DE2154904B2 - Temperaturkompensierte Bezugsgleichspannungsquelle - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Bezugsgleichspannungsquelle nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Eine solche Bezugsgleichspannungsquelle ist bekannt (US-PS 32 71660).

Für elektrische Schaltungsanordnungen braucht man häufig eine stabile Bezugsspannung, mit der andere elektrische Größen zu vergleichen sind. Beispielsweise arbeiten Spannungsregler gewöhnlich mit einer verhältnismäßig niedrigen stabilen Bezugsspannung, mit der ein Teil der höheren Betriebsspannung verglichen wird. Häufig ist es erwünscht, daß die Bezügsspannung möglichst temperaturunabhängig ist. Weitere Erfordernisse können sich ergeben, wenn es sich um eine integrierte Schaltung handelt, der beispielsweise Grenzen hinsichtlich der verfügbaren äußeren Anschlüsse gesetzt sind.

Die aus der US-PS 32 71 660 bekannte temperaturkompensierte Schaltungsanordnung besteht aus zwei Ketten von in Serie geschalteten Dioden oder als Dioden geschalteten Transistoren, denen getrennte, im wesentlichen konstante Ströme zugeführt sind. Die Ströme sind so gewählt, daß die summierten Temperaturkoeffizienten der Spannungsabfälle beider Diodenketten gleich groß sind, während die Spannungen selbst ungleich sind, so daß an den Enden der Diodenketten eine temperaturkompensierte Differenzspannung zur Verfügung steht. Bei der bevorzugten Ausführungsform der bekannten Schaltungsanordnung wird die Differenzspannung zwischen den Basen von jeweils mit den Diodenketten in Reihe geschalte'en Transistoren abgegriffen, die Teile eines Differenzverstärkers sind. Die Basis des einen Transistors liegt an Masse, und die bekannte Schaltungsanordnung benötigt zwei verschiedene, auf Masse bezogene Betriebsspannungen, was besonders bei integrierten Schaltungen Schwierigkeiten bereitet, die nur eine begrenzte Anzahl von äußeren Anschlußklemmen zur Verfügung haben.

Aufgabe der Erfindung ist, eine temperaturkompensierte Bezugsgleichspannungsquelle der eingangs genannten Art dahingehend zu vereinfachen, daß weniger Betriebsspannungsanschlüsse benötigt werden als bisher.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 enthaltenen Merkmale gelöst.

Die Erfindung hat den Vorteil, daß die Bezugsgleichspannungsquelle mit nur einer auf das Bezugspotential bezogenen, relativ kleinen Betriebsspannung eine temperaturkompensierte Spannung liefert. Hierbei ist die temperaturkompensierte Spannung je nach der Differenz der Anzahl der gleichrichtenden Halbleiterbauelemente in den beiden Stromwegen das Ein- oder Mehrfache des Bandlückenspannungswertes des Halbleitermaterials. In manchen Fällen ist es auch von

10

Vorteil, daß die Bezugsspannung wahlweise entweder t φ» Betriebsspannung oder auf das Bezugspotential bezogen werden kann.

Es sind Konstantstromschaltungen bektnnt, bei denen zwei parallele Stromwege einen ?!s Verstärker mit festgesetzter Stromverstärkung arbeitenden Transistor und einen parallel zur Be^is-Emitter-Strecke des Transistors liegenden Halbleitergleichrichter enthakei (»Regelungstechnische Praxis und Prozeß-Rechentechnik« 1970. ^{Hefl e}' ^S· ^{M 46/M 47}' insbesondere Biid 11 "nd 12.und US-PS 33 91 311).

Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung im einzelnen erääutert. Es zeigt

P i g. 1 das Schaltschema einer Bezugsgleichspannungsquelle gemäß einer Ausführungsform der Erfindung und

Fig.2 das Schaltschema einer anderen Ausführungsform der erfindungsgemäßen Bezngsgleichspannungsquelle.

In Figl ist ein monolithisches integriertes Schaltungsplättchen \q angedeutet durch die gestrichelte Linie, gezeigt. Auf dem Schaltungsplättchen befindet sich ein Transistorverstärker 12 mit bestimmter, festgesetzter Stromverstärkung in Form eines in Emitterschaltung ausgelegten Transistors 14, zwischen dessen Basis und Emitter eine Diode 16 geschaltet ist.

