JP3094764B2 - 基準電流発生回路 - Google Patents

基準電流発生回路

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JP3094764B2
JP3094764B2 JP05331002A JP33100293A JP3094764B2 JP 3094764 B2 JP3094764 B2 JP 3094764B2 JP 05331002 A JP05331002 A JP 05331002A JP 33100293 A JP33100293 A JP 33100293A JP 3094764 B2 JP3094764 B2 JP 3094764B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は集積回路に関し、特に集
積回路の中で必要な基準電流を発生するのに好適な電流
発生回路に関する。
【0002】
【従来の技術】集積回路の中で基準電流を発生する電流
源が必要なのはECLインターフェースのLSIの入出
力の電位レベルに関する仕様があるためである。従来の
ECLインターフェースのLSIではECL 100k
電源回路と呼ばれる基準信号の発生回路を用いて、この
仕様を満足させていた。従来の回路については例えば、
Journal of Solid State CircuitsのVol.SC−22,
No.1のページ71〜76に記されている。図9にここ
に示された従来の100k ECL電源回路を用いて構
成した100k ECL出力バッファ回路の例を示す。
また、図10にECL 100k仕様を示す。RLとは
出力端子と出力ターミネーション電位(VTT=−2.
0V )の間に設ける抵抗である。全て、電圧はVCC
電位を基準として測定する。
【0003】従来の100k ECL出力バッファ回路
の構成を図9を用いて説明する。回路は、基準電圧発生
回路部と、100k ECL出力バッファ回路部に分け
られる。図の中で点線で囲んだ基準電圧発生回路部中の
バイポーラトランジスタQ1,Q2及び、抵抗要素R1
により、バイポーラトランジスタのコレクタ電流が温度
に依存する。この電流が抵抗素子R10に流すと、コレ
クタ電流と同様な温度依存性を持つ電圧が抵抗素子R1
0の両端に発生する。この電圧とバイポーラトランジス
タQ2のベース・エミッタ間電圧を加算するために、バ
イポーラトランジスタQ2と抵抗素子R10を直列に接
続する。この電圧は、バイポーラトランジスタQ22と
Q24のベース・エミッタ電圧が等しい場合には図のV
EE(低電圧側電源端子)とVCSの間に発生する。こ
の電圧を100k ECL出力バッファ回路が受け、E
CL 100k規格と互換性のある電圧出力を発生す
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、前述
の様にバイポーラトランジスタQ2及び、抵抗要素R10
等とを直列に接続する必要があるため、3V程度以下の
低い電源電圧においては正常な動作が不可能であると言
う問題がある。
【0005】本発明の目的は、電源電圧,温度の変動に
より出力特性が変化せずまたは変化の小さく、低い電源
電圧で動作する基準電流発生回路及び、これを用いた定
電圧発生回路を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の特徴は、絶対温度に比例する絶対温度比例電
流を生成する絶対温度比例電流発生部と、上記絶対温度
比例電流に比例する比例電流を発生する比例電流発生部
と、電源電圧の変動を検出し、上記変動に応じて、上記
比例電流発生部を制御する制御部とを有し、上記電源電
圧の変動を制御し、上記絶対温度に比例する基準電流を
生成することにある。
【0007】また、本発明の他の特徴は、ソース,ゲー
トがそれぞれ互いに接続された複数のMOSトランジス
タを用いて構成される比例電流発生部と、2組のバイポ
ーラトランジスタを有し、上記2組のバイポーラトラン
ジスタのコレクタ電流の比を所定の比にして、絶対温度
に比例する上記2組のバイポーラトランジスタのベース
・エミッタ間電圧の差電圧に応じた電流を発生すること
にある。
【0008】更に、本発明の他の特徴は、上記比例電流
発生部は、電源電圧を検出し、ソース,ゲートがそれぞ
れ互いに接続された複数のMOSトランジスタのドレイ
