DE2207233B2 - Elektronischer Signal verstärker - Google Patents
Elektronischer Signal verstärkerInfo
- Publication number
- DE2207233B2 DE2207233B2 DE2207233A DE2207233A DE2207233B2 DE 2207233 B2 DE2207233 B2 DE 2207233B2 DE 2207233 A DE2207233 A DE 2207233A DE 2207233 A DE2207233 A DE 2207233A DE 2207233 B2 DE2207233 B2 DE 2207233B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- current
- emitter
- collector
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled
- H03F3/343—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only
- H03F3/347—Dc amplifiers in which all stages are dc-coupled with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/34—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/50—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/50—Indexing scheme relating to amplifiers in which input being applied to, or output being derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
- H03F2203/5012—Indexing scheme relating to amplifiers in which input being applied to, or output being derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower the source follower has a controlled source circuit, the controlling signal being derived from the drain circuit of the follower
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/50—Indexing scheme relating to amplifiers in which input being applied to, or output being derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
- H03F2203/5021—Indexing scheme relating to amplifiers in which input being applied to, or output being derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower the source follower has a controlled source circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/50—Indexing scheme relating to amplifiers in which input being applied to, or output being derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
- H03F2203/5031—Indexing scheme relating to amplifiers in which input being applied to, or output being derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower the source circuit of the follower being a current source
Description
Die Erfindung betrifft einen elektronischen Signalverstärker
mit einem ersten. Transistor, der als Emitterfolger geschaltet ist, und von dessen Kollektorkreis
ein mindestens einen Stromverstärker enthaltender Gegenkopplungszweig auf seinen Eingangskreis
zurückgeführt ist. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf einen linearen Spannungsfolger, der sich
auf Grund seiner konstruktiven fvL-i'kmale besonders
gut für Ausbildung in integrierter Schaltung eignet.
Beim Entwurf elektrischer Schaltungen sind häufig Maßnahmen notwendig, um Signale aus einer verhältnismäßig
hochohmigen Quelle auf eine verhältnismäßig niederohmige Last zu koppeln. In solchen
Fällen kann man für die gewünschte Widerstands anpassung Schaltungsanordnungen wie einen Emitterfolger
verwenden. Emitterfolger oder ähnliche Schaltungen zeichnen sich dadurch aus, daß sie bei einer
Spannimgsverstärkung von nahezu 1 eine beträcht-
liehe Strom- oder Leistungsverstärkung aufweisen. Wenn man eine im wesentlichen konstante Stromverstärkung
für schwache Eingangssignale wünscht, deren Pegel in der Nähe des Schwellwerts für die
Basis-Emitter-Dui-chlaßspannung {Übe) ^ts Transistors
liegt, dann ist ein Emitterfolger häufig ungeeignet utd man muß zu einem Emitterfolger mit einer
zusätzlichen Rückkopplung greifen. Eine derartige Schaltung ist in der USA.-Patentschrift 3 310 731 beschrieben.
Sie enthält beispielsweise einen Wider-
ao stand und die Kollektor-Emitter-Strecken zweier Transistoren, die in dieser Reihenfolge zwischen die
Klemmen einer Betriebsspannungsquelle geschaltet sind. Die Eingangssignale werden der Basis des ersten
Transistors zugeführt, und die Ausgangssignale werden am Verbindungspunkt zwischen dem Emitter des
ersten und dem Kollektor des zweiten Transistors abgenommen. Zwischen dem Kollektor des ersten und
der Basis des zweiten Transistors ist eine Gleichstromkopplung vorgesehen, die durch eine pegel-
verschiebende Schaltung, wie sie beispielsweise eine
Lawinendiode und ein Widerstand darstellt, realisiert ist. Bei dieser Schaltungsanordnung ergibt sich eine
besonders gute lineare Beziehung 2T.wischen den Eingangs-
und Ausgangsspannungen über einen weiten
Bereich von Signalpegeln. Derartige Schaltungen sind für integrierte Schaltungen gut geeignet. Es ist jedoch
in der Technik integrierter Schaltungen wünschenswert, die Anzahl von verhältnismäßig großen (und
daher Platz verschwendenden) "widerständen möcliehst
klein zu halten und so wenig getrennte Kollektorzonen wie möglich vorzusehen (ebenfalls
..n Platz auf dem integrierten Schaltungsplättchen zu
sparen).
