DE2328402A1 - Konstantstromkreis - Google Patents
KonstantstromkreisInfo
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- H03F3/3086—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type two power transistors being controlled by the input signal
Description
It 2520
SONY CORPORATION
•Tokyo / Japan
•Tokyo / Japan
Kons'tantstroinkreis
Die Erfindung bezieht sich auf einen Konstantstromkreis
und insbesondere auf einen solchen, der einem geringeren Einfluß der Änderung einer Quellenspannung unterliegt und zur Verwendung in einem integrierten Schaltkreis geeignet, ist.
und insbesondere auf einen solchen, der einem geringeren Einfluß der Änderung einer Quellenspannung unterliegt und zur Verwendung in einem integrierten Schaltkreis geeignet, ist.
Es sind Kreise, wie sie die Fig. 1 und 2 zeigen, als Konstantstromkreise
bekannt. In dem in Fig. 1 gezeigten Konstantstromkreis wird ein Kollektorstrom I , der von einem
Transistor 1 ausgeht, konstant gehalten, während bei dem in Fig. 2 gezeigten Konstantstromkreis ein Kollektorstrom,
der in den Transistor 1 fließt, konstant gehalten wird. Bei den oben beschriebenen Kreisen erhält der Transistor
1 an seiner Basis.eine konstante Spannung, die von einer Diode 2 bestimmt wird, so daß der Kollektorstrom
des Transistors 1 konstant gehalten wird.
des Transistors 1 konstant gehalten wird.
Der oben beschriebene Konstantstromkreis hat jedoch den
Nachteil, daß, wenn eine Versorgungsspannung V geändert
Nachteil, daß, wenn eine Versorgungsspannung V geändert
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wird, der Durchlaßstrom der Diode 2 geändert wird, so daß
sich seine Durchlaßspannung und damit auch der Kollektorstrom
I ändert.
Außerdem wird bei diesem Konstantstromkreis, wenn die Versorgungsspannung
V ■ Welligkeitsanteile enthält, der Ausgangsstrom des beschriebenen Kreises entsprechend den
Welligkeitskomponenten geändert. Daher hat eine Schaltungsanordnung, die den oben erwähnten Konstantstromkreis verwendet, den Nachteil, daß ihre Arbeitsweise unstabil
ist und daß ihr Störabstand verschlechtert wird.
Welligkeitskomponenten geändert. Daher hat eine Schaltungsanordnung, die den oben erwähnten Konstantstromkreis verwendet, den Nachteil, daß ihre Arbeitsweise unstabil
ist und daß ihr Störabstand verschlechtert wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Konstant— Stromkreis zu schaffen, der einen konstanten Strom selbst
dann erzeugt, wenn sich eine Quellenspannung ändert, der
zur Verwendung in einem integrierten Schaltkreis, in einem integrierten Verstärker und in einem Konstantspannungskreis
geeignet ist.
Der Konstantstromkreis gemäß der Erfindung ist an eine
Spannungsquelle angeschlossen, die Änderungen unterliegt. Die Konstantstromquelle weist einen ersten bzw. zweiten
Transistor einesersten und zweiten Leitfähigkeitstyps auf, wobei der Kollektor des zweiten Transistors mit der Basis des ersten Transistorsuncl dieBasis des zweiten Transistors mit dem Kollektor des ersten Transistors verbunden und jeweiligen Emitter des ersten und zweiten Transistors über die
Spannungsquelle geschaltet sind, zwei als Dioden geschaltete Transistoren, deren Emitter und Basen parallel zu
den Emittern und Basen des ersten und zweiten Transistors geschaltet sind, sowie einen dritten Transistor des ersten oder zweiten Leitfähigkeitstyps, dessen Basis und Emitter parallel zu den Basen und Emittern des ersten und zweiten Transistors geschaltet sind, so daß der Kollektorstrom
des dritten Transistors als Konstantstromquelle verwendbar ist, die keiner Änderung der Spannungsquelle unterliegt.
