電性コンデンサ（１２８）の面積より小さく、前記第１の強誘電性コンデンサ（１２８）の面積の１／２より大きい面積を有することを特徴とする請求の範囲第３項記載の不揮発メモリ。５．前記基準電圧源（１７０）はリニアコンデンサ（１７２）を備えていることを特徴とする、請求の範囲第１項記載の不揮発メモリ。６．前記メモリセル（７０）は１トランジスタ、１キャパシタ（７６）セルである、請求の範囲第１項記載の不揮発メモリ。７．前記メモリセルは２トランジスタ（２１６）、（２１８）、２キャパシタ（２１２）、（２１７）メモリセルである請求の範囲第１項記載の不揮発メモリ。８．前記第１のコンデンサ（７６）が前記論理“１”状態のとき前記ビット線（７９）を第１の電圧にし、前記コンデンサ（７６）が前記論理“０”状態のときは前記ビット（７９）を第２の電圧にする手段を備えていることを特徴とする、請求の範囲第１項記載の不揮発メモリ。９．前記基準電圧はＱ₁／Ｃ_DとＱ_SW／Ｃ_D＋Ｑ₁／Ｃ_Dとの間にあり、ここでＱ₁ は前記第１の強誘電性コンデンサ（７６）のリニア容量、Ｃ_Dは前記ビット線（７９）の容量、そしてＱ_SWは前記第１の強誘電性コンデンサ（７６）のスイッチング電荷であることを特徴とする請求の範囲第１項記載の不揮発メモリ。１０．前記スイッチ手段（３５）は前記第１の強誘電性コンデンサ（３１）と前記定電圧源（３８）との間に接続されていることを特徴とする、請求の範囲第１項記載の不揮発メモリ。