DE2207233B2 - Elektronischer Signal verstärker - Google Patents

Elektronischer Signal verstärker

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Description

Die Erfindung betrifft einen elektronischen Signalverstärker mit einem ersten. Transistor, der als Emitterfolger geschaltet ist, und von dessen Kollektorkreis ein mindestens einen Stromverstärker enthaltender Gegenkopplungszweig auf seinen Eingangskreis zurückgeführt ist. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf einen linearen Spannungsfolger, der sich auf Grund seiner konstruktiven fvL-i'kmale besonders gut für Ausbildung in integrierter Schaltung eignet.
Beim Entwurf elektrischer Schaltungen sind häufig Maßnahmen notwendig, um Signale aus einer verhältnismäßig hochohmigen Quelle auf eine verhältnismäßig niederohmige Last zu koppeln. In solchen Fällen kann man für die gewünschte Widerstands anpassung Schaltungsanordnungen wie einen Emitterfolger verwenden. Emitterfolger oder ähnliche Schaltungen zeichnen sich dadurch aus, daß sie bei einer Spannimgsverstärkung von nahezu 1 eine beträcht-
liehe Strom- oder Leistungsverstärkung aufweisen. Wenn man eine im wesentlichen konstante Stromverstärkung für schwache Eingangssignale wünscht, deren Pegel in der Nähe des Schwellwerts für die Basis-Emitter-Dui-chlaßspannung {Übe) ^ts Transistors liegt, dann ist ein Emitterfolger häufig ungeeignet utd man muß zu einem Emitterfolger mit einer zusätzlichen Rückkopplung greifen. Eine derartige Schaltung ist in der USA.-Patentschrift 3 310 731 beschrieben. Sie enthält beispielsweise einen Wider-
ao stand und die Kollektor-Emitter-Strecken zweier Transistoren, die in dieser Reihenfolge zwischen die Klemmen einer Betriebsspannungsquelle geschaltet sind. Die Eingangssignale werden der Basis des ersten Transistors zugeführt, und die Ausgangssignale werden am Verbindungspunkt zwischen dem Emitter des ersten und dem Kollektor des zweiten Transistors abgenommen. Zwischen dem Kollektor des ersten und der Basis des zweiten Transistors ist eine Gleichstromkopplung vorgesehen, die durch eine pegel-
verschiebende Schaltung, wie sie beispielsweise eine Lawinendiode und ein Widerstand darstellt, realisiert ist. Bei dieser Schaltungsanordnung ergibt sich eine besonders gute lineare Beziehung 2T.wischen den Eingangs- und Ausgangsspannungen über einen weiten
Bereich von Signalpegeln. Derartige Schaltungen sind für integrierte Schaltungen gut geeignet. Es ist jedoch in der Technik integrierter Schaltungen wünschenswert, die Anzahl von verhältnismäßig großen (und daher Platz verschwendenden) "widerständen möcliehst klein zu halten und so wenig getrennte Kollektorzonen wie möglich vorzusehen (ebenfalls ..n Platz auf dem integrierten Schaltungsplättchen zu sparen).
Eine derartige Schaltung ist ferner aus der deutsehen Offenlegungsschrift 1 902 724 bekannt, welche einen Emitterfolger mit komplementären Transistoren in integrierter Bauweise beschreibt, bei dem nicht nui der Strom im Ausgangstransistor konstant gehalten wird, sondern bei dem auch die den Schwellwert darstellende Emitter-Basis-Spannung kompensiert wird Der maximale Ausgangsspannungshub wird bei dieser bekannten Schaltung auf die Differenz der Betriebsspannung und des Spannungsabfalls an einem ir der Kollektorleitung des Emitterfolgers vorgesehener Widerstand begrenzt (an dem das zurückgekoppelte Signal abgenommen wird). Im Hinblick auf die vor integrierten Schaltungen verarbeitbaren relativ niedrl· gen Signalpegel ist dieser Gleichspannungsabfall jedoch keineswegs vernachlässigbar.
Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Ver größerung des Ausgangsspannungshubes einer rück gekoppelten Emitterfolgerschaltung bei gleicher Be triebsspannung. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäi durch die im Anspruch 1 angeführten Merkmali gelöst.