ン電圧が相対的に変動しないように上記検出された電源
電圧に基づいて上記ドレイン電圧を制御することにあ
る。
【0009】また、本発明の他の特徴は、上記基準電流
発生回路を用いてなる基準電流発生回路部と、MOSト
ランジスタを用いて構成される電流源部と、ECLバッ
ファ回路部とを有し、上記基準電流発生回路部によって
生成される上記絶対温度に比例する電流に応じた上記E
CLバッファ回路部の出力電位レベルであることにあ
る。
【0010】また、本発明の他の特徴は、第1のバイポ
ーラトランジスタのベースと第2のバイポーラトランジ
スタのベースが互いに接続され、上記第1のバイポーラ
トランジスタのエミッタと上記第2のバイポーラトラン
ジスタのエミッタとは電気的な抵抗値を有する抵抗部に
よって接続され、上記第2のバイポーラトランジスタの
ベースとコレクタが接続され、上記第1のバイポーラト
ランジスタのベース・エミッタ間電圧と、上記第2のバ
イポーラトランジスタのベース・エミッタ間電圧の差電
圧が上記抵抗部に印加される基準電流・基準電圧発生部
と、上記第1のバイポーラトランジスタに流れるコレク
タ電流と上記第2のバイポーラトランジスタに流れるコ
レクタ電流との電流比を所定の電流比にするために、上
記第1及び第2のバイポーラトランジスタのコレクタに
接続されたMOSトランジスタからなる電源電圧変動吸
収部とを有することにある。
【0011】
【作用】上述した特徴によって、以下のような作用が得
られる。
【0012】絶対温度に比例する電流の発生部は、一定
の電流比を得るために用いるソース,ゲートがそれぞれ
互いに接続された2つのMOSトランジスタのドレイン
電圧によって、電源電圧や温度に依存せず、互いに相対
的に一定に設定することができる。
【0013】絶対温度に比例する電流発生回路は、2つ
のバイポーラトランジスタ(1つのバイポーラトランジ
スタは、複数のバイポーラトランジスタをベース,コレ
クタ,エミッタを全て接続した複数のバイポーラトラン
ジスタでも構わない)と、抵抗要素と、これら2つのバ
イポーラトランジスタのコレクタ電流の比を一定に保つ
手段とからなる。コレクタ電流の比を一定に保つ手段は
ソース,ゲートがそれぞれ互いに接続されたMOSトラ
ンジスタにより構成できる。ソース,ゲートがそれぞれ
互いに接続された2つのMOSトランジスタにより、コ
レクタ電流比が一定に保たれた2つのバイポーラトラン
ジスタのベース・エミッタ間電圧の差電圧を抵抗要素に
印加することにより、この抵抗要素に流れる電流の値を
決める。このMOSトランジスタのドレイン電圧は電源
電圧の変動により一般的には変化する。これらMOSト
ランジスタのドレイン電圧がMOSトランジスタの間で
相対的に変化しないように設定する。つまり、ソース,
ゲートがそれぞれ互いに接続されたMOSトランジスタ
のドレイン電圧を電源電圧の変化に合わせて変化させれ
ばよい。
【0014】一般には、MOSのアーリー効果によりド
レイン電圧が変動すればドレイン電流も変動する。図1
1でMOSのアーリー効果を説明する。MOSのドレイ
ン電流IDSは理想的にはゲート電圧が一定であれば、
図11の上のグラフで示すようにドレイン電圧VDが十
分に高い飽和領域では、ドレイン電圧に依存せず一定に
なる。しかし、実際のMOSトランジスタではドレイン
電流にはドレイン電圧に対する依存性がある。この様子
を下のグラフで示している。
【0015】そこで、ソース,ゲートがそれぞれ互いに
接続された複数のMOSトランジスタのドレイン電圧が
相対的に同じ様に変化するように設定すれば、これらM
OSトランジスタに流れる電流の比は電源電圧によって
変化することがなくなる。従って、電源電圧が変動して
もバイポーラトランジスタに流れる電流比は変動しなく
なり、これらバイポーラトランジスタに流れる電流は絶
対温度に比例することになる。
【0016】コレクタ電流の比が一定に保たれた2つの
バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間電圧の差
電圧が絶対温度に比例することは、バイポーラトランジ
スタの物理的な特性から導かれる事実である。この電圧
を抵抗要素に印加すれば、この抵抗要素に流れる電流の
電流値も絶対温度に比例する。
【0017】従って、電源電圧の変動の影響が極めて小
さく、絶対温度に比例する電流を低い電源電圧によって
生成することができる。
