JP4601455B2 - 負荷起動集積回路 - Google Patents

Description

本発明は、負荷の起動を制御する負荷起動集積回路に関する。

集積回路内等に設けられた負荷の起動・停止を、外部のマイコン等から出力される電圧値に応じて制御することが一般的に行われている。このように、負荷の起動を制御する集積回路のことを負荷起動集積回路という。例えば、特許文献１には、マイコンからの入力電圧に応じて負荷（ＦＥＴ素子）の起動を制御する負荷起動集積回路（ＦＥＴドライブ回路）が開示されている。

図７は、従来の負荷起動集積回路を含んで構成される処理回路の構成を示す回路図である。処理回路３０には、負荷起動集積回路３１、抵抗（負荷）３２、ＰＮＰ型トランジスタ３３、及び抵抗３４が含まれている。また、負荷起動集積回路３１は、マイコン等から負荷の起動または停止を指示するための入力電圧Ｖ_ＩＮが印加される電圧入力端子４１、抵抗４２，４３、及びＮＰＮ型トランジスタ４４を備えている。

抵抗４２の一端は電圧入力端子４１と接続され、抵抗４２の他端が抵抗４３の一端と接続され、抵抗４３の他端が接地されている。なお、抵抗４２，４３の温度係数は等しいものとする。ＮＰＮ型トランジスタ４４は、ベースが抵抗４２，４３の接続点に接続され、コレクタには抵抗３４を介して電源電圧Ｖ_ＣＣが印加され、エミッタが接地されている。また、ＰＮＰ型トランジスタ３３は、ベースがＮＰＮ型トランジスタ４４と抵抗３４との接続点に接続され、エミッタには電源電圧Ｖ_ＣＣが印加され、コレクタは負荷である抵抗３２の一端と接続されている。そして、抵抗３２の他端は接地されている。

このような構成において、入力電圧Ｖ_ＩＮの電圧値の上昇に伴ってＮＰＮ型トランジスタ４４のベース電位Ｖ_Ｂが上昇し、ベース・エミッタ間電圧Ｖ_ＢＥが所定の電圧を超えると、ＮＰＮ型トランジスタ４４がオンとなる。ＮＰＮ型トランジスタ４４がオンになると、ＰＮＰ型トランジスタ３３がオンとなり、負荷３２が起動される。逆に、入力電圧Ｖ_ＩＮの電圧値がある値を下回ると、ＮＰＮ型トランジスタ４４がオフとなり、負荷３２の動作は停止する。
特開平１０−５９２６１号公報

ここで、ＮＰＮ型トランジスタ４４がオンとなる際のＶ_ＢＥ（＝Ｖ_Ｂ）は温度により変化する。例えば、２５℃におけるＶ_ＢＥを７００ｍＶ、温度係数を−２ｍＶ／℃とすると、１５０℃ではＶ_ＢＥが４５０ｍＶとなり、−４０℃ではＶ_ＢＥが８３０ｍＶとなる。一方、抵抗４２，４３の温度係数は等しいため、その抵抗値の比率は温度により変化しない。したがって、入力電圧Ｖ_ＩＮを抵抗４２，４３の抵抗値で分割して求められるＮＰＮ型トランジスタ４４のベース電位Ｖ_Ｂは温度によっては変化しない。

図８は、抵抗４２の抵抗値を３５ＫΩ、抵抗４３の抵抗値を９０ＫΩ、抵抗３２，３４の抵抗値を１００ＫΩ、電源電圧Ｖ_ＣＣを３．０Ｖとした場合の、入力電圧Ｖ_ＩＮに対する負荷３２に供給される出力電圧Ｖ_ＯＵＴの変化を示すグラフである。図に示すように、入力電圧Ｖ_ＩＮの値を上げていくと、あるところでＮＰＮ型トランジスタ４４がオンとなり、出力電圧Ｖ_ＯＵＴが上昇していることがわかる。このようにＮＰＮ型トランジスタ４４がオンとなる際の入力電圧Ｖ_ＩＮの値は、ＮＰＮ型トランジスタ４４の温度特性によって変化している。つまり、ＮＰＮ型トランジスタ４４がオンとなる際の入力電圧Ｖ_ＩＮの値は、１５０℃では約５００ｍＶ、２５℃では約９５０ｍＶ、−４０℃では約１１０ｍＶとり、−４０℃〜１５０℃の範囲で約６００ｍＶの差が生じている。

