DE3108515C2 - - Google Patents
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Stromquellenschaltung
nach dem Oberbegriff des Hauptanspruchs. Eine solche
Schaltung ist beispielsweise aus der Zeitschrift "radio-
fernsehen-elektronik" 27 (1978) Heft 10, Seite 621 bis 625
bekannt. Der Stromspiegel enthält dabei bipolare Transistoren,
und das Stromspiegelverhältnis ist durch das Verhältnis
der Widerstände in den Emitterzuleitungen dieser
Transistoren bestimmt.
Weiterhin ist aus der JP-A2 54-1 36 261 eine Stromspiegelschaltung
bekannt, deren Eingangs- und Ausgangspotentiale
durch einen gegengekoppelten Operationsverstärker konstant
gehalten werden.
Weitere Schaltungen dieser Art sind aus "Electronic Products
Magazine", den 21. Juni 1971, Seite 43 bis 45 bekannt
und werden vielfach in integrierten Schaltungen verwendet.
Viele Abwandlungen sind dabei bekannt, bei denen
der erste Halbleiter eine Diode oder ein als Diode geschalteter
Transistor sein kann, der zweite Halbleiter ein
von der Spannung über die Diode angesteuerter Transistor
sein kann, die beiden Halbleiter Transistoren mit miteinander
verbunden und vom ersten Anschlußpunkt her angesteuerten
Basis- oder Steuerelektroden sein können und der
erste Halbleiter ein Transistor und der zweite Halbleiter
eine Diode oder ein als Diode geschalteter Transistor sein
kann, der in den Emitter- oder Source-Elektrodenkreis
eines dritten Transistors aufgenommen ist, dessen Basis-
oder Steuerelektrode mit dem ersten Anschlußpunkt verbunden
ist. Die Stromspiegelwirkung beruht dabei auf der
gegenseitigen Bemessung der beiden Halbleiter, wobei die
beiden Widerstände ebenfalls dementsprechend bemessen
werden. Diese Widerstände werden oft vorgesehen, um die
Genauigkeit der Stromspiegelschaltung zu vergrößern, wobei
der zusätzliche Effekt erhalten wird, daß der Rauschbeitrag
der Stromspiegelschaltung
herabgesetzt wird.
Durch eine Mitkopplung zwischen dem ersten
Anschlußpunkt und den Steuerelektroden der beiden den
ersten und den zweiten Halbleiterübergang bildenden Transistoren
wird ein Stromspiegel und durch die Ansteuerung
dieser Steuerelektroden mit einer konstanten oder Regelspannung
wird eine Stromquelle erhalten.
Vor allem bei Anwendung von Feldeffekttransistoren
ist der Rauschbeitrag der Stromquellenschaltung oft
ziemlich hoch. Die Erfindung bezweckt, eine Stromquellenschaltung
eingangs genannter Art mit einem herabgesetzten
Rauschbeitrag anzugeben.
Die Erfindung ist dazu dadurch gekennzeichnet,
daß die Stromquellenschaltung eine aktive Gegenkopplungsschaltung
mit einem zwischen den von dem gemeinsamen Punkt
abgekehrten Seiten des ersten und des zweiten Widerstandes
angeordneten differentiellen Eingang und einem Ausgang
enthält, der in gegenkoppelndem Sinne mit dem zweiten
Stromkreis gekoppelt ist, derart, daß eine Änderung der
Spannung über dem zweiten Widerstand in bezug auf die Spannung
über dem ersten Widerstand unterdrückt wird.
Der Erfindung liegt im Falle eines Stromspiegels
die Erkenntnis zugrunde, daß, dadurch, daß über den
ersten Widerstand ein von außerhalb der Stromspiegelschaltung
stammender Strom fließt, über diesem Widerstand
nur der eigene Rauschbeitrag dieses Widerstandes vorhanden
ist und dieser Widerstand also als rauscharmes Referenzelement
für den zweiten Stromkreis, der den Ausgangsstromkreis
bildet, verwendet werden kann. Bei einer optimalen
Gegenkopplung enthält der Eingangsstrom dann nur noch den
eigenen Rauschbetrag des ersten Widerstandes und sind die
Rauschbeiträge der beiden Halbleiter und des zweiten Widerstandes
beseitigt. Ein wichtiger zusätzlicher Effekt ist,
daß durch diese Maßnahme die Ausgangsimpedanz der Stromspiegelschaltung
erhöht wird, ohne daß die Eingangsimpedanz
erhöht wird, und daß die Übertragungsgenauigkeit
vergrößert und insbesondere durch die Genauigkeit des
Verhältnisses der beiden Widerstände bestimmt wird.
Im Falle einer Stromquelle bedeutet die Maßnahme
nach der Erfindung, daß die Rauschbeträge in dem
ersten und dem zweiten Stromkreis in hohem Maße miteinander
korreliert sind, was zu einer Rauschherabsetzung
führt.
Eine erste Ausführungsform einer Stromquellenschaltung
nach der Erfindung kann weiter dadurch gekennzeichnet
sein, daß die aktive Gegenkopplungsschaltung
einen Gegenwirkleitwertverstärker enthält zur Umwandlung
des Spannungsunterschiedes zwischen den Spannungen über
dem ersten und dem zweiten Widerstand mit einem Gegenwirkleitwert,
der im wesentlichen gleich der Inversen des
Wertes des zweiten Widerstandes ist, und zum Injizieren
eines dadurch bestimmten Stromes in den zweiten Stromkreis
mit einer derartigen Polarität, daß die genannte Gegenkopplung
erhalten wird.
Eine symmetrische Form dieses Ausführungsbeispiels
kann dazu gekennzeichnet sein, daß die aktive
Gegenkopplungsschaltung einen Gegenwirkleitwertverstärker
enthält zur Umwandlung des Spannungsunterschiedes zwischen
den Spannungen über dem ersten und dem zweiten Widerstand
mit einem Gegenwirkleitwert, der nahezu gleich groß wie,
aber kleiner als die Inverse des Zweifachen des Wertes
des zweiten Widerstandes ist, mit einem differentiellen
Ausgang zum Injizieren eines dadurch bestimmten Stromes
in den zweiten Stromkreis und eines zu diesem Strom gegenphasigen
Stromes in den ersten Stromkreis mit einer derartigen
Polarität, daß die genannte Gegenkopplung erhalten
wird.
Bei einem Stromverhältnis ungleich 1 ist diese
symmetrische Ausführungsform weiter dadurch gekennzeichnet,
daß die Stromquellenschaltung zum Führen eines Stromes
in dem zweiten Stromkreis eingerichtet ist, der sich
zu dem Strom im ersten Stromkreis wie n : 1 verhält, daß
der erste Widerstand einen n-mal größeren Wert als der
zweite Widerstand aufweist, und daß der erste und der
zweite Halbleiter dementsprechend bemessen sind, wobei
der Gegenwirkleitwertverstärker derart aufgebaut ist, daß
der in den ersten Stromkreis injizierte Strom einen Wert
gleich dem -fachen des Wertes des in den zweiten Stromkreis
injizierten Stromes aufweist.
In bezug auf die Ansteuerung an dem ersten und
dem zweiten Stromkreis der Stromquellenschaltung kann die
symmetrische Ausführungsform weiter dadurch gekennzeichnet
sein, daß die Strominjektion an den Verbindungspunkten
zwischen dem ersten Halbleiter und dem ersten Widerstand
und zwischen dem zweiten Halbleiter und dem zweiten Widerstand
stattfindet.
Eine besonders günstige Ausführungsform einer
Stromquellenschaltung nach der Erfindung, bei der der
erste und der zweite Halbleiter ein erster bzw. ein zweiter
Feldeffekttransistor mit isolierten und miteinander verbundenen
Steuerelektroden sind, die unter je einer isolierten
Gate-Elektrode zwischen einem Source- und einem Steuerelektrodenanschluß
ein Halbleitersubstrat enthalten,
in dem sich durch Steuerung an dieser Steuerelektrode ein
leitender Kanal bildet, wobei dieses Substrat mit einem
Anschluß versehen ist, kann ohne Hinzufügung zusätzlicher
Elemente verwirklicht werden und ist dazu dadurch gekennzeichnet,
daß die aktive Gegenkopplungsschaltung dadurch
gebildet wird, daß der genannte Substratanschluß des
ersten Feldeffekttransistors mit der Source-Elektrode des
zweiten Feldeffekttransistors verbunden ist.
