KR930015015A - 강유전성 캐패시터를 갖는 메모리 셀 - Google Patents

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KR930015015A
KR930015015A KR1019920024853A KR920024853A KR930015015A KR 930015015 A KR930015015 A KR 930015015A KR 1019920024853 A KR1019920024853 A KR 1019920024853A KR 920024853 A KR920024853 A KR 920024853A KR 930015015 A KR930015015 A KR 930015015A
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transistor
coupled
pole
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memory cell
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KR1019920024853A
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Inventor
에이취. 샤 아스윈
Original Assignee
윌리엄 이. 힐러
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
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Abstract

SRAM 메모리 셀(10 : 제1도)은 데이타 값을 저장하고 해독하기도 하는 2개의 전압 단자(28 및 30)을 갖고 있는 래치를 포함한다. 강유전성 캐패시터(54 및 56)은 각각 단자 및 전압 공급원에 결합된다. 회로(58)은 2개의 전압단자로의 전압 레벨을 선택적으로 해독 및 기입하도록 제공된다. 강유전성 캐패시터는 대기 모드에서 래치로의 충전을 유지할 수 있어서, VLSI 기술에 비해 전력 소모가 줄어들 뿐만 아니라 팩케이지 규모 역시 감소된다.

Description

강유전성 캐패시터를 갖는 메모리 셀
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라 구성되고 동자되는 메모리 셀의 개략도,
제2도는 온도와 저장된 전하의 함수로서 개시된 메모리 셀의 전류 누설 특성을 그래프로 도시한 도면.

Claims (8)

  1. 데이타 값을 저장하기 위한 제1 및 제2전압 단자를 갖고 있는 래치, 제1단자와 제2전압원 사이에 결합된 제1강유전성 캐패시터, 제2단자와 제1전압원 사이에 결합된 제2강유전성 캐패시터, 및 상기 단자로의 전압 레벨을 해독 및 기입하기 위한 제어회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 SRAM 메모리 셀.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2강유전성 캐패시터가 PZT로 제조되는 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
  3. 제1항에 있어서, 상기 래치가 제1 및 제2트랜지스터를 포함하고, 각각의 트랜지스터가 각각의 트랜지스터내의 전류 경로를 정하는 제어 전극 및 제1과 2폴을 갖고 있으며, 각각의 트랜지스터의 제1폴이 제1 및 제2전압단자에 각각 결합되고, 각각의 트랜지스터의 상기 제2폴이 제2전압원에 각각 결합되며, 각각의 트랜지스터의 상기 제어 전극이 다른 트랜지스터의 상기 제1전극에 교차결합되는 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2강유전성 캐패시터가 PZT로 제조되는 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
  5. 전류 경로 및 제어 전극을 정하는 제1 및 제2폴을 각각 갖고 있는 제1 및 제2트랜지스터, 제1트랜지스터의 제1폴과 제2전압원 사이에 결합된 제1강유전성 캐패시터, 제2트랜지스터의 제1폴과 제2전압원 사이에 결합된 제2강유전성 캐패시터, 각각의 트랜지스터 상태를 선택적으로 감지하여 변환시키기 위한 제어회로를 포함하고, 상기 제어전극 및 각각의 트랜지스터의 제1폴이 교차 결합되고, 각각의 트랜지스터의 제2폴이 제1전압원에 결합되는 것을 특징으로 하는 SRAM 메모리 셀.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2강유전성 캐패시터가 PZT로 제조되는 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
  7. 전류 경로 및 제어 전극을 정하는 제1 및 제2폴을 각각 갖고 있는 제1 및 제2트랜지스터, 제1트랜지스터의 제1폴과 제2전압원 사이에 결합되고, 증가된 온도에서 증가하고 0.05-0.1pF의 용량을 갖는 누설 전류를 갖고 있는 제1캐패시터, 제2캐패시터의 제1폴과 제2전압원 사이에 결합되고, 증가된 온도를 증가시키고, 0.05-0.1pF의 용량을 갖는 제2캐패시터, 및 각각의 트랜지스터 상태를 선택적으로 감지하여 변화시키기 위한 제어회로를 포함하고, 상기 제어전극 및 각각의 트랜지스터의 제1폴이 교차 결합되고, 각각의 트랜지스터의 제2폴이 제1전압원에 결합되는 것을 특징으로 하는 SRAM 메모리 셀.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2캐패시터가 1012내지 1014Ω의 등가 저항을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 메모리 셀.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920024853A 1991-12-20 1992-12-19 강유전성 캐패시터를 갖는 메모리 셀 KR930015015A (ko)

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