KR920004587B1 - 메모리장치의 기준전압 안정화회로 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

메모리장치의 기준전압 안정화회로
제 1 도는 종래의 인가되는 공급전압과 무관하게 항상 일정한 기준전압을 유지시키기 위한 상세 회로도,
제 2 도는 본 발명의 온도의 변화 및 인가되는 공급전압의 변화에 무관하게 항상 일정한 기준전압을 유지시키기 위한 상세회로도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 부궤환부 2 : 제어부
R1 : 저항 D1, D2 : 다이오드
M1~M3 : 모스트랜지스터 OUT : 출력단자
본 발명은 메모리장치에 관한 것으로, 특히 인가되는 공급전압의 변화뿐만 아니라, 온도의 변화에도 무관하게 기준전압을 항상 일정하게 유지시키는 온도보상이 가능한 메모리장치의 기준전압 안정화회로이다.
일반적으로, 메모리장치에서 인가되는 정전압의 크기와 무관하게 언제나 일정한 전압을 유지할 수 있는 기준전압 회로가 필요하다. 따라서, 기준전압을 일정하게 유지하기 위하여 다이오드 두개를 직렬로 연결하고 이 두 다이오드의 임계전압이 기준전압으로 인가되어 항상 일정한 기준전압이 유지된다. 그러나 다이오드의 임계전압은 온도가 1℃ 증가함에 따라 2mV 만큼 감소하므로 온도가 변하면 다이오드의 임계전압도 변하므로 온도변화시 메모리장치에 인가되는 기준전압을 일정하게 유지시킬 수 없다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 온도변화에도 항상 메모리장치의 기준전압을 일정하게 유지하도록 하는 메모리장치의 기준전압 안정화회로를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 또다른 목적은 기존의 기준전압 안정화회로에 간단하게 설계하여 모든 메모리장치에 용이하게 널리 사용할 수 있도록한 메모리장치의 기준전압 안정화회로를 제공하고자 함에 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 정전압 인가단자에 저항과 다이오드가 직렬연결된 기준전압 안정화회로에 있어서, 상기 저항에서 출력되는 기준전압을 궤환시키기 위한 부궤환부와, 상기 부궤환부의 출력전압에 따라 트랜스 컨덕턴스를 변화시킴으로서, 출력되는 기준전압을 변화시키기 위하여 다이오드의 출력단자와 상대접지 사이에 연결된 제어부와, 연결구성된 메모리장치의 기준전압 안정화회로에 있다.
본 발명의 실시예를 통하여 상세하게 설명하면 다음과 같다. 먼저, 제 1 도는 종래의 인가되는 정전압의 양과 무관하게 메모리장치에서 항상 일정한 기준전압을 유지시키기 위한 상세회로도로서, 정전압 인가단자(VCC)와 상대접지(VSS) 사이에 저항(R1)과 정방향의 다이오드(D1,D2)가 직렬로 연결되어 있고 상기저항(R1)의 출력단자(OUT)에 메모리장치가 연결되어 있다. 즉, 인가되는 공급전압(VCC)과는 무관하게 정방향 다이오드(D1),(D2)의 임계전압이 출력단자(OUT)를 통하여 출력되므로 출력단자(OUT)에 연결된 메모리장치에는 언제나 일정한 다이오드(D1),(D2)의 임계전압이 인가된다. 그러나, 다이오드(D1,D2)의 임계전압은 온도가 1℃ 상승됨에 따라 2mV 만큼 감소하므로, 출력단자(OUT)를 통하여 출력되는 메모리장치의 기준전압은 온도상승에 따라 다이오드 임계전압이 감소되어 출력된다. 따라서 온도가 변화할 경우 출력되는 기준전압이 일정하지 못하다. 제 2 도는 본 발명의 인가되는 정전압 뿐만 아니라 온도의 변화와도 무관하게 메모리장치에 인가되는 기준전압을 일정하게 유지시키기 위한 상세 회로도로서, 정전압 인가단자(VCC)와 상대적접지(VSS) 사이에 저항(R1)과 정방향 다이오드(D1),(D2)가 직렬 연결된 기준전압 안정화회로에 있어서, 상기 저항(R1)에 연결된 출력단자(OUT)에 출력되는 기준전압을 궤환시키기 위한 부궤환부(1)을 연결시키고 상기 부궤환부(1)의 출력신호에 따라 트랜스 컨덕턴스(trans conductance)를 변화시킴으로서 출력되는 기준전압을 제어하기 위한 제어부(2)를 연결시킨다.
상기 부궤환부(1)는 저항(R1)에 연결된 출력단자(OUT)에 저항용 모스트랜지스터(M1)의 게이트단자와 드레인단자를 연결시키고, 저항용 모스트랜지스터(M1)의 소오스단자에 저항용 모스트랜지스터(M2)의 게이트와 드레인단자를 연결시킨다. 그리고, 부궤환부(1)의 저항용 모스트랜지스터(M2)의 소오스단자에는 상대적접지(VSS)와 연결시킨다. 그리고, 상기 제어부(2)는 상기 부궤환부(1)의 저항용 모스트랜지스터(M1)의 소오스단자에 바이어스 조절용 모스트랜지스터(M3)의 게이트단자를 연결시키고, 정방향 다이오드(D2)의 출력단자에 모스트랜지스터(M3)의 드레인단자를, 상대적접지(VSS)에 모스트랜지스터(M3)의 소오스단자를 연결시킨다.
이와 같이 구성된 본 발명에 의하여 작용효과를 살표보면 다음과 같다. 온도가 상승하면 정방향 다이오드(D1),(D2)의 임계전압이 떨어지고 따라서 출력단자(OUT)를 통하여 출력되는 기준전압도 떨어진다. 이때, 상기 떨어지는 기준전압을 부궤환부(1)에 의하여 궤환제어부(2)에 인가시켜 제어부(2)의 트랜스 컨덕턴스를 낮춘다. 즉, 출력단자(OUT)를 통하여 출력되는 메모리장치의 기준전압을 상승시킨다. 즉, 온도가 상승하여 다이오드(D1),(D2)의 임계전압이 감소되고 따라서 기준전압이 낮아지면 부궤환부(1)의 저항용 모스트랜지스터(M1),(M2)에 의하여 분배된 전압이 낮아지고 상기 낮아진 분배전압은 제어부(2)의 바이어스조절용 모스트랜지스터(M3)의 게이트단자에 인가된다. 이때 인가된 제어부(2)의 모스트랜지스터(M3)의 게이트전압에 따라 바이어스가 조절되어 모스트랜지스터(M3)의 트랜스 컨덕턴스가 변하는데 게이트전압이 높아지면 트랜스 컨덕턴스가 커지고 게이트전압이 낮아지면 트랜스 컨덕턴스는 작아진다. 즉, 부궤환부(1)의 저항용 모스트랜지스터(M1,M2)의 낮아진 분배전압에 의하여 제어부(2)의 모스트랜지스터(M3)의 저항치가 커져 이 모스트랜지스터(M3)의 드레인단자와 소오스단자간의 전위차가 커지고 따라서 출력단자를 통한 메모리장치의 기준전압은 상승한다. 그러나, 온도가 하강하여 다이오드(D1),(D2)의 임계전압이 증가되고 따라서 출력전압이 높아지면 부궤환부(1)의 저항용 모스트랜지스터(M1),(M2)에 의하여 분배된 전압이 높아진다. 이때 증가된 분배전압은 제어부(2)의 바이어스 조절용 모스트랜지스터(M3)의 게이트단자에 인가되어 모스트랜지스터(M3)의 트랜스 컨덕턴스가 커지고 따라서 모스트랜지스터(M3)의 저항치가 작아진다. 즉, 모스트랜지스터(M3)의 양단간의 전위차가 작아져 출력단자를 통하여 출력되는 메모리장치의 기준전압은 하강한다.
이상에서와 같이 본 발명은 온도가 상승하면 부궤환부의 분배된 전압이 낮아지고 상기 낮아진 분배전압은 제어부에 인가되어 기준전압을 상승하도록 제어하고 온도가 하강하면 부궤환부의 분배된 전압이 높아지고 상기 높아진 분배전압은 제어부에 인가되어 기준전압을 하강하도록 제어하여 출력단자를 통하여 메모리장치에 인가되는 기준전압은 항상 일정한 전압으로 유지하도록 한다. 한편, 부궤환부(1)는 저항용 모스트랜지스터(M1),(M2)와 제어부(2)는 바이어스 조절용 모스트랜지스터(M3)로 구성되어 있어 설계가 간단하여 모든 기존의 기준전압 안정화회로에 연결이 매우 용이한 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 정전압 인가단자(VCC)에 저항(R1)과 정방향 다이오드(D1),(D2)가 직렬연결된 기준전압 안정화회로에 있어서, 상기 저항(R1)의 출력전압을 궤환시키는 부궤환부(1)와, 상기 부궤환부(1)의 출력전압을 인가받아 출력단자(OUT)의 기준전압을 일정하게 제어하는 제어부(2)를 더 포함하는 메모리장치의 기준전압 안정화회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 부궤환부(1)는 다수개의 저항용 모스트랜지스터로 구성되어 출력된 기준전압을 분배시킴을 특징으로 하는 메모리장치의 기준전압 안정화회로.
  3. 제 1 항에 있어서, 제어부(2)는 상기 부궤환부(1)의 분배된 출력전압에 의하여 트랜스 컨덕턴스가 변하는 바이어스조절용 모스트랜지스터(M3)로 구성됨을 특징으로 하는 메모리장치의 기준전압 안정화회로.
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