KR100735440B1 - 반도체장치 및 자기디스크장치 - Google Patents

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KR100735440B1
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Abstract

아날로그회로의 특성열화를 경감 및 소비전류를 저감시키고 또한 가격절감을 실현한 반도체장치를 제공한다.
단일의 전원을 사용하여 동작시키는 아날로그회로인 리드/라이트회로(read/write circuit)와, 디지털회로인 인터페이스구동회로(interface drive circuit), 제어회로, 및 스테핑모터(stepping motor)구동회로를 갖는 자기디스크장치용의 반도체장치에 있어서, 출력전압이 전원전압보다도 낮고 또한 출력가변용단자에 인가되는 전압에 따라 출력전압이 변화하는 레귤레이터(regulator)를 설치하고 레귤레이터의 출력전압으로 제어회로를 동작시킨다.

Description

반도체장치 및 자기디스크장치{SEMICONDUCTOR DEVICE AND MAGNETIC DISK DEVICE}
본 발명은 반도체장치 및 자기기록매체에 대해서 데이터의 기록 및 판독을 행하는 자기디스크장치에 관한 것이다.
자기디스크장치의 하나인 FDD(floppy disk drive)장치의 블록도를 도 7에 나타낸다.
동도에 있어서 1은 인터페이스(interface)구동회로, 2는 제어회로, 3은 리드/라이트회로, 4는 스테핑모터구동회로, 5는 스핀들모터(spindle motor)구동회로, 6은 리드/라이트헤드, 7은 이레이즈헤드, 8은 스테핑모터, 9는 스핀들모터, 10은 인덱스센서(index sensor), 11은 트랙센서(track sensor), 100은 예를들면 개인용컴퓨터 등 외부의 호스트장치이다.
또한, 인터페이스구동회로(1), 제어회로(2), 리드/라이트회로(3),및 스테핑모터구동회로(4)는 1칩의 반도체집적회로(이하「FDD용 IC라 부른다」)로 되어 있다.
이하, 각부의 동작에 대해 설명한다.
인터페이스구동회로(1)는 호스트장치(100)와 제어회로(2)의 사이에서 교환이 행해지는 데이터 및 호스트장치(100)와 리드/라이트회로(3)의 사이에서 교환이 행해지는 도시하지 않은 자기디스크에 기록하는 데이터 및 자기디스크로부터 판독된 데이터의 형식이나 전송방식의 정합을 취한다.
제어회로(2)는 인터페이스구동회로(1)를 거쳐 호스트장치(100)로부터 입력된 데이터에 따라서 자기디스크에 대해서 데이터의 기록 및 판독을 제어하고, 또 FDD장치의 동작상태를 나타내는 데이터 등을 인터페이스구동회로(1)를 거쳐서 호스트장치(100)에 출력시킨다.
리드/라이트회로(3)는 제어회로(2)의 제어하에서 데이터의 기록시에는 호스트장치(100)로부터 인터페이스구동회로(1)를 거쳐서 입력된 데이터에 따라 자기디스크에 대해서 데이터의 기록 및 판독을 행하기 위한 리드/라이트헤드(read/write head)(6), 자기디스크에 기록되어 있는 데이터를 소거하기 위한 이레이즈헤드(erase head)(7)를 각각 구성하는 코일에 전류를 흘리므로서 데이터를 자기디스크에 기록한다.
한편, 데이터의 판독시에는 기록되어있는 데이터에 따라 리드/라이트헤드(6)를 구성하는 코일에 생기는 전압에 의해 자기디스크로부터 데이터를 판독하고, 판독된 데이터를 인터페이스구동회로(1)를 거쳐 호스트장치(100)로 출력시킨다.
스테핑모터구동회로(4)는 제어회로(2)의 제어하에서 리드/라이트헤드(6) 및 이레이즈헤드(7)를 자기디스크의 반경방향으로 이송하는 스테핑모터(8)를 구동시킨다.
스핀들모터구동회로(5)는 제어회로(2)의 제어하에서 자기디스크를 회전시키는 스핀들모터(9)를 구동시킨다.
인덱스센서(10)는 자기디스크가 정상으로 회전하고 있는가 아닌가를, 또한 트랙센서(11)는 리드/라이트헤드(6) 및 이레이즈헤드(7)가 자기디스크의 최외부원주에 위치하고 있는가 아닌가를 제어회로(2)가 검출하기 위한 것이다.