したがって、例えば、処理回路３０の動作を保証する温度の範囲を−４０℃〜１５０℃とする場合、負荷３２を起動させるための入力電圧Ｖ_ＩＮは例えば１．２Ｖ以上、負荷３２を停止させるための入力電圧Ｖ_ＩＮは例えば４００ｍＶ以下とする必要がある。つまり、負荷起動集積回路３１を用いる場合、入力電圧Ｖ_ＩＮを入力するマイコンは、このような範囲の入力電圧Ｖ_ＩＮを出力可能でなければならない。しかし、マイコンによっては、出力可能な電圧値の範囲が限られており、このような範囲の入力電圧Ｖ_ＩＮを負荷起動集積回路３１に入力することができない場合がある。

本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、負荷を起動するために必要となる電圧値の温度による変化を抑制する負荷起動集積回路を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の負荷起動集積回路は、入力電圧に応じて負荷の起動を制御する負荷起動集積回路であって、前記入力電圧が印加される電圧入力端子を備え、一端が前記電圧入力端子に接続された第１及び第２の抵抗と、前記第１の抵抗の他端に制御電極及び入力電極が接続され、出力電極が基準電位に接続された第１のトランジスタと、前記第２の抵抗の他端に入力電極が接続され、制御電極が前記第１のトランジスタの制御電極に接続された第２のトランジスタと、一端が前記第２のトランジスタの出力電極に接続され、他端が基準電位に接続された第３の抵抗と、制御電極が前記第２のトランジスタの入力電極に接続され、出力電極が基準電位に接続され、入力電極の電圧に基づいて前記負荷の起動を制御する第３のトランジスタと、により構成されるバンドギャップリファレンス回路を更に備えることとする。

また、前記第２の抵抗に変えて、前記第２の抵抗よりも抵抗値の小さい第４の抵抗を備えることとしてもよい。

また、第４の抵抗を備える場合において、前記第３のトランジスタは、前記制御電極と前記出力電極との間の電位差が温度の上昇に連れて小さくなる特性を有し、前記第４の抵抗の温度係数が、前記第１及び第３の抵抗の少なくとも一方の温度係数よりも大きいこととすることもできる。

負荷を起動するために必要となる電圧値の温度による変化を抑制する負荷起動集積回路を提供することができる。

＝＝第１の実施形態＝＝
（１）負荷起動集積回路の構成
図１は、本発明の第１の実施形態である負荷起動集積回路１を含んで構成される処理回路１０の構成を示す回路図である。処理回路１０には、負荷起動集積回路１、抵抗（負荷）１１、ＰＮＰ型トランジスタ１２、及び抵抗１３，１４が含まれている。負荷起動集積回路１は、マイコン等から入力される入力電圧Ｖ_ＩＮに応じて負荷の起動を制御する回路であり、入力電圧Ｖ_ＩＮが印加される電圧入力端子２１と、抵抗２２〜２４、及び、ＮＰＮ型トランジスタ２５〜２７を含んで構成されるバンドギャップリファレンス回路とを備えている。

抵抗（第１の抵抗）２２、及び、抵抗（第２の抵抗）２３の一端は電圧入力端子２１と接続され、抵抗２２の他端にＮＰＮ型トランジスタ（第１のトランジスタ）２５のコレクタ（入力電極）が接続され、抵抗２３の他端にＮＰＮ型トランジスタ（第２のトランジスタ）２６のコレクタ（入力電極）が接続されている。ＮＰＮ型トランジスタ２５，２６のベース（制御電極）は互いに接続され、ＮＰＮ型トランジスタ２５のベースとコレクタとが接続されている。そして、ＮＰＮ型トランジスタ２５のエミッタ（出力電極）は、基準電位となるグランドに接続され、ＮＰＮ型トランジスタ２６のエミッタ（出力電極）は抵抗（第３の抵抗）２４の一端に接続され、抵抗２４の他端は、基準電位となるグランドに接続されている。

また、ＮＰＮ型トランジスタ（第３のトランジスタ）２７は、ベース（制御電極）がＮＰＮ型トランジスタ２６のコレクタに接続され、エミッタ（出力電極）が基準電位となるグランドに接続され、コレクタ（入力電極）が、抵抗１４の一端と接続されている。そして、抵抗１４の他端には、電源電圧Ｖ_ＣＣが印加されている。

ＰＮＰ型トランジスタ１２は、ベースがＮＰＮ型トランジスタ２７のコレクタに接続され、エミッタには電源電圧Ｖ_ＣＣが印加され、コレクタは負荷である抵抗１１の一端と接続されている。そして、抵抗１１の他端は基準電位となるグランドに接続されている。

（２）負荷起動集積回路の動作
このような構成において、入力電圧Ｖ_ＩＮの電圧値の上昇に伴ってＮＰＮ型トランジスタ２７のベース電位Ｖ_Ｂが上昇し、ベース・エミッタ間電圧Ｖ_ＢＥが所定の電圧を超えると、ＮＰＮ型トランジスタ２７がオンとなる。ＮＰＮ型トランジスタ２７がオンになると、ＰＮＰ型トランジスタ１２がオンとなり、負荷１１が起動される。逆に、入力電圧Ｖ_ＩＮの電圧値がある値を下回ると、ＮＰＮ型トランジスタ２７がオフとなり、負荷１１の動作は停止する。

なお、負荷起動集積回路１は、バンドギャップリファレンス回路であるため、ＮＰＮ型トランジスタ２７がオンとなる際の入力電圧Ｖ_ＩＮは温度変化の影響を受けずに安定したものとなる。ここで、バンドギャップリファレンス回路について説明する。なお、以後の説明において、抵抗２２の抵抗値をＲ_１、抵抗２３の抵抗値をＲ_２、抵抗２４の抵抗値をＲ_３、ＮＰＮ型トランジスタ２５をＱ_１、ＮＰＮ型トランジスタ２６をＱ_２、ＮＰＮ型トランジスタ２７をＱ_３とする。また、Ｉ_ｎ，Ｖ_ＢＥｎ，Ａ_Ｅｎ，Ｉ_ｓｎは、それぞれ、Ｑ_ｎ（ｎ＝１〜３）のコレクタ電流、ベース・エミッタ間電圧、エミッタ面積、逆方向飽和電流を示し、逆方向飽和電流はエミッタ面積に比例することとする。また、Ｖ_Ｒｎは、抵抗Ｒ_ｎの両端の電位差を示すものとする。

ここで、Ｑ_３がオンとなる際の入力電圧Ｖ_ＩＮは式（１）を満たすこととなる。

そして、Ｖ_Ｒ２は、式（２）により求めることができる。

また、バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間電圧Ｖ_ＢＥは、式（３）により求めることができる。ここで、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、ｑは電子の素電荷、Ｖ_Ｔは熱電圧である。

したがって、Ｖ_ＢＥ１，Ｖ_ＢＥ２は式（４），（５）の通りとなる。

よって、Ｖ_ＢＥ１，Ｖ_ＢＥ２の電位差は、式（６）に示すものとなる。

ここで、式（７）に示すようにＮを定めると、Ｖ_ＢＥ１，Ｖ_ＢＥ２の電位差は、式（８）のように示すことができる。

また、Ｉ_１，Ｉ_２は、式（９），（１０）のように求めることができる。

また、抵抗１４の抵抗値によってＱ３のコレクタ電流が定まり、適切に抵抗１４の抵抗値を選択することにより、Ｖ_ＢＥ１とＶ_ＢＥ３とを等しくすることができる。このとき、式（９），（１０）より、式（１１）の関係が導かれる。

そして、式（２），（８），（１１）より、式（１２）が導かれる。

さらに、式（１），（１２）より、式（１３）が導かれる。

したがって、入力電圧Ｖ_ＩＮの温度係数は、式（１４）により求めることができる。

ここで、Ｖ_ＢＥ３の温度係数は負であるため、適切なＲ_１，Ｒ_２，Ｒ_３，Ｎを選択することにより、Ｖ_ＩＮの温度係数を零とすることができる。Ｖ_ＩＮの温度係数を零とすると、式（１５）の関係が成り立つこととなる。

そして、式（１３），（１５）より、式（１６）を得ることができる。

いま、Ｑ_３がオンとなる際のベース・エミッタ間電圧Ｖ_ＢＥ３を約７００ｍＶ、温度係数を−１．８ｍＶ／℃、絶対温度を３００Ｋ（２７℃）とすると、式（１６）より、入力電圧Ｖ_ＩＮは、Ｖ_ＩＮ＝０．７＋１．８×１０^−３×３００＝１．２４［Ｖ］となる。つまり、負荷起動集積回路１をバンドギャップリファレンス回路とした場合、ＮＰＮ型トランジスタ２７（Ｑ_３）がオンとなる際の入力電圧Ｖ_ＩＮは、温度によらず約１．２Ｖ〜１．３Ｖとなる。

図２は、本実施形態の負荷起動集積回路１において、Ｒ_１を４１ＫΩ、Ｒ_２を７４ＫΩ、Ｒ_３を４．１ＫΩ、エミッタ面積比Ｎを２とした場合の、入力電圧Ｖ_ＩＮに対する負荷１１に供給される出力電圧Ｖ_ＯＵＴの変化を示す図である。なお、抵抗値は２５℃におけるものであり、抵抗２２〜２４の温度係数は、いずれも４４６７ｐｐｍ／℃である。

図に示すように、入力電圧Ｖ_ＩＮの値を上げていくと、あるところでＮＰＮ型トランジスタ２７がオンとなり、出力電圧Ｖ_ＯＵＴが上昇する。ＮＰＮ型トランジスタ２７がオンとなる際の入力電圧Ｖ_ＩＮの値は、負荷起動集積回路１がバンドギャップリファレンス回路となっているため１．２Ｖ近辺となっており、従来の負荷起動集積回路を用いる場合に比して温度による変化が抑制されている。

具体的には、ＮＰＮ型トランジスタ２７がオンとなる際の入力電圧Ｖ_ＩＮの値は、１５０℃では約１．１５Ｖ、２５℃では約１．２３Ｖ、−４０℃では約１．２５Ｖとなり、−４０℃〜１５０℃の範囲における差は約１００ｍＶとなり、従来の約６００ｍＶよりも小さくなっている。

＝＝第２の実施形態＝＝
図３は、本発明の第２の実施形態である負荷起動集積回路２を含んで構成される処理回路１０の構成を示す回路図である。本実施形態においては、第１の実施形態の負荷起動集積回路１における抵抗（第２の抵抗）２３のかわりに抵抗（第４の抵抗）２８が接続されている。ここで、抵抗２８は、抵抗２３よりも抵抗値が小さいものである。その他の構成については、第１の実施形態と同様である。

いま、抵抗２８の抵抗値をＲ_４とすると、入力電圧Ｖ_ＩＮは、式（１３）のＲ_２にＲ_４を代入することにより、式（１７）により求めることができる。

この式（１７）より、Ｒ_４を小さくし、その他の値を変えないこととすると、入力電圧Ｖ_ＩＮの値を小さくすることが可能であることがわかる。

図４は、本実施形態の負荷起動集積回路２において、Ｒ_１を４１ＫΩ、Ｒ_４を４０ＫΩ（＜Ｒ_２＝７４ＫΩ）、Ｒ_３を４．１ＫΩ、エミッタ面積比Ｎを２とした場合の、入力電圧Ｖ_ＩＮに対する負荷１１に供給される出力電圧Ｖ_ＯＵＴの変化を示す図である。なお、抵抗値は２５℃におけるものであり、抵抗２２，２４，２８の温度係数は、いずれも４４６７ｐｐｍ／℃である。

図に示すように、入力電圧Ｖ_ＩＮの値を上げていくと、あるところでＮＰＮ型トランジスタ２７がオンとなり、出力電圧Ｖ_ＯＵＴが上昇する。ＮＰＮ型トランジスタ２７がオンとなる際の入力電圧Ｖ_ＩＮの値は、Ｒ_４＜Ｒ_２であるため、第１の実施形態の場合よりも小さくなっている。

具体的には、ＮＰＮ型トランジスタ２７がオンとなる際の入力電圧Ｖ_ＩＮの値は、１５０℃では約６００ｍＶ、２５℃では約８５０ｍＶ、−４０℃では約９５０ｍＶとなっており、第１の実施形態の場合よりも小さくなっている。また、−４０℃〜１５０℃の範囲における差は約３５０ｍＶとなり、従来の約６００ｍＶよりも小さくなっている。

＝＝第３の実施形態＝＝
図５は、本発明の第３の実施形態である負荷起動集積回路３を含んで構成される処理回路１０の構成を示す回路図である。本実施形態の負荷起動集積回路３は、第２の実施形態の負荷起動集積回路２と同様の構成である。ただし、抵抗２２の温度係数をα_１、抵抗２４の温度係数をα_３、抵抗２８の温度係数をα_４、とすると、α_１＜α_４、α_３＜α_４の関係となっている。

前述したように、入力電圧Ｖ_ＩＮは、式（１７）により求めることができる。ここで、ＮＰＮ型トランジスタ２７がオンする際のＶ_ＢＥ３は、温度が上昇するに連れて小さくなる。また、ある抵抗の温度Ｔ_０における抵抗値をＲ_０、温度係数をαとすると、温度Ｔにおける抵抗値Ｒ_Ｔは、Ｒ_Ｔ＝Ｒ_０（１＋α（Ｔ−Ｔ_０））となる。したがって、α_１＜α_４、α_３＜α_４の関係であるため、温度が上昇するに連れて、Ｒ_４／Ｒ_１、および、Ｒ_４／Ｒ_３が大きくなる。

つまり、負荷起動集積回路３においては、温度が上昇するに連れてＮＰＮ型トランジスタ２７がオンとなる際のＶ_ＢＥ３が小さくなるが、Ｒ_４／Ｒ_１、および、Ｒ_４／Ｒ_３が大きくなることにより、式（１７）により得られる入力電圧Ｖ_ＩＮの電圧値の温度による変化が抑制される。

図６は、本実施形態の負荷起動集積回路３において、Ｒ_１を４１ＫΩ、Ｒ_４を４０ＫΩ、Ｒ_３を４．１ＫΩ、エミッタ面積比Ｎを２とした場合の、入力電圧Ｖ_ＩＮに対する負荷１１に供給される出力電圧Ｖ_ＯＵＴの変化を示す図である。なお、抵抗値は２５℃におけるものであり、抵抗２２，２４の温度係数α_１，α_２は１２２９ｐｐｍ／℃、抵抗２８の温度係数α_４は４４６７ｐｐｍ／℃である。

図に示すように、入力電圧Ｖ_ＩＮの値を上げていくと、あるところでＮＰＮ型トランジスタ２７がオンとなり、出力電圧Ｖ_ＯＵＴが上昇する。ＮＰＮ型トランジスタ２７がオンとなる際の入力電圧Ｖ_ＩＮの値は、α_１＜α_４、α_３＜α_４の関係であるため、第２の実施形態の負荷起動集積回路２よりも、温度による変化が抑制されている。

具体的には、ＮＰＮ型トランジスタ２７がオンとなる際の入力電圧Ｖ_ＩＮの値は、１５０℃では約７８０ｍＶ、２５℃では約８５０ｍＶ、−４０℃では約９１０ｍＶとなり、−４０℃〜１５０℃の範囲における差は約１３０ｍＶとなり、第２の実施形態の負荷起動集積回路２の約３５０ｍＶよりも更に小さくなっている。

以上、本発明の第１〜第３の実施形態について説明した。まず、第１の実施形態の負荷起動集積回路１においては、抵抗２３，２４の抵抗値等が適切に選択されることにより、バンドギャップリファレンス回路が構成されている。これにより、負荷１１を起動するために必要となる入力電圧Ｖ_ＩＮは温度によらずに１．２Ｖ程度となっている。したがって、入力電圧Ｖ_ＩＮを入力するマイコン等の出力可能な電圧値が、例えば１．０Ｖ〜１．５Ｖに限られている場合であっても、−４０℃〜１５０℃の範囲において当該マイコンを用いて負荷１１の起動を制御することが可能となり、マイコンの適用範囲が広がることとなる。

また、第２の実施形態の負荷起動集積回路２においては、バンドギャップリファレンス回路を構成する抵抗２３のかわりに、抵抗２３よりも抵抗値の小さい抵抗２８を用いている。これにより、負荷１１を起動するために必要となる入力電圧Ｖ_ＩＮの電圧値の温度による変化を抑制した上で、当該入力電圧Ｖ_ＩＮを小さくしている。つまり、出力可能な電圧値が限られているマイコンを用いて負荷１１の起動を制御できるため、マイコンの適用範囲が広がる。さらに、マイコンから入力される入力電圧Ｖ_ＩＮが従来よりも小さいため、出力電圧の小さい低消費電力型のマイコンを用いることも可能となる。

また、第３の実施形態の負荷起動集積回路３においては、抵抗２８の温度係数を、抵抗２２，２４の温度係数よりも大きくしている。これにより、負荷１１を起動するために必要となる入力電圧Ｖ_ＩＮの電圧値を小さくした上で、当該入力電圧Ｖ_ＩＮの温度による変化を更に抑制している。したがって、出力電圧の小さい低消費電力型のマイコンを用いることが可能であり、かつ、出力可能な電圧値が更に限られているマイコンを用いて負荷１１の起動を制御することができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態は本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物も含まれる。

例えば、本実施形態においては、負荷起動集積回路１〜３を構成するトランジスタとしてバイポーラトランジスタを用いているが、バイポーラトランジスタのかわりに、ＭＯＳＦＥＴを用いることも可能である。この場合、本実施形態におけるＮＰＮ型トランジスタ２７のかわりに用いるＭＯＳＦＥＴが、制御電極と出力電極との間の電位差が温度の上昇に連れて小さくなる特性を有していれば、本実施形態と同様の効果を得ることができる。また、処理回路１０においては、入力電圧Ｖ_ＩＮによって起動が制御される負荷を抵抗１１としたが、負荷は抵抗に限られない。

また、第３の実施形態においては、抵抗２８の温度係数は、抵抗２２，２４の温度係数よりも大きいこととしたが、抵抗２２，２４のいずれか一方のみの温度係数よりも大きいこととしてもよい。例えば、α_１＝α_４、α_３＜α_４とし、α_３とα_４との差を本実施形態よりも更に大きくすることにより、式（１７）におけるα_４／α_３が本実施形態よりも更に大きくなる。したがって、抵抗２８と抵抗２２の温度係数が等しい場合であっても、抵抗２８の温度係数を抵抗２４の温度係数よりも十分大きくすることにより、本実施形態と同等の効果を得ることができる。同様に、例えば、α_１＜α_４、α_３＝α_４とし、α_１とα_４との差を本実施形態よりも更に大きくすることにより、式（１７）におけるα_４／α_１が本実施形態よりも更に大きくなる。したがって、抵抗２８と抵抗２４の温度係数が等しい場合であっても、抵抗２８の温度係数を抵抗２２の温度係数よりも十分大きくすることにより、本実施形態と同等の効果を得ることができる。

本発明の第１の実施形態である負荷起動集積回路を含んで構成される処理回路の回路図である。 第１の実施形態の負荷起動集積回路を用いた処理回路における、入力電圧Ｖ_ＩＮに対する負荷に供給される出力電圧Ｖ_ＯＵＴの変化を示すグラフである。 本発明の第２の実施形態である負荷起動集積回路を含んで構成される処理回路の回路図である。 第２の実施形態の負荷起動集積回路を用いた処理回路における、入力電圧Ｖ_ＩＮに対する負荷に供給される出力電圧Ｖ_ＯＵＴの変化を示すグラフである。 本発明の第３の実施形態である負荷起動集積回路を含んで構成される処理回路の回路図である。 第３の実施形態の負荷起動集積回路を用いた処理回路における、入力電圧Ｖ_ＩＮに対する負荷に供給される出力電圧Ｖ_ＯＵＴの変化を示すグラフである。 従来の負荷起動集積回路を含んで構成される処理回路の回路図である。 従来の負荷起動集積回路を用いた処理回路における、入力電圧Ｖ_ＩＮに対する負荷に供給される出力電圧Ｖ_ＯＵＴの変化を示すグラフである。

符号の説明

１〜３ 負荷起動集積回路
１０ 処理回路
１１ 抵抗（負荷）
１２ ＰＮＰ型トランジスタ
１３，１４ 抵抗
２１ 電圧入力端子
２２ 抵抗（第１の抵抗）
２３ 抵抗（第２の抵抗）
２４ 抵抗（第３の抵抗）
２５ ＮＰＮ型トランジスタ（第１のトランジスタ）
２６ ＮＰＮ型トランジスタ（第２のトランジスタ）
２７ ＮＰＮ型トランジスタ（第３のトランジスタ）
２８ 抵抗（第４の抵抗）

Claims (3)

1. 入力電圧に応じて負荷の起動を制御する負荷起動集積回路であって、
   前記入力電圧が印加される電圧入力端子を備え、
   一端が前記電圧入力端子に接続された第１及び第２の抵抗と、
   前記第１の抵抗の他端に制御電極及び入力電極が接続され、出力電極が基準電位に接続された第１のトランジスタと、
   前記第２の抵抗の他端に入力電極が接続され、制御電極が前記第１のトランジスタの制御電極に接続された第２のトランジスタと、
   一端が前記第２のトランジスタの出力電極に接続され、他端が基準電位に接続された第３の抵抗と、
   制御電極が前記第２のトランジスタの入力電極に接続され、出力電極が基準電位に接続され、入力電極の電圧に基づいて前記負荷の起動を制御する第３のトランジスタと、
   により構成されるバンドギャップリファレンス回路を更に備えること、
   を特徴とする負荷起動集積回路。
2. 請求項１に記載の負荷起動集積回路であって、
   前記第２の抵抗に変えて、前記第２の抵抗よりも抵抗値の小さい第４の抵抗を備えることを特徴とする負荷起動集積回路。
3. 請求項２に記載の負荷起動集積回路であって、
   前記第３のトランジスタは、前記制御電極と前記出力電極との間の電位差が温度の上昇に連れて小さくなる特性を有し、
   前記第４の抵抗の温度係数が、前記第１及び第３の抵抗の少なくとも一方の温度係数よりも大きいことを特徴とする負荷起動集積回路。
   
   

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