【0018】
【実施例】図3に上記構成の具体例を示す。バイポーラ
トランジスタQ1,Q2と抵抗性要素R1及び、MOS
トランジスタM12,M12とからなる回路は理想的に
は以下のように動作する。すなわち、バイポーラトラン
ジスタQ1とMOSトランジスタM13は直列に接続さ
れているため、そのコレクタ電流とドレイン電流が同じ
になる。また、バイポーラトランジスタQ2とMOS
M12とは直列に接続されているため、そのコレクタ電
流とドレイン電流は同じになる。今、MOSトランジス
タのアーリー効果が無視できると仮定すると、MOS
M12と、MOS M13に流れる電流の比が一定にな
るので、バイポーラトランジスタQ1と、Q2に流れる
電流の比が一定になる。一般に、コレクタ電流の比が一
定に保たれたバイポーラトランジスタのベース・エミッ
タ間電圧の差電圧は絶対温度に比例するから、抵抗要素
R1に印加される電圧は絶対温度に比例することにな
る。従って、MOSトランジスタのアーリー効果を無視
すれば、MOS M12,M13と、バイポーラトランジ
スタQ1,Q2及び、抵抗要素R1によって、絶対温度
に比例する電流がMOSトランジスタM13に流れる。
MOSトランジスタM11,M12,M13,M14は
カレントミラー回路を構成し、それぞれの素子に直列に
接続された素子に、互いに比例する電流を流し、絶対温
度に比例する比例電流供給回路を構成する。
【0019】MOSトランジスタM1及び、M11は以
下の様に動作する。すなわち、バイポーラトランジスタ
Q1のコレクタ電流が電源変動等の何かの要因で増加
し、そのコレクタ電位が上昇するとバイポーラトランジ
スタQ3のベース電位が上昇し、Q3のコレクタ電位す
なわちMOSトランジスタM1のゲート電位が下降す
る。これにより、MOSトランジスタM1、及びM11
に流れる電流が減少し、MOSトランジスタM11とカ
レントミラーに接続されたM12,M13,M14のMO
Sトランジスタのゲート電圧が減少し、それに流れる電
流を減少させる。これがバイポーラトランジスタQ1の
コレクタ電位を下げる作用をし、最初に上昇したと仮定
したバイポーラトランジスタQ1のコレクタ電圧に対し
てネガティブフィードバックがかかるため、回路が安定
に動作する。
【0020】また、MOSトランジスタM2,M3,M
4は以下のように働きMOSトランジスタM12のドレ
イン電位の変化をそのソース電位の変化に合わせる。電
源電圧が高くなると、Q3のコレクタ電位が下がるのは
上で述べたのと同様である。これによりMOSトランジ
スタM3のゲート電位が下がり、MOS M3に流れる
電流が減少する。これに直列に接続されたMOSトラン
ジスタM4の電流も小さくなるため、そのゲート電位が
下がる、すなわちこの場合はVCC側に変動すること
で、MOSトランジスタM12のドレイン電位の変化を
VCCの変化に合わせることが可能となる。他の、MO
SトランジスタM5からM10も同様な動作によって、
MOSトランジスタM13,M14のドレイン電流値の
電源電圧依存性を無くしている。これにより、バイポー
ラトランジスタQ1,Q2に流れるコレクタ電流の比が
電源電圧により変化せず、基準電流発生回路の発生する
電流に電源電圧依存性が無い。
【0021】先願の発明(特願平4−33119号)による基準
電源回路には、図3の回路におけるMOSトランジスタ
M2,M3,M4,M5,M6,M7,M8,M9,M
10が含まれないため、MOSトランジスタM12,M
13,M14のドレイン電位がVCCの変化に合わせて
変化しないため、回路の出力電流に電源電圧に対する依
存性が発生する場合がある。
【0022】図13に特願平4−33119号の回路のポイン
トを示す。すなわち、MOS M41とMOS M40が
ソース,ゲートを共有し、バイポーラトランジスタQ4
0とQ41のコレクタ電圧の比を一定に保つ働きがあ
る。しかし、MOS M41のドレイン電圧は、バイポ
ーラトランジスタQ41によって、VEE電位を基準と
して約0.8V 程度の電位である。他の手段を用いない
限り、バイポーラトランジスタQ40のコレクタ電圧は
VEE電位を基準として変化するとは限らず、基準電圧
発生回路の精度を悪くする可能性がある。
【0023】MOSトランジスタM2〜M10は、電源
電圧変動吸収する回路を構成する。電源電圧が変化して
もMOSトランジスタM12,M13,M14のドレイ