Spannungsquelle angeschlossen, die Änderungen unterliegt. Die Konstantstromquelle weist einen ersten bzw. zweiten
Transistor einesersten und zweiten Leitfähigkeitstyps auf, wobei der Kollektor des zweiten Transistors mit der Basis des ersten Transistorsuncl dieBasis des zweiten Transistors mit dem Kollektor des ersten Transistors verbunden und jeweiligen Emitter des ersten und zweiten Transistors über die
Spannungsquelle geschaltet sind, zwei als Dioden geschaltete Transistoren, deren Emitter und Basen parallel zu
den Emittern und Basen des ersten und zweiten Transistors geschaltet sind, sowie einen dritten Transistor des ersten oder zweiten Leitfähigkeitstyps, dessen Basis und Emitter parallel zu den Basen und Emittern des ersten und zweiten Transistors geschaltet sind, so daß der Kollektorstrom
des dritten Transistors als Konstantstromquelle verwendbar ist, die keiner Änderung der Spannungsquelle unterliegt.
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Die Erfindung wird nachstehend anhand der Fig. 1 bis 11 beispielsweise
erläutert. Es zeigt:
Figur 1 und 2 Schaltbilder bekannter Konstantstromkreise,
Figur 3 ein Schaltbild eines Konstantstromkreises gemäß der Erfindung,
Figur 4 ein Schaltbild eines Konstantstromkreises gemäß der Erfindung in Anwendung auf einen integrierten
Verstärker,
Figur 5 ein Schaltbild eines abgewandelten Konstantstromkreises gemäß der Erfindung,
Figur 6 ein Diagramm, aus dem die Versorgungsspannung/
Ausgangsstrom-Kennlinien eines Konstantstromkreises
gemäß der Erfindung hervorgehen,
Figur 7 ein Schaltbild des Konstantstromkreises nach Fig. in Anwendung auf einen integrierten Verstärker,
Figur 8 ein Schaltbild eines Konstantstromkreises gemäß
der Erfindung zur Bildung einer ungeerdeten Konstantspannungsquelle,
Figur 9 und 10 Darstellungen zur Erläuterung der Arbeitsweise
der Konsfäntspannungsguelle der Fig.'8, und . ■
Figur 1-1 ein Schaltbild einer weiteren ungeerdeten Konstantspannungsquelle.
In einem Kon'stantstromkreis gemäß der Erfindung können alle Bauelemente leicht auf einer einzigen monolithischen integrierten
Schaltkreisplatte gebildet werden, wie Fig. 3 zeigt.
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Es wird nun die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung
anhand der Fig. 3 erläutert.
Die Basis und der Kollektor eines Transistors 3 sind mit dem Kollektor und der Basis eines Transistors 4 verbunden,
während die Emitter der Transistoren 3 und 4 jeweils mit dem Anschluß 11 bzw. 12 einer nichtgezeigten Spannungsquelle verbunden sind. Ein als Diode geschalteter Transistor
5 ist an seiner Basis und an seinem Emitter mit dem Emitter und der Basis des Transistors 3 in der gleichen
Art der Polarität verbunden. In ähnlicher Weise ist ein als Diode geschalteter Transistor 6 an seiner Basis und seinem
Emitter mit der Basis und dem Emitter des Transistors 4 in der gleichen Art der Polarität verbunden. Ein Transistor
7 ist an seinem Emitter und an seiner Basis mit der Basis und dem Emitter des al>s Diode geschalteten Transistors
5 in der gleichen Art der Polarität verbunden. Ein Transistor 8 ist in ähnlicher Weise an seiner Basis und
seinem Emitter mit der Basis und dem Emitter des als Diode geschalteten Transistors 6 in der gleichen Art der Polarität
verbunden. Bei einer solchen Anordnung wird die zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 5 erhaltene Spannung
den Transistoren 3 bzw. 7 als deren Basisvorspannungen zugeführt. In ähnlicher Weise wird die zwischen der Basis
und dem Emitter des Transistors 6 erhaltene Spannung den Transistoren 4 und 8 als BasisVorspannungen zugeführt.
Es sei angenommen, daß eine Versorgungsspannung V„ an
den oben beschriebenen Kreis angelegt wird, damit ein Kollektorstrom Ic3 zunächst durch den Transistor 3 fließt.
Von dem Strom I , wird eine Durchlaßspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 6 "erzeugt und damit
fließt ein Kollektorstrom Ip. durch den Transistor 4 entsprechend
dieser Durchlaßspannung als Basisvorspannung des als Diode geschalteten Transistors 6. Durch den Kollektorstrom
Ic4 durch den Transistor 4 wird eine Durchlaßspannung
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zwischen der Basis und dem Emitter der Transistors 5 erzeugt,
und damit fließt der Kollektorstrom I g weiter durch den
Transistor 3 entsprechend dieser Durchlaßspannung als dessen
Basisvorspannung.