Die Wirkungsweise eines solchen Verstärkers ist allgemein bekannt. (»Regelungstechnische Praxis und Prozeß-Rechentechnik«, 1970, Heft 6, S. M 46/M 47, insbesondere Bild 11 und 12; US-PS 33 91 311.) Hier genügt es festzustellen, daß der Transistor 14 und die Diode 16 (die als Transistor mit nach der Basis kurzgeschlossenem Kollektor ausgebildet sein kann) zueinander proportionale Leitungseigenschaften haben. Dies kann bei integrierten Schaltungen ohne weiteres dadurch erreicht werden, daß man den Transistor 14 und die Diode 16 unter Anwendung identischer Herstellungsverfahren dicht beieinander auf dem Schaltungsplättchen 10 anbringt. Die Beziehung zwischen den Strömen der beiden Bauelemente ist dabei durch das Verhältnis ihrer effektiven Basis-Emittsrübergangsflächen gegeben.

Der Emitter des Transistors 14 ist mit einem Anschlußkontakt 18 des Schaltungsplättchens verbunden, der seinerseits an einen gemeinsamen Bezugspotentialpunkt oder Masse anschließbar ist. Die Diode 16 liegt in einem ersten Stromweg mit weiteren in Reihe geschalteten Dioden 18 und 20. Es sei hier vorausgesetzt, daß die Dioden 18 und 20 gleichartig ausgebildet sind wie die Diode 16 und Transistoren, die als Dioden geschaltet sind, sein können. Die Anode der Diode 20 ist an eine Konstantstromquelle 22 angeschlossen, die ihrerseits an einen Anschlußkontakt 24 des Schaltungsplättchens angeschlossen ist. An den Anschlußkontakt 24 ist eine Betriebsgleichspannungsquelle (B+) anschließbar.

Zwischen dem Bezugsanschluß 19 und der Konstantstromquelle 22 ist außerdem ein zweiter Stromweg mit der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 14 sowie Dioden 26 und 28 vorgesehen. Die Dioden 26 und 28 können ebenfalls als Dioden geschaltete Transistoren sein.

Eine Ausgangs- oder Bezugsspannung (Vo) wird zwischen dem Bezugsanschluß 19 und dem mit einem Ausgangsanschluß 30 verbundenen Kollektor des Transistors 14 bereitgestellt.

Die Wirkungsweise der Anordnung nach F i g. 1 wird aus den folgenden Erläuterungen verständlich.

Die Spannung am Basis-Emitterübergang eines als Diode geschalteten Transistors bei gegebener Temperatur und gegebenem Strom läßt sich mit Hilfe der idealisierten Gleichung für die Halbleiterflächendiode errechnen, wenn die Spannung am Basis-Emitterübergang bei einer Bezugstemperatur und einem Bezugsstrom bekannt ist:

+ v_h

T₁, nkT , /„
In
/

kT

In

worin

in

Viii die extrapolierte Energiebandlücke für das Halbleitermaterial bei einer absoluten Temp· ratur von Null (annähernd 1,2 Volt für Silicium),

q die Ladung eines Elektrons,

π eine Konstante, die von der Herstellung des Transistors abhängt (für doppeltdiffundierte Siliciumtransistoren hat η einen typischen Wert von 1,5),

k Boltzmannsche Konstante,

T absolute Temperature Kelvin), Ic Kollektorstrom,

(IT T₁₁ 71,

Die beiden letzten Ausdrücke der Gleichung (2) sind um mindestens eine Größenordnung kleiner als die beiden ersten Ausdrücke der Gleichung (2) und können bei dieser Analyse vernachlässigt werden, so daß Gleichung (2) die folgende Form annimmt:

Emitter-Basisspannung bei 7b und /λ, wobei 7b und Ao die Bezugstemperatur bzw. der Bezugsstrom sind.

Der Wert von klq ist annähernd 8,66 · IO-⁵ Volt/° K, und für eine typische Betriebstemperatur von 300° K (27° C) kann der Ausdruck

kT

mit 26 Millivolt approximier» werden.