ン電圧がVCC電位に対して相似した変化をするため、
これらMOSトランジスタの互いのドレイン電流の比の
電源電圧による変化が相殺される。
【0024】本回路例は低電源電圧でも動作するLSI
用の基準電流発生回路を提供する。つまり、その出力電
流が絶対温度に比例し電源電圧に依存しない基準電流が
得られる。
【0025】図4は本発明の他の実施例を示す。これ
は、図3において、カレントミラーを構成するMOS毎
に別に設けていたMOS M6,M7,M3,M4,M
9,M10を共通化し素子数を低減した例である。MO
SトランジスタM11,M12,M13,M14のドレイ
ン電圧は電源電圧,温度に対して同様な依存性を持つた
め、これらMOSトランジスタのドレイン電位の制御が
共通化できる。図4はMOSトランジスタM3,M4,
M9,M10をまとめて、MOSトランジスタM6,M
7とした例であるが、例えばMOS M3,M4を残し
て、MOSM5,M8のゲート電流はMOS M6,M
7のドレインから取ることも可能である。
【0026】本回路によれば、図3に示す回路より素子
数が低減し、従って回路面積が低減した基準電流発生回
路が得られる。
【0027】図5により、図4までに述べた基準電流発
生回路を用いてECL 100k規格(図10に示す)
を満たす出力バッファ回路を構成する例を示す。基準電
流発生回路から出力される基準電流によりECL 10
0k出力バッファの電流源を駆動する方式を示す。
【0028】MOS M15はMOS M13とゲー
ト,ソースが共通で、これらMOSのドレイン電圧はM
OS M16とM5により、電源電圧の変動に対する変
動が相殺されるため、M13に流れる絶対温度に比例す
る電流がM15にも流れ、しかもその大きさに電源電圧
の依存性がない。従って、MOS M15と直列に接続
されたMOS M17にも電源電圧に依存せず、絶対温
度に比例する電流が流れる。
【0029】MOSトランジスタM17,M18,M1
9,M20,M21,M22,M23はいわゆるレギュレ
ーテッド,カスコードカレントミラー回路を構成する。
これにより、MOS M17に流れる電流に比例する電
流がMOSトランジスタM22にも流れる。バイポーラト
ランジスタQ4,Q5,Q6,Q7,Q8、及び、抵抗
要素R3,R4,R5により構成されるECL 100
k電圧出力用のカレントスイッチ回路が100k EC
L規格を満たす出力電圧を発生する。すなわち、抵抗要
素R4の両端に発生する電圧は絶対温度に対して正の依
存性を持ち、また、バイポーラトランジスタQ8のベー
ス・エミッタ間電圧は温度に対して負の依存性を持つた
め、これらを加算した電圧(すなわちECLOUTとV
CCの間に発生する電圧)には、温度に対する依存性を
無くすことが可能となる。
【0030】図12でレギュレーテッドカスコード・カ
レントミラー回路の動作を説明する。図12の左側は、
普通のカレントミラー回路を示す。すなわち、MOS
M42に入力された入力電流は、MOS M42とゲー
ト,ソースを共通に接続されたMOS M47のドレイ
ン電流に出力電流として表れる。しかし、一般にはMO
SM42のドレイン電圧と、MOS M47のドレイン
電圧は電圧,温度の変化に対して異なる変化を受けるた
め、入力電流と出力電流の一致する精度は悪い。図12
の右側にレギュレーテッドカスコード・カレントミラー
回路を示す。同様に、MOS M42に入力された電流
をMOS M47のドレイン電流として出力する回路で
ある。MOS M43,M44,M46,M45はMO
S M42とカレントミラーで結ばれているため、M4
5にも入力電流に比例する電流が流れる。従って、MO
S M45のゲート電圧すなわち、MOS M47のド
レイン電圧はMOS M42のゲート電圧、すなわちM
OS M42のドレイン電圧と同じ傾向で変化するた
め、普通のカレントミラーにあった、MOS M42の
ドレイン電圧とMOS M47のドレイン電圧の不一致
による精度の悪化がない。図5のバイポーラトランジス
タQ4,Q5のベース端子に出力バッファのデータの入
力信号を入力し、バイポーラトランジスタQ8のベース
にデータが出力される。バイポーラトランジスタQ4,
Q5,Q6,Q7,Q8、及び、抵抗要素R3,R4,
R5により構成される100k ECL電圧出力用のカ
レントスイッチ回路はこの分野の専門家にとっては公知