Die oben beschriebenen Durchlaßspannungen, die jeweils
zwischen der Basis und dem Emitter der als Dioden geschalteten Transistoren 5 und 6 erzeugt werden, betragen im
wesentlichen konstant 0,6 Volt, wenn es sich um Siliziumtransistoren
handelt. Daher werden die Basisspannungen
zwischen der Basis und dem Emitter der Transistoren 3 und
4 einander im wesentlichen gleich. Daher ist es möglich, die Transistoren 3 und 4 auf der gleichen integrierten Schaltkreisplatte
einander nahe anzuordnen, um dadurch den Kollektorstrom Ic3 des Transistors 3 und den Kollektorstrom
Ic4 des Transistors 4 im wesentlichen gleich zu machen.
Außerdem bilden bei der obigen Anordnung die Basis und der Kollektor des Transistors 3 und die Basis und der Kollektor
des Transistors 4 eine Mitkopplungsschleife, so daß die Kollektorströme I- und I„. so kompensiert werden, daß sie
konstant sind. Dies bedeutet, daß, wenn z.B. der Kollektorstrom Ip- konstant ist, die Spannung zwischen der Basis und
dem Emitter des Transistors 6 konstant, wird, um dadurch den Kollektorstrom 1„. ebenfalls konstant zu machen. In ähnlicher
Weise wird, wenn der Kollektorstrom I„. konstant ist, die
Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors
5 konstant, um dadurch den Kollektorstrom I_- ebenfalls konstant
zu machen. Datier^ können die Kollektorströme Ic- und
I . einander im wesentlichen gleich gemacht werden. Da die
Kollektorströme I , und I . gleich und konstant sind, werden
auch die Basisvorspannungen der Transistoren 7 und 8 im wesentlichen gleich und konstant.
Im allgemeinen kann ein Kollektorstrom eines Transistors
bei einer vorbestimmten Basisvorspannung durch Wahl des Basisdiffusionsbereichs des Transistors selbst bei konstanter
Basisvorspannung des Transistors eine bestimmte
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Größe erhalten. Daher werden die Basisdiffusionsbereiche der Transistoren 7 und 8 in geeigneter Weise gewählt, damit
die Ströme Ι__ und I „, die durch die Kollektoren fließen,
jeweils bestimmte Größen annehmen und als Quelle eines bestimmten konstanten Stroms verwendbar sind.
In dem oben beschriebenen Kreis wird, wenn die Versorgungsspannung V geändert wird, die Spannung zwischen dem Kollektor
und· dem Emitter des Transistors 3 entsprechend der Änderung der Versorgungsspannung V erhöht oder vermindert,
da die Spannung zwischen der Basis.und dem Emitter des als Diode geschalteten Transistors 6 im wesentlichen konstant
0,6 Volt beträgt. Der Kpllektorstrom I _ des Transistors 3
wird gegenüber der Änderung der Spannung zwischen dessen Kollektor und Emitter im wesentlichen konstant, wie aus
der Ausgangskennlinie, d.h. der Χ_/ν^ -Kennlinie (nicht
gezeigt) eines Siliziumtransistors hervorgeht. Daher wird der Kollektorstrom I „ des Transistors 8 selbst bei einer
Änderung der Versorgungsspannung V konstant gehalten, so daß sie als gute Konstantstromquelle verwendbar ist, die
keinem Einfluß der Änderung der Versorgungsspannung unterliegt.
Ähnlich wie im Falle des Kollektorstroms I_,3 wird
der Kollektorstrom I_4 gegenüber der Änderung der Versorgungsspannung
V c entsprechend der Ausgangskennlinie, d.h. der I_/V_F-Kennlinie des Transistors 4 konstant gemacht,
so daß der Kollektorstrom I__ des Transistors 7 gegenübör
der Änderung der Versorgungsspannung ebenfalls konstant gemacht werden kann.