여기서 FDD용 IC에서는 리드/라이트회로(3)가 아날로그신호를 취급하는 아날로그회로, 그 이외의 회로가 디지털신호를 취급하는 디지털회로이지만, 이들 모두의 회로를 공통의 전원전압(통상 5V)으로 동작시키도록 되어 있고, 단일의 전원을 사용하게 되므로 디지털회로의 동작에 기인해서 잡음이 전원선에 들어가서 전원전압이 변동하므로서 아날로그회로의 특성이 열화하는것을 감안해서, 종래의 FDD용 IC에서는 도 8에 나타내는 바와같이 인터페이스구동회로(1)에는 전원단자 IVCC 및 접지단자 IGND, 제어회로(2)에는 전원단자 DVCC 및 접지단자 DGND, 리드/라이트회로(3)에는 전원단자 AVCC 및 접지단자 AGND, 스테핑모터구동회로(4)에는 전원단자 SVCC, 및 접지단자 SGND와 같이 각 회로마다 전원의 출력에 접속되는 전원단자 및 접지되는 접지단자를 별개로 설치하고 있었다.
그러나 이와같이 FDD용 IC로서는 전원단자 및 접지단자를 각 회로마다 별개로 설치했다고 해도 외부에서 동일한 전원에 연결되는 것과 다르지 않기 때문에, 특히 아날로그회로가 미소신호를 취급하는 경우에는 아날로그회로의 특성열화를 방지할 수가 없었다.
이와같이 아날로그회로, 즉 리드/라이트회로(3)의 특성이 열화한다고 하는 것은 FDD장치로서는 자기디스크에 대한 데이터의 기록 및 판독의 정밀도가 열화한다고 하는 것과 다르지 않다.
또, FDD용 IC에서는 모든 회로가 공통의 전원전압으로 동작하는 것 때문에 소비전류가 크다고 하는 문제가 있었다.
또한, FDD용 IC의 제조공정에서는 FDD용 IC로서의 신뢰성을 확보하기 위해 고온의 환경하에서 정상으로 동작하는가 아닌가를 점검하는 고온시험이 행해지지만, 이 고온시험은 실제로 고온의 환경을 만들어서 행하고 있기 때문에 공정설비가 대형으로 되고, 또 시험시간도 길어, FDD용 IC의 시험비용이 높았었다.
이에 수반하여 FDD용 IC, 나아가서는 FDD장치의 비용상승을 초래하고있었다.
또, 디지털회로를 구성하는 MOS(전해효과 트랜지스터)에도 어느 정도의 능력의 분균일이 있어, 능력이 낮은 MOS로 조립된 회로에서는 소망의 특성이 얻어지지않는 것이지만, 이와같은 회로를 구제하는 수단은 없고 FDD용 IC의 원료에 대한 수율이 낮았었다.
이 때문에 FDD용 IC, 결국 FDD장치의 비용상승을 더욱 악화시키고 있었다.
여기서 본 발명은 아날로그회로의 특성열화를 경감시키고, 또 소비전류를 저감시키며, 또한 가격절감을 실현한 반도체장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
더욱이, 본 발명은 탑재시키는 아날로그회로가 관여하는 동작의 특성을 향상시키고, 또 소비전류를 저감시키며, 또한 가격절감을 가능하게 한 자기디스크장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 반도체장치에서는 단일의 전원을 사용해서 동작시키는 아날로그회로와 디지털회로를 갖는 반도체장치에 있어서, 출력전압이 전원전압보다도 낮고 또한 가변인 레귤레이터회로를 설치하여 그 레귤레이터회로의 출력전압으로 상기한 디지털회로를 동작시키도록 하고 있다.
이상의 구성에 의해 디지털회로의 동작에 기인하여 발생하는 잡음은 레귤레이터에 의해 차단되는 형태로 되어 전원선에 들어가는 일이 없어져, 아날로그회로에 공급되는 동작전압의 변동이 억제된다.
또, 디지털회로가 전원전압보다도 낮은 전압으로 동작하기 때문에 소비전류가 저감된다.
또한, 제어계의 디지털회로에서는 고레벨과 저레벨의 판정이 되면 좋은 것으로서 반드시 소정의 전압으로 동작시킬 필요는 없고 어느정도의 여유(고레벨과 저레벨을 판정하는 여유도)가 확보되는 범위이면 동작전압을 낮게할 수가 있다.
여기서 MOS로 구성된 회로를 통상의 전압보다도 낮은 전압으로 동작시키는것은 고온의 환경하에서 동작시키는것과 등가이므로 디지털회로가 MOS로 구성되어있는 경우에는 예를들면 출력가변용단자를 갖고 이 출력가변용단자에 인가되는 전압에 따라 출력전압이 변화하도록 레귤레이터를 구성해 두면 출력가변용단자에 인가되는 전압을 조정하므로서 고온시험을 행할 수가 있다.
또, 능력이 낮은 MOS로 조립된 것이 원인으로 소망의 특성이 얻어지지 않는 회로내에는 동작전압을 높이므로서 소망의 특성이 얻어지는 것이 있으므로 레귤레이터의 출력전압을 높이므로서 상기와 같은 회로를 구제할 수가 있으나 이것을 행하는 경우에는 예를들면 소정의 소자를 갖고 이 소정의 소자에 대해서 소정의 처리가 행해졌는가 아닌가에 의해서 출력전압이 변화하도록 레귤레이터를 구성해두므로서 레귤레이터의 출력전압이 높아진 상태에서 고정되도록 해 두는 것이 바람직하다.
(실시예)
다음에 본 발명의 실시형태를 도면을 참조해서 설명한다.
도 1은 본 발명의 1 실시형태인 FDD장치에 탑재된 FDD용 IC의 전원계통의 구성을 나타내는 도면이다.
또한, 종래기술로서 나타낸 도 8과 동일부분에는 동일부호를 부여해서 설명을 생략한다. 또 FDD장치로서의 블록도는 도 7과 동일하다.
도 1에 있어서 REG1은 레귤레이터이며, 그 입출력전압특성을 도 2에 나타내는 바와같이 전원단자 DVCC로부터 입력되는 전압에 따라 안정된 전압을 출력시키지만 그 출력전압은 전원전압 5V보다 낮게 되어 있다.
또, 레귤레이터 REG1의 출력전압은 출력가변용단자 DA에 인가되는 전압에 따라 변화하도록 되어 있다.
그리고 제어회로(2)는 레귤레이터 REG1의 출력전압에 의해 동작한다.
또한, 본 실시형태에서는 전원단자 DVCC를 전원전압 5V에 접속하고, 즉 레귤레이터 REG1의 입력전압을 5V로 하고, 또 통상은 출력가변용단자 DA에 인가되는 전압을 조정해서 레귤레이터 REG1의 출력전압을 3V로 하고 있다.
즉, 제어회로(2)를 3V로 동작시키도록 하고 있다.
또, 제어회로(2)와 레귤레이터 REG1는 접지단자 DGND를 공용하고 있다.
레귤레이터 REG1의 한 구성예를 도 3에 나타낸다.
동 도에 있어서 NPN형의 트랜지스터 Q1,Q2 가 차동쌍을 형성하고 있고, 이들의 이미터는 저항 R0를 거쳐서 접지단자 DGND에 접속되어 있다.
트랜지스터 Q1, Q2의 컬렉터는 2개의 PNP형의 트랜지스터 Q3, Q4로 형성된 커렌트미러회로 CM의 입력측, 출력측에 각각 접속되어 있다.
트랜지스터 Q1, Q2의 컬렉터끼리가 콘덴서 C를 거쳐서 접속되어 있다.
트랜지스터 Q3, Q4의 이미터는 전원단자 DVCC 에 접속되어 있다.
트랜지스터 Q5의 컬렉터는 전원단자 DVCC에 접속되어 있고, 이미터는 직렬 접속된 2개의 저항 R1, R2를 거쳐서 접지단자 DGND에 접속되어 있으며, 베이스는 트랜지스터 Q2의 컬렉터에 접속되어 있다.
트랜지스터 Q1의 베이스는 일정전압 Vref를 출력시키는 기준전압발생회로 K의 출력에 접속되어 있다.
트랜지스터 Q2의 베이스는 직렬로 접속된 2개의 저항 R1,R2끼리의 접속점에 접속되어 있다.
트랜지스터 Q5의 이미터와 저항 R1과의 접속점에 출력단자가 접속되어 있다.