の技術である。なお、図5に示した容量C1,C2,C
3等は、回路の発振を防ぐためのものである。また、抵
抗要素R5を小さくすることも発振を防ぐことになる。
【0031】図5の回路を用いれば、3.0V 以下の
電圧でも動作するECL 100k規格の出力バッファ
回路を構築することが出来る。これは基準電流発生回路
が3V程度の低電源電圧で動作可能であるため及び、図
9に示す従来の100k ECL出力バッファの様に電流
源部にバイポーラトランジスタQ30を用いないため、
飽和することが無いためである。
【0032】図5の回路において、VOE1で示される
信号線は電流信号を伝達する。すなわち、MOSトラン
ジスタM15で発生する電流が、MOSトランジスタM
17のゲート電圧を発生させ、これがMOSトランジス
タM22に一定の電流を発生させる。このため、基準電
流発生回路部と、ECL 100k出力バッファ回路部
の間のVOE1の信号線につく寄生抵抗が大きい場合で
も、ECL出力回路が正確な出力電圧を発生することが
可能である。チップサイズの大きいLSIにおいて、基
準電流発生部とECL出力部のチップ内の物理的な距離
が大きく、電圧信号を正確に伝送することが難しい場合
には、電流信号で基準発生用電源回路と出力回路等を結
ぶことが特に有効である。
【0033】本実施例によれば、信号配線,電源配線に
寄生する寄生抵抗が大きくなる、チップサイズの大きい
LSIにも対応可能な、基準電流発生回路と定電圧発生
回路を提供できる。特開平3−15916号には、電源回路か
らECL論理回路までを電流信号で結ぶ回路構成が開示
されているが、この電源回路は上記の従来の電源回路方
式を用いているため、本発明が意図する様な低電源電圧
では動作しない。
【0034】図6に図4の基準電流発生回路を用いて構
成した、ECL 100k規格を満たす入力バッファ回
路用の基準電圧発生回路の構成例を示す。
【0035】基準電流発生回路で発生した絶対温度に比
例する電流をMOSトランジスタM24に流すことによ
り、抵抗R6の両端には絶対温度に比例する電圧が発生
する。この電圧と、温度に対して負の依存性を持つバイ
ポーラトランジスタQ9のベース・エミッタ間電圧を加
算することにより、出力端子VREFには電源電圧,温
度の両方に対し依存性を持たない、電源端子VCC電位
を基準とする電圧VREFが得られる。この電圧は、E
CL入力バッファの基準電圧として用いることができ
る。
【0036】図7に、すでに述べたECL出力バッファ
回路と、ECL入力バッファ回路用基準電圧発生回路を
共に備えたECL 100k LSIにおける入出力用
の電源回路の構成例を示す。
【0037】本発明によれば、ECL 100kの規格
を満たすLSIのチップを構成するためには大きく分け
て、基準電流発生回路と、ECL入力バッファ用基準電
圧発生回路及びECL出力バッファ回路をチップ内に設
ければよい。図で示したように基準電流発生部は入力回
路及び出力回路で共有でき、それぞれ別に設けた場合に
比べてチップ内の回路数の削減が可能である。
【0038】図8に基準電流発生回路を用いてECL
100k入力バッファ回路用基準電圧発生回路を構成す
る他の例を示す。図6ではMOSトランジスタM24、
及びM25で構成した電流源をMOSトランジスタM2
6,M27,M28,M29,M30,M31,M3
2,M33,M34,M35により構成する。これら
は、図5で示したレギュレーテッド・カスコード・カレ
ントミラー回路を構成し、電源電圧変動に対して一定で
しかも絶対温度に比例する電流を抵抗要素R6に供給す
る。
【0039】図8の回路によれば、低電源電圧で動作す
るECL LSIの入力回路用の基準電圧発生回路が得
られる。これは、基準電流発生回路が低電源電圧で動作
可能であるためである。
【0040】
【発明の効果】本発明によれば、電源電圧に対する依存
性がなく、絶対温度に比例する基準電流を発生する基準
電流発生回路を構成できる。
【0041】本発明によれば、3V以下の低電源電圧に
おいても、上記の基準電流発生回路を構成できる。
【0042】本発明によれば、チップサイズが大きくチ
ップ中に大きな電源電位分布があるLSIチップにおい
ても、上記の基準電流発生回路を構成することが出来
る。
【0043】本発明によれば、低電源電圧においても動
作する、絶対温度に比例し、電源電圧には依存しない基
