KR910015057A - 반도체집적회로 - Google Patents

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KR910015057A
KR910015057A KR1019910000694A KR910000694A KR910015057A KR 910015057 A KR910015057 A KR 910015057A KR 1019910000694 A KR1019910000694 A KR 1019910000694A KR 910000694 A KR910000694 A KR 910000694A KR 910015057 A KR910015057 A KR 910015057A
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오사무 마츠모토
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

내용 없음

Description

반도체집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 반도체집적회로에 설치된 모니터회로의 1실시예를 나타낸 블록도, 제2도는 제1도중 모니터 회로의 1구체예를 나타낸 회로도, 제3도는 각각 제2도에 나타낸 모니터회로를 사용한 불휘발성 반도체메모리의 일부를 나타낸 회로도.

Claims (7)

  1. 동일 칩상에 제어전압입력패드(11)와, 피측정소자(1)에 접속되면서 상기 제어전압입력패드(11)를 매개로 집적회로칩외부로부터 공급되는 제어전압에 따라 전류공급능력의 제어가 가능한 부하소자(12) 및, 상기 피측정소자(1)와 부하소자(12)의 접속점의 전위를 검지하는 전위검지회로(14)를 구비하여 구성되어 상기 전위검지회로(14)의 검지출력을 집적회로칩외부로부터 취출하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 피측정소자(1)는 불휘발성 반도체메모리소자인 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어전압입력패드(11)에 공급되는 제어전압에 따라 상기 부하소자(12)의 전류공급능력을 제어하는 부하제어소자(13)가 더 설치되고, 상기 부하소자(12)및 상기 부하제어소자(13)는 전류미러회로(CM)를 형성하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 부하소자(12)및 그 전류공급능력을 제어하는 부하제어소자(13)는 MOS 트랜지스터로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
  5. 제1항에 있어서, 테스트모드시에만 상기 부하소자(12)의 전류공급능력을 제어하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제어전압입력패드(11)는 집적회로의 통상 동작 모드시에는 이용되는 다른 패드와 공용되도록 된 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
  7. 제1항과 제2항, 제5항 및 제6항중 어느 한 항에 있어서, 상기 전위검지회로는 상기 불휘발성 메모리소자의 데이터를 독출하기 위한 전위검지회로와 공용되도록 된 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910000694A 1990-01-19 1991-01-17 모니터기능을 갖춘 반도체 기억장치 KR950007420B1 (ko)

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