Durch die erfindunsgemäßen Maßnahmen wird eh Widerstand in der Kollektorleitung des Emitterfolger transistors vermieden, so daß der Emitterfolger prak
lisch bis zur vollen Betriebsspannung ausgesteuert werden kann und somit einen größeren Ausgangsspannungshub als die bekannten Schaltungen zu liefern im Stande sind.
Die Reihenschaltung der beiden Stromverstärker mit dem Emitterverstärker kann in beliebiger Reihenfolge vorgesehen sein, ohne daß dadurch die Vorteile der Erfindung in Frage gestellt wären. Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Zur Erläuterung des Schaltuugsaufbaus und der Arbeitsweise der Erfindung werden nachstehend zwei Ausführungsbeispiele an Hand von Zeichnungen beschrieben.
Fig. 1 zeigt das Schaltbild eines erfindungsgemäßen Verstärkers, der zur Herstellung in integrierter Form geeignet ist;
F i g. 2 ist das Schaltbild einer anderen, ebenfalls als integrierte Schaltung herstellbaren Ausführungsform der Erfindung;
F i g. 3 stellt das Schaltbild einer abgewandelten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltung mit einer anderen Reihenfolge der Elemente des Gegenkopplungszweiges und mit geänderten Leitungstypverhältnissen der Transistoren dar.
Der in F i g. 1 dargestellte Verstärker Hefen Ausgangssignale, die linear von seinen Eingangssignalen abhängen. Der dargestellte Verstärker läßt sich besonders gut als integrierte Schaltung auf dem gestrichelt angedeuteten Schaltungsplättchen 10 ausführen. Am Schaltungsplättchen 10 befindet sich eine Eingangsklemme T1 und eine Ausgangsklemme T., zum Anschluß einer (nicht gezeigten) Signalquelle und einer Last, die hier zum Zwecke der Illustration als äußerer Widerstand 12 gezeichnet ist. Die Signalquelle und oder die Last 12 kann sich in bestimmten Fällen auch innerhalb der Grenzen des Schaltungsplättchens 10 befinden. Das Plättchen 10 enthält ferner eine Klemme 7"3 zum Anlegen eines Betriebspotentials B 4^ und eine Klemme T4 für ein Bezugs- potential (Masse).
Die Eingangssignale werden über die Klemme T1 auf die Basis eines Emitterfolgertransistors 14 gekoppelt, dessen Emitter über die Ausgangsklemme T2 direkt mit der Last 12 verbunden ist. Parallel zum Widerstand 12 (d. h zwischen den Klemmen T2 und T4) liegt die Kollektor-Emitter-Strecke eines als variabler Lastregkr oder Parallelregler wirkenden Transistors 16, der vom gleichen Leitungstyp wie der Transistor 14 ist und eine Emitterschaltung bildet.
Zwischen dem Kollektor des Emitterfolgertransistors 14 und der Basis des zweiten Transistors 16 ist eine Rückkopplung vorgesehen, die durch die beiden Stromverstärker 18 und 20 gebildet wird. Jeder der Stromverstärker 18 und 20 besteht aus einer Kombination von Halbleiterbauelementen, deren Kennlinien so einander angepaßt sind, daß zwischen dem Eingang und dem Ausgang jeweils eines Stromverstärkers eine praktisch konstante Stromverstärkung auftritt. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel, wo die Transistoren 14 und 16 npn-Transistoren sind, besteht der Stromverstärker 18 aus einem als Diode geschalteten pnp-Transistor 22, dessen Basis direkt mit seinem Kollektor und dem Kollektor des Transistors 14 verbunden ist und dessen Emitter direkt an der Klemme T3 für das Betriebspotential liegt. Der Stromverstärker 18 enthält ferner einen pnp-Ausgangstransistor 24 in Emitterschaltung. Die Basiselektrode und die Emitterelektrode des Transistors 24 sind mit den entsprechenden Elektroden des als Diode geschalteten Transistors 22 jeweils direkt verbunden, während der Kollektor des Transistors 24 den Ausgangsstrom liefert. Die Transistoren 22 und 24 haben einander proportionale Durchlaßkennlinien und sind auf dem Plättchen 10 thermisch nahe beieinander angeordnet. Im Falle einer völlig gleichen Geometrie der Transistoren 22 und 24 liefert der Stromverstärker 18 am Kollektor des Transistors 24 einen Strom, der im wesentlichen gleich dem Kollektorstrom des Emitterfolgertransistors 14 ist (d. h. der Stromverstärker 18 hat eine Stromverstärkung von im wesentlichen 1).
Der Stromverstärker 20 enthält ebenso wie der Stromverstärker 18 einen als Diode geschalteten Transistor 26 und einen als Verstärker in Emitterschaltung betriebenen Transistor 28, wobei die Basis-Emitter-Übergänge dieser beiden Transistoren parallel geschaltet sind. Die Transistoren 26 und 28 sind jedoch npn-Transistoren. Die Basiselektroden der Transistoren 26 und 28 sind mit dem Kollektor des Transistors 26 und mit dem Kollektor des Transistors 24 verbunden. Die zusammengeschalteten Emitter der Transistoren 26 und 28 liegen an der Klemme T4 für das Bezugspotential. Der Kollektor des in Emitterschaltung befindlichen Transistors 28 ist mit der Basis des Transistors 16 und außerdem über einen Widerstand 30 mit der Versorgungsklemme T3 verbunden.
Die Transistoren 26 und 28 befinden sich in enger thermischer Nachbarschaft auf dem Plättchen 10 und haben einander proportionale Durchlaßkennlinien. Für den Fall, daß die Transistoren 26 und 28 gleiche Geometrie haben, hat der Stromverstärker 20 einen Verstärkungsfaktor von im wesentlichen 1. Wenn die Stromverstärker 18 und 20 beide eine Stromverstärkung von 1 liefern, dann ist der Kollektorstrom des Transistors 28 im wesentlichen gleich dem Kollektorstrom des Transistors 14.
Für die nachstehende Beschreibung der Wirkungsweise der in Fig. 1 gezeigten Schaltung sei zum Zwecke der Erläuterung angenommen, daß die Stromverstärkungen (/?) der dargestellten Transistoren so groß sind, daß für einen bestimmten Transistor der Basisstrom gegenüber dem Kollektorstrom vernachlässigt werden kann. Außerdem sei vorausgesetzt, daß jeder der Stromverstärker 18 und 20 eine Stromverstärkung von im wesentlichen 1 bringt.
Die Eingangssignale können entweder (z. B. über einen nicht gezeigten Kondensator) auf die Klemme T1 wechselslromgekoppek werden, wobei der Basis des Transistors 14 durch eine herkömmliche Vorspannungsquelle die richtige Durchlaßvorspannung angelegt werden muß, oder die Eingangssignale können auf die Klemme T1 gleichstromgekoppelt werden. Es sei hier der letztere Fall beschrieben.
Wenn die der Klemme T1 zugeführte eingangsseitige Signalspannung in der Größenordnung der Basis-Emitter-Durchlaßspannung (U Bb) des Transistors 14 ein Kollektorstrom, der auf den Stromverstärker 18 gekoppelt wird. Die Parallelschaltung des Basis-Emitter-Übergangs des Transistors 22 und des Transistors 24 hat zur Folge, daß der Kollektor des Transistors 14 auf einer Spannung (B+ ~t/BC22) gehalten wird, die sich bei Änderungen des Eingangssignals im wesentlichen nicht ändert.
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. Der zu der obenerwähnten Kollektorspannung ge- 14 im wesentlichen unabhängig von Änderungen des
hörende Kollektqrstrom des Transistors 14 wird von Eingangssignals zu machen. Die Schleifenstrqmver-
den StrömVerstärkern 18 und 20 übertragen, und im Stärkung im dargestellten Ausführungsbeispiel wird
^derstand 30, fließt eine im wesentlichen gleiche im wesentlichen bestmimt durch den Verstärkungs-
Stromkomppnente. Es sei hervorgehoben, daß das 5 faktor des npn-Transistors 16 und nicht so sehr durch
yon der KlemmeT3 abgewandteEnde des Widerstan- die Stromverstärkung der pnp-Elemente. Bekanntlich
des 30 und ebenso der Kollektor des Transistors 28 ist die Frequenzempfincllichkeit bei den normalen
auf einer Spannung gehalten, werden, die gleich dem integrierten npn-Transistoren größer als bei integrier-
Basis-Emitter-Spahnungsabfall des Transistors 16 ten pnp-Trarisistoren. Die Freqüenzempfindlichkeit
B£ia) ist. Zusätzlich zum Kollektorstrom des Tran- io der Rückkopplungsschaltung wird daher beim dar-
sistors28 fließt noch der Basis-Emitter-Strom des gestellten Ausführungsbeispiel von den Kennlinien
Transistors 16 aus der Betriebsspannungsquelle B 4- der npn-Transistoren abhängen,
durch den Widersland 30. Der Gesamtstrom durch Der Strom durch den Transistor 16 ändert sich mit
den Widerstand 38 (Z30) läßt sich ausdrücken, duruli de'ti Eingangssignal derart, daß die Summe des
die Spannung am Widerstand 30 (B * UBEl0) geteilt 15 Stroms durch die Lastschaltung und des Stroms durch
durch den Widerslandswert (R30)- den Transistor im wesentlichen konstant ist.
Das Verhältnis zwischen Basis Emitter-Strom des Es ist ienicr hervorzuheben, daß das Eingangs-Transistors 16 und seinem Kollektorstrom hängt von signal zwischen dem Wert UB,.: und (B+-U1),.) der Stromverstärkung dieses Transistors ab und ist schwanken kann, wobei die obere Genze durch die so, daß der Basis-Emitter-Strom gegenüber dem KoI- 20 verhältnismäßig feste Kollektorspannung des Tranlektorstrom vernachlässigt werden kann. Der resul- sistors 14 in etwa festgelegt wird. Über diesen gantierende Kollektorstrom des Transistors 16 ist für den zen Bereich von Eingangssignalen ist der Strom im Fall, daß an der Klemme T1 ein Eingangssignal von Transistor 14 verhältnismäßig unempfindlich gegeni UBE hegt, im wesentlichen gleich dem Kollektor- über änderungen der Eingangssigrale und bleibt im Emitter-Strom des Transistors 14. Daher fließt im 25 wesentlichen konstant. Daher bleibt die Basis-Emit-Widerstand 12 kein Strom, an der Klemme T2 er- ter-Spannung des Transistors 14 im wesentlichen scheint keine Ausgangsspannung, und die Ϊ^-Ein- konstant und die Änderungen der Eingangs-signale gangsspannung erscheint am Basis-Emitter-Übergang werden in linearer Weise am I astwiderstand 12 wiedes Transistors 14. dergegeben. Dies steht im Gegensatz zu den bisheri-
Aus dem Vorstehenden ist erk.mibar, daß bei 30 gen rückgekoppelten Emitterfolgern, die einfach einen
einem Eingangssignal (oder einer Vorspannung) von Kollektorarbeitswiderstand für den Emitterfolger-
im wesentlichen 1 Γ'-Λ die Kollukto-->lrome der Tran- transistor enthielten. In diesem Fall liegt die obere
sistor^n 14, lo, 24 u.id 2S alle einander im wesenl- Signalgrenze niedriger als bei der vorliegenden Erfin-
lichen gleich sind und außerdem g!r;~h dem Strom dung, und zwar wegen des Spannungsabfalls am KoI-
durch den Widerstand 30 (Z30) sind. Der Strompegel 35 lektorarbeitswiderstand.
der Transistoren für diese Gleichstrombedingung läßt Fig. 2 zeigt eine abgewandelte Ausführungsform sich daher durch geeignete Wahl des Werts des der in F i g. 1 dargestellten Schaltung. Die Bezugs-Widerstands 30 auswählen, zeichen für die der Fig 1 entsprechenden Bauete-
Wenn die der Klemme Γ, angelegte Eingangs- mente sind mit einem Strich versehen.
Signalspannung den Wert UBL üb"isteigt, wächst der 40 Die Eingangssignale gelangen über die Klemme Tx Kollektorstrom des Transistors 14 an, und durch den zur Basis des '! ransistors 14'. dessen Emitter mit Lastwiderstand 12 fließt Strom. Dieses Anwachsen einer Ausgangsklemme T/ und mit dem Kollektor des Kollektorstrorr.·- wird über die Stromverstärker eines »Parallelregek-Transistors 16 verbunden ist. 18 und 20 übertragen und außen sich in einem Anstei- Der Emitter des Transistors 16 liegt über die gen des Kollektorstrom.-, des Transistors 28. Die Span- 45 Klemme T4' an einem Bezugspotential (Masse). Die nung am Kollektor des Transistors 28 und somit auch Änderungen des Kollektorstroms des Transistors 14' am Basis-Emitter-Übergang des Transistors 16 nimmt werden über einen ersten und einen zweiten Stromab. Dies hat eine verstärkte Abnahme des Kollek- verstärker 18' und 32 auf die Basis des Transistors torstroms des Transistors 16 zur Folge. Die Dif- IC'- gekoppelt. Der Stromverstärker 18' besteht aus ferenz zwischen dem Emitterstrom des Transistors 14 50 einem als Diode geschalteten pnp-Transistor 22' und und dem Kollektorstrom des Transistors 16 fließt einem pnp-Transistor 24' in Emitterschaltuns, die durch den Lastwiderstand 12, und die Spannung am einander proportionale Durchlaßkennlinien haben. In Widerstand 12 folgt den Änderungen der Eingangs- ähnlicher Weise besteht der Stromverstärker 32 aus sp;innung. einem als Diode geschalteten pnp-Transistor 34 und
In entsprechender Weise nimmt der Kollektorstrom 55 einem pnp-Transistor 36 in Emitterschaltung. Die
des Transistors 14 ab, wenn das Eingangssignal wie- Emitter der Transistoren 22', 24', 34 und 36 liegen
der auf den Wert UBE hin sinkt. Diese Abnahme des alle an der Klemme 73, für das Betriebspotential B + .
Kollektorstroms tritt auch am Kollektor des Tran- Die Basis-Emitter-Kreise der beiden jeweils einen
sistors 28 auf und hat zur Folge, daß der Basis- Stromverstärker bildenden Bauelemente liegen zu-
strom des Transistors 16 anwächst. Die Folge ist ein 60 einander parallel. Der Kollektor des Transistors 22'
verstärktes Anwachsen des Kollektorstroms des ist mit dem Kollektor des Transistors 14' verbunden.
Transistors 16, eine Abnahme des Stroms durch den während der Kollektor des Ausgangstransistors 24' an
Widerstand 12 und ein Abfall der Spannung am den miteinander gekoppelten Basiselektroden der
Widerstand 12. Transistoren 34 und 36 und über den Widerstand 38
Die oben beschriebene Rückkopplungsschleife zwi- 65 an der Klemme T4' liegt. Der Kollektor des Auschen Kollektor und Emitter des Transistors 14 kann gangstransistors 36 ist mit einem Widerstand 40 vermii einer ausreichenden Stromverstärkung ausgestat- bunden, der seinerseits zwischen der Basis und dem tet werden, um den Kollektorstrom des Transistors Emitter des Transistors 16' liegt.
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2 20r233 ^
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Die Aibeitsweise der Schaltung^ nach Fig. 2 ist scheinende Spannung in liniiarer Weise den Ein-
iihnlicli wie diejenige der in Fig. 1 gezeigten Schal- gahgsspannungsänderungen an der Eingarigsklem-
tung. Der Ström durch den Widerstand 38 (Z38) ist "UIeT1.
gleich der Differenzspäniiung (B+-t/ßC34) geteilt Fig. 3 zeigt eine weitere, gegenüber Fig.", 1 abgedurch den Widerstandswert (A38). Wenn jeder der 5 !wandelte Schaltung, wobei clie entsprechenden Be-Stromverstarker 18' und 32 eine Stromverstärkung zugsziiiem mit zwei Strichen versehen sind. ;Bei dievoη 1 bringt, dann ist der Strom durch den Wider- ser Schaltung ist die Reihenfolge der Elemente im stand 38 im wesentlichen ,gleich der Summe des Gegenkopplungszweig geändert; und zwar liegen die Sti oms durch den Widerstand 40 und des Kollektor- ; beiden Stromverstärker 18" und 2ti" nidtt unmittelstroms des Transistors 14' (al h. die Summe der KoI- ίο bar hintereinander wie bei Fig. 1, sondern zwischen leklorstrome der Transistoren 14' und 36). Der an- sie ist der Transistor 16" geschaltet. Weiterhin ist der längliche Kollektorvorstrom des Transistors 14' hängt Transistor 16" nicht wie in Fig. 1 vom selben Leidaher ab von der Differenz der Ströme in den Wider- tungstyp wie der Transistor 14", sondern vom entständen 38 und 40. Diese Widerstände 38 und 40 gegengesetzten Leitungstyp. Auch diese abgewandelte werden daher entsprechend dem gewünschten Be- 15 Schaltung zeichnet sich durch die Vorteile der Ertrieb ausgewählt. findung aus.
Die an der Klemme T1 auftretenden Eingangs- Die dargestellten Schaltungen lassen sich in vieler Signaländerungen ändern den Kollektorstrom des Hinsicht abwandeln. Die Kombination eines Tran-Transitors 14' und somit auch den Ausgangsstrom sistors in Emitterschaltung mit einem als Diode gedes Stromverstärkers 18' in entsprechender und im 20 schalteten Transistor läßt sich auch jeweils durch wesentlichen gleicher Weise. Die Transistoren 24' und eine andere Anordnung ersetzen. Es können beispiels-34 liegen gemeinsam an einer Konstantstromquelle, weise verschiedene Typen von Stromverstärkern verdie aus dem Widerstand 38 und einer Spannungs- wendet werden. Außerdem können andere Lastschalquelle (B+ - UDE!i4) besteht. Aus diesem Grunde er- tungen als ohmsche Belastungen, beispielsweise kageben sich gleiche jedoch entgegengesetzt gerichtete 25 pazitive Lasten, mit den dargestellten Spannungsfol-Änderungen des Kollektorstroms des Ausgangstran- gerschaltungen gespeist werden. Der Leitungstyp aller sistors 36 des Stromverstärkers 32. Die resultierenden Transistoren in einer bestimmten Ausführungsform Spannungsänderungen am Widerstand 40 sind so ge- kann auch entgegengesetzt im jeweils dargestellten richtet, daß sie kompensierende Änderungen des Leitungstyp sein. Eine solche Umkehrung muß natür-Kollektorstroms des Transistors 16' erzeugen. Die 30 lieh mit einer entsprechenden Ändenang der Polari-Abhängigkeit des Kollektorstroms des Transistors täten für die Versorgungs- und Signalspannung ver-14' von Änderungen des Eingangsignals ist vermin- bunden sein. Auch weitere Abwandlungen sind innerdert. Daher folgt die an der Ausgangsklemme T2' er- halb des Bereichs der Erfindung möglich.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patenansprüche:
1. Elektronischer Signalverstärker mit einem ersten Transistor, der als Emitterfolger geschaltet ist, und von dessen Kollektorkreis ein mindestens einen Stromverstärker enthaltender Gegenkopplungszweig auf seinen Eingangskreis zurückgeführt ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenkopplungszweig in Reihenschaltung zwei Stromverstärker (18, 20) und einen als Emitterverstärker geschalteten zweiten Transistor (16) enthält.
2. Elektronischer Signaiverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Stromverstärker (18) aus einen als zweiter Verstärker in Emitterschaltung geschalteten dritten Transistor (24) und aus einem vierten Transistor (22) besteht, dessen Kollektor und Basis mit der Basis des dritten Transistors verbunden ist und dessen Emitter mit dem Emitter des dritten Transistors verbunden ist.
3. Elektronischer Signalverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der eine Stromverstärker (18) das erste Glied und der Emitterverstärker (16) das letzte Glied in der Reihenschaltung ist und daß der erste und zweite Transistor (14, 16) vom selben Leitungstyp (npn) sind, und daß der Leitungstyp des dritten und vierten Transistors (24, 22) demjenigen des ersten Transistors (14) entgegengesetzt ist.
4. Elektronischer Signalverstärker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Stromverstärker (20) aus einem als dritter Verstärker in Emitterschaltung geschalteten fünften Transistor (28) und aus einem sechsten Transistor (26) besteht, desen Kollektor und Basis mit der Basis des fünften Transistors verbunden ist und dessen Emitter mit dem Emitter des fünften Transistors verbunden ist, und daß der fünfte und sechste Transistor (28, 26) vom selben Leitunastyp wie der erste Transistor (14) sind (Fig. 1).
5. Elektronischer Signalverstärker nach Anspruch 3. dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Stromverstärker (32) aus einem als dritter Verstärker in Emitterschaltung geschalteten fünften Transistor (36) und aus einem sechsten Transistor (34) besteht, dessen Kollektor und Basis mit der Basis des fünften Transistors verbunden ist und dessen Emitter mit dem Emitter des fünften Transistor verbunden ist, und daß der Leitungstyp des fünften und sechsten Transistors (36, 34) demjenigen des ersten Transistors (14') entgegengesetzt ist (F i g. 2).
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