Wie sich aus dem Vorherigen ergibt, kann gemäß der Erfindung ein bestimmter konstanter Strom unabhängig von der
Versorgungs spannung Vc_, erhalten werden. Da außerdem die
Spannung ν__ ohne Einfluß ist, selbst wenn sie Welligkeitsanteile
aufweist, besteht keine Gefahr, daß der Störabstand einer Schaltungsanordnung, die diesen Konstantstromkreis
verwendet, verschlechtert wird oder ihre Arbeitsweise ent-
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sprechend der Änderung der Versorgungsspannung V instabil
wird. Wie außerdem aus Fig. 3 hervorgeht, ist der Kreis nur aus Transistoren aufgebaut und es ist daher
leicht, diese auf der integrierten'Schaltkreisplatte zu bilden. '
Fig*. 4 zeigt ein Beispiel, bei dem der Koristantstromkreis
gemäß der Erfindung auf einen Verstärker angewandt ist. Der in Fig. 4 durch eine gestrichelte Linie umgebene
Teil wird auf einer integrierten Schaltkreisplatte gebildet. Mit 21 bis 24 sind Verstärkungstransistoren bezeichnet,
die direkt gekoppelt sind. Ein Eingangssignal von einem Anschluß 18 wird über einen Anschluß 13 zu der
Basis des Transistors 21 übertragen und aufeinanderfolgend von den Transistoren 21 bis 24 verstärkt. Das verstärkte
Ausgangssignal wird von dem Emitter des Transistors 24 abgegeben und über einen Anschluß Γ4 zu einem
Ausgangsanschluß 19 übertragen.
Bei diesem Beispiel wird der Konstantstromkreis der Fig. als die Kollektorlast des Transistors 23 und die Emitterlast des Transistors 24 verwendet. Dies bedeutet, daß
der Kollektor des Transistors 23 an den Kollektor des Transistors 7 angeschlossen ist, während der Emitter
des Transistors 24 an den Kollektor des Transistors 8
angeschlossen ist. An den Emitter des Transistors 21 ist durch Widerstände 27 und 28 und einen. Kondensator
29 von dem Anschluß 1.4 über den Anschluß 1.5 eine Rückkopplungsschleife
gebildet.
Da die Kollektorlast des Transistors 23 der Transistor ist, d.h. die Konstantstromquelle, kann der Verstärker
eine hohe Verstärkung erreichen. Wenn Widerstände als die Kollektorlast des Transistors 23 und die Emitterlast
des Transistors 24 verwendet werden, und diese Widerstände auf einer integrierten Schaltkreisplatte gebildet
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werden, können ihre Widerstandswerte nicht groß gemacht
werden und daher kann keine hohe Verstärkung erreichtwerden. Zugleich werden die Ströme, die durch diese Widerstände
fließen, erhöht, so daß die zulässigen Kollektorverluste der Transistoren 2 3 und 24 erhöht werden müssen.
Bei dem Kreis der Fig. 4 jedoch kann der Kollektorstrom des Transistors 23 und der Emitterstrom des Transistors
24 eine minimale Größe erhalten und daher können die zulässigen Kollektorverluste der Transistoren 23 und 24
klein gemacht werden. Zugleich können der unwirtschaftliche
Stromverbrauch und die unwirtschaftliche Erhitzung beseitigt und, wie oben beschrieben wurde, eine hohe Verstärkung
erreicht werden.
Da außerdem die Kollektorströme der Transistoren 7 und 8, wie oben erwähnt wurde, bei einer Änderung der Versorgungsspannung V konstant sind, kann dieser Verstärker selbst
bei der Änderung der Versorgungsspannung Vr_ beständig eine
hohe Verstärkung erreichen und sein Störabstand wird durch Welligkextsanteile nicht verschlechtert. Außerdem ist der
Kreis nur mit Transistoren aufgebaut, und die Anzahl der externen Anschlüsse ist gering, so daß er leicht und mit
geringen Kosten als integrierte Schaltkreisplatte ausgebildet werden kann.
Bei der zuvor erwähnten Ausführungsform sind die Basisdiffusionsbereiche
der Transistoren 7 und 8 geeignet ausgewählt, um dadurch die bestimmten konstanten Ströme zu
erhalten, die durch die Transistoren 7 und 8 fließen.
Fig. 5 zeigt eine weitere Ausführungsform, bei der die
konstanten Ströme der Größe nach,durch Widerstände gewählt werden.
In Fig. 5 sind Emitterwiderstände 31, 41, 71 und 81 aufder
Emitterseite der Transistoren 3, 4, 7 und 8 einge-
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schaltet. Zugleich ist anstelle der Transistoren 5 und 6 in Fig. 3 eine Reihenschaltung, bestehend aus zwei Dioden
(oder zwei als Dioden geschalteten Transistoren) 51 und 52 bzw. 61 und 62 eingeschaltet.
