DE2328402A1 - Konstantstromkreis - Google Patents

Konstantstromkreis

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    • H03F3/3086Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type two power transistors being controlled by the input signal

Description

It 2520
SONY CORPORATION
•Tokyo / Japan
Kons'tantstroinkreis
Die Erfindung bezieht sich auf einen Konstantstromkreis
und insbesondere auf einen solchen, der einem geringeren Einfluß der Änderung einer Quellenspannung unterliegt und zur Verwendung in einem integrierten Schaltkreis geeignet, ist.
Es sind Kreise, wie sie die Fig. 1 und 2 zeigen, als Konstantstromkreise bekannt. In dem in Fig. 1 gezeigten Konstantstromkreis wird ein Kollektorstrom I , der von einem Transistor 1 ausgeht, konstant gehalten, während bei dem in Fig. 2 gezeigten Konstantstromkreis ein Kollektorstrom, der in den Transistor 1 fließt, konstant gehalten wird. Bei den oben beschriebenen Kreisen erhält der Transistor 1 an seiner Basis.eine konstante Spannung, die von einer Diode 2 bestimmt wird, so daß der Kollektorstrom
des Transistors 1 konstant gehalten wird.
Der oben beschriebene Konstantstromkreis hat jedoch den
Nachteil, daß, wenn eine Versorgungsspannung V geändert
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wird, der Durchlaßstrom der Diode 2 geändert wird, so daß sich seine Durchlaßspannung und damit auch der Kollektorstrom I ändert.
Außerdem wird bei diesem Konstantstromkreis, wenn die Versorgungsspannung V ■ Welligkeitsanteile enthält, der Ausgangsstrom des beschriebenen Kreises entsprechend den
Welligkeitskomponenten geändert. Daher hat eine Schaltungsanordnung, die den oben erwähnten Konstantstromkreis verwendet, den Nachteil, daß ihre Arbeitsweise unstabil
ist und daß ihr Störabstand verschlechtert wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Konstant— Stromkreis zu schaffen, der einen konstanten Strom selbst dann erzeugt, wenn sich eine Quellenspannung ändert, der
zur Verwendung in einem integrierten Schaltkreis, in einem integrierten Verstärker und in einem Konstantspannungskreis geeignet ist.
Der Konstantstromkreis gemäß der Erfindung ist an eine
Spannungsquelle angeschlossen, die Änderungen unterliegt. Die Konstantstromquelle weist einen ersten bzw. zweiten
Transistor einesersten und zweiten Leitfähigkeitstyps auf, wobei der Kollektor des zweiten Transistors mit der Basis des ersten Transistorsuncl dieBasis des zweiten Transistors mit dem Kollektor des ersten Transistors verbunden und jeweiligen Emitter des ersten und zweiten Transistors über die
Spannungsquelle geschaltet sind, zwei als Dioden geschaltete Transistoren, deren Emitter und Basen parallel zu
den Emittern und Basen des ersten und zweiten Transistors geschaltet sind, sowie einen dritten Transistor des ersten oder zweiten Leitfähigkeitstyps, dessen Basis und Emitter parallel zu den Basen und Emittern des ersten und zweiten Transistors geschaltet sind, so daß der Kollektorstrom
des dritten Transistors als Konstantstromquelle verwendbar ist, die keiner Änderung der Spannungsquelle unterliegt.
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Die Erfindung wird nachstehend anhand der Fig. 1 bis 11 beispielsweise erläutert. Es zeigt:
Figur 1 und 2 Schaltbilder bekannter Konstantstromkreise,
Figur 3 ein Schaltbild eines Konstantstromkreises gemäß der Erfindung,
Figur 4 ein Schaltbild eines Konstantstromkreises gemäß der Erfindung in Anwendung auf einen integrierten Verstärker,
Figur 5 ein Schaltbild eines abgewandelten Konstantstromkreises gemäß der Erfindung,
Figur 6 ein Diagramm, aus dem die Versorgungsspannung/ Ausgangsstrom-Kennlinien eines Konstantstromkreises gemäß der Erfindung hervorgehen,
Figur 7 ein Schaltbild des Konstantstromkreises nach Fig. in Anwendung auf einen integrierten Verstärker,
Figur 8 ein Schaltbild eines Konstantstromkreises gemäß der Erfindung zur Bildung einer ungeerdeten Konstantspannungsquelle,
Figur 9 und 10 Darstellungen zur Erläuterung der Arbeitsweise der Konsfäntspannungsguelle der Fig.'8, und . ■
Figur 1-1 ein Schaltbild einer weiteren ungeerdeten Konstantspannungsquelle.