그리고 직렬 접속된 아날로그스위치 SW11과 저항 R11, 직렬 접속된 아날로그스위치 SW12와 저항 R12 가 저항 R1과 병렬로 접속되어 있고, 출력가변용단자 DA에 인가된 전압이 논리변환회로 L을 거치므로서 아날로그스위치 SW11, SW12 의 ON/OFF를 전환하도록 되어 있다.
이상의 구성에 의해 레귤레이터 REG1에서는 출력전압이 귀환제어되고, 아날로그스위치 SW11, SW12 가 모두 OFF인때에는 (R1+R2)·Vref/R2, 하나의 아날로그스위치가 ON이고 나머지의 아날로그스위치가 OFF인때에는 (R1/2+R2)·Vref/R2, 2개의 아날로그스위치가 ON이고 나머지의 아날로그스위치가 OFF인때에는 (R1/3+R2)·Vref/R2 와 같이(단, 저항 R1,R2의 저항치를 각각 저항 R1,R2, 저항 R11,R12 의 저항치를 R1으로 하고 있고, 또 아날로그스위치의 ON저항은 무시할수 있는 것으로 한다) 아날로그스위치 SW11,SW12 의 ON/OFF상황, 즉 출력가변용단자 DA에 인가되는 전압에 따른 전압으로 안정되게 된다.
다음에 도 4는 본 발명의 제2실시형태인 FDD장치에 탑재된 FDD용 IC의 전원계통의 구성을 나타내는 도면이다.
또한, 종래기술로서 나타낸 도 8과 동일부분에는 동일부호를 부여해서 설명을 생략한다.
또 FDD장치로서의 블록도는 도 7과 동일하다.
도 4에 있어서 REG2는 레귤레이터이며 그 입출력전압특성을 도 5에 나타내는바와같이 전원단자 DVCC로부터 입력되는 전압에 따라서 안정된 전압을 출력시키지만 그 출력전압은 전원전압 5V보다도 낮게 되어 있다.
또, 레귤레이터 REG2의 출력전압은 퓨즈(저항) F1,F2 의 각각이 레이저컷(laser cut)(레이저비임으로 차단)되었는가 아닌가에 따라 변화하도록 되어 있다.
그리고 제어회로(2)는 레귤레이터 REG2의 출력전압에 의해 동작한다.
또한, 본 실시형태에서는 전원단자 DVCC를 전원전압 5V에 접속하고, 즉 레귤레이터 REG2의 입력전압을 5V로 하고 있다.
레귤레이터 REG2는 입력전압이 5V부근 이상인때에는 모든 퓨즈 F1,F2 가 기능하는(레이저컷 되어 있지 않은) 상태로 출력전압이 3V가 되도록 구성되어 있다. 또 제어회로(2)와 레귤레이터 REG2는 접지단자 DGND를 공용하고 있다.
레귤레이터 REG2의 한 구성예를 도 6에 나타낸다.
또한, 도 3과 동일부분에는 동일부호를 부여해서 설명을 생략한다.
퓨즈 F1,F2 가 저항 R1과 병렬로 접속되어 있고, 이들 퓨즈 F1,F2 는 레이저컷 할 수가 있도록 배치되어 있다.
이상의 구성에 의해 레귤레이터 REG2에서는 출력전압이 귀환제어되고, 퓨즈 F1 ,F2 의 모두가 레이저컷 된 때에는 (R1+R2)·Vref/R2, 하나의 퓨즈를 남기고 모든 퓨즈가 레이저컷 된 때에는 (R1/2+R2)·Vref/R2, 2개의 퓨즈를 남기고 모든 퓨즈가 레이저컷 된 때에는 (R1/3+R2) Vref/R2 와 같이(단, 저항 R1,R2의 저항치를 각각 R1,R2, 퓨즈 F1,F2 의 저항치를 각각 R1,R2, 퓨즈 F1, F2 의 저항치를 R1 으로 하고 있다) 퓨즈 F1, F2 가 레이저컷 된 개수에 따라 전압이 안정되게 된다.
이상과 같이 상기한 2가지의 실시형태의 FDD장치에서는 제어회로(2)와 전원 사이에는 레귤레이터 REG1혹은 REG2가 개재되고 제어회로(2)의 동작에 기인해서 잡음이 전원선으로 들어가는 경로가 차단되기 때문에 아날로그회로인 리드/라이트회로(3)에 공급되는 동작전압의 변동이 억제된다.