Diese besondere Ausführungsform kann symmetrisch
ausgebildet werden und ist dazu dadurch gekennzeichnet,
daß der Substratanschluß des zweiten Feldeffekttransistors
mit der Source-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors
verbunden ist.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in
der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher
beschrieben. Es zeigt
Fig. 1 eine erste Ausführungsform einer Stromspiegelschaltung
nach der Erfindung,
Fig. 2 eine symmetrische Gestaltung der Ausführungsform
nach Fig. 1,
Fig. 3 eine Ausführungsform des Gegenwirkleitwertverstärkers
3, der in der Schaltung nach Fig. 2 verwendet
wird,
Fig. 4a eine bevorzugte Ausführungsform einer
Stromspiegelschaltung nach der Erfindung, wobei in Fig. 4b
ein Ersatzschaltbild dieser Schaltung zur Erläuterung der
Wirkung der Schaltung nach Fig. 4a dargestellt ist, und
Fig. 5 einen Differenzverstärker bei dem die
Erfindung angewandt wird.
Fig. 1 zeigt eine erste Ausführungsform eines
Stromspiegels nach der Erfindung. Dieser enthält einen
ersten n-Kanaltransistor T₁ und einen zweiten n-Kanaltransistor
T₂. Die Drain-Elektrode des Transistors T₁ ist
über eine Mitkopplung, im vorliegenden Falle eine Verbindungsleitung,
mit der Steuerelektrode dieses Transistors
T₁ und mit einem Eingangsanschlußpunkt 8 des Stromspiegels
verbunden. Die Source-Elektrode des Transistors T₁ ist
über einen Widerstand 1 mit einem gemeinsamen Punkt 10
verbunden. Die Steuerelektrode des Transistors T₂ ist mit
der Steuerelektrode des Transistors T₁, die Drain-Elektrode
mit einem Ausgangsanschlußpunkt 9 des Stromspiegels
und die Source-Elektrode über einen Widerstand 2 mit dem
gemeinsamen Punkt 10 verbunden.
In dieser Form ist die Kombination der Transistoren
T₁ und T₂ und der Widerstände 1 und 2 eine einfache
Ausführung eines Stromspiegels, die auf vielerlei Weise
abgewandelt werden kann. Ein Strom I, der dem Eingangsanschlußpunkt
8 zugeführt wird, wird zu dem Ausgangsanschlußpunkt
9 gespiegelt und erscheint dort wie ein Strom
I₁, der ein festes Verhältnis, z. B. 1, zu dem Eingangsstrom
I aufweist. In bezug auf das Rauschen liefert der Widerstand
1 außer dem eigenen thermischen Rauschen keinen zusätzlichen
Beitrag, weil ihm der extern bestimmte Eingangsstrom
I aufgeprägt wird. Als Rauschquellen sind überdies der
Transistor T₁ mit einer Rauschspannung e₁, der Transistor
T₂ mit einer Rauschspannung e₂ und der Widerstand 2 mit
einer Rauschspannung e₃ wirksam. Diese unkorrelierten
Rauschspannungen führen im Ausgangsstrom I₁ eine Rauschkomponente
Δ I herbei, die durch diese unkorrelierten
Rauschquellen und den Wert R des Widerstandes 2 bestimmt
wird, wodurch gilt: I₁ = I¹ + Δ I, wobei I¹ = nI der gespiegelte
Eingangsstrom I ist und wobei Δ I auch eine Komponente
enthält, die eine durch Abweichung in dem durch
das Widerstandsverhältnis R₂/R₁ bestimmten Faktor n infolge
einer Abweichung des Geometrieverhältnisses der
TransistorenT₁ und T₂ von diesem Faktor n bestimmt wird.
Da über dem Widerstand 1, abgesehen von der durch
das im Eingangsstrom I vorhandene Rauschen herbeigeführten
Rauschspannung und dem eigenen thermischen Rauschen des
Widerstandes 1, keine Rauschspannung vorhanden ist, kann
nach der der Erfindung zugrunde liegenden Einsicht dieser
Widerstand als Referenzelement für Rauschausgleich verwendet
werden. Dazu wird die Spannung über dem Widerstand 2,
die die durch die im Ausgangsstrom I₁ vorhandene Rauschkomponente
Δ I herbeigeführte Spannung enthält, mit der
Spannung über dem Widerstand I verglichen. Im Ausführungsbeispiel
nach Fig. 1 erfolgt dies mit einem Steilheits-
Verstärker 3. Dieser empfängt als Eingangsdifferenzspannung
die Rauschspannung R Δ I und liefert dem Ausgang 6 einen
Strom I₂ = -GR Δ I, wobei G die Steilheit dieses Verstärkers
ist. Für den Strom I₀, der aus dem Strom I₁ und dem ihm
zugesetzten Ausgangsstrom I₂ des Verstärkers 3 besteht,
gilt also:
I₀ = I₁ + I₂ = -GR Δ I + I¹ + Δ I.