In einem Kon'stantstromkreis gemäß der Erfindung können alle Bauelemente leicht auf einer einzigen monolithischen integrierten Schaltkreisplatte gebildet werden, wie Fig. 3 zeigt.
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Es wird nun die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung anhand der Fig. 3 erläutert.
Die Basis und der Kollektor eines Transistors 3 sind mit dem Kollektor und der Basis eines Transistors 4 verbunden, während die Emitter der Transistoren 3 und 4 jeweils mit dem Anschluß 11 bzw. 12 einer nichtgezeigten Spannungsquelle verbunden sind. Ein als Diode geschalteter Transistor 5 ist an seiner Basis und an seinem Emitter mit dem Emitter und der Basis des Transistors 3 in der gleichen Art der Polarität verbunden. In ähnlicher Weise ist ein als Diode geschalteter Transistor 6 an seiner Basis und seinem Emitter mit der Basis und dem Emitter des Transistors 4 in der gleichen Art der Polarität verbunden. Ein Transistor 7 ist an seinem Emitter und an seiner Basis mit der Basis und dem Emitter des al>s Diode geschalteten Transistors 5 in der gleichen Art der Polarität verbunden. Ein Transistor 8 ist in ähnlicher Weise an seiner Basis und seinem Emitter mit der Basis und dem Emitter des als Diode geschalteten Transistors 6 in der gleichen Art der Polarität verbunden. Bei einer solchen Anordnung wird die zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 5 erhaltene Spannung den Transistoren 3 bzw. 7 als deren Basisvorspannungen zugeführt. In ähnlicher Weise wird die zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 6 erhaltene Spannung den Transistoren 4 und 8 als BasisVorspannungen zugeführt.
Es sei angenommen, daß eine Versorgungsspannung V„ an den oben beschriebenen Kreis angelegt wird, damit ein Kollektorstrom Ic3 zunächst durch den Transistor 3 fließt. Von dem Strom I , wird eine Durchlaßspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 6 "erzeugt und damit fließt ein Kollektorstrom Ip. durch den Transistor 4 entsprechend dieser Durchlaßspannung als Basisvorspannung des als Diode geschalteten Transistors 6. Durch den Kollektorstrom Ic4 durch den Transistor 4 wird eine Durchlaßspannung
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zwischen der Basis und dem Emitter der Transistors 5 erzeugt, und damit fließt der Kollektorstrom I g weiter durch den Transistor 3 entsprechend dieser Durchlaßspannung als dessen Basisvorspannung.
Die oben beschriebenen Durchlaßspannungen, die jeweils zwischen der Basis und dem Emitter der als Dioden geschalteten Transistoren 5 und 6 erzeugt werden, betragen im wesentlichen konstant 0,6 Volt, wenn es sich um Siliziumtransistoren handelt. Daher werden die Basisspannungen zwischen der Basis und dem Emitter der Transistoren 3 und
4 einander im wesentlichen gleich. Daher ist es möglich, die Transistoren 3 und 4 auf der gleichen integrierten Schaltkreisplatte einander nahe anzuordnen, um dadurch den Kollektorstrom Ic3 des Transistors 3 und den Kollektorstrom Ic4 des Transistors 4 im wesentlichen gleich zu machen. Außerdem bilden bei der obigen Anordnung die Basis und der Kollektor des Transistors 3 und die Basis und der Kollektor des Transistors 4 eine Mitkopplungsschleife, so daß die Kollektorströme I- und I„. so kompensiert werden, daß sie konstant sind. Dies bedeutet, daß, wenn z.B. der Kollektorstrom Ip- konstant ist, die Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors 6 konstant, wird, um dadurch den Kollektorstrom 1„. ebenfalls konstant zu machen. In ähnlicher Weise wird, wenn der Kollektorstrom I„. konstant ist, die Spannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors
5 konstant, um dadurch den Kollektorstrom I_- ebenfalls konstant zu machen. Datier^ können die Kollektorströme Ic- und I . einander im wesentlichen gleich gemacht werden. Da die Kollektorströme I , und I . gleich und konstant sind, werden auch die Basisvorspannungen der Transistoren 7 und 8 im wesentlichen gleich und konstant.