Bildet man die Ableitung der Gleichung (1) nach der Temperatur, so erhält man eine Gleichung, die die Temperaturabhängigkeit der Basis-Emitterdiode zeigt:

ο- L):

(IT

T_n

(3)

Nimmt man an, daß in F i g. 1 die Dioden 16,18 und 20 im wesentlichen identisch ausgebildet sind und im wesentlichen identische Ströme haben (der Basisstrom des Transistors 14 ist vernachlässigbar), so herrschen an

*o jeder der Dioden 16,18 und 20 im wesentlichen gleiche Spannungen (Vfceooi). Damit man am Ausgangsanschluß 30 eine temperaturstabilisierte Spannung erhält, muß die Summe der Temperaturkoeffizienten der Dioden und 28 gleich der Summe der Temperaturkoeffizienten

⁶5 der Dioden 16, 18 und 20 sein. Dies kann man z. B. dadurch erreichen, daß man die Dioden 26 und 28 mit anderen Eigenschaften als die Dioden 16, 18 und ausbildet oder daß man gleichartige Dioden verwendet,

jedoch in den beiden Stromwegen verschiedene Ströme vorsieht. Letzteres kann ohne weiteres dadurch erreicht werden, daß man die Diode 16 mit einem größerflächigen Basis-Ernitterübergang ausbildet als den Transistor 14. Bei der nachstehenden Erörterung sei vorausgesetzt, daß die Diode 16 größer ist als der Transistor 14. Der Strom der Dioden 26 und 28 ist daher kleiner als, jedoch proportional zum Strom der Dioden 16, 18 und 20. In diesem Fall herrschen an den beiden Dioden 26 und 28 im zweiten Stromweg Diodenspannungen (V«.co(2)), die einander gleich, jedoch verschieden von Vt>cO(i) sind. Die Ausgangsspannung (Vo) zwischen dem Ausgangsanschluß 30 und dem Bezugsanschluß 19 ist dann durch die folgende Gleichung gegeben:

15

K. = 3

(4)

Der Temperaturkoeffizient der Ausgangsspannung (Ko) ist dann durch die folgende Gleichung gegeben:

₀ = 3 IK₁₁₁.,,,,, -2 IK_M

_M2I.

(5)

Setzt man Gleichung (3) in Gleichung (5) ein, so ergibt sich

Durch Vereinigen der Ausdrücke ergibt sich

(7)

Setzt man Gleichung (4) in Gleichung (7) ein, so erhält man

ι K =

1/ _i_ I/

(S)

Gleichung (8) zeigt, daß die Änderung der Ausgangsspannung in Abhängigkeit von der Temperatur sich auf im wesentlichen Null reduziert, wenn man die Ausgangsspannung (Ko) bei der dargestellten Schaltungsanordnung gleich der Bandlückenspannung (Vgo) macht, die ungefähr 1,2 Volt für Siliciumhalbleitermaterial beträgt. Betrachtet man einen allgemeineren Fall, so läßt sich auf Grund der obigen Analyse zeigen, daß bei Verwendung von Dioden aus dem gleichen Material (z. B. Silicium) in beiden Stromwegen kompensierte Bezugsspannungen bei im wesentlichen ganzzahligen Vielfachen der Bandlückenspännung des Materials erhalten werden können. Das jeweilige Vielfache ergibt sich aus der Differenz zwischen der Anzahl der Dioden (Gleichrichter) in den beiden Stromwegen.

Bestimmte mögliche Abwandlungen der Schaltungsanordnung nach F i g. 1 ergeben sich dem Fachmann der integrierten Schahungstechnik ohne weiteres. Beispielsweise kann man den Schaltungsteil mit dem Verstärker mit vorgegebener Stromverstärkung abwandeln. Kleine Widerstände, deren ohmsche Werte im Verhältnis ihrer relativen Ströme proportioniert sind, können in Reihe mit der Diode 16 und mit dem Basis-Emitterübergang des Transistors 14 geschaltet werden.

Der Verstärker mit vorgegebener Stromverstärkung kann in der folgenden bekannten Weise aufgebaut sein: Ein erster Verstärkertransistor in Emitterschaltung liegt mit seiner Basis am Eingang und mit seinem Kollektor am Ausgang der Verstärkeranordnung. Parallel zum Basis-Emitterübergang eines zweiten Verstärkertransistors in Emitterschaltung liegt eine durchlaßgespannte Halbleiterdiode oder ein als durchlaßgespannte Diode geschalteter Transistor. Diese Parallelschaltung verbindet den Emitter des ersten Verstärkertransistors mit einem Bezugspotentialpunkt. Der Kollektor des zweiten Verstärkertransistors ist an den Eingang der Verstärkeranordnung angeschlossen.

F i g. 2 zeigt eine zweite Ausführungsform der erfindungsgemäßen Bezugsspannungsquelle auf einem integrierten Schaltungsplättchen, angedeutet durch die gestrichelte Linie 10. Der Verstärker 32 mit vorgegebener oder festgesetzter Stromverstärkung enthält einen Transistor 34 und einen als Diode geschalteten Transistor 36. Die Emitter der Transistoren 34 und 36 sind mit einem an Masse angeschlossenen Bezugsanschluß 19 verbunden.

Der gemeinsame Verbindungspunkt des Kollektors und der Basis des Transistors 36 ist über einen ersten Stromweg mit Dioden 38, 40 und 42, die ebenfalls als Dioden geschaltete Transistoren sein können, mit einer Konstantstromquelle 27, die im einzelnen noch beschrieben wird, verbunden.

Ein zweiter Stromweg mit Emitter und Kollektor des Transistors 34 und Dioden 44,46 und 48,die ebenfalls als Dioden geschaltete Transistoren sein können, verbindet den Bezugsanschluß 19 mit der Konstantstromquelle 27.

Die Kollektor-Emitterstrecke eines Transistors 50 liegt zwischen dem Kollektor des Transistors 34 und der Konstantstromquelle 27. Der Basis-Emitterübergang des Transistors 50 liegt direkt parallel zur Diode 48 und ist in der gleichen Richtung gepolt wie die Diode 48. Der Transistor 50 und die Diode 48 haben proportionale Leitungseigenschaften (z. B. ist die effektive Basis-Emitterübergangsfläche des Transistors 50 zwölfmal so groß wie die der Diode 48). Dadurch, daß der Transistor 50 Strom von der Reihenschaltung der Dioden 44, 4b und 48 ableitet, verringert sich der Spannungsabfall an diesen Dioden. Diese Methode der Verringerung des Spannungsabfalls beansprucht weniger Fläche auf dem integrierten Schaltungsplättchen als die anderen Methoden der Vergrößerung der Fläche der Dioden 44,46 und 48 oder des Aufbaus der Dioden 44, 46 und 48 aus jeweils mehreren parallelen Einzeldioden.

Die Konstantstromquelle 27 enthält in Kaskode geschaltete Transistoren 64 und 66, die zwischen den Verbindungspunkt des ersten und des zweiten Stromweges und eine an einen Anschluß 25 angeschlossene Betriebsspannungsquelle (— B) geschaltet sind. Der Basis-Emitterübergang des Transistors 64 (des unteren Transistors des Kaskodenpaares) liegt parallel zu einer Diode 62 in einer weiteren Verstärkeranordnung mit festgesetzter Stromverstärkung. Ein im wesentlichen konstanter Betriebsstrom wird in der Diode 62 (und damit im Transistor 64) erzeugt, indem an den die stabilisierte Spannung führenden Ausgangsanschluß 31 Verstärkertransistoren 68 und 70 vom entgegengesetzten Leitungstyp angekoppelt sind. Ein Widerstand 72 ist zwischen den Emitter des Transistors 68 und den Bezugsanschluß 19 geschaltet und ein weiterer Koppelwiderstand 60 liegt zwischen dem Emitter des Transistors 70 und der Diode 62.

Die Basis des Transistors 66 (des oberen Transistors des Kaskodenpaares) erhält durch Dioden 54 und 56. die zwischen den Anschluß 25 und die Basis des Transistors 66 geschaltet sind, eine Vorspannung. An die Dioden 54, 56 und den Widerstand 60 ist eine Anlauf- oder

,o

Einschaltstromanordnung mit einem Substrattransistor 52 und einer Diode 58 angeschlossen. _Knnslanl.