따라서, 리드/라이트회로(3)의 특성열화가 경감되고 FDD장치로서는 자기디스크에 대한 데이터의 기록 및 판독의 정밀도가 향상된다.
또, 제어회로(2)가 종래에는 전원전압(5V)으로 동작하고 있던 것에 대해 전원전압보다 낮은 3V로 동작하기 때문에 소비전류가 저감된다.
또한, MOS로 구성된 회로를 통상의 전압보다도 낮은 전압으로 동작시키는것은 고온의 환경하에서 동작시키는 것과 등가이므로 상기한 제1실시형태의 FDD용 IC에서는 제어회로(2)를 MOS로 구성해 두면 출력가변용단자 DA에 인가되는 전압을 조정해서 레귤레이터 REG1의 출력전압을 통상의 3V보다도 낮게 하므로서 고온시험을 행할 수가 있다.
따라서, 실제로 고온의 환경을 만들 필요가 없어져 공정설비의 간략화 및 시험시간의 단축이 실현되고, FDD용 IC의 시험비용이 삭감되므로 FDD용 IC, 나아가서는 FDD장치로서의 비용절감을 실현할 수가 있다.
또, 능력이 낮은 MOS로 조립된 것이 원인으로 소망의 특성이 얻어지지 않는 회로중에는 동작전압을 높이므로서 소망의 특성이 얻어지게 되는것(이하, 「소자능력의 불균일에 의한 NG회로」라 칭한다)이 있는것으로부터 상기한 제2실시형태의 FDD용 IC에서는 제어회로(2)를 MOS로 구성해 두면 레이저컷하는 퓨즈의 수를 조정해서 레귤레이터 REG2의 출력전압을 높게 하므로서 소자능력의 불균일에 의한 NG회로를 구제할 수가 있다(구체적인 수순으로서는 소망의 특성이 얻어지기까지 레이저컷하는 퓨즈의 수를 증가시켜 가면 된다).
따라서, FDD용 IC의 원료에 대한 제품의 수율이 향상되고 FDD용 IC, 나아가서는 FDD장치의 비용절감을 실현할 수가 있다.
또한, 상기한 제1실시 형태에 있어서도 출력가변용단자 DA에 인가되는 전압을 조정하므로서 레귤레이터의 출력전압을 높일수가 있으므로 소자능력의 불균일에의한 NG회로를 구제할 수가 있으나 상기한 제2실시 형태에 있어서는 퓨즈F1, F2 를 적절히 레이저컷하면 레귤레이터 REG2의 출력전압이 높아진 상태에서 고정되는것에 대해 상기한 제1실시형태에서는 레귤레이터 REG1의 출력전압이 높게 되는 전압을 출력가변용단자 DA에 계속 인가하지 않으면 안되므로 소자능력의 불균일에의한 NG회로를 구제한다고 하는 것에 대해서는 상기한 제2실시형태쪽이 바람직한 형태라고 할 수가 있다.
또, 상기한 제1,제2실시형태를 조합해서 우선 레이저컷하는 퓨즈 F1,F2 의수를 조정해서 소자능력의 불균일에 의한 NG회로의 구제를 행한후 (실제의 조작에서 말하면 레귤레이터의 출력전압이 제어회로 2에 소망의 동작특성이 얻어지는 최저의 전압이 되도록 레이저컷 하는 퓨즈 F1,F2 의 수를 조정한 후 )출력가변단자 DA에 인가하는 전압을 조정해서 고온시험 등의 신뢰성시험을 행하도록 하면, FDD용 IC의 원료에 대한 제품의 수율의 향상과 시험비용삭감의 상승효과에 의해 FDD장치의 비용절감을 보다 한층 촉진할 수가 있다.
또한, 제어계의 디지털회로에서는 고레벨과 저레벨의 판정이 되면 좋은것이므로 반드시 소정의 전압으로 동작시킬 필요는 없고 어느정도의 여유(고레벨과 저레벨을 판정하는 여유도)가 확보되는 범위이면 동작전압을 낮게할 수가 있다.
그리고, 제어회로(2)에서는 동작전압을 종래의 5V로부터 상기한 실시형태와같이 3V로 했다고 해도 어느 정도의 여유가 확보되는 것으로 한다.