Eine derartige Schaltung ist ferner aus der deutsehen Offenlegungsschrift 1 902 724 bekannt, welche
einen Emitterfolger mit komplementären Transistoren in integrierter Bauweise beschreibt, bei dem nicht nui
der Strom im Ausgangstransistor konstant gehalten wird, sondern bei dem auch die den Schwellwert darstellende
Emitter-Basis-Spannung kompensiert wird Der maximale Ausgangsspannungshub wird bei dieser
bekannten Schaltung auf die Differenz der Betriebsspannung und des Spannungsabfalls an einem ir
der Kollektorleitung des Emitterfolgers vorgesehener Widerstand begrenzt (an dem das zurückgekoppelte
Signal abgenommen wird). Im Hinblick auf die vor integrierten Schaltungen verarbeitbaren relativ niedrl·
gen Signalpegel ist dieser Gleichspannungsabfall jedoch keineswegs vernachlässigbar.
Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Ver größerung des Ausgangsspannungshubes einer rück
gekoppelten Emitterfolgerschaltung bei gleicher Be triebsspannung. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäi
durch die im Anspruch 1 angeführten Merkmali gelöst.
Durch die erfindunsgemäßen Maßnahmen wird eh
Widerstand in der Kollektorleitung des Emitterfolger transistors vermieden, so daß der Emitterfolger prak
lisch bis zur vollen Betriebsspannung ausgesteuert werden kann und somit einen größeren Ausgangsspannungshub
als die bekannten Schaltungen zu liefern im Stande sind.
Die Reihenschaltung der beiden Stromverstärker mit dem Emitterverstärker kann in beliebiger Reihenfolge
vorgesehen sein, ohne daß dadurch die Vorteile der Erfindung in Frage gestellt wären. Weiterbildungen
der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Zur Erläuterung des Schaltuugsaufbaus und der Arbeitsweise der Erfindung werden nachstehend zwei
Ausführungsbeispiele an Hand von Zeichnungen beschrieben.
Fig. 1 zeigt das Schaltbild eines erfindungsgemäßen Verstärkers, der zur Herstellung in integrierter
Form geeignet ist;
F i g. 2 ist das Schaltbild einer anderen, ebenfalls als integrierte Schaltung herstellbaren Ausführungsform der Erfindung;
F i g. 3 stellt das Schaltbild einer abgewandelten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Schaltung
mit einer anderen Reihenfolge der Elemente des Gegenkopplungszweiges
und mit geänderten Leitungstypverhältnissen der Transistoren dar.
Der in F i g. 1 dargestellte Verstärker Hefen Ausgangssignale,
die linear von seinen Eingangssignalen abhängen. Der dargestellte Verstärker läßt sich besonders
gut als integrierte Schaltung auf dem gestrichelt angedeuteten Schaltungsplättchen 10 ausführen.
Am Schaltungsplättchen 10 befindet sich eine Eingangsklemme T1 und eine Ausgangsklemme T.,
zum Anschluß einer (nicht gezeigten) Signalquelle und einer Last, die hier zum Zwecke der Illustration
als äußerer Widerstand 12 gezeichnet ist. Die Signalquelle und oder die Last 12 kann sich in bestimmten
Fällen auch innerhalb der Grenzen des Schaltungsplättchens 10 befinden. Das Plättchen 10 enthält ferner
eine Klemme 7"3 zum Anlegen eines Betriebspotentials B 4^ und eine Klemme T4 für ein Bezugs-
potential (Masse).
Die Eingangssignale werden über die Klemme T1
auf die Basis eines Emitterfolgertransistors 14 gekoppelt, dessen Emitter über die Ausgangsklemme T2
direkt mit der Last 12 verbunden ist. Parallel zum Widerstand 12 (d. h zwischen den Klemmen T2
und T4) liegt die Kollektor-Emitter-Strecke eines als variabler Lastregkr oder Parallelregler wirkenden
Transistors 16, der vom gleichen Leitungstyp wie der Transistor 14 ist und eine Emitterschaltung bildet.