Der gewünschte Konstantstrom von der Konstant stromquelle 27 wird bei der Ausjuhrungsform nach F i g 2 mit Hilfe der temperaturstabil.s.erten Spannung ren, der Spannung zwischen den Anschlüssen 19 und 30 dadurch erhalten werden, daß man die f^ Basis-Emitterfläche des als D.ode geschalte enTr. ns. stors 36 fünfmal so groß wie die des Trans stors 34 macht (so daß der Strom der Diode 36 fünfmal so groß ist wie der des Transistors 34). In diesem Fa I s nd d.t Dioden 38 40, 42, 44 und 48 einander im wesemlichen S nt" h Der Vra'nsistor 50 ,st der Diode 48 g egharlig hat jedoch eine elfmal so große effektive B«£-Em.ttcr fläche Die Diode 46 ist der D.ode 48 gleichartig, hat jedoch eine sechsmal so große effektive Bas.s-Em.tter-Vergibt sich somit, daß der Strom in den Dioden 38 40 42 und 36 im wesentlichen Ve des von der KonsLstLquelle 27 gelieferten Strom« betrag _x Der Kollektorstrom des Trans.stors 34 b ragt JJ des von der Konstantstromquelle 27 ge»«"*" ³'., _Tei|_e Vom Kollektorstrom des Trans.stors 34 fließen,elfTc^ e (d. h. "„»durch den_Arans,s^5^

ferner die Diode 46 die sechsfache Flache Dioden in diesem Stromweg hat, betragt ihre Strom dichte ·/* der Stromdichte der Dioden 44 uncI 48. Dm Spannung an der Diode 46 ist entsprechend niedriger nich der Diodengleichung. D.e ^^ΐηΐβΓ«™*^ der Unterschiede der Flächen der Bauelemente und des verringerten Stromes > J ^ S.romweg ergibt die gewünschte stabilisierte Ausgangs spannung von ungefähr 1,2 Volt am Ausgangsanschluß

Die oben beschriebene Anordnung nützt in vorteilhafter Weise die Eigenschaften integrierter Schaltungen aus. Das heißt, die verschiedenen Bauelemente können ohne weiteres nach üblichen Verfahrensweisen hergestellt werden, ohne daß eine spezielle Dotierung von Materialien nötig ist, um die Unterschiede zwischen den Spannungen an den Dioden in den beiden Stromwegen zu erhalten.

Die am Anschluß 25 in F i g. 2 liegende Betriebsspannung ist negativ gegenüber der Spannung am Masseanschluß 19, so daß sich eine negative Ausgangsbezugsspannung zwischen den Anschlüssen 30 und 19 ergibt. In Fig.l ist dagegen die am Anschluß 24 liegende Betriebsspannung positiv, so daß sich eine positive Bezugsspannung zwischen den Anschlüssen 30 und 19 ergibt. Die Ausführungsformen nach Fig.l und 2 sind nicht auf die dargestellten Spannungen ) beschränkt, sondern können jeweils mit entsprechend geschalteten positiven oder negativen Spannungsquellen betrieben werden. Ebenso kann man die Leitungstypen (npn oder pnp) der als Dioden geschalteten Transistoren sowie ihre Verschaltungen abwandeln. Während bei der Ausführungsform nach Fig.l, um die mathematische Ableitung zu vereinfachen, vorausgesetzt wurde, daß der Wert von Woo) für sämtliche Dioden im ersten Stromweg und der Wert von Woui für sämtliche Dioden im zweiten Stromweg gleich sind, erhält man die gleichen Resultate, wenn die Spannungen (Wo) an den einzelnen Dioden im ersten und im zweiten Stromweg jeweils verschieden sind. Die Ausgangs- oder Bezugsspannung läßt sich auch durch folgende Gleichungausdrücken:

■»o

^;- • /·ι·η (2 nt ■

worin:

Vb(O(I)

Wo(I)_n- Wo(2)„

die Spannung an der mit der Basis-Emitterstrecke des Transistors im ersten Stromweg parallelgeschalteten Diode und usw. die Differenz der Spannung zwischen den weiteren Dioden im ersten und im zweiten Stromweg ist.