Im allgemeinen kann ein Kollektorstrom eines Transistors bei einer vorbestimmten Basisvorspannung durch Wahl des Basisdiffusionsbereichs des Transistors selbst bei konstanter Basisvorspannung des Transistors eine bestimmte
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Größe erhalten. Daher werden die Basisdiffusionsbereiche der Transistoren 7 und 8 in geeigneter Weise gewählt, damit die Ströme Ι__ und I „, die durch die Kollektoren fließen, jeweils bestimmte Größen annehmen und als Quelle eines bestimmten konstanten Stroms verwendbar sind.
In dem oben beschriebenen Kreis wird, wenn die Versorgungsspannung V geändert wird, die Spannung zwischen dem Kollektor und· dem Emitter des Transistors 3 entsprechend der Änderung der Versorgungsspannung V erhöht oder vermindert, da die Spannung zwischen der Basis.und dem Emitter des als Diode geschalteten Transistors 6 im wesentlichen konstant 0,6 Volt beträgt. Der Kpllektorstrom I _ des Transistors 3 wird gegenüber der Änderung der Spannung zwischen dessen Kollektor und Emitter im wesentlichen konstant, wie aus der Ausgangskennlinie, d.h. der Χ_/ν^ -Kennlinie (nicht gezeigt) eines Siliziumtransistors hervorgeht. Daher wird der Kollektorstrom I „ des Transistors 8 selbst bei einer Änderung der Versorgungsspannung V konstant gehalten, so daß sie als gute Konstantstromquelle verwendbar ist, die keinem Einfluß der Änderung der Versorgungsspannung unterliegt. Ähnlich wie im Falle des Kollektorstroms I_,3 wird der Kollektorstrom I_4 gegenüber der Änderung der Versorgungsspannung V c entsprechend der Ausgangskennlinie, d.h. der I_/V_F-Kennlinie des Transistors 4 konstant gemacht, so daß der Kollektorstrom I__ des Transistors 7 gegenübör der Änderung der Versorgungsspannung ebenfalls konstant gemacht werden kann.
Wie sich aus dem Vorherigen ergibt, kann gemäß der Erfindung ein bestimmter konstanter Strom unabhängig von der Versorgungs spannung Vc_, erhalten werden. Da außerdem die Spannung ν__ ohne Einfluß ist, selbst wenn sie Welligkeitsanteile aufweist, besteht keine Gefahr, daß der Störabstand einer Schaltungsanordnung, die diesen Konstantstromkreis verwendet, verschlechtert wird oder ihre Arbeitsweise ent-
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sprechend der Änderung der Versorgungsspannung V instabil wird. Wie außerdem aus Fig. 3 hervorgeht, ist der Kreis nur aus Transistoren aufgebaut und es ist daher leicht, diese auf der integrierten'Schaltkreisplatte zu bilden. '
Fig*. 4 zeigt ein Beispiel, bei dem der Koristantstromkreis gemäß der Erfindung auf einen Verstärker angewandt ist. Der in Fig. 4 durch eine gestrichelte Linie umgebene Teil wird auf einer integrierten Schaltkreisplatte gebildet. Mit 21 bis 24 sind Verstärkungstransistoren bezeichnet, die direkt gekoppelt sind. Ein Eingangssignal von einem Anschluß 18 wird über einen Anschluß 13 zu der Basis des Transistors 21 übertragen und aufeinanderfolgend von den Transistoren 21 bis 24 verstärkt. Das verstärkte Ausgangssignal wird von dem Emitter des Transistors 24 abgegeben und über einen Anschluß Γ4 zu einem Ausgangsanschluß 19 übertragen.
Bei diesem Beispiel wird der Konstantstromkreis der Fig. als die Kollektorlast des Transistors 23 und die Emitterlast des Transistors 24 verwendet. Dies bedeutet, daß der Kollektor des Transistors 23 an den Kollektor des Transistors 7 angeschlossen ist, während der Emitter des Transistors 24 an den Kollektor des Transistors 8 angeschlossen ist. An den Emitter des Transistors 21 ist durch Widerstände 27 und 28 und einen. Kondensator 29 von dem Anschluß 1.4 über den Anschluß 1.5 eine Rückkopplungsschleife gebildet.
Da die Kollektorlast des Transistors 23 der Transistor ist, d.h. die Konstantstromquelle, kann der Verstärker eine hohe Verstärkung erreichen. Wenn Widerstände als die Kollektorlast des Transistors 23 und die Emitterlast des Transistors 24 verwendet werden, und diese Widerstände auf einer integrierten Schaltkreisplatte gebildet
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werden, können ihre Widerstandswerte nicht groß gemacht werden und daher kann keine hohe Verstärkung erreichtwerden. Zugleich werden die Ströme, die durch diese Widerstände fließen, erhöht, so daß die zulässigen Kollektorverluste der Transistoren 2 3 und 24 erhöht werden müssen. Bei dem Kreis der Fig. 4 jedoch kann der Kollektorstrom des Transistors 23 und der Emitterstrom des Transistors 24 eine minimale Größe erhalten und daher können die zulässigen Kollektorverluste der Transistoren 23 und 24 klein gemacht werden. Zugleich können der unwirtschaftliche Stromverbrauch und die unwirtschaftliche Erhitzung beseitigt und, wie oben beschrieben wurde, eine hohe Verstärkung erreicht werden.
Da außerdem die Kollektorströme der Transistoren 7 und 8, wie oben erwähnt wurde, bei einer Änderung der Versorgungsspannung V konstant sind, kann dieser Verstärker selbst bei der Änderung der Versorgungsspannung Vr_ beständig eine hohe Verstärkung erreichen und sein Störabstand wird durch Welligkextsanteile nicht verschlechtert. Außerdem ist der Kreis nur mit Transistoren aufgebaut, und die Anzahl der externen Anschlüsse ist gering, so daß er leicht und mit geringen Kosten als integrierte Schaltkreisplatte ausgebildet werden kann.
Bei der zuvor erwähnten Ausführungsform sind die Basisdiffusionsbereiche der Transistoren 7 und 8 geeignet ausgewählt, um dadurch die bestimmten konstanten Ströme zu erhalten, die durch die Transistoren 7 und 8 fließen.
Fig. 5 zeigt eine weitere Ausführungsform, bei der die konstanten Ströme der Größe nach,durch Widerstände gewählt werden.
In Fig. 5 sind Emitterwiderstände 31, 41, 71 und 81 aufder Emitterseite der Transistoren 3, 4, 7 und 8 einge-
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schaltet. Zugleich ist anstelle der Transistoren 5 und 6 in Fig. 3 eine Reihenschaltung, bestehend aus zwei Dioden (oder zwei als Dioden geschalteten Transistoren) 51 und 52 bzw. 61 und 62 eingeschaltet.
Daher werden bei dem obigen Konstantstromkreis die Transistoren 7 und 8 als Konstantstromquellen verwendet und die Widerstandswerte der Widerstände 71 und 81 werden so geändert, daß jeder Konstantstrom eine bestimmte Größe hat.
Fig. 6 zeigt ein Diagramm, aus dem ein Beispiel der Versorgungsspannung/Äusgangsstrom-Kennlinien des üblichen > Konstantstromkreises der Fig. 1 und des Konstantstromkreises gemäß der Erfindung der Fig. 5 hervorgeht. Im Falle des üblichen Kreises wird der Ausgangsstrom I stark geändert, wenn sich die Versorgungs<-spannung V ändert. Im Falle des Kreises gemäß der Erfindung dagegen sind die Kollektorströme I„- und I_,o im wesentlichen konstant, selbst wenn sich die Versorgungsspannung V ändert, so daß die Kollektorströme Ip- und Ipg der Spannungsänderung entgegenwirken und auf den vorbestimmten Werten gehalten werden, selbst wenn die Versorgungsspannung V_c sehr niedrig wird. Der Konstantstromkreis gemäß der Erfindung zeigt eine extrem gute Konstantstromkennlinie bezüglich der Änderung und Verminderung der Versörgungssparinung V-,-.
Fig. 7 zeigt ein Beispiel eines Verstärkers unter Verwendung des Konstantstromkreises der Fig. 5. In der Figur bilden der Transistor 21 und der Transistor 25 einen Differentialeingang und der Transistor 7 wird als die Kollektorlast des Transistors 23 verwendet, während der Transistor 8 als die Emitterlast des Transistors 24 verwendet wird. Der Ausgangskreis kann gleich dem der Fig. 4 sein.
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Dieser Verstärker kann ebenfalls die gleiche Wirkung wie der Verstärker der Fig. 4 erzielen. Daher kann z.B. in diesem Verstärkerkreis eine reine Verstärkung (eine Verstärkung ohne Rückkopplung) von 76,5 dB konstant erzielt werden.
In den Fig. 3 und 5 sind außerdem die beiden Transistoren 7 und 8 vorgesehen, jedoch kann nur einer von ihnen verwendet werden oder es können nötigenfalls mehrere Transistoren (und Emitterwiderstände) in ähnlicher Weise parallel geschaltet werden, um mehrere Konstantstromquellen zu schaffen.
Fig. 8 zeigt eine Ausführungsform, bei der eine ungeerdete Konstantspannungsquelle durch Verwendung des Konstantstromkreises gemäß der Erfindung gebildet wird.
Wie Fig. 8 zeigt, sind die Kollektoren der Transistoren 7 und 8 mit den Ausgangsanschlüssen 15 und 16 verbunden. Eine Konstantspannungsdiode 9 ist zwischen die Anschlüsse 15 und 16 geschaltet und auch die Basisdiffusionsbereiche der Transistoren 7 und 8 sind in geeigneter Weise gewählt, um die jeweiligen Kollektorströme Ic_ und I „ einander gleich zu machen. Mit 10 ist eine Last bezeichnet, die zwischen die Anschlüsse 15 und 16 geschaltet ist.
Da bei einer solchen Anordnung der Strom I _ gleich dem Strom I„o ist, fließt der Kollektorstrom des Transistors 7 durch die Diode 9 und die Last 10 zu dem Kollektor des Transistors 8. Die Transistoren 7 und 8 arbeiten hierbei als die Konstantstromquelle und ihre Impedanzen können als unendlich angenommen werden, so daß dieser Spannungsquellenkreis dem in Fig. 9 gezeigten äquivalent ist. Hierbei wird über der Diode 9 eine konstante Spannung erhalten,
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so daß die Diode 9 einer Batterie 9E äquivalent wird, wie Fig. 10 zeigt. Daher wird die Last 10 über die Batterie 9E mit einer Spannung versorgt, sie kann jedoch nicht als geerdet angesehen werden, d.h. dieser Spannungsquellenkreis arbeitet als ungeerdeter Konstantspannungskreis.
Der Konstantetromkreis gemäß der Erfindung wird so verwendet, daß er die ungeerdete Konstantsparinungsquelle bildet, die nur von den Transistoren 3 bis 8 und der Diode 9 gebildet wird, wie Fig. 8 zeigt, undkann daher leicht auf einer,integrierten Schaltkreisplatte hergestellt werden. Da er ungeerdet ist, kann, wenn man annimmt, daß die Last 10 z.B. ein Widerstandswandler zur Erzielung einer negativen Impedanz ist, eine unabhängige Wicklung äquivalent erhalten werden, d.h. ein bestimmter Kreis mit einer Wicklung kann auf einer integrierten Schaltkreisplatte gebildet werden.
Fig. 11 zeigt ein weiteres Beispiel des ungeerdeten Konstantspannungskreises gemäß der Erfindung. In der Figur ist eine Reihenschaltung, bestehend aus zwei Dioden (oder zwei als Dioden geschalteten Transistoren) 51 und 52_ bzw. 61 und 62 anstelle eines jeden Transistors 5 und 6 in Fig. 8 vorgesehen. Außerdem sind die Emitterwiderstände 31, 41, 71 und 81 jeweils auf der Emitterseite der Transistoren 3, 4, 7 und 8 eingeschaltet. Die Widerstände 31 bis 81 sind in geeigneter Weise ausgewählt, um-die Ströme Ip_ und IrR einander gleich zu machen. Außerdem ist ein Transistor 20, der durch Widerstände 21 und 22 vorgespannt ist, zwischen die Anschlüsse 15 ,und 16 als Konstantspannungskreis geschaltet.
Bei den vorherigen Schaltungsanordnungen ist es außerdem möglich, mehrere Sätze der gleichen Transistoren und Konstantspannungskreise wie die Transistoren 7 und 8 und der Konstantspannungskreis bezüglich der Transistoren 3 und 4 vorzusehen, so daß mehrere Konstantspannungsausgänge erhalten werden können, die voneinander unabhängig sind.
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Claims (13)

Patentansprüche
1.JKonstantstromkreis, bestehend aus einer Spannungsquelle und einer ersten und einer zweiten Halbleitervorrichtung mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei die Basis der ersten Halbleitervorrichtung mit dem Kollektor der zweiten Halbleitervorrichtung und der Kollektor der ersten Halbleitervorrichtung mit der Basis der zweiten Halbleitervorrichtung verbunden ist und die Emitter der ersten und zweiten Halbleitervorrichtung zwischen die Spannungsquelle geschaltet sind, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zur Erzeugung einer Vorspannung an der Basis und dem Emitter der ersten und der zweiten Halbleitervorrichtung, bestehend aus einer dritten und einer vierten Halbleitervorrichtung, und durch eine fünfte Halbleitervorrichtung mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei die Basis und der Emitter der fünften Halbleitervorrichtung mit der Basis und dem Emitter wenigstens einer der ersten und zweiten Halbleitervorrichtung verbunden ist, so daß der Kollektorstrom der fünften Halbleitervorrichtung als Konstantstromquelle verwendbar ist.
2. Konstantstromkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede Halbleitervorrichtung aus einem Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor besteht, und daß die Basis und der Kollektor des dritten und vierten Transistors verbunden sind.
3. Konstantstromkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste, zweite und fünfte Halbleitervorrichtung aus einem Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor besteht, und daß die dritte und vierte Halbleitervorrichtung aus einer Diode besteht.
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4. Konstantstromkreis nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und fünfte Transistor von einem ersten Leitfähigkeitstyp und der zweite, dritte und vierte Transistor von einem zweiten Leitfähigkeitstyp sind.
5. Konstantstromkreis bestehend aus einer Spannungsquelle und einer ersten und zweiten Halbleitervorrichtung mit je einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei die Basis der ersten Halbleitervorrichtung mit dem Kollektor der zweiten Halbleitervorrichtung und der Kollektor der ersten Halbleitervorrichtung mit der Basis der zweiten Halbleitervorrichtung verbunden ist und die Emitter der ersten und zweiten Halbleitervorrichtung mit der Spannungsquelle verbunden sind, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zur Erzeugung, einer Vorspannung an der Basis und dem Emitter der ersten und der zweiten Halbleitervorrichtung, bestehend aus einer dritten und vierten Halbleitervorrichtung, durch eine fünfte Halbleitervorrichtung mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei die Basis und der Emitter der fünften Halbleitervorrichtung mit der Basis und dem Emitter der ersten Halbleitervorrichtung verbunden ist, und durch eine sechste Halbleitervorrichtung mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei die Basis und der Emitter der sechsten Halbleitervorrichtung mit der Basis und dem Emitter der zweiten Halbleitervorrichtung verbunden sind, so daß die Kollektorströme der fünften und sechsten Halbleitervorrichtungen als Konstantstromquelle verwendbar sind.
6. Konstantstromkreis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß jede Halbleitervorrichtung aus einem Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor
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besteht» und daß die Basis und der Kollektor des dritten und vierten-Transistors verbunden sind.
7. Konstantstromkreis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste, zweite, fünfte und sechste Halbleitervorrichtung aus einem Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor besteht, und daß die dritte und vierte Halbleitervorrichtung aus einer Diode besteht. .
8. Konstantstromkreis nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und fünfte Transistor von einem ersten Löitfähigkeitstyp und der zweite, dritte, vierte und sechste Transistor von einem zweiten Leitfähigkeitstyp sind.
9. Konstantstromkreis, bestehend aus einer Spannungsquelle und einem ersten und einem zweiten Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, wobei die Basis des zweiten Transistors mit dem Kollektor des ersten Transistors und der Kollektor des zweiten Transistors mit der Basis des ersten Transistors verbunden sind, einem ersten und einem zweiten Widerstand, die zwischen den Emitter des ersten Transistors und den einen Anschluß der Spannungsquelle und zwischen den Emitter des zweiten Transistors und den anderen Anschluß der Spannungsquelle geschaltet sind, gekennzeichnet durch eine erste und zweite Diode, die jeweils zwischen die Basis des ersten Transistors und den einen Anschluß der Spannungsquelle und zwischen die Basis des zweiten Transistors und den anderen Anschluß der Spannungsquelle geschaltet sind, und durch einen dritten Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, dessen Basis mit der Basis wenigstens eines Transistors des ersten und zweiten Transistors und dessen Emitter über einen dritten Widerstand mit wenigstens
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einem der Anschlüsse der Spannungsquelle verbunden ist.
10. Konstantstromkreis nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen ersten Verstärkungstransistor mit einer Eingangselektrode , die ein zu verstärkendes Signal erhält, und mit einer Ausgangselektrode, dessen Emitter geerdet ist, und einem zweiten Verstärkungstransxstor mit einer Eingangselektrode, die direkt mit der Ausgangselektrode des ersten Verstärkungstransistors verbunden ist, und mit einer Ausgangselektrode, dessen Kollektor geerdet ist, und dadurch, daß der Kollektor der fünften Halbleitervorrichtung mit der Ausgangselektrode wenigstens eines Transistors des ersten und zweiten Transistors verbunden ist.
11. Konstantstromkreis nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zur Erzeugung einer konstanten Spannung, die an ihrem einen Ende mit dem Kollektor des fünften Transistors und an ihrem anderen Ende mit dem Kollektor des sechsten Transistors verbunden ist, und eine Lasteinrichtung, die zwischen die gegenüberliegenden Enden dieser Einrichtung geschaltet ist, um eine konstante Spannung zu erzeugen, so daß über <äer .Einrichtung zur Erzeugung einer konstanten Spannung eine Spannung erzeugt wird, die von dem Einfluß der Änderung der Versorgungsspannung dadurch frei ist, daß die Kollektorströme des fünften und sechsten Transistors im wesentlichen gleich gemacht sind.
12. Konstantstromkreis nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zur Erzeugung einer konstanten Spannung aus einer Zenerdiode besteht.
13. Konstantstromkreis nach - Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung zur Erzeugung einer
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konstanten Spannung aus einem Transistor mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor und zwei Widerständen besteht/ von denen der eine zwischen die Basis und den Emitter des Transistors und der andere zwischen die Basis und den Kollektor des Transistors geschaltet ist.
DE2328402A 1972-06-06 1973-06-04 Konstantstromkreis Expired DE2328402C2 (de)

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JP5634972A JPS5436287B2 (de) 1972-06-06 1972-06-06

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