Zwischen dem Kollektor des Emitterfolgertransistors 14 und der Basis des zweiten Transistors 16 ist
eine Rückkopplung vorgesehen, die durch die beiden Stromverstärker 18 und 20 gebildet wird. Jeder der
Stromverstärker 18 und 20 besteht aus einer Kombination von Halbleiterbauelementen, deren Kennlinien
so einander angepaßt sind, daß zwischen dem Eingang und dem Ausgang jeweils eines Stromverstärkers
eine praktisch konstante Stromverstärkung auftritt. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel, wo
die Transistoren 14 und 16 npn-Transistoren sind, besteht der Stromverstärker 18 aus einem als Diode geschalteten
pnp-Transistor 22, dessen Basis direkt mit seinem Kollektor und dem Kollektor des Transistors
14 verbunden ist und dessen Emitter direkt an der Klemme T3 für das Betriebspotential liegt. Der
Stromverstärker 18 enthält ferner einen pnp-Ausgangstransistor 24 in Emitterschaltung. Die Basiselektrode
und die Emitterelektrode des Transistors 24 sind mit den entsprechenden Elektroden des als
Diode geschalteten Transistors 22 jeweils direkt verbunden, während der Kollektor des Transistors 24
den Ausgangsstrom liefert. Die Transistoren 22 und 24 haben einander proportionale Durchlaßkennlinien
und sind auf dem Plättchen 10 thermisch nahe beieinander angeordnet. Im Falle einer völlig gleichen
Geometrie der Transistoren 22 und 24 liefert der Stromverstärker 18 am Kollektor des Transistors 24
einen Strom, der im wesentlichen gleich dem Kollektorstrom des Emitterfolgertransistors 14 ist (d. h. der
Stromverstärker 18 hat eine Stromverstärkung von im wesentlichen 1).
Der Stromverstärker 20 enthält ebenso wie der Stromverstärker 18 einen als Diode geschalteten
Transistor 26 und einen als Verstärker in Emitterschaltung betriebenen Transistor 28, wobei die Basis-Emitter-Übergänge
dieser beiden Transistoren parallel geschaltet sind. Die Transistoren 26 und 28
sind jedoch npn-Transistoren. Die Basiselektroden der Transistoren 26 und 28 sind mit dem Kollektor
des Transistors 26 und mit dem Kollektor des Transistors 24 verbunden. Die zusammengeschalteten
Emitter der Transistoren 26 und 28 liegen an der Klemme T4 für das Bezugspotential. Der Kollektor
des in Emitterschaltung befindlichen Transistors 28 ist mit der Basis des Transistors 16 und außerdem
über einen Widerstand 30 mit der Versorgungsklemme T3 verbunden.
Die Transistoren 26 und 28 befinden sich in enger thermischer Nachbarschaft auf dem Plättchen 10 und
haben einander proportionale Durchlaßkennlinien. Für den Fall, daß die Transistoren 26 und 28 gleiche
Geometrie haben, hat der Stromverstärker 20 einen Verstärkungsfaktor von im wesentlichen 1. Wenn die
Stromverstärker 18 und 20 beide eine Stromverstärkung von 1 liefern, dann ist der Kollektorstrom des
Transistors 28 im wesentlichen gleich dem Kollektorstrom des Transistors 14.
Für die nachstehende Beschreibung der Wirkungsweise der in Fig. 1 gezeigten Schaltung sei zum
Zwecke der Erläuterung angenommen, daß die Stromverstärkungen (/?) der dargestellten Transistoren
so groß sind, daß für einen bestimmten Transistor der Basisstrom gegenüber dem Kollektorstrom vernachlässigt
werden kann. Außerdem sei vorausgesetzt, daß jeder der Stromverstärker 18 und 20 eine Stromverstärkung
von im wesentlichen 1 bringt.
Die Eingangssignale können entweder (z. B. über einen nicht gezeigten Kondensator) auf die Klemme
T1 wechselslromgekoppek werden, wobei der
Basis des Transistors 14 durch eine herkömmliche Vorspannungsquelle die richtige Durchlaßvorspannung
angelegt werden muß, oder die Eingangssignale können auf die Klemme T1 gleichstromgekoppelt
werden. Es sei hier der letztere Fall beschrieben.
Wenn die der Klemme T1 zugeführte eingangsseitige
Signalspannung in der Größenordnung der Basis-Emitter-Durchlaßspannung (U Bb) des Transistors
14 ein Kollektorstrom, der auf den Stromverstärker 18 gekoppelt wird. Die Parallelschaltung
des Basis-Emitter-Übergangs des Transistors 22 und des Transistors 24 hat zur Folge, daß der Kollektor
des Transistors 14 auf einer Spannung (B+ ~t/BC22)
gehalten wird, die sich bei Änderungen des Eingangssignals im wesentlichen nicht ändert.