또, 조정된 전압이 온도상승에 따라 높게 되도록 해두면 온도가 상승한 경우에도 어느 정도의 여유가 확보되게 되어 바람직하다.
즉, 레귤레이터의 출력전압이 온도의 상승에 비례하여 높게되는 구성으로 해두면 디지털회로의 동작전압이 온도상승에 수반해서 높게 되므로 온도상승에 수반하는 MOS의 전류능력의 저하가 취소되어 MOS로 구성된 디지털회로의 동작여유가 개선된다.
또한, 본 실시형태에서는 각 블록의 전원단자를 개별로 한 경우만을 설명했으나, 예를들면 단자 IVCC, DVCC, SVCC 를 하나로 통합해도 된다.
이상 설명한 바와같이 본 발명의 반도체장치에 의하면, 아날로그회로의 특성열화가 경감되고, 또 소비전류가 저감되며, 또한 시험비용삭감이나 원료에 대한 제품의 수율의 향상을 실현할 수가 있다.
또, 본 발명의 자기디스크장치에 의하면 탑재되는 아날로그회로의 특성열화가 경감되므로서 아날로그회로가 관여하는 동작의 특성을 향상시키고, 또 탑재되는 디지털회로가 전원전압 보다도 낮은 전압으로 동작하므로서 소비전류가 저감되고, 또한 탑재되는 회로의 시험비용 삭감이나 원료에대한 제품의 수율의 향상에 의해 가격절감이 가능하게 된다.
도 1은 본 발명의 제1실시 형태인 FDD장치에 탑재된 FDD용 IC의 전원계통의 구성을 나타내는 도면
도 2는 도 1중의 레귤레이터의 입출력전압특성을 나타내는 도면
도 3은 도 1중의 레귤레이터의 한 구성예를 나타내는 회로도
도 4는 본 발명의 제2실시 형태인 FDD장치에 탑재된 FDD용 IC의 전원계통의 구성을 나타내는 도면
도 5는 도 4중의 레귤레이터의 입출력전압특성을 나타내는 도면
도 6은 도 4중의 레귤레이터의 한구성예를 나타내는 회로도
도 7은 자기디스크장치의 하나인 FDD장치의 블록도
도 8은 종래의 FDD장치에 탑재된 FDD용 IC의 전원계통의 구성을 나타내는 도면
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
1. 인터페이스구동회로
2. 제어회로
3. 리드/라이트회로
4. 스테핑모터구동회로
5. 스핀들모터구동회로
6. 리드/라이트헤드
7. 이레이즈헤드
8. 스테핑모터
9. 스핀들모터
10. 인덱스센서
11. 트랙센서
REG1,REG2. 레귤레이터

Claims (6)

  1. 외부의 공통 전원을 이용하여 동작시키는 반도체장치에 있어서,
    상기 공통 전원이 입력됨과 동시에 입력보다도 낮은 출력 전압을 발생시키는 레귤레이터 회로와,
    상기 레귤레이터 회로의 출력 전압이 공급되는 디지털 회로와,
    상기 레귤레이터 회로를 통하지 않고 상기 공통 전원이 입력되는 아날로그 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기한 레귤레이터회로가 출력가변용단자를 갖고, 이 출력가변용단자에 인가되는 전압에 따라 출력전압이 변화하는 구성인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기한 레귤레이터회로가 그 출력전압을 변경하기 위한 전압설정부를 갖는 구성인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 외부의 공통 전원을 이용하여 동작시키는 자기디스크장치용 반도체장치에 있어서,
    상기 공통 전원이 입력되고, 입력보다도 낮은 출력 전압을 발생시키는 레귤레이터 회로와,
    상기 공통 전원이 입력되고, 자기기록 매체에 대하여 데이터의 기록 및 판독을 행하기 위한 리드/라이트 회로와,
    상기 레귤레이터 회로의 출력 전압이 공급되고 상기 리드/라이트 회로의 제어를 행하는 컨트롤 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 자기디스크장치용 반도체 장치.