Wegen des Fehlens von Widerständen in den die Ausgangsspannung bestimmenden Stromkreisen dei Bezugsgleichspannungsquellen gemäß Fig.l und 2 is dort der Leistungsverbrauch verhältnismäßig niedrig Außerdem wird bei der Bezugsgleichspannungsquelh gemäß F ig. 2 nur eine verhältnismäßig niedrig! Versorgungs- oder Betriebsspannung benötigt.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

$09 533/

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Temperaturkompensierte Bezugsgleichspannungsquelle mit zwei Stromwegen, die in Durchlaß- S richtung betriebene, jeweils in Reihe geschaltete gleichrichtende Halbleiterbauelemente aus gleichem Halbleitermaterial enthalten und die an ihren ersten, miteinander verbundenen Enden von einer Konstantstromquelle mit festen Stromanteilen gespeist sind, wobei die Differenz zwischen den Summenspannungen an den gleichrichtenden Halbleiterbauelementen der beiden Stromwege die Bezugsgleichspannung bestimmt und die durch die beiden Stromwege fließenden Ströme und die Anzahlen der gleichrichtenden Halbleiterbauelemente in den beiden Stromwegen so bemessen sind, daß Temperalurkompensation für die vorgenannte Spannungsdifferenz eintritt, dadurch gekennzeichnet, daß das im ersten Stromweg an dessen zweitem Ende liegende gleichrichtende Halbleiter-Bauelement (16; 36) am Ende dieses Stromweges an einen ßezugspotentialpunkt angeschlossen ist und zugleich im Eingangskreis eines Transistorverstärkers (12; 32) mit festgesetzter Stromverstärkung in Durchlaßrichtung liegt, dessen einer Ausgangsanschluß (!9) an den Bezugspotentialpunkt und dessen anderer Ausgangsanschluß (30) an das zweite Ende des zweiten Stromweges angeschlossen ist, daß ein Transistor (14; 34) des Transistorverstärkers (12; 32) πι it seiner Kollektor-Emitter-Sirecke in Reihe mit dem Ausgangskreis dieses Verstärkers liegt und vom Flächentyp und in einer integrierten Schaltung mit den gleichrichtenden Halbleiterbauelementen hergestellt ist, so daß er etwa die gleiche Betriebstemperatur hat wie diese, daß die Anzahl der gleichrichtenden Halbleiterbauelemente (16,18,20; 36_; 38,40,42) des ersten Stromweges mindestens um eins größer als die Anzahl der gleichrichtenden Halbleiterbauelemente (26,28; 44,46,48) des zweiten Stromweges ist und mindestens gleich zwei beträgt und daß die Bezugsgleichspannung zwischen dem zweiten Ende des zweiten Stromweges und dem Bezugspotentialpunkt abgreifbar ist.

2. Bezugsgleichspannungsquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das im ersten Stromweg an dessen zweitem Ende liegende gleichrichtende Halbleiterbauelement durch einen zweiten Transistor (36) gebildet ist, der vom gleichen Leitfähigkeitstyp ist wie der erste Transistor (34) und dessen Emitter das zweite Ende des ersten Stromweges bildet und an den Bezugspotentialpunkt angeschlossen ist und dessen Basis und Kollektor miteinander und mit dem benachbarten gleichrichtenden Halbleiterbauelement (381 des ersten Stromweges verbunden sind ( F i g. 2).

3. Bezugsgleichspannungsquelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß parallel zum zweiten Siromweg ein dritter Stromweg geschaltet ist, der durch die Kollektor-Emitter-Strecke eines Hilfstransistors (50) gebildet ist, dessen Basis-Emitter-Strecke parallel zu einem (48) der gleichrichtenden Halbleiterbauelemente des zweiten Stromweges geschaltet ist (Fig. 2).

4. Bezugsgleichspannungsquelle nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Kollektor des ersten Transistors (34) die Basis eines in der Konstantstromquelle (27) enthaltenen weiteren Transistors (68) vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der erste Transistor verbunden ist, dessen Emitter über einen Widerstand (72) an den Bezugspotentialpunkt (19) angeschlossen ist, während sein Kollektor über einen Eingangskreis eines Stromverstärkers (62, 64) mit festgesetzter Stromverstärkung an einen Betriebsspannungspunkt (25) geschaltet ist. der über einen Ausgangskreis dieses Stromverstärkers mit den ersten miteinander verbundenen Enden des ersten und des zweiten Stromweges gekoppelt ist (F i g. 2).