KR970023381A - 강유전체기억장치 - Google Patents
강유전체기억장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970023381A KR970023381A KR1019960045323A KR19960045323A KR970023381A KR 970023381 A KR970023381 A KR 970023381A KR 1019960045323 A KR1019960045323 A KR 1019960045323A KR 19960045323 A KR19960045323 A KR 19960045323A KR 970023381 A KR970023381 A KR 970023381A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cell
- comparison
- data
- read
- comparison cell
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
Abstract
독출시의 동작마진을 충분히 확보할 수 있어, 신뢰성이 높은 강유전체(强誘電體)기억장치를 실현한다.
1TR-1CAP형 셀의 강유전체기억장치에 있어서, 메모리셀 MA의 데이터독출을 행할 경우에는, 서로 역상(逆相)의 데이터가 기록된 제1의 비교셀 RM1′, 및 제2의 비교셀 RM2′의 합성데이터와 비교독출을 행하고, 메모리셀 MA′의 데이터독출을 행할 경우에는, 서로 역상의 데이터가 기록된 제1의 비교셀 RM1, 및 제2의 비교셀 RM2의 합성데이터와 비교독출을 행한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 강유전체(强誘電體)기억장치에 있어서, 제1의 실시형태를 나타낸 도면,
제5도는 본 발명에 관한 강유전체기억장치에 있어서, 제2의 실시형태를 나타낸 도면,
제7도는 본 발명에 관한 강유전체기억장치에 있어서, 제3의 실시형태를 나타낸 도면.
Claims (8)
- 행상(行狀)으로 배열된 워드선과 열상(列狀)으로 배열된 비트선과의 각 교차점에 배치된 1개의 선택트랜지스터와 1개의 강유전체커패시터로 구성되는 메모리셀의 상기 강유전체커패시터의 분극(分極)방향에 의하여, 서로 역상(逆狀)의 제1의 데이터 또는 제2의 데이터중 어느 하나의 데이터를 기억하는 강유전체기억장치로서, 데이터독출시에, 선택된 워드선내의 각각의 독출셀마다에 대응하여, 비교독출을 행하고, 또한 서로 역상의 데이터를 기억하는 제1의 비교셀 및 제2의 비교셀과, 상기 독출셀이 접속된 독출비트선마다에 대응하여, 상기 제1의 비교셀 및 제2의 비교셀이 접속된 비교비트선과를 가지는 강유전체기억장치.
- 청구항 1에 있어서, 데이터독출시에, 상기 독출셀의 데이터를 상기 독출비트선에, 상기 제1의 비교셀 및 제2의 비교셀의 데이터를 상기 비교비트선에 병렬로 독출하여, 상기 독출비트선 전위와 상기 비교비트선 전위의 비교결과에 의하여, 상기 독출셀의 데이터를 판정하는 수단을 가지는 강유전체기억장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제1의 비교셀 및 제2의 비교셀의 강유전체커패시터의 사이즈가 상기 독출셀의 강유전체커패시터보다 작은 강유전체기억장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 독출셀의 강유전체커패시터와 상기 제1의 비교셀 및 제2의 비교셀의 강유전체커패시터는 동일 사이즈인 강유전체기억장치.
- 청구항 4에 있어서, 상기 비교비트선은 부가용량을 접속하는 수단을 가지고, 데이터독출시에 상기 비교비트선에 상기 부가용량을 접속하는 강유전체기억장치.
- 청구항 5에 있어서, 상기 부가용량은 선택되지 않은 메모리어레이내의 비트선인 강유전체기억장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제1의 비교셀 및 제2의 비교셀은, 각각의 워드선과 비트선과의 교차점에 배치된 1개의 선택트랜지스터와 1개의 강유전체커패시터와, 당해 강유전체커패시터와 상기 선택트랜지스터와의 접속부를 소정의 제1의 전위 또는 제2의 전위에 접속하는 접속수단을 가지는 강유전체기억장치.
- 청구항 7에 있어서, 상기 데이터독출 후에, 상기 제1의 비교셀을 상기 제1의 전위에 접속함으로써 상기 제1의 비교셀에 원하는 데이터의 기입을 행하고, 상기 제2의 비교셀을 상기 제2의 전위에 접속함으로써 상기 제2의 비교셀에 원하는 데이터의 기입을 행하는 수단을 가지는 강유전체기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7275799A JPH09120685A (ja) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | 強誘電体記憶装置 |
JP95-275799 | 1995-10-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970023381A true KR970023381A (ko) | 1997-05-30 |
KR100444560B1 KR100444560B1 (ko) | 2004-12-14 |
Family
ID=17560576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960045323A KR100444560B1 (ko) | 1995-10-24 | 1996-10-11 | 강유전체기억장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5754466A (ko) |
JP (1) | JPH09120685A (ko) |
KR (1) | KR100444560B1 (ko) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10163451A (ja) * | 1996-12-02 | 1998-06-19 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP3933736B2 (ja) * | 1996-12-09 | 2007-06-20 | ローム株式会社 | 強誘電体コンデンサを備えた半導体装置 |
US6097624A (en) * | 1997-09-17 | 2000-08-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of operating ferroelectric memory devices having reconfigurable bit lines |
KR100306823B1 (ko) * | 1997-06-02 | 2001-11-30 | 윤종용 | 강유전체메모리셀들을구비한불휘발성메모리장치 |
KR100268444B1 (ko) * | 1997-08-30 | 2000-10-16 | 윤종용 | 강유전체 랜덤 액세스 메모리 장치 |
JPH11110976A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US5892728A (en) * | 1997-11-14 | 1999-04-06 | Ramtron International Corporation | Column decoder configuration for a 1T/1C ferroelectric memory |
US5978251A (en) * | 1997-11-14 | 1999-11-02 | Ramtron International Corporation | Plate line driver circuit for a 1T/1C ferroelectric memory |
US6028783A (en) | 1997-11-14 | 2000-02-22 | Ramtron International Corporation | Memory cell configuration for a 1T/1C ferroelectric memory |
US5995406A (en) * | 1997-11-14 | 1999-11-30 | Ramtron International Corporation | Plate line segmentation in a 1T/1C ferroelectric memory |
US20050122765A1 (en) * | 1997-11-14 | 2005-06-09 | Allen Judith E. | Reference cell configuration for a 1T/1C ferroelectric memory |
US6002634A (en) * | 1997-11-14 | 1999-12-14 | Ramtron International Corporation | Sense amplifier latch driver circuit for a 1T/1C ferroelectric memory |
US5969980A (en) * | 1997-11-14 | 1999-10-19 | Ramtron International Corporation | Sense amplifier configuration for a 1T/1C ferroelectric memory |
US5986919A (en) * | 1997-11-14 | 1999-11-16 | Ramtron International Corporation | Reference cell configuration for a 1T/1C ferroelectric memory |
KR100275336B1 (ko) * | 1997-12-24 | 2000-12-15 | 김영환 | 강유전체 메모리 장치의 기준전압발생기 |
JPH11273360A (ja) * | 1998-03-17 | 1999-10-08 | Toshiba Corp | 強誘電体記憶装置 |
US6972296B2 (en) * | 1999-05-07 | 2005-12-06 | Encysive Pharmaceuticals Inc. | Carboxylic acid derivatives that inhibit the binding of integrins to their receptors |
JP4421009B2 (ja) * | 1999-06-02 | 2010-02-24 | 株式会社東芝 | 強誘電体メモリ |
KR100335133B1 (ko) * | 2000-01-28 | 2002-05-04 | 박종섭 | 불휘발성 강유전체 메모리 장치 및 그에 따른 구동방법 |
JP2001229679A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 強誘電体記憶装置 |
US6563743B2 (en) * | 2000-11-27 | 2003-05-13 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having dummy cells and semiconductor device having dummy cells for redundancy |
KR100427041B1 (ko) * | 2001-04-25 | 2004-04-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 강유전체 메모리 장치에서의 기준전압 발생 장치 |
US6459609B1 (en) * | 2001-12-13 | 2002-10-01 | Ramtron International Corporation | Self referencing 1T/1C ferroelectric random access memory |
JP3936599B2 (ja) * | 2002-02-25 | 2007-06-27 | 富士通株式会社 | 半導体メモリ |
JP4099349B2 (ja) | 2002-06-04 | 2008-06-11 | 富士通株式会社 | 強誘電体メモリ |
JP3756873B2 (ja) * | 2002-11-11 | 2006-03-15 | 沖電気工業株式会社 | 半導体記憶装置 |
KR100562646B1 (ko) * | 2004-12-22 | 2006-03-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 저전압용 반도체 메모리 장치 |
US7200027B2 (en) * | 2004-12-29 | 2007-04-03 | Texas Instruments Incorporated | Ferroelectric memory reference generator systems using staging capacitors |
JP2008205241A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Fujitsu Ltd | 強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法 |
KR100866527B1 (ko) | 2008-04-10 | 2008-11-03 | 이재경 | 오일필터용 여과지 접착기 |
US8559243B2 (en) | 2010-11-22 | 2013-10-15 | Infineon Technologies Ag | Self timed current integrating scheme employing level and slope detection |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970000870B1 (ko) * | 1992-12-02 | 1997-01-20 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 반도체메모리장치 |
US5381364A (en) * | 1993-06-24 | 1995-01-10 | Ramtron International Corporation | Ferroelectric-based RAM sensing scheme including bit-line capacitance isolation |
US5572459A (en) * | 1994-09-16 | 1996-11-05 | Ramtron International Corporation | Voltage reference for a ferroelectric 1T/1C based memory |
JP2576425B2 (ja) * | 1994-10-27 | 1997-01-29 | 日本電気株式会社 | 強誘電体メモリ装置 |
JP3186485B2 (ja) * | 1995-01-04 | 2001-07-11 | 日本電気株式会社 | 強誘電体メモリ装置およびその動作制御方法 |
US5621680A (en) * | 1996-04-01 | 1997-04-15 | Motorola, Inc. | Data storage element and method for reading data therefrom |
-
1995
- 1995-10-24 JP JP7275799A patent/JPH09120685A/ja active Pending
-
1996
- 1996-10-11 KR KR1019960045323A patent/KR100444560B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-10-22 US US08/734,776 patent/US5754466A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100444560B1 (ko) | 2004-12-14 |
JPH09120685A (ja) | 1997-05-06 |
US5754466A (en) | 1998-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970023381A (ko) | 강유전체기억장치 | |
US5373463A (en) | Ferroelectric nonvolatile random access memory having drive line segments | |
US6301145B1 (en) | Ferroelectric memory and method for accessing same | |
US8218386B2 (en) | Embedded memory databus architecture | |
US7518901B2 (en) | Ferroelectric semiconductor memory device and method for reading the same | |
KR950015396A (ko) | 반도체 불휘발성 기억장치 | |
KR940018974A (ko) | 반도체기억장치(semiconductor memory device) | |
KR960015578A (ko) | 버스트 동작중에 리프레시 동작이 가능한 반도체 기억장치 | |
KR970003204A (ko) | 강유전체 기억장치 | |
US5724286A (en) | Flexible DRAM array | |
KR920001536A (ko) | 반도체기억장치 | |
KR970017613A (ko) | 강유전성 반도체 메모리 및 그 억세스 방법 | |
US5625601A (en) | DRAM page copy method | |
KR910014813A (ko) | 반도체메모리시스템 | |
US6950328B2 (en) | Imprint suppression circuit scheme | |
JPH04155694A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2000048577A (ja) | 強誘電体メモリ | |
KR20000034004A (ko) | 비휘발성 강유전체 메모리 | |
JP3777611B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置及び電子機器 | |
CN111292782B (zh) | 非易失性随机存取存储器及存取方法 | |
JPH07201170A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR100353823B1 (ko) | 강유전체 메모리 소자의 기준 전압 발생 장치 | |
CN1345450A (zh) | 具有可写存储单元的集成存储器的工作方法和相应的集成存储器 | |
KR960038973A (ko) | 강유전체기억장치 | |
KR970051210A (ko) | 연속적인 라이트 사이클에 의한 반도체 메모리 라이트 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130726 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140725 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |