DE19528209C1 - Schaltungsanordnung zur Basisvorspannungsversorgung von Stromquellentransistoren in Bipolar-IC-Schaltungen - Google Patents

Schaltungsanordnung zur Basisvorspannungsversorgung von Stromquellentransistoren in Bipolar-IC-Schaltungen

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Description

Für Stromquellentransistoren, wie sie ein integrierten Bipo­ larschaltungen häufig vorkommen, wird die erforderliche Ba­ sisvorspannung vielfache mit Hilfe einer Bandgap-Referenz- Schaltung gewonnen Bandabstands-Referenz-Schaltungen, wie sie z.B aus Tietze, Schenk: Halbleiter-Schaltungstechnik, Springer-Verlag 5. Aufl., Berlin Heidelberg New York 1980, Abb. 16.29 und 16.30, und Springer-Verlag 9. Aufl., Berlin Heidelberg New York Tokyo 1991, Abb. 18.29 bis 18.31, bekannt sind, erzeugen an sich eine unabhängig von der Temperatur und von Widerstandstoleranzen konstante Spannung von beispielsweise ca. 1,2 V. In inte­ grierten Bipolarsechaltungen wird allerdings für Stromquellen­ transistoren eine Basisvorspannung benötigt, die bezüglich der Temperatur und der Widerstandstoleranzen eine bestimmte Abhängigkeit besitzt, nämlich derart, daß der von den Strom­ quellen gelieferte Strom an den von diesem Strom durchflosse­ nen Lastwiderständen einen konstanten Spannungsabfall hervor­ ruft. Eine solche Abhängigkeit wird in der Praxis mit Hilfe einer entsprechend modifizierten Bandgap-Referenz-Schaltung bewirkt. Um dann einzelne mit der Basisvorspannung versorgte Schaltungsteile voneinander zu entkoppeln und um die Bandgap- Schaltung nicht zu sehr zu belasten, wird die Basisvorspan­ nung über Verteilerschaltungen an die einzelnen Schaltungs­ blöcke geführt. Dieses in der Praxis übliche Schaltungsprin­ zip ist in Fig. 1 dargestellt, worin die modifizierte Bandgap- Referenz-Schaltung mit B und zwei Verteilerschaltungen mit V bezeichnet sind.
Eine solche Verteilerschaltung kann die in Fig. 2 skizzierte Schaltungsstruktur haben, wobei in Fig 2 einige zusätzliche, für das weitere Verständnis unwesentliche Widerstände nicht dargestellt sind. Die in Fig. 2 skizzierte Verteilerschaltung V besteht im wesentlichen aus einer Eingangstufe E, einem von Schwankungen der Speisespannung unabhängigen Inverter J und einem Ausgangstreiber A. Die Eingangsstufe E ist mit ei­ nem mit der Eingangsspannung Uin beaufschlagten Transistor T₄ und einem ihm in einer Reihenschaltung vorgeschalteten glei­ chen Transistor T₃ gebildet. Der (im Prinzip etwa aus der DE- 25 33 199 C3, Fig. 1, bekannte) Inverter J ist mit einer Rei­ henschaltung eines ersten Transistors T₁ und eines gleichen, mit einem Kollektorwiderstand R₁ und einem Emitterwiderstand R₂ versehenen zweiten Transitors T₂ gebildet. Der (im Prin­ zip z. B. aus DE 2,849 231 C3 und DE 28 49 153 C2 bekannte) Ausgangstreiber A ist mit einem Emitterfolger T₆, R₆ und ei­ nem in Reihe zu dessen Transistor T₆ geschalteten gleichen Transistor T₅ gebildet. Die Verteilerschaltung V setzt eine Eingangsspannung Uin in eine gleich große Ausgangsspannung Uout um:
Es ist einerseits
UV = UBE1 + UR1 + UBE6 + Uout (1)
und andererseits
UV UBE5 + UBE3 + UBE2 + UR2 - UBE4 + Uin (2)
worin mit UBEj die Basis-Emitter-Spannung eines j-ten Transi­ stors Tj bezeichnet wird. Unter den durch entsprechende Di­ mensionierung der Transistoren und der Widerstände (R₁ = R₂) zu erfüllenden Bedingungen UBE1 = UBE2, UBE3 = UBE4 und UBE5 = UBE6 sowie URI = UR2 ergibt sich hieraus Uout = Uin.
In modernen Halbleitertechnologien stehen unterschiedliche Widerstandstypen zur Verfügung. So können beispielsweise in Siemens-B6HF-Technologie drei unterschiedliche Widerstands­ typen mit verschiedenen Flächenwiderständen zum Einsatz kom­ men, die sich in Abhängigkeit von der Temperatur unterschied­ lich verhalten und die bei der Herstellung unterschiedliche Streuungen aufweisen können. Paßt man eine modifizierte Band­ gap-Schaltung an einen solchen Widerstandstyp an, so wird der Spannungsabfall (URC, URE in Fig. 1) an Widerständen dieses Typs konstant sein, an Widerständen der anderen Typen aber von der Temperatur und von herstellungsprozeßschwankungs­ bedingten Parameterstreuungenen abhängig sein.
Um dem zu begegnen, kann man für jeden Widerstandstyp eine eigene Bandgap-Schaltung vorsehen, also beispielsweise eine für Widerstände in p-dotiertem Polysilizium ausgelegte Band­ gap-Referenz-Schaltung, die eine Basisspannung Uout = Up für Stromquellen mit p-dotierten Widerständen erzeugt, und eine für Widerstände in n-dotiertem Polysilizium ausgelegte Band­ gap-Referenz-Schaltung, die eine Basisspannung Un für Strom­ quellen mit n-dotierten Widerständen erzeugt. Dabei wird al­ lerdings einerseits mehr Chipfläche für die zusätzlichen Schaltungen benötigt und andererseits durch diese auch mehr Leistung verbraucht. Ein solcher erhöhter Leistungsverbrauch ist insbesondere bei Widerständen mit niedrigem Flächenwider­ stand wesentlich, weil hier hohe Ströme fließen, sofern die Widerstände nicht außergewöhnlich große Abmessungen annehmen sollen - was indessen wiederum teure Chipfläche kosten würde.
Kompensationsschaltungen mit Widerständen sind in Verbindung mit Stromquellenschaltungen aus der DE 32 13 838 C2 bekannt.
Der Erfindung liegt demgegenüber die Aufgabe zugrunde, eine Basis­ vorspannungsversorgung von Stromquellentransistoren in Bipolar- IC-Schaltungen zu schaffen, ohne für jeden Widerstandsdotierungstyp eine eigene Bandgap-Referenz-Schaltung aufbauen zu müssen.
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Basisvor­ spannungsversorgung von Stromquellentransistoren in Bipolar- IC-Schaltungen, mit einer Bandgap-Referenz-Schaltung zur Lie­ ferung einer von der Temperatur und von Widerstandstoleranzen in der Weise abhängigen Basisvorspannung, daß der von den Stromquellentransistoren gelieferte Strom an von diesem Strom durchflossenen Lastwiderständen einen konstanten Spannungsab­ fall hervorruft, und wenigstens einer ihr nachgeschalteten, die jeweilige Basisvorspannung abgebenden Verteilerschaltung mit einer Eingangsstufe, einem Ausgangstreiber und einem da­ zwischenliegenden Inverter, der mit einer an der Speisespan­ nung liegenden Reihenschaltung eines ersten Transistors, ei­ nes ersten Widerstands, eines zweiten Transistors und eines zweiten Widerstands gebildet ist; diese Schaltungsanordnung ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß zur Basis­ vorspannungsversorgung von Stromquellentransistoren eines anderen Widerstandsdotierungstyps als desjenigen, für den die Bandgap-Referenz-Schaltung ausgelegt ist, in der zugehörigen Ver­ teiler- bzw. Umsetzschaltung der zweite Widerstand von demjenigen Widerstandsdotierungstyp ist, für den die Bandgap-Referenz-Schaltung ausgelegt ist, und der erste Widerstand durch die Reihenschaltung eines Widerstands eben dieses Wider­ standsdotierungstyps und eines Widerstands des anderen Wider­ standsdotierungstyps gebildet ist.
Dadurch, daß in der Verteilungsschaltung für die Basisvor­ spannung ein Widerstand aus zwei Teilwiderständen kombiniert wird, deren einer aus den Widerstandsmaterialien der eigent­ lichen Bandgap-Schaltung gebildet ist und deren anderer aus den Widerstandsmaterialien der in den Transistorstromquellen verwendeten Widerstände gebildet ist, wird die Basisvorspan­ nung für diese Stromquellen in der Verteilungs- bzw. Umsetzschaltung so umgesetzt, daß Parameterstreuungen und unterschiedliche Temperaturgänge der verwendeten Wider­ standstypen ausgeglichen werden.
Weitere Besonderheiten der Erfindung werden aus der nachfol­ genden näheren Erläuterung der Erfindung anhand der Zeichnun­ gen ersichtlich. Dabei zeigt
Fig. 1 ein Prinzipschaltbild einer Schaltungsanordnung zur Ba­ sisvorspannungsversorgung von Stromquellentransistoren in Bipolar-IC-Schaltungen,
Fig. 2 ein vereinfachtes Schaltbild einer darin enthaltenen Verteiler- bzw. Umsetzschaltung und
Fig. 3 ein Prinzipschaltbild einer Sähaltungsanordnung zur Ba­ sisvorspannungsversorgung von Stromquellentransistoren unterschiedlicher Widerstandstypen;
Fig. 4 verdeutlicht den Aufbau von Widerständen, und
Fig. 5 zeigt Simulationsergebnisse.
In der in Fig. 1 schematisch in einem Blockschaltbild darge­ stellten Schaltungsanordnung zur Basisvorspannungsversorgung von Stromquellentransistoren in Bipolar-IC-Schaltungen sind einer im eingangs erläuterten Sinne modifizierten Bandgap- Referenz-Schaltung B zwei Verteilerschaltungen V nachgeschal­ tet, über die, wie dies in Fig. 1 für zwei Stromquellentransi­ storschaltungen Q dargestellt ist, solche Stromquellentransi­ storschaltungen mit einer Basisvorspannung versorgt werden, so daß der von den Stromquellen Q gelieferte Strom an den von ihm durchflossenen Lastwiderständen RC, RE einen konstanten Spannungsabfall hervorruft. Dies wurde eingangs bereits er­ läutert; weitere Erläuterungen dazu an dieser Stelle sind für das Verständnis der Erfindung nicht erforderlich.
Wie eingangs ebenfalls bereits erläutert wurde, besteht die in Fig. 2 skizzierte Verteilerschaltung V im wesentlichen aus einer mit einem Transistor T₄, der mit der Eingangsspannung Uin beaufschlagt ist, und einem ihm in einer Reihenschaltung vorgeschalteten gleichen Transistor T₃ gebildeten Eingangs­ stufe E, einem mit zwei gleichen Transistoren T₁, T₂, deren zweiter Transistor T₂ mit einem Kollektorwiderstand R₁ und einem Emitterwiderstand R₂ versehen ist, gebildeten und von Schwankungen der Speisespannung unabhängigen Inverter J und einem mit einem Emitterfolger T₆, R₆ und einem in Reihe zu dessen Transistor T₆ geschalteten gleichen Transistor T₅ gebildeten Ausgangstreiber A.
Es sei nun zum Beispiel angenommen, daß die modifizierte Bandgap-Referenz-Schaltung B für Widerstände in p-dotiertem Polysilizium ausgelegt ist und eine Basisspannung Uout = Up für Stromquellen mit p-dotierten Widerständen erzeugt. Zur Versorgung von Stromquellen p Q, in welchen p-dotierte Wider­ stände pRC, pRE eingesetzt werden, wird dann, wie dies in Fig. 3 skizziert ist, eine herkömmliche Verteilerschaltung V ein­ gesetzt, die die in Fig. 2 skizzierte Struktur aufweist und die eine Basisvorspannung Up liefert, mit welcher der Span­ nungsabfall an p-dotierten Widerständen (pRC, pRE) möglichst wenig schwankt. Zur Versorgung von Stromquellen nQ, in wel­ chen n-dotierte Widerstände nRC, nRE eingesetzt werden, wird demgegenüber eine Verteiler- bzw. Umsetzschaltung V′ einge­ setzt, die eine Basisvorspannung Un liefert, mit welcher der Spannungsabfall an n-dotierten Widerständen (nRC, nRE) sich möglichst wenig ändert. In der Verteiler- bzw. Umsetzschal­ tung V′, die wiederum die in Fig. 2 skizzierte Struktur auf­ weist, werden die Transistoren T₁ und T₂, T₃ und T₄ sowie T₅ und T₆ wiederum paarweise gleich dimensioniert, so daß sich durch Gleichsetzen der in Gl. (1) und Gl. (2) stehenden Aus­ drücke und mit Uin = Upi Uout = Un die Beziehung
Un=Up+(UR2 - UR1) (3)
ergibt.
Im Gegensatz zur herkömmlichen Verteilerschaltung V wird in der Umsetzschaltung V′ die Differenz der an den Widerständen R₁ und R₂ abfallenden Spannungen zur Anpassung der Basisvor­ spannung an die verschiedenen Widerstandsdotierungstypen bzw. Widerstandstypen verwendet. Dies geschieht im Beispiel dadurch, daß der Widerstand R₂ vollständig aus p-dotiertem Silizium und der Widerstand R₁ in einer Reihenschaltung teilweise aus p-dotiertem Silizium und teilweise aus n-dotiertem Silizium hergestellt wird. Bei ver­ schwindenden Abweichungen beider Widerstandstypen von ihren Zielwerten sind R₁ und R₂ gleich, so daß nach Gl. (3)
Un = Up (3a)
wird.
Streuen allein die n-dotierten Widerstände beispielsweise zu höheren Werten, so wird der Spannungsabfall UR1 größer als der Spannungsabfall UR2; die Spannung Un wird daher gemäß Gl. (3) kleiner als Up sein, so daß mit der so verminderten Basisvorspannung der Stromquellen (nQ) mit n-dotierten Wider­ ständen (nRC, nRE) die an diesen abfallenden Spannungen kon­ stant bleiben. Derselbe stabilisierende Effekt tritt ein, wenn die n-dotierten Widerstände zu kleineren Werten streuen. Streuen dagegen allein die p-dotierten Widerstände zu höheren Werten, so wird die Spannung UR2 größer als die Spannung UR1, weil der Widerstandswert des Widerstands R₂ stärker zunimmt als der Widerstandswert des Widerstands R₁. Nach Gl. (3) wird die Spannung Un also größer sein als die Spannung Up, die we­ gen der Streuung der p-dotierten Widerstände zu größeren Wer­ ten von der Bandgap-Schaltung reduziert wird. Damit bleibt dann bei entsprechender Dimensionierung die Spannung Un kon­ stant.
Der gleiche stabilisierende Effekt wird bei anderen Kombi­ nationen von Widerstandsstreuungen (beide Widerstandstypen streuen in gleicher oder in entgegengesetzter Richtung) er­ zielt; inhärent werden damit auch unterschiedliche Tempera­ turgänge der beiden Widerstandstypen ausgeglichen.
Zu der folgenden, tiefergehenden Betrachtung der Schaltungs­ anordnung sei wiederum angenommen, daß die modifizierte Band­ gap-Referenzschaltung B für Stromquellen mit p-dotierten Wi­ derständen dimensioniert ist und eine Basisspannung Up für Stromquellen mit p-dotierten Widerständen erzeugt; die er­ zeugte Basisvorspannung Up ist dann von der Temperatur und von Schwankungen der p-dotierten Widerstände abhängig, so daß man Up = Up(T, xp) schreiben kann, worin T die Temperatur ist und der Faktor xp die Streuung der p-dotierten Widerstände ausdrückt. Der Temperaturgang der Widerstände soll bei der folgenden Betrachtung außer Betracht bleiben, da er implizit in den Streuungen enthalten ist.
Das vollständige Differential der Basisvorspannung Up ist
Aufgrund der Dimensionierung der Bandgap-Schaltung B bleiben die Spannungsabfälle an p-dotierten Widerständen bei Änderun­ gen der Temperatur und bei Widerstandsstreuungen konstant; die partiellen Differentiale seien in diesem Fall
und
In üblichen Bipolartechnologien hat kT einen Wert von etwa -1 . . . -2 mV/K und kx einen Wert von etwa -25 . . . -30 mV. Damit die Spannung am Emitterwiderstand konstant bleibt, muß sich der Emitterstrom bei einer Widerstandsänderung dx um dI = -I dx ändern. Mit dem Exponentialgesetz für den Emitter­ strom I = Is·e(U/UT) ist dI = (I/UT) dU, somit dU = -UT·dx. Die Verteilerschaltung bzw., anders gesagt, Umsetzerschaltung V′ erzeugt aus der Spannung Up die Spannung Un gemäß
Un = Up + f (T, xp, xn) (6)
woraus sich das vollständige Differential
ergibt.
Sollen nun auch die Spannungsabfälle an n-dotierten Wider­ ständen bei Änderungen der Temperatur und bei Widerstands­ streuungen konstant sein, so muß auch für Un gelten
dUn = kTdT + kxdxn (8)
Setzt man die Ausdrücke von Gl. (7) und Gl. (8) einander gleich und verwendet Gl. (4) mit Gl. (5a) und Gl. (5b), so erhält man
Diese Gleichung wird erfüllt bei Erfüllung folgender Bedin­ gungen:
Die Bedingung (10a) bedeutet, daß der Temperaturgang der Stromquellentransistoren allein mit der Bandgap-Schaltung B (und nicht mit der Umsetzschaltung V′) kompensiert wird; die Bedingung (10b) bedeutet, daß die Umsetzschaltung V′ die durch eine Streuung (xp) von p-dotierten Widerständen bewirk­ te Spannungskorrektur rückgängig macht, und mit Erfüllung der Bedingung (10c) wird eine Spannungskorrektur durch eine Streuung (xn) von n-dotierten Widerständen bewirkt.
Es sei nun eine Umsetzschaltung V′ (in Fig. 3) der in Fig. 2 skizzierten Struktur betrachtet, in welcher der Widerstand R₁ aus einem p-dotierten Widerstand und einem n-dotierten Wider­ stand zusammengesetzt ist. Um die Spannungsdifferenz UR2-UR1 in Gl. (3) berechnen zu können, muß man den durch die Widerstände R₁ und R₂ fließenden Strom kennen. Er ergibt sich aus der Masche Uv - T₅ - T₃ - T₆ - U₂ - T₄ -, Uin bei Uin = Up zu
Damit erhält man aus Gl. (3)
Die Vorspannung Utv kann vorteilhaft aus einer Mehrzahl von Basis-Emitter-Spannungen abgeleitet werden, so daß der Term (Uv-2·UBE) durch m·UBE ausgedrückt werden kann; ein prakti­ scher Wert für m ist 2,5.
Der Widerstand R₂ aus p-dotiertem Polysilizium streut mit dem Faktor xp:
R₂ = xp · R (13)
Der Widerstand R₁, der zu einem Bruchteil (1-µ) aus p-dotier­ tem Silizium und zu dem Bruchteil µ aus n-dotiertem Silizium hergestellt ist, streut nach der Beziehung
R₁ = [(1-µ)xtp + µxn]R (14)
In Gl. (12) eingesetzt ergibt sich damit
Un ist folglich bei gegebenem Aufteilungsverhältnis µ eine Funktion von Up, xp, xn und - über die Temperaturabhängigkeit der Basis-Emitter-Spannung - auch von T.
Der Dimensionierung der Schaltung liegen die Zielwerte xn=1 und xp=1 zugrunde, bei welchen die Kompensation exakt sein soll; dieser Punkt xn=1, xp=1 heißt auch Entwicklungspunkt.
Im Entwicklungspunkt xn=1, xp=1 lassen sich die partiel­ len Differentiale nach Gl. (10a, 10b, 10c) jetzt schreiben als
Nach Gl. 15 hängt Un von Up mit dem Faktor
ab, so daß im allgemeinen
ist; im Entwicklungspunkt ist jedoch wegen
das Differential
und damit so, wie es (in Gl. (6)) gefordert wird. (Bei
wird diese Forderung nicht mehr exakt erfüllt; die Umsetz­ schaltung arbeitet um so genauer, je besser die Bedingung er­ füllt ist.) Die partielle Ableitung nach der Temperatur ist Null, was der Forderung aus Gl. (10a) entspricht. Um die Be­ dingungen der Gl. (10b, 10c) zu erfüllen, muß µ zu
gewählt werden. Nimmt man für den Ausdruck Up-mUBE einen Wert von ca. -0,75 V an und setzt kx = -30 mV, so muß µ=0,04 sein. Dies kann mit einem Widerstand R₁ erreicht werden, der mit einer Reihenschaltung von 4% n-dotiertem Widerstandsmaterial und 96% p-dotiertem Widerstandsmaterial realisiert ist.
Der Widerstand R₁ der Verteil- bzw. Umsetzschaltung V′ muß im hier betrachteten Ausführungsbeispiel also zu 4% aus demjeni­ gen Material bestehen, für welches die modifizierte Bandgap- Referenz-Schaltung B nicht ausgelegt ist und an welche sie da­ her durch die Umsetzschaltung V′ anzupassen ist.
Handelt es sich um Polysiliziumwiderstände mit verschiedenen Dotiermaterialien, so muß der Widerstand R₁ mit zwei in Reihe geschalteten Widerständen der beiden Typen realisiert sein. Um keine Asymmetrien bezüglich der Kontaktlöcher zu bilden, soll­ te auch der Widerstand R₂ aus einer Reihenschaltung von zwei Widerständen aufgebaut sein, die beide aus dem Widerstands­ material der Bandgap-Referenz-Schaltung B bestehen.
In der Siemens-B6HF-Technologie kann auch ein weiterer Wider­ standstyp aus stark p-dotiertem Polysilizium hergestellt wer­ den, indem bei der Herstellung eine Maske, welche über im Vergleich dazu schwach zu dotierende Widerstände gelegt wird, weggelassen wird. Wird die Bandgap-Referenz-Schaltung B mit schwach (p-) p-dotierten Widerständen aufgebaut und soll die Basisvorspannung mittels einer Umsetzschaltung V′ an Strom­ quellen mit stark p-dotierten Widerständen angepaßt werden, so kann der Widerstand R₁ sehr einfach mit Hilfe einer Maske, die nur einen Teil des Widerstandes abdeckt, als Serienschal­ tung eines hoch (p⁺) und eines niedrig (p-) p-dotierten Wi­ derstandes aufgebaut, werden. Dies wird auch auf Fig. 4 er­ sichtlich, in der bei den beiden mit Kontakten K versehenen Widerständen R₁und R₂ die jeweilige Maske mit M bezeichnet ist. Der Widerstand R₁ ist dann in seinem rechten Teil stark p-dotiert und weist einen Flächenwiderstandswert von z. B. 60 Ohm/ auf, während er in seinem linken Teil (ebenso wie der ganze Widerstand R₂ ) schwach p-dotiert ist und einen Flächenwiderstandswert von z. B. 1000 Ohm/ aufweist.
Fig. 5 zeigt noch in zwei Diagrammen ein Simulationsergebnis, wobei im oberen Diagramm der Spannungsabfall an einem stark p-dotierten Widerstand (p⁺-Widerstand) und im unteren Dia­ gramm der Spannungsabfall an einem schwach p-dotierten Wider­ stand (p--Widerstand) über dem Streuungsfaktor des p⁺-Wider­ standswerts für verschiedene Temperaturen (temp) und Streu­ ungswerte (xr) des (in der Bandgap-Referenz-Schaltung B ein­ gesetzen) schwach p-dotierten Widerstandsmaterials (p--Wider­ stand) dargestellt ist. Der Spannungsabfall schwankt um weni­ ger als 12 mV, wobei zu bemerken ist, daß der Spannungsabfall an den schwach p-dotierten Widerständen bereits aufgrund von Unzulänglichkeiten der Bandgap-Referenz um 8 mV schwankt.

Claims (3)

1. Schaltungsanordnung zur Basisvorspannungsversorgung von Stromquellentransistoren in Bipolar-IC-Schaltungen, mit einer Bandgap-Referenz-Schaltung (B) zur Lieferung einer von der Temperatur und von Widerstandstoleranzen in der Weise abhän­ gigen Basisvorspannung, daß der von den Stromquellentransi­ storen gelieferte Strom an von diesem durchflossenen Lastwi­ derständen einen konstanten Spannungsabfall hervorruft, und wenigstens einer ihr nachgeschalteten, die jeweilige Basis­ vorspannung abgebenden Verteilerschaltung (V) mit einer Ein­ gangsstufe (E), einem Ausgangstreiber (A) und einem dazwischen­ liegenden Inverter (J), der mit einer an der Speisespannung liegenden Reihenschaltung eines ersten Transistors (T₁), eines ersten Widerstands (R₁), eines zweiten Transistors (T₂) und eines zweiten Widerstands (R₂) gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß zur Basisvorspannungsversorgung von Stromquellentransistoren eines anderen Widerstandsdotierungstyps als desjenigen, für den die Bandgap-Referenz-Schaltung (B) ausgelegt ist, in der zu­ gehörigen Verteiler- bzw. Umsetzschaltung (V′) der zweite Widerstand (R₂) von demjenigen Widerstandsdotierungstyp ist, für den die Bandgap-Referenz-Schaltung (B) ausgelegt ist, und der erste Widerstand (R₁) durch die Reihenschaltung eines Widerstands ebendieses Widerstandsdotierungstyps und eines Widerstands des anderen Widerstandsdotierungstyps gebildet ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Widerstand (R₁) zu einem Bruchteil (worin kx das partielle Differential der von der modifizierten Bandgap-Referenz-Schaltung (B) erzeugten Basisvorspannung nach dem Streufaktor des Widerstandsmaterials der modifizierten Bandgap-Referenz-Schaltung (B) ist, UW die von der modifizier­ ten Bandgap-Referenz-Schaltung (B) erzeugte Basisvorspannung ist und m·UBE die mit einem Faktor m multiplizierte Basis- Emitter-Spannung der Eingangsschaltungs- und Ausgangstreiber­ transistoren der Verteiler- bzw. Umsetzschaltung (V′) ist), aus demjenigen Material besteht, für welches die modifizierte Bandgap-Referenz-Schaltung (B) nicht ausgelegt ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Widerstand (R₂) durch die Reihenschaltung zweier Widerstände desjenigen Widerstandsdotierungstyps gebildet ist, für den die Bandgap-Referenz-Schaltung (B) ausgelegt ist.
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