KR960038973A - 강유전체기억장치 - Google Patents
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Abstract
플레이트전극의 전위를 고정한 채로 데이터의 독출을 행할 수 있고, 또 독출시간을 짧게 할 수 있는 강유전체(强誘電體)기억장치를 실현한다.
기입시에는 강유전체커패시터 FC1, FC2의 플레이트전극의 전위를 Vcc/2에 고정하고, 스위칭트랜지스터 Tr1, Tr2를 소정 기간 도통시키고, 비트선 BL1, BL2에 플레이트 전극을 중간에 두고 고저의 전위 Vcc 및 OV를 인가하여 강유전체커패시터의 분극(分極) 상태를 설정한다. 독출시에는, 플레이트전극의 전위를 Vcc/2에 고정하고, 스위칭트랜지스터 Tr1, Tr2를 소정 기간 도통시키고, 이 때의 비트선 BL1, BL2의 전위변화의 차를 검출하고, 그 차에 의하여 비트선 BL1, BL2을 플레이트전극의 전위보다 높거나 낮은 전위Vcc 및 OV에 래치시키고, 그 때에 강유전체커패시터 FC1, FC2의 양 끝에 인가되는 전압에 의하여 재차 데이터의 기입을 행한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 2Tr∼2Cap 방식을 채용한 강유전체(强誘電體)불휘발성메모리의 기본적 1비트구성을 나타낸 도면, 제2도는 강유전체불휘발성메모리의 요부단면을 나타낸 도면.
Claims (10)
- 비트선에 접속된 스위칭트랜지스터와, 당해 스위칭트랜지스터에 직렬접속된 강유전체커패시터와의 조합 2조에 의하여 1비트가 구성되고, 각각의 강유전체커패시터는 상이한 방향으로 분극(分極)되고, 그 분극의 방향에 의하여 2치의 데이터를 기억하는 강유전체기억장치로서, 기입동작시에, 강유전체커패시터 끝의 플레이트전극을 일정한 전위에 고정하고 스위칭트랜지스터를 소정 기간만 도통시키는 수단과, 2개의 비트선에, 플레이트전극의 전위를 중간에 두고 고저의 전위를 각각 인가하는 수단을 가지는 강유전체기억장치.
- 비트선에 접속된 스위칭트랜지스터와, 당해 스위칭트랜지스터에 직렬접속된 강유전체커패시터와의 조합 2조에 의하여 1비트가 구성되고, 각각의 강유전체커패시터는 상이한 방향으로 분극되고, 그 분극의 방향에 의하여 2치의 데이터를 기억하는 강유전체기억장치로서, 기입동작시에, 스위칭트랜지스터 소정 기간만 도통시킨 상태에서, 강유전체커패시터 끝의 플레이트전극에 대하여 일정한 전위를 인가하는 수단과, 2개의 비트선에, 플레이트전극의 전위를 중간에 두고 고저의 전위를 각각 인가하는 수단을 가지는 강유전체기억장치.
- 비트선에 접속된 스위칭트랜지스터와, 당해 스위칭트랜지스터에 직렬접속된 강유전체커패시터와의 조합 2조에 의하여 1비트가 구성되고, 각각의 강유전체커패시터는 상이한 방향으로 분극되고, 그 분극의 방향에 의하여 2치의 데이터를 기억하는 강유전체기억장치로서, 독출동작시에, 강유전체커패시터 끝의 플래이트전극의 전위를 고정하고, 스위칭 트랜지스처를 소정 기간만 도통시키는 수단과, 스위칭트랜지스터를 도통시켰을 때의 2개의비트선의 전위변화의 차를 검출하고, 그 차에 의하여 2개의 비트선을 각각 플레이트전극의 전위보다 높거나 또는 낮은 전위 래치하고, 그 때에 강유전체커패시터의 양끝에 인가되는 전압에 의하여 재차 데이터의 기입을 행하게 하는 수단을 가지는 가유전체기억장치.
