CN107015594A - 一种偏置电流产生电路 - Google Patents

一种偏置电流产生电路 Download PDF

Info

Publication number
CN107015594A
CN107015594A CN201710395058.4A CN201710395058A CN107015594A CN 107015594 A CN107015594 A CN 107015594A CN 201710395058 A CN201710395058 A CN 201710395058A CN 107015594 A CN107015594 A CN 107015594A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nmos pass
bias current
pass transistor
resistance
current generating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710395058.4A
Other languages
English (en)
Inventor
不公告发明人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changsha Party Xingteng Electronic Technology Co Ltd
Original Assignee
Changsha Party Xingteng Electronic Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changsha Party Xingteng Electronic Technology Co Ltd filed Critical Changsha Party Xingteng Electronic Technology Co Ltd
Priority to CN201710395058.4A priority Critical patent/CN107015594A/zh
Publication of CN107015594A publication Critical patent/CN107015594A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

一种偏置电流产生电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：PMOS晶体管、NMOS晶体管、NPN三极管、第一电阻和第二电阻；第一电阻一端接电源，另一端接NMOS晶体管的栅极和NPN三极管的集电极；NPN三极管的发射极接地，基极接第二电阻的一端和NMOS晶体管的源极；第二电阻的另一端接地；NMOS晶体管的漏极接PMOS晶体管的漏极；PMOS晶体管的源极接电源，栅极和漏极都接到输出端。本发明的偏置电流产生电路利用三极管的基极和发射极的电压差除以一个电阻，得到了一个不需要启动电路，也与电源电压无关的偏置电流，从而减小了偏置电流产生电路的面积，降低了功耗，大大提升了电路的性能。

Description

一种偏置电流产生电路
技术领域
本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种偏置电流产生电路。
背景技术
偏置电流是模拟集成电路中的一种重要参考源，是系统中不可缺少的一部分。
传统的偏置电流产生电路如图1所示，包括：由第一PMOS晶体管P1、第一NMOS晶体管N1和第二NMOS晶体管N2构成的启动电路以及第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4和电阻R1构成的偏置电流电路；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极和漏极相连并与第一NMOS晶体管N1的漏极和第二NMOS晶体管N2的栅极相接；第一NMOS晶体管N1的源极接地，栅极与第四NMOS晶体管N4的栅极相接；第二NMOS晶体管N2的源极接地，漏极接电压输出端Uout；第二PMOS晶体管P2的源极接电源，栅极接第三PMOS管P3的栅极，栅极和漏极都接到电压输出端Uout；第三PMOS晶体管P3的源极接电源，漏极接第四NMOS晶体管N4的漏极，栅极接输出Uout；第三NMOS晶体管N3的漏极接输出电压Uout，源极接地，栅极接第四NMOS晶体管N4的栅极；第四NMOS晶体管N4的漏极和栅极相连，源极接电阻R1的一端，电阻R1的另一端接地。
现有的偏置电流产生电路都存在不能启动的问题，所以都需要额外的启动电路，图1中的第一PMOS晶体管P1、第一NMOS晶体管N1和第二NMOS晶体管N2即为启动电路。这种启动电路需要耗费芯片的面积和功耗，给电路设计增加成本。
发明内容
为解决现有偏置电流产生电路耗费芯片的面积和功耗的技术问题，本发明提供了一种无需启动电路的偏置电流产生电路。
一种偏置电流产生电路，包括：PMOS晶体管P1、NMOS晶体管N1、NPN三极管Q1、第一电阻R1和第二电阻R2；第一电阻R1一端接电源，另一端接NMOS晶体管N1的栅极和NPN三极管Q1的集电极；NPN三极管Q1的发射极接地，基极接第二电阻R2的一端和NMOS晶体管N1的源极；第二电阻R2的另一端接地；NMOS晶体管N1的漏极接PMOS晶体管P1的漏极；PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极和漏极都接到输出端BIAS。
本发明的偏置电流产生电路利用三极管的基极和发射极的电压差除以一个电阻，得到了一个既不需要启动电路，也与电源电压无关的偏置电流，大大提升了电路的性能。
附图说明
图1是传统的偏置电流产生电路结构示意图；
图2是本发明实施方式提供的偏置电流产生电路结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本发明进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本发明的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。
为了减小偏置电流产生电路的面积及降低其功耗，本发明提供了一种无需启动电路的偏置电流产生电路，如图2所示，本发明提供的偏置电流产生电路包括：PMOS晶体管P1、NMOS晶体管N1、NPN三极管Q1、第一电阻R1和第二电阻R2；第一电阻R1一端接电源，另一端接NMOS晶体管N1的栅极和NPN三极管Q1的集电极；NPN三极管Q1的发射极接地，基极接第二电阻R2的一端和NMOS晶体管N1的源极；第二电阻R2的另一端接地；NMOS晶体管N1的漏极接PMOS晶体管P1的漏极；PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极和漏极都接到输出端BIAS。
本发明的偏置电流产生电路利用三极管的基极和发射极的电压差除以一个电阻，得到了一个不需要启动电路，也与电源电压无关的偏置电流，从而减小了偏置电流产生电路的面积，降低了功耗，大大提升了电路的性能。
应当理解的是，本发明的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本发明的原理，而不构成对本发明的限制。因此，在不偏离本发明的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。此外，本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。

Claims (1)

1.一种偏置电流产生电路，其特征在于，包括：PMOS晶体管P1、NMOS晶体管N1、NPN三极管Q1、第一电阻R1和第二电阻R2；第一电阻R1一端接电源，另一端接NMOS晶体管N1的栅极和NPN三极管Q1的集电极；NPN三极管Q1的发射极接地，基极接第二电阻R2的一端和NMOS晶体管N1的源极；第二电阻R2的另一端接地；NMOS晶体管N1的漏极接PMOS晶体管P1的漏极；PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极和漏极都接到输出端BIAS。
CN201710395058.4A 2017-05-30 2017-05-30 一种偏置电流产生电路 Pending CN107015594A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710395058.4A CN107015594A (zh) 2017-05-30 2017-05-30 一种偏置电流产生电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710395058.4A CN107015594A (zh) 2017-05-30 2017-05-30 一种偏置电流产生电路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107015594A true CN107015594A (zh) 2017-08-04

Family

ID=59451742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710395058.4A Pending CN107015594A (zh) 2017-05-30 2017-05-30 一种偏置电流产生电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107015594A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107390763A (zh) * 2017-08-31 2017-11-24 长江存储科技有限责任公司 一种对电源不敏感的低温漂电流源电路
CN108628381A (zh) * 2018-06-26 2018-10-09 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种对电源不敏感的电流偏置电路
CN110968142A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 雅特力科技(重庆)有限公司 动态偏压电流产生器以及相关的电子装置
CN113568460A (zh) * 2020-04-29 2021-10-29 无锡华润上华科技有限公司 偏置电流产生电路及闪存

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1065532A (zh) * 1992-03-20 1992-10-21 三星电子株式会社 基准电流产生电路
JPH0643953A (ja) * 1992-03-18 1994-02-18 Samsung Electron Co Ltd 基準電圧発生回路
US5391979A (en) * 1992-10-16 1995-02-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Constant current generating circuit for semiconductor devices
US5831473A (en) * 1996-06-21 1998-11-03 Nec Corporation Reference voltage generating circuit capable of suppressing spurious voltage
US6225855B1 (en) * 1993-08-31 2001-05-01 Fujitsu Limited Reference voltage generation circuit using source followers

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0643953A (ja) * 1992-03-18 1994-02-18 Samsung Electron Co Ltd 基準電圧発生回路
CN1065532A (zh) * 1992-03-20 1992-10-21 三星电子株式会社 基准电流产生电路
US5391979A (en) * 1992-10-16 1995-02-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Constant current generating circuit for semiconductor devices
US6225855B1 (en) * 1993-08-31 2001-05-01 Fujitsu Limited Reference voltage generation circuit using source followers
US5831473A (en) * 1996-06-21 1998-11-03 Nec Corporation Reference voltage generating circuit capable of suppressing spurious voltage

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107390763A (zh) * 2017-08-31 2017-11-24 长江存储科技有限责任公司 一种对电源不敏感的低温漂电流源电路
CN108628381A (zh) * 2018-06-26 2018-10-09 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种对电源不敏感的电流偏置电路
CN110968142A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 雅特力科技(重庆)有限公司 动态偏压电流产生器以及相关的电子装置
CN113568460A (zh) * 2020-04-29 2021-10-29 无锡华润上华科技有限公司 偏置电流产生电路及闪存

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107015594A (zh) 一种偏置电流产生电路
CN102053645B (zh) 一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源
CN107390757B (zh) 一种低功耗低温漂cmos亚阈值基准电路
CN104967095B (zh) 过温保护电路
CN103856205B (zh) 电平转换电路、用于驱动高压器件的驱动电路以及相应的方法
CN107179800B (zh) 一种带钳位功能的内部电源产生电路
CN102096436B (zh) 采用mos器件实现的低压低功耗带隙基准电压源
CN203522681U (zh) 一种双延时上电时序控制电路
KR102038041B1 (ko) 전원 선택 회로
CN104076856B (zh) 一种超低功耗无电阻非带隙基准源
CN107390758B (zh) 低电压带隙基准源电路
CN109491447A (zh) 一种应用于带隙基准电路的启动电路
CN104506183B (zh) 单电压亚阈值电平转换器
CN106970674A (zh) 一种偏置电流产生电路
CN208723866U (zh) 一种用于cmos输出的掉电保护电路
CN107102678A (zh) 一种偏置电流产生电路
CN203193605U (zh) 用于驱动高压器件的驱动电路
CN107395146A (zh) 一种恒定跨导放大器电路
CN205263697U (zh) 一种带上电复位的可校正低功耗电压基准源
CN102135781B (zh) 基准电压电路的启动加速电路
CN108347171A (zh) 返驰式电源供应电路及其二次侧控制电路
CN107203241A (zh) 一种偏置电流产生电路
CN105245099A (zh) 一种电压源电路
CN113359933A (zh) 参考电压产生电路
CN107634763A (zh) 一种带锁存功能的比较器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20170804

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication