DE3107581A1 - Pegelschiebeschaltung - Google Patents
PegelschiebeschaltungInfo
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- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
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- H03F3/343—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only
Description
Efictelschiebeschaltunq
Diese Pegelschiebeschaltung soll dabei einen Schaltungsaufbau besitzen, bei dem ein Strom, welcher dem über den
Vorspannkreis zur Vorspannung der Signalquellenschaltung fließenden Strom gleich ist, der Ausgangsstufe der Signalerzeugungsschaltung
durch eine Stromspiegelschaltung zuführbar ist. Diese Schaltung soll dabei auch in der Lage
sein, das Ausgangssignal der Signalerzeugungsschaltung zweckmäßig zur nachgeschalteten Schaltung zu übertragen,
und zwar durch Bestimmung der durch die Stromspiegelschaltung zu leitenden Stromgröße.
Die genannte Aufgabe wird durch die in den beigefügten Patentansprüchen gekennzeichneten Merkmale gelöst.
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung
anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild einer Pegelschiebeschaltung (level shifting circuit) mit Merkmalen nach der
Erfindung,
Fig. 2 ein Schaltbild einer anderen Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 3 ein Schaltbild einer Anordnung, bei welcher die Ausführungsform nach Fig. 1 auf einen Schwingkreis
angewandt ist,
Fig. 4 ein Blockschaltbild zur Veranschaulichung der Arbeitsweise des Schwingkreises gemäß Fig. 3,
Fig. 5 ein Vektormodelldiagramm zur Veranschaulichung der Arbeitsweise des. Schwingkreises nach Fig. 3
und
Fig. 6 ein Schaltbild zur Verdeutlichung der Arbeitsweise der Pegelschiebeschaltung bei Anwendung auf einen
Schwingkreis.
Die Erfindung bezieht sich speziell auf eine Pegelschiebeschaltung
mit einem Schaltungsaufbau, bei dem der Vorspannkreis einer Signalerzeugungsschaltung zur Verschiebung
des Gleichspannungspegels des Ausgangssignals benutzt wird.
Wie eingangs bereits erläutert, muß. bei der übertragung
des Signals einer Signalerzeugungsschaltung zu einer nachgeschalteten Schaltung der Gleichspannungsausgangspegel
der Signalerzeugungsschaltung an einen vorbestimmten Arbeitspunkt der nachgeschalteten Schaltung angepaßt sein.
Dies bedeutet, daß für die Signalerzeugungsschaltung eine Pegelschiebeschaltung erforderlich ist, um den Gleichspannungspegel
des Ausgangssignals der Signalerzeugungsschaltung nach Maßgabe des Gleichspannungs-Arbeitspunkts
der nachgeschalteten Schaltung zu verschieben. Wenn diese Pegelverschiebung am Ausgangssignal der Signalerzeugungsschaltung
unter Senkung des Gleichspannungspegels erfolgt, wird auch die Signalkomponente gedämpft. Aus diesem
Grund wird eine Pegelschiebeschaltung angestrebt, mit welcher die ungünstige Beeinflussung des Ausgangssignals
durch die Gleichspannungspegel-Schiebeoperation vermieden wird.
Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß in der
Pegelschiebeschaltung ein Vorspannkreis der Signalerzeugungsschaltung verwendet wird.
Die in Fig. 1 dargestellte Ausführungsform der Erfindung
enthält eine durch eine Spannungsquelle E1 vorgespannte
Signalerzeugungsschaltung zur Lieferung von Signalen. Eine Spannungsquelle E2 liefert eine Spannung in Abhängigkeit
VOn1 der Vorspannungsquelle E1, und sie dient zur
Vorspannung eines der Vorspannkreisa B1 der Signalerzeugungsschaltung
10. Der Vorspannkreis B1 enthält einen Transistor Q11, dessen Basis durch die Spannungsquelle E2
vorgespannt ist, während sein Kollektor durch die Span-
nungsquelle E1 vorgespannt wird. Weiterhin sind Dioden
D1 bis Dn+1 sowie ein Widerstand R11 an die Emitterseite
des Transistors QI1 angeschlossen. Eine Verzweigung bzw. ein Knotenpunkt T1 zwischen dem Widerstand R11 und
der Diode Dn des Vorspannkreises B1 ist an eine Klemme T10 der Signalerzeugungsschaltung 10 derart angeschlossen,
daß letzterer eine Vorspannung geliefert wird. Die Signalerzeugungsschaltung 10 gibt an eine Klemme T20
ein Ausgangssignal mit einem Gleichspannungspegel E2 ab. Ein Knotenpunkt T2 zwischen der Diode Dn+1 und dem Widerstand
RI1 des Vorspannkreises B1 ist mit der Basis eines Transistors Q13 verbunden, der mit einem Transistor
Q12 in Reihe geschaltet ist, welcher seinerseits einen Ausgangskreis OUT10 als Ausgangsstufenschaltung für
die Signalerzeugungsschaltung 10 und somit eine Stromspiegelschaltung bildet. Eine Reihenschaltung aus Dioden
und einem Widerstand R12 ist zwischen den Emitter des Transistors Q12 und den Kollektor des Transistors
Q13 geschaltet. Die Widerstandswerte der Widerstände R11
und R12, die Zahl der Dioden im Vorspannkreis B1 sowie die Zahl der Dioden im Ausgangskreis-OUT10 sind so gewählt,
daß der Gleichspannungspegel über einen Verzweigungs- bzw. Knotenpunkt P10 zwischen dem Widerstand R12
und dem Kollektor des Transistors Q13 des Ausgangskreises OUT10 zu VF (Durchlaßspannung der Dioden) wird.
Es ist darauf hinzuweisen, daß der Vorspannkreis B1 und der Ausgangskreis OUT10 für die Signalerzeugungsschaltung
10 gemäß Fig. 1 eine Stromspiegelschaltung und gleichzeitig eine Pegelschiebeschaltung bilden. Mit
dieser Konstruktion kann der Gleichspannungspegel an der Ausgangsklemme P10 des Ausgangskreises auf noch
näher zu beschreibende Weise auf einer konstanten Spannung VF gehalten werden.
Im folgenden ist die Arbeitsweise der erfindungsgemäßen
Pegelschiebeschaltung nach Fig. 1 erläutert. Der Kollektorstrom IO des Transistors QII, dessen Basis durch die
Spannungsquelle E2 vorgespannt ist, läßt sich durch folgende Gleichung ausdrucken:
IO - E2 ~ (n +
Rll
Dabei sei vorausgesetzt, daß die Eigenschaften der in einer Zahl (n + 1) vorgesehenen Dioden im Vorspannkreis
B1 dieselben sind wie bei der durch Basis und Emitter des Transistors Q11 gebildeten Diode.
Die Klemmenspannung (VF + R11 · 10) an der Klemme T1
des Vorspannkreises T1, über den der durch Gleichung (1) ausgedrückte Strom IO fließt, wird als Vorspannung an
die Klemme T10 der Signalerzeugungsschaltung 10 angelegt.
Da die Diode Dn+1 des Vorspannkreises B1 und der Transistor
Q13 des Ausgangskreises OUT10 zur Bildung einer
Stromspiegelschaltung geschaltet sind, ist der Kollektorstrom des Transistors OJ 3 dem durch Gleichung (1)
ausgedrückten Strom gleich (vorausgesetzt, daß die Eigen schaften der Diode Dn+1 den Basis-Emitter-Eigenschaften
des Transistors Q13 gleich sind). Im Hinblick hierauf
läßt sich die durch die Dioden D1 bis Dm, den Widerstand R12 und den Transistor Q13 des Ausgangskreises
OUT10 bewirkte Pegelverschiebegröße &V1 durch folgende
Gleichung darstellen:
AV = mVf + Hl {E2 - (n + 2)VF} ... (2)
Wenn angenommen wird, daß der Gleichspannung E2 an der Ausgangsklemme T20 der Signalerzeugungsschaltung 10 ein
Wechselspannungssignal überlagert ist, läßt sich der
Gleichspannungspegel VP1O an der Klemme P1O des Ausgangsteils
des OUT10 unter Zugrundelegung der Gleichungen (1)
und (2) wie folgt ausdrücken:
VPlO = (E2 - VF) - AV
üf (n + 2)}vf '-'W
wenn RIl = R12, und Hi = n, so gilt:
VPlO - VF ... (4)
Hieraus folgt, daß der Gleichspannungspegel an der Klemme P10 des Ausgangskreises OUT10 auf VF gehalten werden
kann, wenn die Widerstandsgrößen der Widerstände R11 und
R12 jeweils einander gleich sind und die Zahl der zwischen
den Emitter des Transistors Q11 und den Widerstand R11 des Vorspannkreises B1 geschalteten Dioden der Zahl
der Dioden entspricht/ die zwischen den Emitter des Transistors Q12 und den Widerstand R12 des Ausgangskreises
OUT10 geschaltet sind. Der Gleichspannungspegel über die
Klemme P10 des Ausgangskreises OUT10 wird durch Schwankungen des Gleichspannungspegels an der Klemme T20 der
Signalerzeugungsschaltung 10 nicht beeinflußt. Infolgedessen kann ein Treibertransistor Q14 der nachgeschalteten
Schaltung in stabiler Weise angesteuert werden, ohne durch Schwankungen der Vorspannungs-Stromquelle der
Signalerzeugungsschaltung beeinflußt zu werden.
Die in Fig. 2 dargestellte abgewandelte Ausführungsform
der Erfindung besitzt im wesentlichen denselben Aufbau wie die Schaltung nach Fig. 1, weshalb den vorher beschriebenen
Teilen entsprechende Teile mit denselben Bezugsziffern wie vorher bezeichnet sind. Die Schaltung
gemäß Fig. 2 unterscheidet sich von derjenigen nach Fig. 1 dadurch, daß mehrere Dioden KD1 bis KDn2 zwischen
die Klemme T2 des Vorspannkreises B10 und Masse-
potential geschaltet sind, ein Widerstand R30 an die
Emitterseite des Transistors Q13 angeschlossen ist
und Dioden MD1 bis MDm-1 mit dem Treibertransistor Q14 der nachgeschalteten Schaltung verbunden sind. Während
bei der Schaltung nach Fig. 1 das Potential an der Klemme P10 gleich VF ist, ist bei der Schaltung gemäß
Fig. 2 der Gleichspannungspegel an der Klemme P10 auf eine von VF unterschiedliche Spannung eingestellt.
Nachstehend ist die Arbeitsweise der Schaltung gemäß Fig. 2 erläutert. Die Spannung an der Klemme T2 des
Vorspannkreises B10, d. h. die Basisspannung V1 des Transistors Q13 im Ausgangskreis OUT20, läßt sich durch
folgende Gleichung ausdrücken:
Vl = E2 + {n2 - (nl + n2 + I))VF
...(5)
Darin bedeuten:
n1 = Zahl der zwischen Emitter des Transistors Q11 und
den Widerstand R11 geschalteten Dioden und
n2 = Zahl der zwischen die Klemme T2 und Massepotential geschalteten Dioden.
Die Spannung an der Klemme T1 des Vorspannkreises B10 wird als Vorspannung an die Klemme T10 der Signalerzeugungsschaltung
10 angelegt. Unter Berücksichtigung der Tatsache, daß das Wechselspannungssignal dem Gleichspannung
spegel E2 an der Klemme T20 der Signalerzeugungsschaltung 10 überlagert ist, läßt sich die Spannung V2
über den Kollektor des Transistors Q13 im Ausgangskreis
OÜT20, d. h. der Gleichspannungspegel an der Klemme P10,
durch folgende Gleichung «-'(β) ausdrücken:
- 14- - -■
V2 = Ε2 - (n3 +I)VF- (Vl- VF)
R40 R30
E2 -
Wenn die Widerstände R11, R20 und R30 Widerstandsgrößen
besitzen, welche der folgenden Gleichung (7) genügen, beeinflußt die Gleichspannungspegeländerung an der Klemme
T20 der Signalerzeugungsschaltung 10 in keiner Weise
den Gleichspannungspegel an der Klemme P10 des Ausgangskreises OUT20.
R20 R2° =1 ... (7)
RIl + R20 R30
Wenn Gleichung (7) erfüllt ist, läßt sich Gleichung (6) wie folgt umschreiben:
V2 =
VF ... (8)
Der Gleichspannungspegel an der Klemme P10 des Ausgangskreises OUT2 0 läßt sich durch Gleichung (8) ausdrücken.
Die für den Betrieb der Treiberschaltung der nächsten Stufe erforderliche Spannung bestimmt sich durch verschiedene
Faktoren, wie Spannungsverhältnis der Widerstände
R40 und R30, Zahl n1 der zwischen Emitter des Transistors Q11 und Klemme T2 zu schaltenden Dioden, Zahl
n2 der zwischen die Klemme T2 und Massepotential zu schaltenden Dioden sowie Zahl n3 der zwischen Emitter
des Transistors QI2 und Klemme P10 zu schaltenden Dioden.
Hierbei ist es erforderlich, die Widerstandsverhältnisse R40/R30 sowie n1, n2 und n3 (sämtlich nach Gleichung (8))
so zu wählen, daß Gleichung (7) erfüllt ist.
Bei der Schaltung gemäß Fig. 2 reicht es aus, den Gleichspannungspegel
an der Klemme P10 mit mVF zu wählen, um die Signalerzeugungsschaltung 10 und den Transistor Q14
der nachgeschalteten Schaltung anzusteuern. Wenn nämlich R40/R30 sowie n1, n2 und n3 nach Gleichung (8) solche
Größen besitzen, daß Gleichung (7) erfüllt ist und ein Gleichspannungspegel entsprechend mVF an der Klemme P10
anliegt, beträgt der Gleichspannungspegel des Ausgangskreises OUT20 mVF, unabhängig davon, welche Änderung der
Gleichspannungspegel an der Klemme T20 der Signalerzeugungsschaltung 10 erfährt.
Beispiele für Konstanten, welche den Bedingungen nach Gleichungen (7) und (8) für die Schaltung gemäß Fig. 2
genügen, sind nachstehend angegeben:
(i) wenn m = 2, so gilt:
RIl = 1 kn, R20 = 1 kS2, R30 = 1 kü, R40 = 2 kü,
V2 = 2VF, sofern nl = O, n2 = 4, und n3 = 0
(ii) wenn m = 3, so gilt:
RIl = 1 kü, R20 = 1 kfl, R30 = 1 kß, R40 = 2 kB,
V2 = 3VF, sofern nl = 1, n2 = 6, und n3 = O
Fig. 3 ist ein Schaltbild einer Anordnung, bei welcher die erfindungsgemäße Pegelschiebeschaltung auf einen
Schwingkreis angewandt ist. In diesem Schaltbild ist die Signalerzeugungsschaltung 10 gemäß Fig. 1 durch
einen Schwingkreis ersetzt.
Gemäß Fig. 3 ist der Kollektor eines Transistors Q21
mit einer Spannungsquelle E10 verbunden, während seine
Basis über einen Widerstand R21 an die Spannungsquelle E1O
angeschlossen ist. Der Emitter des Transistors Q21 liegt über eine Reihenschaltung aus einem Widerstand R22 und
einer Diode D21 an Massepotential sowie an der Basis eines Transistors Q22. Der Schaltkreis aus dem Transistor Q21,
den Widerständen R21 und R22 sowie der Diode D21 stellt einen Vorspannkreis B20 zur Vorspannung der Basis des
Transistors Q22 dar.
Ein durch eine gestrichelte Linie in Fig. 3 umrissener Schwingkreis 20 entspricht der Signalerzeugungsschaltung
10 nach Fig. 1. Dieser Schwingkreis 20 enthält einen Differentialverstärker mit Transistoren Q22 bis Q27, Widerständen
R23 und R24 und einer Konstantstromquelle 10, einen Resonanzkreis aus einem an den gemeinsamen Anschlußpunkt
der Kol-lektoren der Transistoren Q22 und Q24
angeschlossenen Kondensator sowie einer Spule L21, eine Phasenschiebeschaltung aus einem Kondensator C22 und einem
Widerstand R25, einer. Transistor Q28, dessen Basis mit
dieser Phasenschiebeschaltung verbunden ist, während sein Emitter über einen Widerstand R27 und eine Diode D22 mit
Massepotential sowie mit den Basiselektroden der Transistoren Q23 und Q24 verbunden ist, und einen zwischen die
Kollektoren der Transistoren Q22, Q24 und die Klemme T20
geschalteten Widerstand R26. Eine Steuerspannung zur Steuerung oder Einstellung der Schwingungsfrequenz wird
zwischen die Basiselektroden der Transistoren Q26 und Q27 angelegt.
Ein Ausgangskreis OUT30 umfaßt einen Transistor Q29, dessen
Basis mit der Klemme T20 verbunden ist, einen Transistor Q30, der mit der Diode D21 des Vorspannkreises
B20 eine Stromspiegelkonfiguration bildet, sowie einen zwischen den Kollektor des Transistors Q30 und den Emitter
des Transistors Q29 geschalteten Widerstand R28. Ein Transistor Q31 stellt den Treibertransistor der nachgeschalteten
Stufe oder Schaltung dar.
Ein Äquivalentschaltbild für den Schwingkreis 20 mit der beschriebenen Konfiguration ist in Fig. 4 dargestellt.
Die Anordnung nach Fig. 4 enthält Gegenwirkleitwert-Verstärker Al und A2 in Form von Differentialverstärkern
mit Gegenwirkleitwerten gm1 bzw. gm2. Die Gegenwirkleitwerte gm1 und gm2 werden durch die an die Basiselektroden
der Transistoren Q26 und Q27 (Fig. 3) angelegte Steuerspannung differentiell gesteuert bzw. eingestellt.
Der Resonanzkreis (C21, L21) und die Phasenschiebeschaltung (C22, R25) gemäß Fig. 3 sind in diesem
Äquivalentschaltbild mit den Gegenwirkleitwert-Verstärkern A1 und A2 auf die in Fig. 4 dargestellte Weise verbunden.
Gemäß Fig. 4 sind die Werte oder Größen der jeweiligen
Elemente der Phasenschiebeschaltung (C22, R25) so festgelegt, daß die Bedingung
ω0Ο22 = 1/R25
erfüllt ist, in welcher U1O die Resonanzfrequenz des Resonanzkreises
bedeutet. Der Spannungsvektor und der Stromvektor über die Ausgangsklemme des Resonanzkreises sind
als VO bzw. IO angegeben, während der Spannungsvektor über den Widerstand R25 mit V8I und der Spannungsvektor
über den Kondensator C22 mit V2 dargestellt sind. Diese Spannungsvektoren VI und V2 werden an die Gegenwirkleitwert-Verstärker
A1 bzw. A2 rückgekoppelt, um die Größen der Gegenwirkleitwerte gm1 bzw. gm2 zu steuern. Die Gegenwirkleitwerte
gm1 und gm2 werden durch die beschriebene Steuerspannung VC gesteuert bzw. eingestellt. Bei Schwingung
mit der zentralen bzw. mittleren Winkelfrequenz ^cO
ist gemäß Fig. 5 der Vektor VI gegenüber dem Bezugsvektor VO um ίΓ/4 vorverlegt, und der Vektor V2 ist gegenüber dem
Bezugsvektor VO um T/A außer Phase. Diese Spannungsvekto-
ren V1 und V2 werden zu den genannten Verstärkern A1 und A2 rückgekoppelt, um in Stromvektoren 11 bzw. 12 gemäß
Fig. 5(a) umgewandelt zu werden. Wenn die Steuerspannung
VC zu diesem Zeitpunkt 0 beträgt, sind die Absolutgrößen dieser Vektoren 11 und 12 einander gleich, so daß
die Schwingung bei der Mittelpunktswinkelfrequenz Ci 0
erfolgt. Wenn die Steuerung oder Einstellung so durchgeführt wird, daß VC > O und gm1
> gm2 gilt, ist die Schwingung kapazitiv (Fig. 5(b)). Im Fall einer Steuerspannung
VC < O und gm1 < gm2 sind die Bedingungen für die induktive Schwingung erfüllt (vgl. Fig. 5(c)). Die
Schwingfrequenz kann somit durch Änderung der Steuerspannung variiert werden.
Das Ausgangssignal der Schwingschaltung 20 erfährt eine Pegelverschiebung durch den Ausgangskreis OUT30 über den
Widerstand R26. Diese Operation ist im folgenden im einzelnen erläutert.
Wie erwähnt, bilden die Diode D21 des Vorspannkreises B20 sowie der Transistor Q30 des Ausgangskreises OUT30
eine Stromspiegelschaltung. Der über den Vorspannkreis B20 fließende Strom 110 und der Kollektorstrom des Transistors
Q30 sind jeweils gleich groß. Da der Strom über den Widerstand R21 äußerst klein ist, wenn die Basisspannung
des Transistors Q21 etwa der Spannung der Spannungsquelle E10 gleich ist, läßt sich der über den
Vorspannkreis fließende Strom 110 durch folgende Gleichung ausdrucken:
Tin ElO - 2VF
110 = R22
-dO)
Die zur Ableitung von Gleichung (10) benutzte Annäherung entspricht der Näherung E1 = E2 gemäß Fig. 2. Die Spannung
(E20 - VF) über die Klemme T10, an welche der Widerstand R22 angeschlossen ist, über den der durch Gleichung
(10) dargestellte Strom HO fließt, wird als Spannung
zum Vorspannen des Transistors Q22 des Schwingkreises 20 benutzt.
Wie erwähnt, läßt sich der Kollektorstrom des Transistors Q30 des Ausgangskreises OUT30 durch obige Gleichung
(10) darstellen, während sich die Kollektorspannung V3 des Transistors Q30 durch die nachstehende Gleichung
(11) ausdrücken läßt. Es läßt sich näherungsweise feststellen, daß die Spannung E10 an der Basis des Transistors
Q29 anliegt, sofern der Spannungsabfall über den Widerstand R26 vernachlässigt wird. Die Spannung V3 an
der Klemme P10 kann somit durch folgende Gleichung ausgedrückt
werden:
V3 = ElO - VF - (ElO - 2VF) x
- Il - Hf)B1O - ,1 - 2S|,W ....MD
Wenn die Größen der Widerstände R22 und R28 so gewählt
sind, daß sie der Bedingung R22 = R28 ... (11) gemäß Gleichung (11) genügen, kann der Gleichspannungspegel
über den Ausgangskreis OUT30 unabhängig von Schwankungen des Gleichspannungspegels über die Basis des Transistors
Q29 auf der konstanten Spannung VF gehalten werden. Der Treibertransistor Q31 der nachgeschalteten
Schaltung kann somit in stabiler Weise angesteuert werden.
Wie erwähnt, besteht eines der Merkmale der erfindungsgemäßen
Pegelschiebeschaltung darin, daß der Vorspannkreis auch als Pegelschiebekreis bzw. -schaltung dient.
Zur Vereinfachung der Darstellung ist die Arbeitsweise bei der Pegelverschiebung allein in Fig. 6 veranschaulicht.
Gemäß Fig. 6 wird der Ausgangskreis OUT30 durch die Span
nungsquelle E10 vorgespannt, und das Ausgangssignal des Schwingkreises 20 wird dem Gleichspannungspegel von E20
überlagert. Da E10 angenähert durch den Gleichspannungspegel an der Klemme T1Ü erhalten wird, welche bei der
Ableitung von Gleichung (11) die Basis des Transistors
Q29 darstellt, genügt der Gleichspannungspegel E20 der Beziehung E10 =, £20. Wie bereits erwähnt, wird gemäß
Fig. 6 der Gleichspannungspegel der Klemme PIO auf den
konstanten Gleichspannungspegel VF verschoben. Aus Fig. geht somit hervor, daß die erfindungsgemäße Pegelschiebeschaltung
eine Verschiebung des Gleichspannungspegels auf einen vorbestimmten Gleichspannungspegel durchzuführen
vermag, welcher dem Treiberkreis der nachgeschalteten Schaltung angepaßt ist, auch wenn vor der Pegelverschiebung
SpannungsSchwankungen im Gleichspannungspegel von E10 vorhanden sind.
Claims (11)
- Patentansprüche( 1J Pegelschiebeschaltung, gekennzeichnet durch eine Signalverarbeitungsschaltung, die als Ausgangssignal ein Signal für eine Gleichspannungspegelverschiebung liefert, durch einen Vorspannkreis zum Vorspannen eines vorbestimmten aktiven Elements in der Signalverarbeitungsschaltung mittels einer vorbestimmten Spannung, durch eine Stromerzeugungsschaltung zur Lieferung eines Stroms entsprechend der Größe des über den Vorspannkreis fließenden Stroms, durch einen Ausgangskreis, um den Gleichspannungspegel des Ausgangssignals der Signalverarbeitungsschaltung unter Heranziehung des von der Stromerzeugungsschaltung gelieferten Stroms auf einen vorbestimmten Pegel einzustellen, und durch eine Ausgangsklemme zur Abgabe eines Signals, dessen Gleichspannungs-- 2 pegel im Ausgangskreis verschoben worden ist.
- 2. Schaltung nach Anspruch 1/ dadurch gekennzeichnet, daß der Gleichspannungspegel des Ausgangssignals der Strombzw. Signalerzeugungsschaltung in Abhängigkeit vom Pegel des durch den Ausgangskreis fließenden Stroms durch die Stromerzeugungsschaltung sowie in Abhängigkeit von der Zahl von Dioden und vom Widerstandswert des Widerstands, welche den Ausgangskreis bilden, verschiebbar ist.
- 3. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromerzeugungsschaltung zur Lieferung eines Stroms entsprechend dem Strompegel über den Vorspannkreis eine Stromspiegelschaltung mit einem Transistor aufweist, dessen Kollektor mit der Ausgangsklemme und dessen Emitter mit einer Bezugspotentialklemme verbunden sind und welcher den Ausgangskreis darstellt, und daß eine der Dioden zwischen die Basis des Transistors und die Bezugspotentialklemme geschaltet ist und den Vorspannkreis bildet.
- 4. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Vorspannkreis einen an seiner Basis mit einer vorbestimmten Spannung vorgespannten Transistor, eine Diode und einen Widerstand aufweist, der an die Anode der Diode in der Stromerzeugungsschaltung angeschlossen ist, um den Vorspannungsstrom zu bestimmen, daß der Ausgangskreis einen Transistor, an dessen Basis das Ausgangssignal der Signalverarbeitungsschaltung anliegt, sowie eine Reihenschaltung aus einer Diode und einem Widerstand aufweist, die zwischen den Emitter des Transistors und den Kollektor eines Transistors geschaltet ist, dessen Basis durch eine Vorspanndiode in der Stromerzeugungsschaltung gespeist wird, und daß die Zahl der Dioden sowie der Widerstandswert (des Widerstands) des Vorspannkreises der Zahl der Dioden bzw. dem Widerstands-- 3 wert des Ausgangskreises entsprechen.
- 5. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Vorspannkreis eine Reihenschaltung aus einem Transistor, dessen Basis mit einer vorbestimmten Spannung beaufschlagbar ist, einer Reihenschaltung von n1 Dioden die mit dem Emitterkreis des Transistors und einem ersten Widerstand verbunden sind, n2 Dioden und einem zweiten Widerstand aufweist, welche die Stromerzeugungsschaltung bilden, daß der Ausgangskreis einen Transistor, welcher die Stromerzeugungsschaltung darstellt und dessen Basis durch die Klemmenspannung über eine Reihenschaltung aus den n2 Dioden und dem Widerstand, welche den Vorspannkreis bilden, vorgespannt ist, einen zwischen den Emitter des Transistors und eine Bezugspotentialklemme geschalteten dritten Widerstand, einen Transistor, an dessen Basis das Ausgangssignal der Signalerzeugungsschaltung anliegt, und eine Reihenschaltung aus n3 Dioden und einem vierten Widerstand umfaßt, die zwischen den Emitter des Transistors und den Kollektor eines die Stromerzeugungsschaltung bildenden Transistors geschaltet sind, und daß die Widerstandswerte des ersten Widerstands (R^)» des zweiten Widerstands (R ), des dritten Widerstands (R^n) ■ 20 iüsowie des vierten Widerstands (R40) s° eingestellt sind, daß sie folgender Beziehung genügen:R20 R40 = χR20 R30
- 6. Pegelschiebeschaltung, insbesondere nach einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine SignalVerarbeitungsschaltung, die als Ausgangssignal ein Signal für die Gleichspannungspegelverschiebung liefert, durch einen Transistor, dessen Basis durch eine Spannung eines Pegels vorgespannt ist, welcher im wesentlichen dem Gleichspannungspegel an der Ausgangs-klemme der Signalverarbeitungsschaltung entspricht, durch einen an den Emitter des Transistors angeschlossenen ersten Impedan2kreis, durch eine zwischen den ersten Impedanzkreis und eine Bezugspotentialklemme geschaltete Diode, durch einen Transistor, dessen Basis das Signal von der Ausgangsklemme der Signalverarbeitungsschaltung aufprägbar ist, durch einen in den Emitterkreis des Transistors eingeschalteten zweiten Impedanzkreis, durch einen Transistor, dessen Kollektor mit dem zweiten Impedanzkreis verbunden ist, dessen Emitter an die Bezugspotentialklemme angeschlossen ist und dessen Basis mit der Durchlaßspannung über die Diode speisbar ist, und durch eine an den Kollektor des Transistors angeschlossene Ausgangsklemme, an welcher ein durch die Gleichspännungspegelverschiebung des Ausgangssignals der Signalverarbeitungsschaltung erhaltenes Signal abnehmbar ist.
- 7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanz des ersten Impedanzkreises derjenigen des zweiten Impedanzkreises gleich ist.
- 8. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Impedanzkreis n1 Dioden sowie einen ersten Widerstand aufweist, daß der zweite Impedanzkreis n2 Dioden und einen zweiten Widerstand aufweist, daß der Widerstandswert des ersten Widerstands demjenigen des zweiten Widerstands gleich ist und daß die Zahl der Dioden n1 der Diodenzahl n2 gleich ist.
- 9. Pegelschiebeschaltung, insbesondere nach einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Signalverarbeitungsschaltung zur Lieferung eines Ausgangssignals für die Gleichspannungspegelverschiebung, durch einen ersten Transistor, dessen Basis durch eine Spannung vorgespannt ist, welche im wesentlichen dem Gleichspannungspegel an der Ausgangsklemrae der Signalverarbeitungsschaltung entspricht, durch einezwischen den Emitter des ersten Transistors und eine Bezugspotentialklemme eingeschaltete Reihenschaltung aus ersten und zweiten Impedanzkreisen, durch einen an den Emitter des Transistors angeschlossenen dritten Impedanzkreis, durch einen dritten (bzw. zweiten) Transistor, dessen Kollektor mit dem dritten Impedanzkreis verbunden ist, dessen Basis mit der Klemmenspannung über den zweiten Impedanzkreis speisbar ist und dessen Emitter über einen vierten Impedanzkreis an die Bezugspotentialklemme angeschlossen ist, und durch eine an den Kollektor des dritten Transistors angeschlossene Ausgangsklemme, an der ein durch Gleichspannungspegelverschiebung des Ausgangssignals der Signalverarbeitungsschaltung erhaltenes Signal abnehmbar ist.
- 10. Schaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Impedanzkreis n1 Dioden und einen ersten Widerstand umfaßt, daß der zweite Impedanzkreis n2 Dioden und einen zweiten Widerstand aufweist, daß der dritte Impedanzkreis n3 Dioden und einen dritten Widerstand enthält, daß der vierte Impedanzkreis einen vierten Widerstand aufweist und daß die Widerstandswerte (R11* R„o, R--, R40) von erstem, zweitem, drittem bzw. viertem Widerstand so eingestellt sind, daß sie folgender Beziehung genügen:R20 _ R40 = 1R20 R30
- 11. Pegelschiebeschaltung, insbesondere nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch einen Vorspannkreis mit einem ersten Impedanzkreis, der mit einer eine Stromspiegelschaltung bildenden Diode in Reihe geschaltet ist, durch eine Signalerzeugungsschaltungmit einem durch den Vorspannkreis vorgespannten aktiven Element zur Erzeugung eines Ausgangssignals eines vorbestimmten Gleichspannungspegels an der Ausgangsklemme, durch einen Ausgangskreis mit einem ersten Transistor, an dessen Basis das Ausgangssignal der Signaler ζ eugungs schaltung anliegt, einem an den Emitter des Transistors angeschlossenen ersten Impedanzkreis und einem zweiten Transistor, dessen Kollektor-Emitter-Strecke zwischen den ersten Impedanzkreis und die Bezugspotentialklemme geschaltet ist und der zusammen mit der Diode eine Stromspiegelschaltung bildet, und durch eine an den Kollektor des zweiten Transistors angeschlossene Ausgangsklemme, an welcher das durch Gleichspannungspegelverschiebung des Ausgangssignals dor Signalerzeugungsschaltung erhaltene Signal abnehmbar ist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8106347A GB2094084B (en) | 1981-02-27 | 1981-02-27 | Level shifting circuit |
DE19813107581 DE3107581A1 (de) | 1981-02-27 | 1981-02-27 | Pegelschiebeschaltung |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8106347A GB2094084B (en) | 1981-02-27 | 1981-02-27 | Level shifting circuit |
DE19813107581 DE3107581A1 (de) | 1981-02-27 | 1981-02-27 | Pegelschiebeschaltung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3107581A1 true DE3107581A1 (de) | 1982-09-16 |
DE3107581C2 DE3107581C2 (de) | 1988-02-18 |
Family
ID=25791467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19813107581 Granted DE3107581A1 (de) | 1981-02-27 | 1981-02-27 | Pegelschiebeschaltung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3107581A1 (de) |
GB (1) | GB2094084B (de) |
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- 1981-02-27 DE DE19813107581 patent/DE3107581A1/de active Granted
- 1981-02-27 GB GB8106347A patent/GB2094084B/en not_active Expired
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Also Published As
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GB2094084A (en) | 1982-09-08 |
DE3107581C2 (de) | 1988-02-18 |
GB2094084B (en) | 1985-02-27 |
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