Daher werden bei dem obigen Konstantstromkreis die Transistoren 7 und 8 als Konstantstromquellen verwendet und
die Widerstandswerte der Widerstände 71 und 81 werden so geändert, daß jeder Konstantstrom eine bestimmte Größe
hat.
Fig. 6 zeigt ein Diagramm, aus dem ein Beispiel der Versorgungsspannung/Äusgangsstrom-Kennlinien
des üblichen > Konstantstromkreises der Fig. 1 und des Konstantstromkreises
gemäß der Erfindung der Fig. 5 hervorgeht. Im Falle des üblichen Kreises wird der Ausgangsstrom I
stark geändert, wenn sich die Versorgungs<-spannung V
ändert. Im Falle des Kreises gemäß der Erfindung dagegen sind die Kollektorströme I„- und I_,o im wesentlichen
konstant, selbst wenn sich die Versorgungsspannung V
ändert, so daß die Kollektorströme Ip- und Ipg der Spannungsänderung
entgegenwirken und auf den vorbestimmten Werten gehalten werden, selbst wenn die Versorgungsspannung
V_c sehr niedrig wird. Der Konstantstromkreis gemäß
der Erfindung zeigt eine extrem gute Konstantstromkennlinie
bezüglich der Änderung und Verminderung der Versörgungssparinung V-,-.
Fig. 7 zeigt ein Beispiel eines Verstärkers unter Verwendung
des Konstantstromkreises der Fig. 5. In der Figur bilden der Transistor 21 und der Transistor 25 einen Differentialeingang
und der Transistor 7 wird als die Kollektorlast des Transistors 23 verwendet, während der Transistor
8 als die Emitterlast des Transistors 24 verwendet wird. Der Ausgangskreis kann gleich dem der Fig. 4 sein.
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Dieser Verstärker kann ebenfalls die gleiche Wirkung wie der Verstärker der Fig. 4 erzielen. Daher kann z.B. in
diesem Verstärkerkreis eine reine Verstärkung (eine Verstärkung ohne Rückkopplung) von 76,5 dB konstant erzielt
werden.
In den Fig. 3 und 5 sind außerdem die beiden Transistoren 7 und 8 vorgesehen, jedoch kann nur einer von ihnen verwendet
werden oder es können nötigenfalls mehrere Transistoren (und Emitterwiderstände) in ähnlicher Weise parallel
geschaltet werden, um mehrere Konstantstromquellen zu schaffen.
Fig. 8 zeigt eine Ausführungsform, bei der eine ungeerdete
Konstantspannungsquelle durch Verwendung des Konstantstromkreises gemäß der Erfindung gebildet wird.
Wie Fig. 8 zeigt, sind die Kollektoren der Transistoren 7 und 8 mit den Ausgangsanschlüssen 15 und 16 verbunden.
Eine Konstantspannungsdiode 9 ist zwischen die Anschlüsse 15 und 16 geschaltet und auch die Basisdiffusionsbereiche
der Transistoren 7 und 8 sind in geeigneter Weise gewählt, um die jeweiligen Kollektorströme Ic_ und I „ einander
gleich zu machen. Mit 10 ist eine Last bezeichnet, die zwischen die Anschlüsse 15 und 16 geschaltet ist.
Da bei einer solchen Anordnung der Strom I _ gleich dem
Strom I„o ist, fließt der Kollektorstrom des Transistors
7 durch die Diode 9 und die Last 10 zu dem Kollektor des Transistors 8. Die Transistoren 7 und 8 arbeiten hierbei
als die Konstantstromquelle und ihre Impedanzen können als unendlich angenommen werden, so daß dieser Spannungsquellenkreis
dem in Fig. 9 gezeigten äquivalent ist. Hierbei wird über der Diode 9 eine konstante Spannung erhalten,
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so daß die Diode 9 einer Batterie 9E äquivalent wird, wie
Fig. 10 zeigt. Daher wird die Last 10 über die Batterie 9E mit einer Spannung versorgt, sie kann jedoch nicht als geerdet
angesehen werden, d.h. dieser Spannungsquellenkreis arbeitet als ungeerdeter Konstantspannungskreis.
Der Konstantetromkreis gemäß der Erfindung wird so verwendet,
daß er die ungeerdete Konstantsparinungsquelle bildet,
die nur von den Transistoren 3 bis 8 und der Diode 9 gebildet wird, wie Fig. 8 zeigt, undkann daher leicht
auf einer,integrierten Schaltkreisplatte hergestellt
werden. Da er ungeerdet ist, kann, wenn man annimmt, daß die Last 10 z.B. ein Widerstandswandler zur Erzielung
einer negativen Impedanz ist, eine unabhängige Wicklung äquivalent erhalten werden, d.h. ein bestimmter Kreis
mit einer Wicklung kann auf einer integrierten Schaltkreisplatte gebildet werden.
Fig. 11 zeigt ein weiteres Beispiel des ungeerdeten Konstantspannungskreises
gemäß der Erfindung. In der Figur ist eine Reihenschaltung, bestehend aus zwei Dioden (oder
zwei als Dioden geschalteten Transistoren) 51 und 52_ bzw.
61 und 62 anstelle eines jeden Transistors 5 und 6 in
Fig. 8 vorgesehen. Außerdem sind die Emitterwiderstände 31, 41, 71 und 81 jeweils auf der Emitterseite der Transistoren
3, 4, 7 und 8 eingeschaltet. Die Widerstände 31 bis 81 sind in geeigneter Weise ausgewählt, um-die
Ströme Ip_ und IrR einander gleich zu machen. Außerdem
ist ein Transistor 20, der durch Widerstände 21 und 22
vorgespannt ist, zwischen die Anschlüsse 15 ,und 16 als Konstantspannungskreis geschaltet.
Bei den vorherigen Schaltungsanordnungen ist es außerdem
möglich, mehrere Sätze der gleichen Transistoren und Konstantspannungskreise wie die Transistoren 7 und 8 und der
Konstantspannungskreis bezüglich der Transistoren 3 und 4 vorzusehen, so daß mehrere Konstantspannungsausgänge erhalten
werden können, die voneinander unabhängig sind.
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Claims (13)
1.JKonstantstromkreis, bestehend aus einer Spannungsquelle
und einer ersten und einer zweiten Halbleitervorrichtung mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei
die Basis der ersten Halbleitervorrichtung mit dem Kollektor
der zweiten Halbleitervorrichtung und der Kollektor der ersten Halbleitervorrichtung mit der Basis der zweiten
Halbleitervorrichtung verbunden ist und die Emitter der ersten und zweiten Halbleitervorrichtung zwischen die
Spannungsquelle geschaltet sind, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zur Erzeugung einer Vorspannung an der
Basis und dem Emitter der ersten und der zweiten Halbleitervorrichtung,
bestehend aus einer dritten und einer vierten Halbleitervorrichtung, und durch eine fünfte Halbleitervorrichtung
mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei die Basis und der Emitter der fünften
Halbleitervorrichtung mit der Basis und dem Emitter wenigstens einer der ersten und zweiten Halbleitervorrichtung
verbunden ist, so daß der Kollektorstrom der fünften
Halbleitervorrichtung als Konstantstromquelle verwendbar ist.
2. Konstantstromkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß jede Halbleitervorrichtung aus einem Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor besteht,
und daß die Basis und der Kollektor des dritten und vierten Transistors verbunden sind.
3. Konstantstromkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste, zweite und fünfte Halbleitervorrichtung aus
einem Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor besteht, und daß die dritte und vierte Halbleitervorrichtung
aus einer Diode besteht.
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4. Konstantstromkreis nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der erste und fünfte Transistor von einem ersten Leitfähigkeitstyp und der zweite, dritte und
vierte Transistor von einem zweiten Leitfähigkeitstyp sind.
5. Konstantstromkreis bestehend aus einer Spannungsquelle
und einer ersten und zweiten Halbleitervorrichtung mit je einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei
die Basis der ersten Halbleitervorrichtung mit dem Kollektor der zweiten Halbleitervorrichtung und der
Kollektor der ersten Halbleitervorrichtung mit der Basis der zweiten Halbleitervorrichtung verbunden ist
und die Emitter der ersten und zweiten Halbleitervorrichtung mit der Spannungsquelle verbunden sind, gekennzeichnet
durch eine Einrichtung zur Erzeugung, einer Vorspannung an der Basis und dem Emitter der
ersten und der zweiten Halbleitervorrichtung, bestehend aus einer dritten und vierten Halbleitervorrichtung,
durch eine fünfte Halbleitervorrichtung mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei die Basis und
der Emitter der fünften Halbleitervorrichtung mit der Basis und dem Emitter der ersten Halbleitervorrichtung
verbunden ist, und durch eine sechste Halbleitervorrichtung mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor,
wobei die Basis und der Emitter der sechsten Halbleitervorrichtung mit der Basis und dem Emitter
der zweiten Halbleitervorrichtung verbunden sind, so daß die Kollektorströme der fünften und sechsten Halbleitervorrichtungen
als Konstantstromquelle verwendbar sind.
6. Konstantstromkreis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß jede Halbleitervorrichtung aus einem Transistor
mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor
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besteht» und daß die Basis und der Kollektor des dritten
und vierten-Transistors verbunden sind.
7. Konstantstromkreis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste, zweite, fünfte und sechste Halbleitervorrichtung
aus einem Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor besteht, und daß die
dritte und vierte Halbleitervorrichtung aus einer Diode besteht. .
8. Konstantstromkreis nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und fünfte Transistor von einem ersten
Löitfähigkeitstyp und der zweite, dritte, vierte und
sechste Transistor von einem zweiten Leitfähigkeitstyp sind.
9. Konstantstromkreis, bestehend aus einer Spannungsquelle und einem ersten und einem zweiten Transistor mit einer
Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei die Basis des zweiten Transistors mit dem Kollektor des
ersten Transistors und der Kollektor des zweiten Transistors mit der Basis des ersten Transistors verbunden
sind, einem ersten und einem zweiten Widerstand, die zwischen den Emitter des ersten Transistors und den
einen Anschluß der Spannungsquelle und zwischen den Emitter des zweiten Transistors und den anderen Anschluß
der Spannungsquelle geschaltet sind, gekennzeichnet durch eine erste und zweite Diode, die jeweils
zwischen die Basis des ersten Transistors und den einen Anschluß der Spannungsquelle und zwischen die Basis des
zweiten Transistors und den anderen Anschluß der Spannungsquelle geschaltet sind, und durch einen dritten
Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, dessen Basis mit der Basis wenigstens eines
Transistors des ersten und zweiten Transistors und dessen Emitter über einen dritten Widerstand mit wenigstens
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einem der Anschlüsse der Spannungsquelle verbunden ist.
10. Konstantstromkreis nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch
einen ersten Verstärkungstransistor mit einer Eingangselektrode , die ein zu verstärkendes Signal erhält, und
mit einer Ausgangselektrode, dessen Emitter geerdet ist,
und einem zweiten Verstärkungstransxstor mit einer Eingangselektrode, die direkt mit der Ausgangselektrode
des ersten Verstärkungstransistors verbunden ist, und
mit einer Ausgangselektrode, dessen Kollektor geerdet ist, und dadurch, daß der Kollektor der fünften Halbleitervorrichtung
mit der Ausgangselektrode wenigstens eines Transistors des ersten und zweiten Transistors
verbunden ist.
11. Konstantstromkreis nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch
eine Einrichtung zur Erzeugung einer konstanten Spannung, die an ihrem einen Ende mit dem Kollektor des fünften
Transistors und an ihrem anderen Ende mit dem Kollektor des sechsten Transistors verbunden ist, und eine Lasteinrichtung, die zwischen die gegenüberliegenden Enden
dieser Einrichtung geschaltet ist, um eine konstante
Spannung zu erzeugen, so daß über <äer .Einrichtung zur
Erzeugung einer konstanten Spannung eine Spannung erzeugt wird, die von dem Einfluß der Änderung der Versorgungsspannung
dadurch frei ist, daß die Kollektorströme des fünften und sechsten Transistors im wesentlichen
gleich gemacht sind.
12. Konstantstromkreis nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zur Erzeugung einer konstanten
Spannung aus einer Zenerdiode besteht.
13. Konstantstromkreis nach - Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß die Einrichtung zur Erzeugung einer
303851/09 02
konstanten Spannung aus einem Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor und zwei
Widerständen besteht/ von denen der eine zwischen die Basis und den Emitter des Transistors und der andere
zwischen die Basis und den Kollektor des Transistors geschaltet ist.
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