KR960038412A - 패키지레벨 직류전압 테스트가 가능한 반도체 메모리장치 - Google Patents
패키지레벨 직류전압 테스트가 가능한 반도체 메모리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960038412A KR960038412A KR1019950009642A KR19950009642A KR960038412A KR 960038412 A KR960038412 A KR 960038412A KR 1019950009642 A KR1019950009642 A KR 1019950009642A KR 19950009642 A KR19950009642 A KR 19950009642A KR 960038412 A KR960038412 A KR 960038412A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- bonding pads
- switching
- memory device
- semiconductor memory
- device capable
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/48—Arrangements in static stores specially adapted for testing by means external to the store, e.g. using direct memory access [DMA] or using auxiliary access paths
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
- G11C2029/5004—Voltage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Dram (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 패키지 상태에서 외부와 전기적인 연결이 가능한 복수의 본딩 패드들; 적어도 하나 이상의 내부직류전압 발생수단; 복수의 본딩패드들 중 어느 하나와 상기 적어도 하나 이상의 내부 직류전압 발생수단중 어느 하나 사이에 연결되고 테스트모드에서 스위칭 온되며 정상 모드에서는 스위칭오프되는 적어도 하나 이상의 스위칭 수단; 및 복수의 본딩 패드들 중 다른 두 개의 본딩 패드들 사이에 연결되어 테스트 모드에서 외부에서 공급되는 스위칭신호에 응답하여 상기 적어도 하나의 스위칭수단을 온/오프 제어하는 스위칭 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에서는 일반 콘트롤 패드를 직류전압 테스트용 패드로 겸용 사용할 수 있어서 칩의 사이즈 증가를 억제할 수 있고 패키지 레벨에서 여러 가지 직류전압을 테스트 할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 패키지 레벨 직류전압 테스트가 가능한 반도체 메모리 장치를 설명하기 위한 도면.
Claims (1)
- 패키지 상태에서 외부와 전기적인 연결이 가능한 복수의 본딩 패드들; 적어도 하나 이상의 내부 직류전압 발생수단; 상기 복수의 본딩 패드들 중 어느 하나와 상기 적어도 하나 이상의 내부 직류전압 발생수단 중 어느 하나 사이에 연결되고 테스트모드에서 스위칭 온되며 정상 모드에서는 스위칭오프되는 적어도 하나 이상의 스위칭수단; 및 상기 복수의 본딩패드들 중 적어도 다른 두 개 이상의 본딩 패드들 사이에 연결되어 테스트 모드에서 외부에서 공급되는 스위칭신호에 응답하여 상기 적어도 하나의 스위칭수단을 온/오프 제어하는 스위칭 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 패키지 직류테스트가 가능한 반도체 메모리 장치.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950009642A KR0151032B1 (ko) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 패키지 레벨 직류전압 테스트가 가능한 반도체 메모리장치 |
JP8082635A JPH08304515A (ja) | 1995-04-24 | 1996-04-04 | パッケージ状態で直流電圧テスト可能な半導体メモリ装置 |
US08/636,428 US6298001B1 (en) | 1995-04-24 | 1996-04-23 | Semiconductor memory device enabling direct current voltage test in package status |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950009642A KR0151032B1 (ko) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 패키지 레벨 직류전압 테스트가 가능한 반도체 메모리장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960038412A true KR960038412A (ko) | 1996-11-21 |
KR0151032B1 KR0151032B1 (ko) | 1999-01-15 |
Family
ID=19412804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950009642A KR0151032B1 (ko) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 패키지 레벨 직류전압 테스트가 가능한 반도체 메모리장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6298001B1 (ko) |
JP (1) | JPH08304515A (ko) |
KR (1) | KR0151032B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100452326B1 (ko) * | 2002-07-04 | 2004-10-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리장치의 동작전압 모드 선택 방법 |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19852071C2 (de) * | 1998-11-11 | 2000-08-24 | Siemens Ag | Integrierter Halbleiterchip mit über Bondpads voreingestellter Dateneingabe-/Datenausgabe-Organisationsform |
KR20010003089A (ko) * | 1999-06-21 | 2001-01-15 | 김영환 | 노말 패키지 실험 겸용 로드박스용 패키지 실험방법 |
US7444575B2 (en) * | 2000-09-21 | 2008-10-28 | Inapac Technology, Inc. | Architecture and method for testing of an integrated circuit device |
US6732304B1 (en) | 2000-09-21 | 2004-05-04 | Inapac Technology, Inc. | Chip testing within a multi-chip semiconductor package |
US7240254B2 (en) * | 2000-09-21 | 2007-07-03 | Inapac Technology, Inc | Multiple power levels for a chip within a multi-chip semiconductor package |
US6754866B1 (en) | 2001-09-28 | 2004-06-22 | Inapac Technology, Inc. | Testing of integrated circuit devices |
US6812726B1 (en) | 2002-11-27 | 2004-11-02 | Inapac Technology, Inc. | Entering test mode and accessing of a packaged semiconductor device |
US20040019841A1 (en) * | 2002-07-25 | 2004-01-29 | Ong Adrian E. | Internally generating patterns for testing in an integrated circuit device |
US8001439B2 (en) | 2001-09-28 | 2011-08-16 | Rambus Inc. | Integrated circuit testing module including signal shaping interface |
US8166361B2 (en) | 2001-09-28 | 2012-04-24 | Rambus Inc. | Integrated circuit testing module configured for set-up and hold time testing |
US8286046B2 (en) | 2001-09-28 | 2012-10-09 | Rambus Inc. | Integrated circuit testing module including signal shaping interface |
US7313740B2 (en) * | 2002-07-25 | 2007-12-25 | Inapac Technology, Inc. | Internally generating patterns for testing in an integrated circuit device |
US7061263B1 (en) | 2001-11-15 | 2006-06-13 | Inapac Technology, Inc. | Layout and use of bond pads and probe pads for testing of integrated circuits devices |
US8063650B2 (en) | 2002-11-27 | 2011-11-22 | Rambus Inc. | Testing fuse configurations in semiconductor devices |
JP3738001B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2006-01-25 | 松下電器産業株式会社 | 半導体集積回路装置 |
US20050223289A1 (en) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Ming-Jing Ho | Semiconductor embedded memory devices having bist circuit situated under the bonding pads |
KR101019983B1 (ko) * | 2004-04-16 | 2011-03-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 패키징 상태에서 내부전압을 측정할 수 있는 패드 구조를갖는 메모리 장치 |
JP4299760B2 (ja) * | 2004-10-21 | 2009-07-22 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置のテスト方法 |
KR100753050B1 (ko) * | 2005-09-29 | 2007-08-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 테스트장치 |
CA2541046A1 (en) * | 2006-03-27 | 2007-09-27 | Mosaid Technologies Incorporated | Power supply testing architecture |
JP4751766B2 (ja) | 2006-05-18 | 2011-08-17 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置 |
US7466603B2 (en) | 2006-10-03 | 2008-12-16 | Inapac Technology, Inc. | Memory accessing circuit system |
KR20090036395A (ko) * | 2007-10-09 | 2009-04-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 기준 전압 인식회로 |
TWI498574B (zh) | 2011-05-05 | 2015-09-01 | Mstar Semiconductor Inc | 積體電路晶片及其測試方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5297097A (en) * | 1988-06-17 | 1994-03-22 | Hitachi Ltd. | Large scale integrated circuit for low voltage operation |
JPH03290895A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-20 | Sony Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH04258893A (ja) * | 1991-02-14 | 1992-09-14 | Toshiba Corp | メモリカード |
US5251179A (en) * | 1991-03-29 | 1993-10-05 | At&T Bell Laboratories | Apparatus and method for extending battery life |
US5430402A (en) * | 1993-09-10 | 1995-07-04 | Intel Corporation | Method and apparatus for providing selectable sources of voltage |
US5594360A (en) * | 1994-10-19 | 1997-01-14 | Intel Corporation | Low current reduced area programming voltage detector for flash memory |
US5602794A (en) * | 1995-09-29 | 1997-02-11 | Intel Corporation | Variable stage charge pump |
-
1995
- 1995-04-24 KR KR1019950009642A patent/KR0151032B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-04-04 JP JP8082635A patent/JPH08304515A/ja active Pending
- 1996-04-23 US US08/636,428 patent/US6298001B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100452326B1 (ko) * | 2002-07-04 | 2004-10-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리장치의 동작전압 모드 선택 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6298001B1 (en) | 2001-10-02 |
JPH08304515A (ja) | 1996-11-22 |
KR0151032B1 (ko) | 1999-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960038412A (ko) | 패키지레벨 직류전압 테스트가 가능한 반도체 메모리장치 | |
KR900015142A (ko) | 반도체 집적회로장치 | |
KR940012600A (ko) | 소음 발생을 억제하는 개량된 출력 드라이버 회로 및 번 인테스트를 위한 개량된 반도체 집적 회로장치 | |
KR860009431A (ko) | Ic평가회로 소자들과 평가회로 소자 검사수단을 갖는 반도체 집적회로 | |
DE69320416T2 (de) | Halbleiter-Speichergerät mit Spannungstressprüfmodus | |
US7161372B2 (en) | Input system for an operations circuit | |
KR870000710A (ko) | 동작테스트실행에 적합한 반도체 집적회로 | |
KR870010628A (ko) | 반도체 장치 | |
KR930022382A (ko) | 반도체 메모리칩의 병렬테스트 회로 | |
KR950010089A (ko) | 개선된 패드의 배치를 구비한 반도체 집적회로 장치 | |
KR920013455A (ko) | 반도체 장치 | |
KR970029882A (ko) | 웨이퍼 테스트 신호발생기를 가지는 반도체 메로리 장치 | |
KR910015057A (ko) | 반도체집적회로 | |
KR970051456A (ko) | Dq 채널 수를 감소시킬 수 있는 반도체 메모리장치 | |
KR910002128A (ko) | 집적 제어 회로 | |
KR930003237A (ko) | 반도체 웨이퍼 | |
EP0041844B1 (en) | Semiconductor integrated circuit devices | |
JP3929289B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR970013737A (ko) | 반도체 메모리장치의 데이타 출력 드라이버 | |
KR900019214A (ko) | 반도체장치 | |
KR920003319A (ko) | 반도체기억장치 | |
KR970012784A (ko) | 노말/테스트 겸용 본딩 패드를 가진 반도체 메모리 장치 | |
KR970017917A (ko) | 정전기 방전 보호를 개선한 반도체 장치 | |
KR0146524B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR19990039587A (ko) | 테스트 핀의 수가 감소된 메모리 장치 테스트 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120531 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130531 Year of fee payment: 16 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |