KR970017613A - 강유전성 반도체 메모리 및 그 억세스 방법 - Google Patents

강유전성 반도체 메모리 및 그 억세스 방법 Download PDF

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KR970017613A
KR970017613A KR1019960043814A KR19960043814A KR970017613A KR 970017613 A KR970017613 A KR 970017613A KR 1019960043814 A KR1019960043814 A KR 1019960043814A KR 19960043814 A KR19960043814 A KR 19960043814A KR 970017613 A KR970017613 A KR 970017613A
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도루 기무라
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가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
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Abstract

강유전성 캐패시터로 이루어진 메모리 셀에서는 하나의 2진 데이타가 유전 성분에 저장되고 다른 2진 데이타가 강유전성 성분에 저장된다. 그러므로, DRAM 모드와 FRAM 모드 각각에서 하나의 메모리 셀 내의 2진 데이타를 저장할 수 있어 결과적으로 2진 데이타의 2개의 아이템 또는 4진 데이타(quaternary data)가 저장될 수 있다. 그러므로, 이중 메모리 캐패시터가 동일한 셀 크기로 실현될 수 있어서 반도체 메모리의 셀 크기를 증가시키지 않고 고메모리 용량을 실현할 수 있다.

Description

강유전성 반도체 메모리 및 그 억세스 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 강유전성 메모리 캐패시터를 사용하는 본 발명에 따른 메모리 셀의 회로도,
제2도는 제1도에 도시된 메모리 셀의 개략 단면도,
제4도는 본 발명에 따른 반도체 메모리의 실시예의 회로도.

Claims (6)

  1. 강유전성 물질로 이루어진 캐패시터 유전체를 갖는 메모리 캐패시터를 가진 적어도 1개의 메모리 셀을 구비하는 반도체 메모리에 있어서, 상기 강유전성 물질의 유전 성분을 이용하여 상기 메모리 셀 내에 제1 2진 데이타, 및 상기 강유전성 물질의 강유전 성분을 이용하여 상기 메모리 셀 내에 제2 2진 데이타를 저장하는 수단을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 강유전성 물질의 유전 성분을 이용하여 상기 메모리 셀 내에 기록된 상기 제1 2진 데이타 및 상기 강유전성 물질의 강유전 성분을 이용하여 상기 메모리 셀 내에 기록된 상기 제2 2진 데이타를 판독하기 위한 수단, 및 판독된 제1 2진 데이타 및 판독된 제2 2진 데이타에 기초하여 논리 연산으로부터 얻어진 4진 데이타를 출력하기 위해 상기 판독 제1 2진 데이타 및 상기 판독 제2 2진 데이타를 수신하는 수단을 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  3. 제2항에 있어서, 상기 강유전성 물질의 강유전 성분을 이용하여 저장될 데이타가 기록될 때, 및 상기 강유전성 물질의 강유전 성분을 이용하여 저장된 데이타가 판독될 때의 제1참조 전압, 및 상기 유전 물질의 강유전 성분을 이용하여 저장될 데이타가 기록될 때, 및 상기 강유전성 물질의 유전 성분을 이용하여 저장된 데이타가 판독할 때의, 상기 제1참조 전압과 상이한 제2참조 전압을 감지 증폭기에 공급하는 수단을 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  4. 제1항에 있어서, 상기 강유전성 물질의 강유전 성분을 이용하여 저장될 데이타가 기록될 때, 및 상기 강유전성 물질의 강유전 성분을 이용하여 저장된 데이타가 판독될 때의 제1참조 전압, 및 상기 유전 물질의 강유전 성분을 이용하여 저장된 데이타가 기록될 때, 및 상기 강유전성 물질의 유전 성분을 이장하여 저장된 데이타가 판독할 때의, 상기 제1참조 전압과 상이한 제2참조 전압을 감지 증폭기에 공급하는 수단을 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  5. 강유전성 물질로 이루어진 캐패시터 유전체를 갖는 메모리 캐패시터를 가진 적어도 1개의 메모리 셀을 구비한 반도체 메모리를 억세스하는 방법에 있어서, 데이타를 상기 메모리 셀 내에 기록할 때 상기 강유전성 물질의 강유전 성분을 이용하여 2진 데이타를 선기입하는 단계, 및 상기 강유전성 물질의 유전 성분을 이용하여 2진 데이타를 후기입하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 억세스 방법.
  6. 강유전성 물질로 이루어진 캐패시터 유전체를 갖는 메모리 캐패시터를 가진 적어도 1개의 메모리 셀을 구비한 반도체 메모리를 억세스하는 방법에 있어서, 상기 메모리 셀로부터 데이타를 판독할 때에, 상기 강유전성 물질의 유전 성분을 이용하여 상기 메모리 셀 내에 기록된 제1 2진 데이타를 선판독하는 단계, 및 상기 강유전 물질의 강유전 성분을 이용하여 상기 메모리 셀 내에 기록된 2진 데이타를 후판독하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 억세스 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960043814A 1995-09-30 1996-09-30 강유전성 반도체 메모리 및 그 억세스 방법 KR100242504B1 (ko)

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