  5. 전원과,
    자기기록 매체에 대해서 데이터의 기록 및 판독을 행하기 위한 자기헤드와,
    상기한 자기헤드의 위치를 제어하기 위한 위치제어수단과,
    자기디스크장치용 반도체장치를 구비한 자기디스크장치에 있어서,
    상기 전원이 입력되고 상기 자기헤드와의 사이의 신호 처리를 행하는 리드/라이트회로와,
    상기 전원이 입력되고 상기 위치제어수단을 구동시키기 위한 구동회로와,
    상기 전원이 입력되고 입력보다도 낮은 출력 전압을 발생시키는 레귤레이터회로와,
    상기 레귤레이터 회로의 출력 전압이 공급되고 상기 리드/라이트 회로 및 상기 구동회로의 제어를 행하는 제어회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 자기디스크 장치.
  6. 외부로부터 전원을 입력하는 제 1 전원입력단자와,
    상기 제 1 입력단자로부터 전원이 입력됨과 동시에 입력보다도 낮은 출력 전압을 발생시키는 레귤레이터 회로와,
    상기 레귤레이터 회로의 출력 전압이 공급되는 디지털 회로와,
    외부로부터 전원을 입력하는 제 2 전원입력단자와,
    상기 제 2 전원입력단자로부터 입력된 전원이 공급되는 아날로그 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6424161B2 (en) * 1998-09-03 2002-07-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for testing fuses
US6584030B2 (en) * 2001-08-28 2003-06-24 Micron Technology, Inc. Memory circuit regulation system and method
US6529421B1 (en) 2001-08-28 2003-03-04 Micron Technology, Inc. SRAM array with temperature-compensated threshold voltage
JP4445780B2 (ja) * 2004-03-02 2010-04-07 Okiセミコンダクタ株式会社 電圧レギュレータ
KR100618863B1 (ko) * 2004-09-18 2006-08-31 삼성전자주식회사 저 전력 전압기준회로
US7479713B2 (en) * 2004-11-09 2009-01-20 Panasonic Corporation Systems and methods for reducing power dissipation in a disk drive including a fixed output voltage regulator
US7375441B2 (en) * 2004-11-09 2008-05-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Systems and methods for dynamically affecting power dissipation in a disk drive including a fixed output voltage regulator
US7170707B2 (en) * 2004-11-09 2007-01-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Systems and methods for reducing power dissipation in a disk drive including an adjustable output voltage regulator
US7112937B1 (en) 2005-10-31 2006-09-26 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Device and method for driving a motor
JP2009140589A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv データ記憶装置のテスト装置及びデータ記憶装置のテスト方法
CN102213967A (zh) * 2010-04-12 2011-10-12 辉达公司 具有电压调节功能的gpu芯片及其制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR910020738A (ko) * 1990-05-21 1991-12-20 미타 가쓰시게 반도체 집적회로 장치
JPH07211869A (ja) * 1994-01-26 1995-08-11 Fujitsu Ltd 半導体集積回路の製造方法及び半導体集積回路

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4100437A (en) * 1976-07-29 1978-07-11 Intel Corporation MOS reference voltage circuit
US4263519A (en) * 1979-06-28 1981-04-21 Rca Corporation Bandgap reference
US4317054A (en) * 1980-02-07 1982-02-23 Mostek Corporation Bandgap voltage reference employing sub-surface current using a standard CMOS process
FR2651343A1 (fr) * 1989-08-22 1991-03-01 Radiotechnique Compelec Circuit destine a fournir une tension de reference.
FR2677781B1 (fr) * 1991-06-14 1993-08-20 Thomson Composants Militaires Source de courant adaptee a des variations rapides de tension de sortie.
JP2901434B2 (ja) * 1992-09-30 1999-06-07 シャープ株式会社 直流安定化電源装置
JP2838761B2 (ja) * 1993-08-11 1998-12-16 セイコープレシジョン株式会社 カメラ用制御回路
US6127881A (en) * 1994-05-31 2000-10-03 Texas Insruments Incorporated Multiplier circuit
US5774013A (en) * 1995-11-30 1998-06-30 Rockwell Semiconductor Systems, Inc. Dual source for constant and PTAT current
JP3516556B2 (ja) * 1996-08-02 2004-04-05 沖電気工業株式会社 内部電源回路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR910020738A (ko) * 1990-05-21 1991-12-20 미타 가쓰시게 반도체 집적회로 장치
JPH07211869A (ja) * 1994-01-26 1995-08-11 Fujitsu Ltd 半導体集積回路の製造方法及び半導体集積回路

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