NL8001492A

NL8001492A - Stroomspiegelschakeling.

Info

Publication number: NL8001492A
Application number: NL8001492A
Authority: NL
Original assignee: Philips Nv
Priority date: 1980-03-13
Filing date: 1980-03-13
Publication date: 1981-10-01
Also published as: FR2478403B1; JPS56143710A; US4423387A; GB2071951B; DE3108515C2; DE3108515A1; CA1169489A; HK75684A; JPS6254243B2; GB2071951A; FR2478403A1

Description

ί * ΡΗΝ 9705 1 N.V. Philips’ Gloeilampenfabrieken te Eindhov/en

Stroomspiegelschakeling

De uitvinding heeft betrekking op een stroomspiegelschakeling met tussen een ingangsaansluitpunt en een gemeenschappelijk aansluit-punt een ingangsstroomketen omvattende althans de hoofdstroombaan van een eerste halfgeleider in serie met een eerste weerstand, en met 5 tussen een uitgangsaansluitpunt en het gemeenschappelijke punt althans de hoofdstroombaan van een tweede halfgeleider en een tweede transistor, waarbij beide halfgeleiders qua sturing parallel geschakeld zijn.

Dergelijke stroomspiegelschakelingen zijn bekend uit onder andere "Electronic Products Magazin", 21 juni 1971, pagina’s 45-45 en 10 worden veelvuldig toegepast in geïntegreerde schakelingen. Vele varianten zijn daarbij bekend waarbij de eerste halfgeleider een diode of een als diode geschakelde transistor kan zijn met de tweede halfgeleider een door de spanning over die diode aangestuurde transistor, de beide halfgeleiders transistoren kunnen zijn met onderling doorverbonden en 15 vanuit het ingangsaansluitpunt aangestuurde basis- c.q. stuurelektroden en waarbij de eerste halfgeleider een transistor kan zijn en de tweede halfgeleider een diode of een als diode geschakelde transistor die in de emitter- c.q. bronelektrodeketen van een derde transistor is opgenomen waarvan de basis- c.q. stuurelektrode met het ingangsaansluitpunt 20 is verbonden. De stroomspiegelwerking berust daarbij op het onderling schalen van beide halfgeleiders waarbij de beide weerstanden eveneens overeenkomstig geschaald worden. Deze weerstanden worden vaak opgenomen om de nauwkeurigheid van de stroomspiegelschakeling te verhogen met als bijkomend effekt een reduktie van de ruisbijdrage van de stroom-25 spiegelschakeling.

Vooral bij gebruik van veldeffekttransistoren is de ruisbijdrage van de stroomspiegelschakeling vaak tamelijk hoog. De uitvinding beoogt een stroomspiegelschakeling van het in de aanhef genoemde type aan te geven met een gereduceerde ruisbijdrage.

30 De uitvinding heeft daatoe als kenmerk, dat de stroomspiegel schakeling omvat een aktieve tegenkoppelschakeling met een differentiële ingang die opgenomen is tussen de van het gemeenschappelijke punt afgekeerde zijden van de eerste en tweede weerstand en met een uitgang die 8001492 ·- * PHN 9705 2 in tegenkoppelende zin met de uitgangsstroomketen is gekoppeld, zodanig, dat een variatie van de spanning over de tweede weerstand ten opzichte van de spanning over de eerste weerstand tegengewerkt wordt.

De uitvinding berust op het inzicht dat doordat de over de 5 eerste weerstand een van buiten de stroomspiegelschakeling afkomstige stroom vloeit er over deze weerstand slechts de eigen ruisbijdrage van die weerstand staat en die weerstand dus als ruisarme referentie van de uitgangsketen gebruikt kan worden. Bij een optimale tegenkoppeling bevat de uitgangsstroom dan slechts nog de eigen ruisbijdrage van de eerste 10 weerstand en zijn de ruisbijdragen van beide halfgeleiders en de tweede weerstand geëlimineerd. Een belangrijk bijkomende effekt is dat door deze maatregel de uitgangsimpedantie van de stroomspiegelschakeling verhoogd wordt zonder dat de ingangsimpedantie verhoogd wordt en de over-drachtsnauwkeurigheid wordt vergroot en meer bepaald door de nauwkeurig-^ heid van de verhouding van beide weerstanden.

Een eerste uitvoeringsvorm van een stroomspiegelschakeling volgens de uitvinding kan nader gekenmerkt worden doordat de aktieve tegenkoppelschakeling een:transc\anduciantieversterker omvat voor het omzetten van het spanningsverschil tussen de spanningen over de eerste en 20 tweede weerstand met een transconductantie die in hoofdzaak gelijk is aan de inverse van de waarde van de tweede weerstand en het injecteren van een daardoor bepaalde stroom in de uitgangsstroomketen met een zodanige polariteit dat genoemde tegenkoppeling bereikt wordt.

Een symmetrische vorm van deze uitvoeringsvorm kan gekenmerkt 25 worden doordat de aktieve tegenkoppelschakeling een transconductantie-versterker omvat voor het omzetten van het spanningsverschil tussen de spanningen over de eerste en tweede weerstand met een transconductantie die nagenoeg gelijk doch kleiner is dan de inverse van tweemaal de waarde van de tweede weerstand met een differentiële uitgang voor het injecteren van een daardoor bepaalde stroom in de uitgangsstroomketen en een daarmee in tegenfase zijnde stroom in de ingangsstroomketen, het een en ander met een zodanige polariteit dat genoemde tegenkoppeling bereikt wordt.

Bij een stroomspiegelfaktor ongelijk aan één wordt deze sym-metrische uitvoeringsvorm nader gekenmerkt doordat de stroomspiegelschakeling is ingericht voor het voeren van een stroom in de uitgangsstroomketen die zich tot de stroom in de ingangsstroomketen verhoudt 8001492 * * » PHN 9705 3 als n : 1 doordat de eerste weerstand een nx grotere waarde heeft dan de tweede weerstand en doordat de eerste en tweede halfgeleider dienovereenkomstig geschaald zijn waarbij de transconductantieversterker zodanig is opgebouwd, dat de in de ingangsstroomketen geïnjecteerde 5 stroom een waarde gelijk aan ~x de waarde van de in de uitgangsstroom-keten geïnjecteerde stroom vertoont.

Voor wat betreft de aansturing op de in- en uitgangsstroom-keten van de stroomspiegelschakeling kan de symmetrische uitvoeringsvorm nader gekenmerkt worden, doordat de stroominjectie plaatsvindt 10 op de verbindingspunten tussen de eerste halfgeleider en de eerste weerstand en tussen de tweede halfgeleider en de tweede weerstand.

Een bijzonder voordelige uitvoeringsvorm van een stroomspiegelschakeling volgens de uitvinding waarbij de eerste en tweede halfgeleider een eerste respektievelijk tweede veldeffekttransistoEn met geïsoleerde 15 en onderling doorverbonden stuurelektroden zijn, welke veldeffekt-transistoren elk onder een geïsoleerde poortelektrode tussen een bron-en een stuurelektrodeaansluiting een halfgeleidend substraat omvatten waarin door sturing op die stuurelektrode zich een geleidend kanaal vormt en waarbij dat substraat van een aansluiting is voorzien kan 20 zonder toevoeging van extra elementen gerealiseerd worden en wordt daartoe gekenmerkt doordat de aktieve tegenkoppelschakeling gevormd wordt doordat de genoemde substraataansluiting van de eerste veld-effekttransistor met de bronelektrode van de tweede veldeffekttransistor verbonden is.

25 Deze bijzondere uitvoeringsvorm kan symmetrisch uitgevoerd worden en heeft daartoe als kenmerk, dat de substraataansluiting van de tweede veldeffekttransistor met de bronelektrode van de eerste veldeffekttransistor is verbonden.

De uitvinding zal nader worden toegelicht aan de hand van 30 de tekening waarin

Figuur 1 een eerste uitvoeringsvorm van een stroomspiegel-schateJing volgens de uitvinding toont,

Figuur 2 een symmetrische versie van de uitvoeringsvorm volgens figuur 1 toont, 35 Figuur 3 een uitvoeringsvorm van de transconductantieverster ker 3 die in de schakeling volgens figuur 2 toegepast wordt, toont, en Figuur 4a een voorkeursuitvoeringsvorm van een stroomspiegelschakeling volgens de uitvinding toont, met in figuur 4b een vervangings- 8001492 V ♦ * PHN 9705 4 schema van die schakeling ter illustratie van de werking van de schakeling volgens figuur 4a.

Figuur 1 toont een eerste uitvoeringsvoorbeeld van een stroom-spiegel volgens de uitvinding. Deze omvat een eerste n-kanaals transis-5 tor en een tweede n-kanaals transistor Ï2· De afvoerelektrode van transistor is via een meekoppeling, in dit geval een doorverbinding, met de stuurelektrode van die transistor verbonden en met een ingangs-aansluitpunt 8 van de stroomspiegel. Bronelektrode van transistor is via een weerstand 1 met een gemeenschappelijk punt 10 verbonden. De 10 stuurelektrode van transistor T2 is met de stuurelektrode van transistor verbonden, de afvoaeLektrode met een uitgangsaansluitpunt 9 van de stroomspiegel en de bronelektrode via een weerstand 2 met het gemeenschappelijke punt 10.

In deze vorm is de combinatie van de transistoren T. en T2 15 x l en de weerstanden 1 en 2 een eenvoudige uitvoering van een stroomspiegel, waarop vele modificaties mogelijk zijn. Een stroom I die aan ingangsaan-sluitpunt 8 toegevoerd wordt, wordt naar het uitgangsaansluitpunt 9 gespiegeld en verschijnt daar als een stroom ^ die een vaste verhouding, bijvoorbeeld 1, met de ingangsstroom I vertoont. Voor wat betreft de ruis 20 levert weerstand 1, behalve de eigen thermische ruis, geen extra bijdrage daar deze de extern bepaalde ingangsstroom I opgedrukt krijgt. Als ruisbronnen zijn daarnaast werkzaam transistor met ruisspanning e^, transistor T2 met ruisspanning e2 en weerstand 2 met ruisspanning e^. Deze ongecorreleerde ruisspanningen geven in de uitgangsstroom een ruis-component AI die door deze ongecorreleerde ruisbronnen en de waarde R van weerstand 2 bepaald worden, waardoor geldt: I. = 1^ +AI met 1 *· I = nl, de gespiegelde ingangsstroom I en waarin Δ I ook een component die ean afwijking in de door de weerstandsverhouding R2/R1 bepaalde factor n tengevolge van afwijking van de geometrieverhouding van tran- 30 sistoren en T2 van die factor ή bevat.

Aangezien er over weerstand 1, afgezien van de door de in de ingangsstroom I aanwezige ruis veroorzaakte ruisspanning, en de eigen thermische ruis van weerstand 1 geen ruisspanning aanwezig is kan volgens het aan de uitvinding ten grondslag liggende inzicht deze weer- stand als referentie voor ruiscompensatie gebruikt worden. Hiertoe wordt

de spanning over weerstand 2, die de door de in de uitgangsstroom I

aanwezige ruiscomponent AI veroorzaakte spanning omvat, vergeleken met 8001492 • 3 *.

PHN 9705 5 de spanning over weerstand 1. In het uitvoeringsvoorbeeld volgens figuur 1 geschiedt dit met een transconductantieversterker 3. Deze ontvangt als ingangsverschilspanning de ruisspanning -R^t en levert aan de uitgang 6 een stroom I2 = -GRaI met G de transconductantie van 5 die versterker. Voor de stroom Ig, die bestaat uit de stroom 1^, met daaraan toegevoegd de uitgangsstroom I9 van versterker 3, geldt dus Ig = + I2 = -GRaI + I + Alt De totale uitgangsstroom IQ is dus gecompenseerd voor interne ruis voor GR = 1 of te wel G=j| en bevat in het ideale geval alleen de thermische ruis van weerstand 1 en de in ^ de ingangsstroom I aanwezige ruis. Deze maatregel is in deze vorm toepasbaar ongeacht de stroomspiegelverhouding η = omdat in de voorwaarde voor de transconductantie G alleen de waarde R van de weerstand 2 een rol speelt.

Een bijkomend, doch niet onbelangrijk effekt van het toepassen 15 van de maatregel volgens de uitvinding is, dat de uitgangsimpedantie van de stroomspiegel erdoor verhoogd wordt. Immers een terugwerking van de spanning op aansluitpunt 9 op de stroom I^ wordt via versterker 3 tegengekoppeld. Op de ingangsimpedantie van de spiegel heeft versterker 3 geen invloed.

20 De injectie van de stroom I2 kan als alternatief ook op de bronelektrode van transistor T2 plaatsvinden.

De compensatie volgens de uitvinding gebeurt in de stroomspiegel volgens figuur 1 in de uitgangsstroomketen maar kan ook op symmetrische wijze geschieden wat aan de hand van figuur 2 toegelicht 25 wordt.

Figuur 2 toont een stroomspiegel volgens figuur 1 met transis-toren en T2 en weerstanden 1 en 2. Verder omvat de stroomspiegel een transconductantieversterker 3 overeenkomstig die in de schakeling volgens figuur 1, waarbij uitgang 6 echter met de bronelektrode van 30 transistor T2 is verbonden. De transconductantieversterker 3 is verder voorzien van een uitgang 7, waaraan een stroom I2 met een polariteit die tegengesteld is aan de polariteit van de stroom I2 aan uitgang 6, verschijnt, en welke uitgang 7 met de bronelektrode van transistor is verbonden.

35 Vloeit er een ingangsstroom I door transistor en weerstand 1 dan wordt deze gespiegeld naar transistor T2 en weerstand 2 en er wordt een ruiscomponent δΙ aan toegevoegd. Versterker 3 voert aan 8001492 PHN 9705 6 weerstand 1 nog een stroom I2 toe en aan weerstand 2 een stroom -I2 zodat voor de ingangsverschilspanningenAV van versterker 13 geldt: a\I = R(I+I2) - R(I-I2+aI) = 2RI2~RaI met R de weerstandswaarde van weerstanden 1 en 2. Geldt voor versterker 13 dat I2 = GaV, dan wordt 5 deze uitdrukking: a\I = 2RGaV - RaI waaruit gevonden wordt voor de ruiscompnent aI dat deze nul is voor G = 2 R *

Ook in de uitvoering volgens figuur 2 heeft de maatregel volgens de uitvinding als belangrijk bijkomend effekt dat de uitgangs-impedantie van de stroomspiegel verhoogd wordt. Een nadeel vormt de 10 kruislingse koppeling tussen de bronelektroden van transistoren en T2 via versterker 3, die tot een instabiele toestand leidt -een flipflop configuratie- wanneer de rondgaande versterking groter dah 1 wordt. Echter de signaaloverdracht Ig/I blijft gehandhaafd doch de ruis neemt toe indien er in de lus T2, versterker 3 een rondgaande 15 versterking groter dan één is. Om deze reden kan dat aan de voorwaarde G = ^ niet optimaal voldaan worden. De eis wordt: G .

De injectie van de stromen I2 kan als alternatief ook aan de in- en uitgangsaansluitpunten 8 en 9 plaatsvinden.

Evenals bij de stroomspiègél volgens figuur 1 kan bij de 20 stroomspiegel volgens figuur 2 een versterking c.q. verzwakking Ig = nl met n i 1 gekozen worden. Hiertoe dienen de waarden van de weerstanden 1 en 2 zich te verhouden als 1 : jjj- en de breedte (W) - lengte (L) verhoudingen van de kanalen van transistor T-, en'transistor T0 (—ί) als: _i : _£ = 1 : n. Met gebruikmaking van de gevonden uitdrukkingen 25 *“2 kan dan voor versterker 3 gevonden worden dat compensatie optreedt voor G = ^ met dien verstande dat de aan uitgang 6 verschijnende stroom nx zo groot is, dus gelijk aan NI2, met I2 = G4/, de stroom aan uitgang 7 van transconductantieversterker 3.

3Q Figuur 3 toont een uitvoeringsvoorbeeld van een transconduc tantieversterker 3. Deze omvat een p-kanaals transistor en een p-ka-naals transistor waarvan de bronelektroden met een ruststroombron 13, die een stroom 1^ voert, verbonden zijn. De stuurelektrode van transistor Tj respektievelijk vormt ingang 4 respektievelijk 5 van verster-35 ker 3 en de afvoerelektrode van transistor respektievelijk de uitgang 6 respektievelijk 7 van versterker 3. De transconductantie G is hierbij G = γ 2β In met de steilheid van de transistoren

u z W

en die evenredig is met de breedte - lengte verhouding -jp van 8001492 ♦ * '» PHN 9705 7 hun kanalen.

In het geval van een stroomspiegelversterkingsfaktor gelijk aan n, zoals in het aan de hand van figuur 2 geschetste voorbeeld, moet versterker 3 zo uitgevoerd worden dat de stroom aan uitgang 6 5 nx zo groot is als die aan uitgang 7, wat bereikt kan worden door de lengte-breedte verhouding ^3 van het kanaal van transistor T,

L3 W

nx zo groot te kiezen als die verhouding __4 van het kanaal van transis- tor waardoor de ruststromen door die transistoren zich verhouden 10 als n : 1 evenals hun steilheiden β zodat de versterkingen naar uitgangen 6 en 7 zich verhouden als n : 1.

De maatregel volgens de uitvinding heeft alleen dan een gunstig effekt als de ruisbijdrage van de transconductantieversterker 3 veel lager is dan die van de originele stroomspiegel zonder de 15 maatregel volgens de uitvinding. Bij de transconductantieversterker volgens figuur 3 is de ruisbijdrage te minimaliseren door de waarde van de ruststroom I, zo klein als praktisch mogelijk is te kiezen.

r 1 . W

Om dan de gewenste transconductantie G = ^ te bereiken worden de - faktoren dienovereenkomstig groot gekozen.

20 Figuur 4a toont een zeer aantrekkelijke uitvoeringsvorm van een schakeling volgens de uitvinding. De stroomspiegel is wederom opgebouwd met transistoren en T2 en weerstanden 1 en 2. Echter de kanaalsubstraten (Engels: "back-gate") die aan de andere zijde van het kanaal dan de geïsoleerde stuurelektroden zijn gelegen en met het kanaal.

25 en de bron- en afvoerelektrode een junction-veldeffekttransistor vormen, zijn aangesloten via aansluitingen 11 respektievelijk 12 en verbonden met de bronelektrode van de andere transistor T2 respektievelijk T^.

Figuur 4b toont het vervangingsschema van deze configuratie waarbij het effekt van de aangestuurde kanaalsubstraten 11 en 12 wordt ver- 30 vangen door het parallel aan transistoren en T2 schakelen van een n-kanaals junctie-veldeffekttransistor respektievelijk · De junctionveldeffekttransistoren Tjj en kunnen dan beschouwd worden als de versterker 3.

Een stroom I door ingang 8 vloeit geheel over weerstand 1 35 zodat de spanning over weerstand 1 ruisvrij is, afgezien van in stroom I aanwezige ruis. De sturing op de kanaalsubstraten bewerkt nu een sturing van transistor T2 zodanig dat de spanning over weerstand 2 beter de spanning over weerstand 1, die ruisarm is, volgt zodat ook hier een 8001492 PHN 9705 8 ruisreductie en tevens een uitgangsimpedantieverhoging ten opzichte van de stroomspiegel zonder deze maatregel beu/erkt wordt. Eén mathematische verklaring is hier minder eenvoudig door de verwevenheid van de versterker 13 (de junctieveldeffekttransistoren T11 en V met 5 de stroomspiegeltransistoren en T2 en wordt eenvoudigheidshalve achterwege gelaten. In te zien is de werking als volgt. Een toename van de stroom in weerstand 2 bewerkt een toename van de sturing op de substraat transistor en derhalve een vermindering van de spanning op de stuurelektrode van transistor T^, en dus op de stuurelektrode 10 van transistor T2 waardoor een dergelijke stroomtoename door sturing op transistor T2 tegengewerkt wordt. Deze regeling wordt versterkt doordat de substraattransistor aan zijn stuurelektrode een constante spanning over weerstand 1 ontvangt en een door de aanvankelijke verhoging van de spanning over weerstand 2 een verhoogde spanning op zijn bron-15 elektrode ontvangt, zodat ook de geleiding van die substraattransistor T^2 verminderd wordt.

Uit het oogpunt van onderdrukking van ruis zou de schakeling volgens figuur 4 ook funktioneren wanneer de stuurelektrode van de substraattransistor een konstante spanning toegevoerd krijgt. Dit 20 echter verslechtert de stroomspiegelwerking bij variërende ingangsstroom. Wel is het mogelijk om beide substraataansluitingen met de bronelektrode van transistor T2 te verbinden. In dat geval wordt compensatie verkregen doordat een variatie van de spanning over weerstand 2 in fase de spanning op de substraatelektrode van transistor doet variëren 25 en daardoor daarmee in tegenfase de spanning op de geïsoleerde stuurelektrode van transistor en dus op die van transistor T2 zodat een variatie van de spanning over weerstand 2 ten opzichte van de spanning over weerstand 1 tegengekoppeld wordt. Ook is het mogelijk om beide substraataansluitingen met de bronelektrode van transistor te ver-30 binden. In dat geval wordt de bronelektrode van transistor T-^ ten opzichte van de stuurelektrode van transistor T12 gestuurd met de variatie van de spanning over weerstand 2 ten opzichte van de spanning over weerstand 1.

Ook bij de uitvoeringsvorm volgens figuur 4 en de., daarbij 35 genoemde variant kunnen stroomspiegelfaktoren n ongelijk aan één gerealiseerd worden. De bij de beschrijving van figuren 2 en 3 genoemde aanpassing van versterker 3 geschiedt dan automatisch omdat bij een verandering van de onderlinge kanaalafmetingen van de transistoren 8001492 . S ~e PHN 9705 9 en tevens de afmetingen van de substraattransistoren en T^ corresponderend veranderd worden.

De uitvinding beperkt zich niet tot de getoonde uitvoerings-voorbeelden. Modificaties zijn mogelijk zoals het uitvoeren met tegenge-5 steld geleidingstype, het toepassen van meer complete stroomspiegel-structuren en het uitvoeren in bipolaire vorm.

10 15 20 25 30 35 8001492

Claims

1. Stroomspiegelschakeling met tussen een ingangsaansluitpunt en een gemeenschappelijk aansluitpunt een ingangsstroomketen omvattende althans de hoofdstroombaan van een eerste halfgeleider in serie met een eerste weerstand, en met tussen een uitgangsaansluitpunt en het gemeen- 5 schappelijke punt althans de hoofdstroombaan van een tweede halfgeleider en een tweede transistor, waarbij beide halfgeleiders qua sturing parallel geschakeld zijn, met het kenmerk, dat de stroomspiegelschakeling omvat een aktieve tegenkoppelschakeling met een differentiële ingang die opgenomen is tussen de van het gemeenschappelijke punt afgekeerde 10 zijden van de eerste en tweede weerstand en met een uitgang die in tegen-koppelende zin met de uitgangsstroomketen is gekoppeld, zodanig, dat een variatie van de spanning over de tweede weerstand ten opzichte van de spanning over de eerste weerstand tegengewerkt wordt.

2. Stroomspiegelschakeling volgens conclusie 1, met het kenmerk, 15 dat de aktieve tegenkoppelschakeling een transconductantieversterker omvat voor het omzetten van het spanningsverschil tussen de spanningen over de eerste en tweede weerstand met een transconductantie die in hoofdzaak gelijk is aan deinverse van de waarde van de tweede weerstand en het injecteren van een daardoor bepaalde stroom in de uitgangsstroomketen 20 met een zodanige polariteit dat genoemde tegenkoppeling bereikt wordt.

3. Stroomspiegelschakeling volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de aktieve tegenkoppelschakeling een transconductantieversterker omvat voor het omzetten van het spanningsverschil tussen de spanningen over de eerste en tweede weerstand met een transconductantie die nage- 25 noeg gelijk doch kleiner is dan de inverse van tweemaal de waarde van de tweede weerstand met een differentiële uitgang voor het injecteren van een daardoor bepaalde stroom in de uitgangs&roomketen en een daarmee in tegenfase zijnde stroom in de ingangsstroomketen, het een en ander met een zodanige polariteit dat genoemde tegenkoppeling bereikt wordt.

4. Stroomspiegelschakeling volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat de stroomspiegelschakeling is ingericht voor het voeren van een stroom in de uitgangsstroomketen die zich tot de stroom in de ingangsstroomketen verhoudt als n : 1 doordat de eerste weerstand een nx grotere waarde heeft dan de tweede weerstand en doordat de eerste en tweede 35 halfgeleider dienovereenkomstig geschaald zijn waarbij de transconductantieversterker zodanig is opgebouwd, dat de in de ingangsstroomketen geïntegreerde stroom een waarcb gelijk aan - x de waarde van de in de uitgangsstroomketen geïnjecteerde stroom vertoont. 8001492 < s V PHN 9705 11

5. Stroomspiegelschakeling volgens conclusie 3 of 4, met het kenmerk, dat de stroominjectie plaatsvindt op de verbindingspunten tussen de eerste halfgeleider en de eerste weerstand en tussen de tweede halfgeleider en de tweede weerstand.

6. Stroomspiegelschakeling volgens conclusie 1, waarbij de eerste en tweede halfgeleider een eerste respektievelijk tweede veld-effekttransistoren met geïsoleerde en onderling doorverbonden stuur-elektroden is, welke veldeffekttransistoren elk onder een geïsoleerde poortelektrode tussen een bron- en een stuurelektrodeaansluiting een halfgeleidend substraat omvatten waarin door sturing op die stuurelektro-de zich een geleidend kanaal vormt en waarbij dat substraat van een aansluiting is voorzien, met het kenmerk, dat de aktieve tegenkoppelschake-ling gevormd wordt doordat de genoemde substraataansluiting van de eerste veldeffekttransistor met de bronelektrode van de tweede veldeffekttran-15 sistor verbonden is.

7. Stroomspiegelschakeling volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de substraataansluiting van de tweede veldeffekttransistor met de bronelektrode van de eerste veldeffekttransistor is verbonden. 20 25 30 35 8001492