- 비트선에 접속된 스위칭트랜지스터와, 당해 스위칭트랜지스터에 직렬접속된 강유전체커패시터와의 조합 2조에 의하여 1비트가 구성되고, 각각의 강유전체커패시터는 상이한 방향으로 분극되고, 그 분극의 방향에 의하여 2치의 데이터를 기억하는 강유전체기억장치로서, 독출동작시에, 스위칭트랜지스터를 소정 기간만 도통시킨상태에서, 강유전체커패시터 끝의 플레이트전극에 대하여 일정한 전위를 인가하는 수단과, 플레이트전극에 전위를 인가했을 때의 2개의 비트선의 전위변화의 차를 검출하고, 그 차에 의하여 2개의 비트선을 각각 플레이트전극의 전위보다 높거나 또는 낮은 전위 래치하고, 그 때에 강유전체커패시터의 양 끝에 인가되는 전압에 의하여 재차 데이터의 기입을 행하게 하는 수단을 가지는 강유전체기억장치.
- 비트선에 접속된 스위칭트랜지스터와, 당해 스위칭트랜지스터에 직렬접속된 강유전체커패시터에 의하여 1비트가 구성되고, 강유전체의 분극의 방향에 의하여 2치의 데이터를 기억하는 강유전체기억장치로서, 기입동작시에, 강유전체커패시터 끝의 플레이트전극을 일정한 전위에 고정하고, 스위칭트랜지스터를 소정 기간만 도통시키는 수단과, 비트선에 플레이트전극의 전위를 중간에 두고 높거나 또는 낮은 전위를 인가하는 수단을 가지는 강유전체기억장치.
- 비트선에 접속된 스위칭트랜지스터와, 당해 스위칭트랜지스터에 직렬접속된 강유전체커패시터에 의하여 1비트가 구성되고, 강유전체의 분극의 방향에 의하여 2치의 데이터를 기억하는 강유전체기억장치로서, 기입동작시에, 스위칭트랜티스터를 소정 기간만 도통시킨 상태에서, 강유전체커패시터 끝의 플레이트전극에 대하여 일정한 전위를 인가하는 수단과, 비트선에 플레이트전극의 전위를 중간에 두고 높거나 또는 낮은 전위를 인가하는 수단을 가지는 강유전체기억장치.
- 비트선에 접속된 스위칭트랜지스터와, 당해 스위칭트랜지스터에 직렬접속된 강유전체커패시터에 의하여 1비트가 구성되고, 강유전체의 분극의 방향에 의하여 2치의 데이터를 기억하는 강유전체기억장치로서, 독출동작시에, 강유전체커패시터 끝의 플레이트전극의 전위를 고정하고, 스위칭트랜티스터를 소정 기간만 도통시키는 수단과, 스위칭트랜티스터를 도통시켰을 때의 비트선전위와, 별개로 배설된 레퍼런스전위와의 차를 검출하고, 그 차에 의하여 비트선을 플레이트전극의 전위보다 높거나 또는 낮은 전위에 래치하고, 그 때에 강유전체커패시터의 양 끝에 인가되는 전압에 의하여 재차 데이터의 기입을 행하게 하는 수단을 가지는 강유전체기억장치.
- 비트선에 접속된 스위칭트랜지스터와, 당해 스위칭트랜지스터에 직렬접속된 강유전체커패시터에 의하여 1비트가 구성되고, 강유전체의 분극의 방향에 의하여 2치의 데이터를 기억하는 강유전체기억장치로서, 독출동작시에, 스위칭트랜지스터를 소정 기간만 도통시킨 상태에서 강유전체커패시터 끝의 플레이트전극에 대하여 일정한 전위를 인가하는 수단과, 플레이트전극에 전위를 인가했을 때의 비트선전위와, 별개로 배설된 레퍼런스전위와의 차를 검출하고, 그 차에 의하여 비트선을 플레이트전극의 전위보다 높거나 또는 낮은 전위에 래치하고, 그 때에 강유전체커패시터의 양 끝에 인가되는 전압에 의하여 재차 데이터의 기입을 행하게 하는 수단을 가지는 강유전체기억장치.
- 제1항 내지 제8항중 어는 한 항에 있어서, 플레이트전극에 인가하는 전위가 기입, 독출시에 비트선에 인가되는 고저의 전위의 중간에 설정되는 강유전체기억장치.
- 제1항, 제3항, 제5항, 제7항 또는 제9항에 있어서, 동작시에, 일정 시간마다 비트선에 대하여 플레이트전극의 고정전압과 동일 전압을 공급하여, 스위칭트랜지스터를 도통시키는 수단을 가지는 강유전체기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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