Der Gesamtausgangsstrom
I₀ ist also für inneres Rauschen für Gr = 1
oder aber ausgeglichen und enthält im Idealfall nur
das thermische Rauschen des Widerstandes 1 und das im
Eingangsstrom I vorhandene Rauschen. Diese Maßnahme läßt
sich in dieser Form, ungeachtet des Stromspiegelverhältnisses
, anwenden, weil in der Bedingung für die
Steilheit G nur den Wert R des Widerstandes 2 eine Rolle
spielt.
Ein zusätzlicher, aber nicht unbedeutender Effekt
der Anwendung der Maßnahme nach der Erfindung ist,
daß die Ausgangsimpedanz des Stromspiegels dadurch erhöht
wird. Eine Rückwirkung der Spannung am Anschlußpunkt 9
auf den Strom I₁ wird ja über den Verstärker 3 gegengekoppelt.
Auf die Eingangsimpedanz des Spiegels übt der
Verstärker 3 keinen Einfluß aus.
Die Injektion des Stromes I₂ kann als Alternative
auch an der Source-Elektrode des Transistors T₂
stattfinden.
Der Ausgleich nach der Erfindung erfolgt im
Stromspiegel nach Fig. 1 in dem Ausgangsstromkreis, aber
kann auch auf symmetrische Weise erfolgen, wie an Hand
der Fig. 2 erläutert wird.
Fig. 2 zeigt einen Stromspiegel nach Fig. 1
mit Transistoren T₁ und T₂ und Widerständen 1 und 2. Weiter
enthält der Stromspiegel einen Steilheits-Verstärker 3,
der dem in der Schaltung nach Fig. 1 entspricht, wobei
jedoch der Ausgang 6 mit der Source-Elektrode des Transistoren
T₂ verbunden ist. Der Gegenwirkleitwertverstärker
3 ist weiter mit einem Ausgang 7 versehen, an dem ein
Strom I₂ mit einer der des Stromes I₂ am Ausgang 6 entgegengesetzten
Polarität erscheint, wobei dieser Ausgang 7
mit der Source-Elektrode des Transistors T₁ verbunden ist.
Wenn ein Eingangsstrom I durch den Transistor T₁
und den Widerstand 1 fließt, wird dieser zu dem Transistor
T₂ und dem Widerstand 2 gespiegelt und ihm wird eine
Rauschkomponente Δ I zugesetzt. Der Verstärker 3 führt dem
Widerstand I noch einen Strom I₂ und dem Widerstand 2
einen Strom -I₂ zu, so daß für die Eingangsdifferenzspannungen
Δ V des Verstärkers 3 gilt:
Δ V = R(I+I₂)-R(I-I₂)+Δ I) = 2 RI₂-R Δ I,
wobei R der Widerstandswert der Widerstände
1 und 2 ist. Wenn für den Verstärker 3 gilt, daß I₂ = G Δ V
ist, wird dieser Ausdruck: Δ V = 2 RG Δ V-R Δ V; daraus wird
für die Rauschkomponente Δ I gefunden, daß diese für
gleich Null ist.
Auch in der Ausführungsform nach Fig. 2 hat die
Maßnahme nach der Erfindung den wichtigen zusätzlichen
Effekt, daß die Ausgangsimpedanz für den Stromspiegel erhöht
wird. Ein Nachteil besteht in der kreuzweisen Kopplung
zwischen den Source-Elektroden der Transistoren T₁ und T₂
über den Verstärker 3, die zu einem unstabilen Zustand
- einer Flipflopkonfiguration - führt, wenn die Schleifenverstärkung
größer als 1 wird. Die Signalübertragung I₀/I
bleibt jedoch erhalten, aber das Rauschen nimmt zu, wenn
in der Schleife T₁, T₂ des Verstärkers 3 ein Schleifenverstärker
größer als 1 auftritt. Aus diesem Grunde kann
dann die Bedingung nicht optimal erfüllt werden.
Die Anforderung wird: .
Die Injektion des Stromes I₂ kann als Alternative
auch an den Ein- und Ausgangsanschlußpunkten 8 bzw.
9 stattfinden.
Wie bei dem Stromspiegel nach Fig. 1 kann bei
dem Stromspiegel nach Fig. 2 eine Verstärkung oder Schwächung
I₀ = nI mit n ≠ 1 gewählt werden. Dazu sollen sich
die Werte der Widerstände 1 und 2 wie verhalten,
während sich die Breite-(W)-Länge-(L)-Verhältnisse der
Kanäle des Transistors und des Transistors
wie
verhalten sollen. Unter Verwendung der
gefundenen Ausdrücke kann dann für den Verstärker 3 gefunden
werden, daß Ausgleich für auftritt, mit der
Maßgabe, daß der am Ausgang 6 erscheinende Strom n-mal
größer und also gleich nI₂ ist, wobei I₂ = G Δ V ist (der
Strom am Ausgang 7 des Steilheitswertverstärkers 3).
Fig. 3 zeigt eine Ausführungsform eines Steilheitsverstärkers
3. Dieser enthält einen p-Kanaltransistor
T₃ und einen p-Kanaltransistor T₄, deren Source-Elektroden
mit einer Ruhestromquelle 13, die einen Strom I t führt,
verbunden sind. Die Steuerelektrode des Transistors T₃
bzw. T₄ bildet den Eingang 4 bzw. 5 des Verstärkers 3 und
die Drain-Elektrode des Transistors T₃ bzw. T₄ bildet den
Ausgang 6 bzw. 7 des Verstärkers 3. Die Steilheit G ist
dabei , wobei ein Parameter der Transistoren
T₃ und T₄ ist, die dem Breite-Länge-Verhältnis ihrer
Kanäle proportional ist.
Im Falle eines Stromspiegelverstärkungsfaktors
gleich n, wie in dem an Hand der Fig. 2 beschriebenen Beispiel,
muß der Verstärker 3 derart ausgebildet werden,
daß der Strom am Ausgang 6 n-mal größer als der am Ausgang
7 ist, was dadurch erreicht werden kann, daß das
Länge-Breite-Verhältnis des Kanals des Transistors T₃
n-mal größer als das Verhältnis des Kanals des Transistors
T₄ gewählt wird, wodurch die Ruheströme durch die
Transistoren sich wie n : 1 verhalten, ebenso wie ihre
Steilheiten β, so daß die Verstärkungen zu den Ausgängen
6 und 7 wie n : 1 verhalten.
Die erfindungsgemäße Maßnahme hat nur dann
einen günstigen Effekt, wenn der Rauschbeitrag des Steilheitsverstärkers
3 viel niedriger als der des ursprünglichen
Stromspiegels ohne die Maßnahme nach der Erfindung ist.
Bei dem Steilheitsverstärker nach Fig. 3 kann der Rauschbeitrag
dadurch auf einen Mindestwert herabgesetzt werden,
daß der Wert des Ruhestroms I t so klein gewählt wird wie
praktisch möglich ist. Um dann die gewünschte Steilheit
zu erreichen, werden die -Faktoren entsprechend
groß gewählt.
Fig. 4a zeigt eine sehr geeignete Ausführungsform
einer Schaltung nach der Erfindung. Der Stromspiegel
ist wieder mit Transistoren T₁ und T₂ und Widerständen 1
und 2 aufgebaut. Die Kanalsubstrate ("back-gates"), die
auf der Seite des Kanals liegen, die der Seite gegenüber
liegt, auf der sich die isolierte Steuerelektrode befindet,
und die mit dem Kanal und der Source- und der Drain-Elektrode
einen Sperrschichtfeldeffekttransistor bilden, sind
über Anschlüsse 11 bzw. 12 angeschlossen und mit der
Source-Elektrode des anderen Transistors T₂ bzw. T₁ verbunden.
Fig. 4b zeigt das Ersatzschaltbild dieser Konfiguration,
wobei der Effekt der angesteuerten Kanalsubstrate
11 und 12 nun dadurch erhalten wird, daß zu den Transistoren
T₁ und T₂ ein n-Kanal-Sperrschichtfeldeffekttransistor
T₁₁ bzw. T₁₂ parallelgeschaltet wird. Die Sperrschichtfeldeffekttransistoren
T₁₁ und T₁₂ können dann als der
Verstärker 3 betrachtet werden.
Ein Strom I durch den Eingang 8 fließt völlig
über den Widerstand 1, so daß die Spannung über dem Widerstand
1 rauschfrei ist, abgesehen von dem im Strom I vorhandenen
Rauschen. Die Steuerung an den Kanalsubstraten
bewirkt nun eine Steuerung des Transistors T₂ derart, daß
die Spannung über dem Widerstand 2 der Spannung über dem
Widerstand 1, die rauscharm ist, besser folgt, so daß
auch hier eine Rauschherabsetzung und zugleich eine Erhöhung
der Ausgangsimpedanz in bezug auf den Stromspiegel, bei
dem diese Maßnahme nicht angewandt wird, erreicht wird.
Eine mathematische Erklärung ist hier weniger
einfach infolge der Verknüpfung des Verstärkers 3 (der
Grenzschichtfeldeffekttransistoren T₁₁ und T₁₂) mit den
Stromspiegeltransistoren T₁ und T₂ und wird der Einfachheit
halber weggelassen. Es läßt sich erkennen, daß die
Wirkung wie folgt ist:
Eine Zunahme des Stromes im Widerstand 2 bewirkt
eine Zunahme der Steuerung an dem Substrattransistor T₁₁
und daher eine Herabsetzung der Spannung an der Steuerelektrode
des Transistors T₁ und also an der Steuerelektrode
des Transistors T₂, wodurch eine derartige Stromzunahme
durch Steuerung am Transistor T₂ unterdrückt wird.
Diese Regelung wird dadurch verstärkt, daß der Substrattransistor
T₁₂ an seiner Steuerelektrode eine konstante
Spannung über dem Widerstand 1 und infolge der anfänglichen
Erhöhung der Spannung über dem Widerstand 2 eine erhöhte
Spannung an seiner Source-Elektrode empfängt, so
daß auch die Leitung dieses Substrattransistors T₁₂ herabgesetzt
wird.
Mit Rücksicht auf die Rauschunterdrückung würde
die Schaltung nach Fig. 4 auch wirken, wenn der Steuerelektrode
des Substrattransistors T₁₂ eine konstante Spannung
zugeführt wird. Dadurch wird jedoch die Stromspiegelwirkung
bei sich änderndem Eingangsstrom beeinträchtigt.
Es ist jedoch möglich, beide Substratanschlüsse mit der
Source-Elektrode des Transistors T₂ zu verbinden. In diesem
Falle wird dadurch ein Ausgleich erhalten, daß eine Änderung
der Spannung über dem Widerstand 2 gleichphasig eine
Änderung der Spannung an der Substratelektrode des Transistors
T₁ und dadurch gegenphasig eine Änderung der Spannung
an der isolierten Steuerelektrode des Transistors T₁
und somit an der des Transistors T₂ herbeiführt, so daß
eine Änderung der Spannung über dem Widerstand 2 in bezug
auf die Spannung über dem Widerstand 1 gegengekoppelt wird.
Auch ist es möglich, beide Substratanschlüsse mit der
Source-Elektrode des Transistors T₁ zu verbinden. In diesem
Falle wird die Source-Elektrode des Transistors T₁₂ in
bezug auf die Steuerelektrode des Transistors T₁₂ mit der
Änderung der Spannung über dem Widerstand 2 in bezug auf
die Spannung über dem Widerstand 1 gesteuert.
Auch bei der Ausführungsform nach Fig. 4 und der
dabei genannten Abwandlung können Stromspiegelfaktoren n
ungleich 1 erhalten werden. Die bei der Beschreibung der
Fig. 2 und 3 genannte Anpassung des Verstärkers 3 erfolgt
dann automatisch, weil bei einer Änderung der gegenseitigen
Kanalabmessungen der Transistoren T₁ und T₂ zugleich die
Abmessungen der Substrattransistoren T₁₁ und T₁₂ dementsprechend
geändert werden.
Die Erfindung ist nicht auf die dargestellten
Ausführungsbeispiele beschränkt. Abwandlungen sind möglich,
wie die Umkehrung der Leitungstypen, die Anwendung kompletterer
Stromspiegelstrukturen und die Ausführung in bipolarer
Form.
Bei den dargestellten Ausführungsformen nach den
Fig. 1 bis 4 wird die Maßnahme nach der Erfindung bei
einem Stromspiegel angewandt. Dabei wird der Rauschpegel
im Ausgangskreis dadurch herabgesetzt, daß die Maßnahme
nach der Erfindung bewirkt, daß der Ausgangsstrom I₀ dem
Eingangsstrom I in höherem Maße gleich oder proportional
ist als ohne Anwendung der Maßnahme nach der Erfindung
der Fall wäre. Wenn die Maßnahme nach der Erfindung bei
einer Stromquellenschaltung mit parallelen Transistoren T₁
und T₂ angewandt wird, wobei somit die Mitkopplung zwischen
der Drain-Elektrode und der Source-Elektrode des Transistors
T₁ unterbrochen und dem gemeinsamen Steuerelektrodenanschluß
der Transistoren T₁ und T₂ eine Einstellspannung
zugeführt wird, wird durch die erfindungsgemäße Maßnahme
erreicht, daß die beiden Ausgangsströme an den Knotenpunkten
8 und 9 einander in hohem Maße gleich oder proportional
sind. Für den Rauschbeitrag bedeutet dies, daß
die Rauschbeiträge der Transistoren T₁ und T₂ in hohem
Maße miteinander korreliert sind. Dies kann in vielen
Anwendungen zu einer Rauschherabsetzung führen, z. B. wenn
eine solche Stromquellenschaltung als symmetrische Belastungsschaltung
eines Differenzverstärkers verwendet wird,
von dem Fig. 5 ein Beispiel zeigt.
Fig. 5 zeigt einen Differenzverstärker mit Transistoren
T₅ und T₆, die als Differenzpaar geschaltet sind,
wobei in der gemeinsamen Source-Elektrodenleitung eine
Ruhestromquelle 13 angeordnet ist, die einen Strom 2 I₀ führt.
Die Drain-Elektroden dieser Transistoren sind mit den Anschlußpunkten
8 und 9 einer Schaltung nach Fig. 4a verbunden,
die infolge der Tatsache, daß der gemeinsame
Steuerelektrodenanschluß der Transistoren T₁ und T₂ mit
einem an der Bezugsspannung V R 1 liegenden Punkt verbunden
ist, als zwei gekoppelte Stromquellen geschaltet sind.
Durch die Maßnahme nach der Erfindung sind die Ströme I₁
und I₂, die die Drain-Elektrodenkreise der Transistoren T₁
und T₂ durchfließen, in hohem Maße einander gleich,
während die in diesen Strömen vorhandenen Rauschkomponenten
in hohem Maße miteinander korreliert sind.
Die Punkte 8 und 9 sind über Pegelverschiebungstransistoren
T₇ und T₈ mit dem Eingang bzw. dem Ausgang
eines Stromspiegels mit Transistoren T₉ und T₁₀ verbunden,
mit dessen Ausgang ein Ausgang 17 verbunden ist.
Beim Fehlen eines Signals an den Steuerelektroden
der Transistoren T₅ und T₆ führen beide Transistoren einen
Strom gleich I₀. Zu dem Eingang des Stromspiegels mit den
Transistoren T₉ und T₁₀ fließt also ein Strom I₁-I₀,
während zu dem Ausgang des Stromspiegels ein Strom I₂-I₀
fließt, so daß zu dem Ausgang 17 ein Strom I₁-I₂ fließt.
Da die Rauschkomponenten in den Strömen I₁ und I₂ in hohem
Maße miteinander korreliert sind, gleichen diese Komponenten
sich am Ausgang 17 in hohem Maße aus, was auch für
die Gleichstromkomponenten selber zutrifft.
Ein Signal zwischen den Steuerelektroden der
Transistoren T₅ und T₆ führt zu einem Signalstrom am Ausgang
17.
Der Stromspiegel mit den Transistoren T₉ und T₁₀
kann nach der Erfindung für Rauschen ausgeglichen werden,
aber dies braucht nicht unbedingt der Fall zu sein, weil
die Transistoren T₉ und T₁₀ einen viel niedrigeren Gleichstrom
I₁-I₀ und I₂-I₀ als die Transistoren T₁ und T₂
führen können und dadurch auch einen viel geringeren
Rauschbeitrag liefern.
Claims (7)
1. Stromquellenschaltung mit einem zwischen einem
ersten Anschlußpunkt (8) und einem gemeinsamen Anschlußpunkt
(10) angeordneten ersten Stromkreis, der wenigstens
die Hauptstrombahn eines ersten Halbleiters (T₁), in
Reihe mit einem ersten Widerstand (1) enthält, und mit
einem zwischen einem zweiten Anschlußpunkt (9) und dem
gemeinsamen Punkt (10) angeordneten zweiten Stromkreis,
der wenigstens die Hauptstrombahn eines zweiten Halbleiters
(T₂) in Reihe mit einem zweiten Widerstand (2) enthält,
wobei beide Halbleiter in bezug auf ihre Steuerung parallelgeschaltet
sind, dadurch gekennzeichnet, daß die
Stromquellenschaltung eine aktive Gegenkopplungsschaltung
(3) mit einem zwischen den von dem gemeinsamen Punkt (10)
abgekehrten Seiten des ersten (1) und des zweiten (2)
Widerstandes angeordneten differentiellen Eingang, (4, 5)
und einem Ausgang (6) enthält, der in gegenkoppelndem
Sinne mit dem zweiten Stromkreis gekoppelt ist, derart,
daß eine Änderung der Spannung über dem zweiten Widerstand
(2) in bezug auf die Spannung über dem ersten Widerstand
(1) unterdrückt wird.
2. Stromquellenschaltung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die aktive Gegenkopplungsschaltung (3)
einen Steilheitsverstärker (3) enthält zur Umwandlung
des Spannungsunterschiedes zwischen den Spannungen über dem
ersten (1) und dem zweiten (2) Widerstand mit einer Steilheit,
die im wesentlichen gleich dem Kehrwert des Wertes
des zweiten Widerstandes (2) ist, und zum Injizieren eines
dadurch bestimmten Stromes (I₂) in den zweiten Stromkreis
mit einer derartigen Polarität, daß sich eine Gegenkopplung
ergibt.
3. Stromquellenschaltung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die aktive Gegenkopplungsschaltung (3)
einen Steilheitsverstärker (3) enthält zur Umwandlung
des Spannungsunterschiedes zwischen den Spannungen über
dem ersten (1) und dem zweiten Widerstand (2) mit einer
Steilheit, die nahezu gleich groß, aber kleiner als der
Kehrwert des Zweifachen des Wertes des zweiten Widerstandes
(2) ist, mit einem differentiellen Ausgang (6, 7) zum
Injizieren eines dadurch bestimmten Stromes (I₂) in den
zweiten Stromkreis und eines zu diesem Stromkreis gegenphasigen
Stromes in den ersten Stromkreis mit einer derartigen Polarität,
daß sich eine Gegenkopplung ergibt.
4. Stromquellenschaltung nach Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Stromquellenschaltung zum Führen
eines Stromes in dem zweiten Stromkreis eingerichtet ist,
der sich zu dem Strom im Eingangsstromkreis wie n : 1
verhält, daß der erste Widerstand (1) einen n-mal größeren
Wert als der zweite Widerstand (2) aufweist, und
daß der erste (T₁) und der zweiten Halbleiter (T₂) dementsprechend
bemessen sind, wobei der Steilheitsverstärker
(3) derart aufgebaut ist, daß der in den ersten Stromkreis
injizierte Strom einen Wert gleich dem -fachen
des Wertes des in den zweiten Stromkreis injizierten
Stromes aufweist.
5. Stromquellenschaltung nach Anspruch 3 oder 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die Strominjektion an den Verbindungspunkten
zwischen dem ersten Halbleiter (T₁) und
dem ersten Widerstand (1) und zwischen dem zweiten Halbleiter
(T₂) und dem zweiten Widerstand (2) stattfindet.
6. Stromquellenschaltung nach Anspruch 1, bei der
der erste (T₁) und der zweite Halbleiter (T₂) ein erster
bzw. ein zweiter Feldeffekttransistor mit isolierten und
miteinander verbundenen Steuerelektroden sind, die unter
je einer isolierten Gate-Elektrode zwischen einem Source-
und einem Steuerelektrodenanschluß ein Halbleitersubstrat
enthalten, in dem sich durch Steuerung an dieser Steuerelektrode
ein leitender Kanal bildet, wobei dieses Substrat
mit einem Anschluß (11, 12) versehen ist, dadurch
gekennzeichnet, daß die aktive Gegenkopplungsschaltung
(3) dadurch gebildet wird, daß der Substratanschluß (11)
des ersten Feldeffekttransistors (T₁) mit der Source-
Elektrode des zweiten Feldeffekttransistors (T₂) verbunden
ist.
7. Stromquellenschaltung nach Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet, daß der Substratanschluß (12) des
zweiten Feldeffekttransistors (T₂) mit der Source-Elektrode
des ersten Feldeffekttransistors (T₁) verbunden ist.
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