準電流発生回路が得られる。
【0044】本発明によれば、上記の基準電流発生回路
を用いて、ECL 100k規格を満足するLSIを構
成することが可能になる。
【0045】また、本発明によれば、チップサイズの大
きいLSIにおいて、電源配線に大きな寄生抵抗がつ
き、電源電位分布が大きい場合でも、ECL 100k
規格を満たすLSIを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による、基準電流及び基準電圧発生回路
の一例を示す。ただし電源電圧変動吸収手段無しの回路
である。
【図2】本発明による、基準電流及び基準電圧発生回路
の一例で、電源電圧変動吸収手段を持つ回路の例を示
す。
【図3】本発明による、基準電流及び基準電圧発生回路
の一例を示す。
【図4】本発明による、基準電流及び基準電圧発生回路
の一例を示す。
【図5】本発明による、基準電流及び基準電圧発生回路
を用いたECL 100K出力バッファ回路の構成例を
示す。
【図6】本発明による、基準電流,基準電圧発生回路を
用いたECL入力バッファ用基準電圧発生回路の構成例
を示す。
【図7】本発明による、基準電流,基準電圧発生回路を
用いたECL LSI用電源回路の構成例を示す。
【図8】本発明による、基準電流,基準電圧発生回路を
用いたECL入力バッファ用基準電圧発生回路の他の構
成例を示す。
【図9】従来の100k電源を用いた100k ECL
出力バッファの構成を示す。
【図10】ECL 100k規格を示す。
【図11】MOSトランジスタのアーリー効果を説明す
るための、MOSの静特性を示す図である。
【図12】MOSトランジスタのアーリー効果の影響を
低減したカレントミラー回路の説明図である。
【図13】特願平4−33119号に示した回路がMOSのア
ーリー効果により影響を受けることの説明図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−118821(JP,A) 特開 昭63−307514(JP,A) 特開 平4−90014(JP,A) 特開 平5−233084(JP,A) 特開 平7−141046(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G05F 3/30 H02J 1/00 306

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1のバイポーラトランジスタのベースと
    第2のバイポーラトランジスタのベースが互いに接続さ
    れ、上記第1のバイポーラトランジスタのエミッタと上
    記第2のバイポーラトランジスタのエミッタとは電気的
    な抵抗値を有する抵抗部によって接続され、上記第2の
    バイポーラトランジスタのベースとコレクタが接続さ
    れ、上記第1のバイポーラトランジスタのベース・エミ
    ッタ間電圧と、上記第2のバイポーラトランジスタのベ
    ース・エミッタ間電圧の差電圧が上記抵抗部に印加され
    る基準電流・基準電圧発生部と、 上記第1のバイポーラトランジスタに流れるコレクタ電
    流と上記第2のバイポーラトランジスタに流れるコレク
    タ電流との電流比を所定の電流比にするために、上記第
    1及び第2のバイポーラトランジスタのコレクタにそれ
    ぞれ接続された第1及び第2のMOSトランジスタから
    なる電源電圧変動吸収部と、 上記第1及び第2のMOSトランジスタにそれぞれ直列
    に接続される第3及び第4のMOSトランジスタと、上
    記第3及び第4のMOSトランジスタとカレントミラー
    回路を構成するMOSトランジスタと、を有することを
    特徴とする基準電流発生回路。
  2. 【請求項2】請求項1において、 上記電源電圧変動吸収部は、上記バイポーラトランジス
    タのコレクタと接続された第5のMOSトランジスタの
    ゲートが第6のMOSトランジスタのソースに接続さ
    れ、上記第6のMOSトランジスタのゲートは上記第5
    のMOSトランジスタのソースに接続され、上記第1及
    び第2のバイポーラトランジスタのコレクタ電流の比を
    制御することを特徴とする基準電流発生回路。
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