5 6
. Der zu der obenerwähnten Kollektorspannung ge- 14 im wesentlichen unabhängig von Änderungen des
hörende Kollektqrstrom des Transistors 14 wird von Eingangssignals zu machen. Die Schleifenstrqmver-
den StrömVerstärkern 18 und 20 übertragen, und im Stärkung im dargestellten Ausführungsbeispiel wird
^derstand 30, fließt eine im wesentlichen gleiche im wesentlichen bestmimt durch den Verstärkungs-
Stromkomppnente. Es sei hervorgehoben, daß das 5 faktor des npn-Transistors 16 und nicht so sehr durch
yon der KlemmeT3 abgewandteEnde des Widerstan- die Stromverstärkung der pnp-Elemente. Bekanntlich
des 30 und ebenso der Kollektor des Transistors 28 ist die Frequenzempfincllichkeit bei den normalen
auf einer Spannung gehalten, werden, die gleich dem integrierten npn-Transistoren größer als bei integrier-
Basis-Emitter-Spahnungsabfall des Transistors 16 ten pnp-Trarisistoren. Die Freqüenzempfindlichkeit
(ÜB£ia) ist. Zusätzlich zum Kollektorstrom des Tran- io der Rückkopplungsschaltung wird daher beim dar-
sistors28 fließt noch der Basis-Emitter-Strom des gestellten Ausführungsbeispiel von den Kennlinien
Transistors 16 aus der Betriebsspannungsquelle B 4- der npn-Transistoren abhängen,
durch den Widersland 30. Der Gesamtstrom durch Der Strom durch den Transistor 16 ändert sich mit
den Widerstand 38 (Z30) läßt sich ausdrücken, duruli de'ti Eingangssignal derart, daß die Summe des
die Spannung am Widerstand 30 (B * UBEl0) geteilt 15 Stroms durch die Lastschaltung und des Stroms durch
durch den Widerslandswert (R30)- den Transistor im wesentlichen konstant ist.
Das Verhältnis zwischen Basis Emitter-Strom des Es ist ienicr hervorzuheben, daß das Eingangs-Transistors
16 und seinem Kollektorstrom hängt von signal zwischen dem Wert UB,.: und (B+-U1),.)
der Stromverstärkung dieses Transistors ab und ist schwanken kann, wobei die obere Genze durch die
so, daß der Basis-Emitter-Strom gegenüber dem KoI- 20 verhältnismäßig feste Kollektorspannung des Tranlektorstrom
vernachlässigt werden kann. Der resul- sistors 14 in etwa festgelegt wird. Über diesen gantierende
Kollektorstrom des Transistors 16 ist für den zen Bereich von Eingangssignalen ist der Strom im
Fall, daß an der Klemme T1 ein Eingangssignal von Transistor 14 verhältnismäßig unempfindlich gegeni
UBE hegt, im wesentlichen gleich dem Kollektor- über änderungen der Eingangssigrale und bleibt im
Emitter-Strom des Transistors 14. Daher fließt im 25 wesentlichen konstant. Daher bleibt die Basis-Emit-Widerstand
12 kein Strom, an der Klemme T2 er- ter-Spannung des Transistors 14 im wesentlichen
scheint keine Ausgangsspannung, und die Ϊ^-Ein- konstant und die Änderungen der Eingangs-signale
gangsspannung erscheint am Basis-Emitter-Übergang werden in linearer Weise am I astwiderstand 12 wiedes
Transistors 14. dergegeben. Dies steht im Gegensatz zu den bisheri-
Aus dem Vorstehenden ist erk.mibar, daß bei 30 gen rückgekoppelten Emitterfolgern, die einfach einen
einem Eingangssignal (oder einer Vorspannung) von Kollektorarbeitswiderstand für den Emitterfolger-
im wesentlichen 1 Γ'-Λ die Kollukto-->lrome der Tran- transistor enthielten. In diesem Fall liegt die obere
sistor^n 14, lo, 24 u.id 2S alle einander im wesenl- Signalgrenze niedriger als bei der vorliegenden Erfin-
lichen gleich sind und außerdem g!r;~h dem Strom dung, und zwar wegen des Spannungsabfalls am KoI-
durch den Widerstand 30 (Z30) sind. Der Strompegel 35 lektorarbeitswiderstand.
der Transistoren für diese Gleichstrombedingung läßt Fig. 2 zeigt eine abgewandelte Ausführungsform
sich daher durch geeignete Wahl des Werts des der in F i g. 1 dargestellten Schaltung. Die Bezugs-Widerstands
30 auswählen, zeichen für die der Fig 1 entsprechenden Bauete-
Wenn die der Klemme Γ, angelegte Eingangs- mente sind mit einem Strich versehen.
Signalspannung den Wert UBL üb"isteigt, wächst der 40 Die Eingangssignale gelangen über die Klemme Tx Kollektorstrom des Transistors 14 an, und durch den zur Basis des '! ransistors 14'. dessen Emitter mit Lastwiderstand 12 fließt Strom. Dieses Anwachsen einer Ausgangsklemme T/ und mit dem Kollektor des Kollektorstrorr.·- wird über die Stromverstärker eines »Parallelregek-Transistors 16 verbunden ist. 18 und 20 übertragen und außen sich in einem Anstei- Der Emitter des Transistors 16 liegt über die gen des Kollektorstrom.-, des Transistors 28. Die Span- 45 Klemme T4' an einem Bezugspotential (Masse). Die nung am Kollektor des Transistors 28 und somit auch Änderungen des Kollektorstroms des Transistors 14' am Basis-Emitter-Übergang des Transistors 16 nimmt werden über einen ersten und einen zweiten Stromab. Dies hat eine verstärkte Abnahme des Kollek- verstärker 18' und 32 auf die Basis des Transistors torstroms des Transistors 16 zur Folge. Die Dif- IC'- gekoppelt. Der Stromverstärker 18' besteht aus ferenz zwischen dem Emitterstrom des Transistors 14 50 einem als Diode geschalteten pnp-Transistor 22' und und dem Kollektorstrom des Transistors 16 fließt einem pnp-Transistor 24' in Emitterschaltuns, die durch den Lastwiderstand 12, und die Spannung am einander proportionale Durchlaßkennlinien haben. In Widerstand 12 folgt den Änderungen der Eingangs- ähnlicher Weise besteht der Stromverstärker 32 aus sp;innung. einem als Diode geschalteten pnp-Transistor 34 und
Signalspannung den Wert UBL üb"isteigt, wächst der 40 Die Eingangssignale gelangen über die Klemme Tx Kollektorstrom des Transistors 14 an, und durch den zur Basis des '! ransistors 14'. dessen Emitter mit Lastwiderstand 12 fließt Strom. Dieses Anwachsen einer Ausgangsklemme T/ und mit dem Kollektor des Kollektorstrorr.·- wird über die Stromverstärker eines »Parallelregek-Transistors 16 verbunden ist. 18 und 20 übertragen und außen sich in einem Anstei- Der Emitter des Transistors 16 liegt über die gen des Kollektorstrom.-, des Transistors 28. Die Span- 45 Klemme T4' an einem Bezugspotential (Masse). Die nung am Kollektor des Transistors 28 und somit auch Änderungen des Kollektorstroms des Transistors 14' am Basis-Emitter-Übergang des Transistors 16 nimmt werden über einen ersten und einen zweiten Stromab. Dies hat eine verstärkte Abnahme des Kollek- verstärker 18' und 32 auf die Basis des Transistors torstroms des Transistors 16 zur Folge. Die Dif- IC'- gekoppelt. Der Stromverstärker 18' besteht aus ferenz zwischen dem Emitterstrom des Transistors 14 50 einem als Diode geschalteten pnp-Transistor 22' und und dem Kollektorstrom des Transistors 16 fließt einem pnp-Transistor 24' in Emitterschaltuns, die durch den Lastwiderstand 12, und die Spannung am einander proportionale Durchlaßkennlinien haben. In Widerstand 12 folgt den Änderungen der Eingangs- ähnlicher Weise besteht der Stromverstärker 32 aus sp;innung. einem als Diode geschalteten pnp-Transistor 34 und
In entsprechender Weise nimmt der Kollektorstrom 55 einem pnp-Transistor 36 in Emitterschaltung. Die
des Transistors 14 ab, wenn das Eingangssignal wie- Emitter der Transistoren 22', 24', 34 und 36 liegen
der auf den Wert UBE hin sinkt. Diese Abnahme des alle an der Klemme 73, für das Betriebspotential B + .
Kollektorstroms tritt auch am Kollektor des Tran- Die Basis-Emitter-Kreise der beiden jeweils einen
sistors 28 auf und hat zur Folge, daß der Basis- Stromverstärker bildenden Bauelemente liegen zu-
strom des Transistors 16 anwächst. Die Folge ist ein 60 einander parallel. Der Kollektor des Transistors 22'
verstärktes Anwachsen des Kollektorstroms des ist mit dem Kollektor des Transistors 14' verbunden.
Transistors 16, eine Abnahme des Stroms durch den während der Kollektor des Ausgangstransistors 24' an
Widerstand 12 und ein Abfall der Spannung am den miteinander gekoppelten Basiselektroden der
Widerstand 12. Transistoren 34 und 36 und über den Widerstand 38
Die oben beschriebene Rückkopplungsschleife zwi- 65 an der Klemme T4' liegt. Der Kollektor des Auschen
Kollektor und Emitter des Transistors 14 kann gangstransistors 36 ist mit einem Widerstand 40 vermii
einer ausreichenden Stromverstärkung ausgestat- bunden, der seinerseits zwischen der Basis und dem
tet werden, um den Kollektorstrom des Transistors Emitter des Transistors 16' liegt.
■' 4069
2 20r233 ^
7 8
Die Aibeitsweise der Schaltung^ nach Fig. 2 ist scheinende Spannung in liniiarer Weise den Ein-
iihnlicli wie diejenige der in Fig. 1 gezeigten Schal- gahgsspannungsänderungen an der Eingarigsklem-
tung. Der Ström durch den Widerstand 38 (Z38) ist "UIeT1.
gleich der Differenzspäniiung (B+-t/ßC34) geteilt Fig. 3 zeigt eine weitere, gegenüber Fig.", 1 abgedurch
den Widerstandswert (A38). Wenn jeder der 5 !wandelte Schaltung, wobei clie entsprechenden Be-Stromverstarker
18' und 32 eine Stromverstärkung zugsziiiem mit zwei Strichen versehen sind. ;Bei dievoη
1 bringt, dann ist der Strom durch den Wider- ser Schaltung ist die Reihenfolge der Elemente im
stand 38 im wesentlichen ,gleich der Summe des Gegenkopplungszweig geändert; und zwar liegen die
Sti oms durch den Widerstand 40 und des Kollektor- ; beiden Stromverstärker 18" und 2ti" nidtt unmittelstroms
des Transistors 14' (al h. die Summe der KoI- ίο bar hintereinander wie bei Fig. 1, sondern zwischen
leklorstrome der Transistoren 14' und 36). Der an- sie ist der Transistor 16" geschaltet. Weiterhin ist der
längliche Kollektorvorstrom des Transistors 14' hängt Transistor 16" nicht wie in Fig. 1 vom selben Leidaher
ab von der Differenz der Ströme in den Wider- tungstyp wie der Transistor 14", sondern vom entständen
38 und 40. Diese Widerstände 38 und 40 gegengesetzten Leitungstyp. Auch diese abgewandelte
werden daher entsprechend dem gewünschten Be- 15 Schaltung zeichnet sich durch die Vorteile der Ertrieb
ausgewählt. findung aus.
Die an der Klemme T1 auftretenden Eingangs- Die dargestellten Schaltungen lassen sich in vieler
Signaländerungen ändern den Kollektorstrom des Hinsicht abwandeln. Die Kombination eines Tran-Transitors
14' und somit auch den Ausgangsstrom sistors in Emitterschaltung mit einem als Diode gedes
Stromverstärkers 18' in entsprechender und im 20 schalteten Transistor läßt sich auch jeweils durch
wesentlichen gleicher Weise. Die Transistoren 24' und eine andere Anordnung ersetzen. Es können beispiels-34
liegen gemeinsam an einer Konstantstromquelle, weise verschiedene Typen von Stromverstärkern verdie
aus dem Widerstand 38 und einer Spannungs- wendet werden. Außerdem können andere Lastschalquelle
(B+ - UDE!i4) besteht. Aus diesem Grunde er- tungen als ohmsche Belastungen, beispielsweise kageben
sich gleiche jedoch entgegengesetzt gerichtete 25 pazitive Lasten, mit den dargestellten Spannungsfol-Änderungen
des Kollektorstroms des Ausgangstran- gerschaltungen gespeist werden. Der Leitungstyp aller
sistors 36 des Stromverstärkers 32. Die resultierenden Transistoren in einer bestimmten Ausführungsform
Spannungsänderungen am Widerstand 40 sind so ge- kann auch entgegengesetzt im jeweils dargestellten
richtet, daß sie kompensierende Änderungen des Leitungstyp sein. Eine solche Umkehrung muß natür-Kollektorstroms
des Transistors 16' erzeugen. Die 30 lieh mit einer entsprechenden Ändenang der Polari-Abhängigkeit
des Kollektorstroms des Transistors täten für die Versorgungs- und Signalspannung ver-14'
von Änderungen des Eingangsignals ist vermin- bunden sein. Auch weitere Abwandlungen sind innerdert.
Daher folgt die an der Ausgangsklemme T2' er- halb des Bereichs der Erfindung möglich.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Elektronischer Signalverstärker mit einem ersten Transistor, der als Emitterfolger geschaltet
ist, und von dessen Kollektorkreis ein mindestens einen Stromverstärker enthaltender Gegenkopplungszweig
auf seinen Eingangskreis zurückgeführt ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenkopplungszweig in Reihenschaltung
zwei Stromverstärker (18, 20) und einen als Emitterverstärker geschalteten zweiten Transistor (16)
enthält.
2. Elektronischer Signaiverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste
Stromverstärker (18) aus einen als zweiter Verstärker in Emitterschaltung geschalteten dritten
Transistor (24) und aus einem vierten Transistor (22) besteht, dessen Kollektor und Basis mit der
Basis des dritten Transistors verbunden ist und dessen Emitter mit dem Emitter des dritten Transistors
verbunden ist.
3. Elektronischer Signalverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der eine
Stromverstärker (18) das erste Glied und der Emitterverstärker (16) das letzte Glied in der
Reihenschaltung ist und daß der erste und zweite Transistor (14, 16) vom selben Leitungstyp (npn)
sind, und daß der Leitungstyp des dritten und vierten Transistors (24, 22) demjenigen des ersten
Transistors (14) entgegengesetzt ist.
4. Elektronischer Signalverstärker nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite
Stromverstärker (20) aus einem als dritter Verstärker in Emitterschaltung geschalteten fünften
Transistor (28) und aus einem sechsten Transistor (26) besteht, desen Kollektor und Basis mit
der Basis des fünften Transistors verbunden ist und dessen Emitter mit dem Emitter des fünften
Transistors verbunden ist, und daß der fünfte und sechste Transistor (28, 26) vom selben Leitunastyp
wie der erste Transistor (14) sind (Fig. 1).
5. Elektronischer Signalverstärker nach Anspruch 3. dadurch gekennzeichnet, daß der zweite
Stromverstärker (32) aus einem als dritter Verstärker in Emitterschaltung geschalteten fünften
Transistor (36) und aus einem sechsten Transistor (34) besteht, dessen Kollektor und Basis mit der
Basis des fünften Transistors verbunden ist und dessen Emitter mit dem Emitter des fünften Transistor
verbunden ist, und daß der Leitungstyp des fünften und sechsten Transistors (36, 34) demjenigen
des ersten Transistors (14') entgegengesetzt ist (F i g. 2).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11547271A | 1971-02-16 | 1971-02-16 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2207233A1 DE2207233A1 (de) | 1972-09-14 |
DE2207233B2 true DE2207233B2 (de) | 1974-05-22 |
DE2207233C3 DE2207233C3 (de) | 1980-04-03 |
Family
ID=22361627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2207233A Expired DE2207233C3 (de) | 1971-02-16 | 1972-02-16 | Elektronischer Signalverstärker |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3701032A (de) |
JP (1) | JPS5132492B1 (de) |
AU (1) | AU459403B2 (de) |
CA (1) | CA959134A (de) |
DE (1) | DE2207233C3 (de) |
ES (1) | ES399821A1 (de) |
FR (1) | FR2141013A5 (de) |
GB (1) | GB1382483A (de) |
IT (1) | IT947126B (de) |
NL (1) | NL7201959A (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2439491A1 (de) * | 1974-08-17 | 1976-02-26 | Bosch Gmbh Robert | Schaltungsanordnung zur vermeidung von verzerrungen in abhaengigkeit von der aussteuerung eines verstaerkers |
DE2849231A1 (de) * | 1978-11-13 | 1980-05-14 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur kompensation des innenwiderstandes einer durch einen emitterfolger gebildeten spannungsquelle |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3764829A (en) * | 1972-06-09 | 1973-10-09 | Motorola Inc | Adaptive transistor switch |
JPS5620723B2 (de) * | 1972-07-22 | 1981-05-15 | ||
GB1446068A (en) * | 1972-11-01 | 1976-08-11 | Tca Corp | Stabilization of quiescent collector potential of current-mode biased transistors- |
US3873933A (en) * | 1973-11-08 | 1975-03-25 | Rca Corp | Circuit with adjustable gain current mirror amplifier |
NL7409851A (nl) * | 1974-07-22 | 1976-01-26 | Philips Nv | Versterkerschakeling. |
US4004244A (en) * | 1975-05-27 | 1977-01-18 | Rca Corporation | Dynamic current supply |
JPS5221751A (en) * | 1975-08-12 | 1977-02-18 | Toshiba Corp | Voltage follower circuit |
DE2641336C3 (de) * | 1976-09-14 | 1981-08-13 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Transistorverstärker mit hohem Innenwiderstand |
JPS5352488U (de) * | 1976-10-08 | 1978-05-04 | ||
JPS53139289A (en) * | 1977-05-11 | 1978-12-05 | Shibaura Eng Works Ltd | Electric drill |
US4147992A (en) * | 1977-12-27 | 1979-04-03 | Motorola, Inc. | Amplifier circuit having a high degree of common mode rejection |
FR2488077A1 (fr) * | 1980-07-31 | 1982-02-05 | Thomson Csf | Etage de sortie basse impedance pour couplage capacitif ou direct |
DE3036736C2 (de) * | 1980-09-29 | 1982-10-21 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltungsanordnung zur belastungsproportionalen Einstellung des Ansteuerstroms eines in Emitterschaltung betriebenen Eintakt-Endstufentransistors eines Transistorverstärkers |
JPS61212907A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-20 | Fujitsu Ltd | 半導体集積回路 |
JPH09260974A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Mitsumi Electric Co Ltd | 増幅回路 |
-
1971
- 1971-02-16 US US115472A patent/US3701032A/en not_active Expired - Lifetime
-
1972
- 1972-01-17 CA CA132,631A patent/CA959134A/en not_active Expired
- 1972-01-29 IT IT19986/72A patent/IT947126B/it active
- 1972-02-03 AU AU38618/72A patent/AU459403B2/en not_active Expired
- 1972-02-14 FR FR7204858A patent/FR2141013A5/fr not_active Expired
- 1972-02-14 GB GB676572A patent/GB1382483A/en not_active Expired
- 1972-02-15 JP JP47015945A patent/JPS5132492B1/ja active Pending
- 1972-02-15 NL NL7201959A patent/NL7201959A/xx not_active Application Discontinuation
- 1972-02-15 ES ES399821A patent/ES399821A1/es not_active Expired
- 1972-02-16 DE DE2207233A patent/DE2207233C3/de not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2439491A1 (de) * | 1974-08-17 | 1976-02-26 | Bosch Gmbh Robert | Schaltungsanordnung zur vermeidung von verzerrungen in abhaengigkeit von der aussteuerung eines verstaerkers |
DE2849231A1 (de) * | 1978-11-13 | 1980-05-14 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur kompensation des innenwiderstandes einer durch einen emitterfolger gebildeten spannungsquelle |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU459403B2 (en) | 1975-03-06 |
GB1382483A (en) | 1975-02-05 |
DE2207233A1 (de) | 1972-09-14 |
NL7201959A (de) | 1972-08-18 |
AU3861872A (en) | 1973-08-09 |
ES399821A1 (es) | 1975-03-16 |
FR2141013A5 (de) | 1973-01-19 |
DE2207233C3 (de) | 1980-04-03 |
US3701032A (en) | 1972-10-24 |
IT947126B (it) | 1973-05-21 |
CA959134A (en) | 1974-12-10 |
JPS5132492B1 (de) | 1976-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2160432C3 (de) | Konstantspannungsschaltung | |
DE2207233B2 (de) | Elektronischer Signal verstärker | |
DE3035272C2 (de) | ||
DE1948850B2 (de) | Operationsverstaerker | |
DE2531208C2 (de) | Gegentaktverstärker | |
DE2260405A1 (de) | Bezugsspannungsgeneratorschaltung | |
DE2136061C3 (de) | Stromverstärkerschaltung | |
DE3230429C2 (de) | ||
DE3528550C2 (de) | ||
DE3545392C2 (de) | ||
DE2636156B2 (de) | Spannungsfolger-Schaltung mit einer Eingangsklemme | |
DE3047685A1 (de) | Temperaturstabile spannungsquelle | |
DE1806467B2 (de) | Schaltungsanordnung zum Erzeugen von gegen Betrfebsspannungsänderungen stabilisierten Ausgangsspannungen | |
DE2529966B2 (de) | Transistorverstärker | |
DE2328402A1 (de) | Konstantstromkreis | |
DE1921936C3 (de) | Stromversorgungsschaltung insbesondere für eine Differenzverstärkerstufe | |
DE2924171C2 (de) | ||
DE3810058A1 (de) | Schmitt-trigger-schaltung | |
DE3824105C2 (de) | Schaltungsanordnung zum Erzeugen einer stabilisierten Ausgangsspannung | |
DE4321483C2 (de) | Leitungstreiberschaltstufe in Stromschaltertechnik | |
DE2903445A1 (de) | Mit gesaettigten transistoren arbeitende schaltung | |
DE3731130C2 (de) | Spannungs/Strom-Wandleranordnung | |
DE2120286A1 (de) | Pegelschiebeschaltung | |
DE3716577C2 (de) | Stromspiegelschaltung großer Leistungsfähigkeit | |
DE3243145A1 (de) | Differenzverstaerker |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |