KR910002032B1 - 기준전위발생회로 - Google Patents

기준전위발생회로 Download PDF

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가부시키가이샤 도시바
아오이 죠이치
도시바 마이콤 엔지니어링 가부시키가이샤
다케다이 마사다카
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Abstract

내용 없음.

Description

기준전위발생회로
제1도는 본 발명의 1실시예에 관한 기준전위발생회로를 도시해 놓은 회로도.
제2도는 전원전압에 의해 제1도에 도시된 기준전위발생회로로부터 기준전위의 존성을 설명하기 위한 도면.
제3도는 임계전압에 의해 제1도에 도시된 기준전위발생회로로부터 기준전위의존성을 설명하기 위한 도면.
제4도는 제1도에 도시된 기준전위발생회로로부터의 출력전위가 공급되는 회로예를 도시해 놓은 회로도.
제5도 내지 제10도는 각기 본 발명의 다른 실시예에 관한 기준전위발생회로를 도시해 놓은 회로도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 전압분할회로 12 : 부하회로
Q1∼Q7, Q12, Q13, Q16∼Q33 : 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터
Q8, Q9∼Q11, Q14, Q15, Q34 : 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터
R1∼R6 : 저항소자 D1∼D6 : 다이오드
N1∼N4 : 접속점
본 발명은 반도체장치내의 감지증폭회로에서 사용되는 기준전위를 발생시켜 주기 위한 기준전위발생회로에 관한 것이다.
일반적으로 기준전위발생회로로서는 전원전압의존형 또는 임계전압의존형회로가 널리 쓰여지고 있는 바, 그중 전원전압의존형 기준전위발생회로는 전원단자와 접지단자사이에 직렬로 접속되는 복수개의 부하소자가 구성되고 있으므로, 출력전압인 기준전위는 상기 부하소자사이의 접속점으로부터 얻어지게 된다. 여기서 부하소자로는 저항 또는 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터가 사용되기 때문에, 기준전위가 분압저항과 같은 부하소자가 사용되어 전원단자와 접지단자사이에서 전압이 분할됨으로서 얻어지도록 되어 있다. 따라서, 이러한 경우 기준전위발생회로로부터 얻어진 기준전위는 전원전압에 의해 강한 의존성을 갖게 된다.
한편, 가령 기준전위가 전원전압에 의해 의존하게 되면 상기 전원전압이 변동될 때 기준전위도 변동하게 되고, 그 때문에 전원전압의존형기준전위발생회로가 감지증폭회로내에서 사용하게 되면 전원전압이 변동될 때마다 예컨대 메모리데이터의 에러독출이 일어나게 되어 에러동작을 하게 되며, 이때 전원전압은 예컨대 전원전압노이즈에 의해 변동되게 된다.
한편, 임계전압의존형기준전위발생회로로부터의 기준전위는 전원전압에 대해 의존성이 없기 때문에, 임계전압의존형기준전위발생회로는 절연게이트전계효과트랜지스터의 임계전압을 이용함으로서 기준전위를 발생시키는 역할을 하게 되어, 결국 이 기준전위발생회로는 전원단자와 직렬로 접속된 부하소자사이에 결핍형절연게이트전계효과트랜지스터의 게이트가 접지되도록 접속되는 구성으로 되게 된다. 여기서 기준전위발생회로로부터의 기준전위는 결핍형절연게이트전계효과트랜지스터의 임계전압에 대해 강한 의존성을 갖게 된다.
이와같이 임계전압의존형기준전위발생회로로부터 발생되는 기준전위는 전원전압이 변동하게 되더라도 크게 변동하지 않게 됨으로 트랜지스터의 임계전압변동에 따라 변동하게 되는 경향이 있다. 따라서 임계전압의존형기준전위발생회로가 감지증폭회로내에서 사용된다면, 트랜지스터의 임계전압이 변화하게 될 때 메모리데이터의 에러독출과 같은 에러동작이 일어나게 된다. 여기서 트랜지스터의 임계전압은 예컨대 반도체메모리제조공정에서 원인이 되는 트랜지스터특성이 변동함으로서 변동하게 된다.
상기한 바와 같이 전원전압의존형기준전위발생회로의 출력전위는 전원전압에 대해 강한 의존성을 갖게 되는 반면, 트랜지스터의 임계전압에 의해서는 거의 영향을 받지 않게 되고, 또 임계전압의존형기준전위발생회로의 출력전위는 트랜지스터의 임계전압에 대해 강한 의존성을 갖는 반면, 전원전압에 의해서는 거의 영향을 받지 않게 된다. 따라서, 종래 기준전위발생회로의 출력전압은 전원전압노이즈 또는 반도체메모리제조 공정에서 원인이 되는 트랜지스터의 특성변동에 따라 변동되게 된다.
예컨대 반도체메모리장치에서 전원전압 또는 외부로부터 공급되는 신호가 전원전압이나 트랜지스터의 임계전압에 대해 의존성이 적은 것이라면, 기준전위발생회로로부터 발생되는 기준전위도 마찬가지로 전원전압 및 트랜지스터의 임계전압의 양쪽에 대해 의존성이 낮아져야 할 필요가 있게 된다.
상기한 바와 같이 종래의 기준전위발생회로가 반도체메모리장치의 감지증폭회로에서 사용될 때 발생되는 기준전위의 전원전압의존성 또는 트랜지스터의 임계전압에 대해 의존성이 높게 되어 있어 양쪽의 의존성을 낮게 설정해 주는 것이 어렵게 되어 있었다.
이에 본 발명은 상기와 같은 사정을 감안해서 발명된 것으로, 전원전압의존성과 트랜지스터의 임계전압에 대한 의존성의 양쪽을 낮혀 줄 수 있도록 된 기준전위발생회로를 제공함에 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기준전위발생회로는, 소오스가 접지되면서 드레인과 게이트가 상호접속되는 성장형 제1절연게이트전계효과트랜지스터와, 드레인이 전원단자에 접속되면서 게이트가 상기 제1절연게이트전계효과트랜지스터의 게이트와 드레인사이의 접속점에 접속되는 제2절연게이트전계효과트랜지스터 및, 상기 제1절연게이트전계효과트랜지스터의 드레인과 상기 제2절연게이트전계효과트랜지스터의 소오스사이에 접속되는 전압분할회로로 구성됨을 그 특징으로 한다.
상기와 같이 구성됨에 따라 출력전위에 대해 제2절연게이트전계효과트랜지스터의 임계전압변동이 끼치는 영향이 제1절연게이트전계효과트랜지스터수단으로 억제시켜 질 수 있게 된다. 그리고 제1 및 제2절연게이트전계효과트랜지스터의 임계전압에서 변동의 특성이 각기 다르기 때문에 임계전압이 변동되는 것을 서로 상쇄시켜 줄 수 있게 되고, 또 기준전위발생회로는 기본적으로 임계전압의존형이고 전원전압에 대해 의존성이 적기 때문에 제2절연게이트전계효과트랜지스터의 임계전압에 대해 의존성을 갖게 된다. 따라서, 기준전위발생회로는 전원전압과 트랜지스터의 임계전압의 양쪽에 대한 의존성을 낮추어 줄 수가 있게 된다.
이하 본 발명의 1실시예에 대해 예시도면을 참조해서 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명의 1실시예에 관한 기준전위발생회로를 도시해 놓은 것으로, 전원단자(VDD)와 접지단자(VSS)사이에는 드레인-소오스통로 또는 결핍형(depletion type) 절연게이트전계효과트랜지스터(Q1∼Q7)의 전류통로 및 드레인-소오스통로 또는 성장형(enhancementtype)절연게이트전계효과트랜지스터(Q8)의 전류통로가 직렬로 접속되어 있는 바, 그중 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)의 게이트가 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q8)의 게이트와 드레인에 접속되고, 또 각기 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q2∼Q7)의 게이트와 드레인이 상호적으로 접속되게 된다. 따라서, 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)의 소오스와 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q8)의 드레인사이에는 전압을 분할해 주는 전압분할회로(11)가 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q2∼Q7)로 구성되어 접속되고, 그로부터 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q4) (Q5) 사이의 접속점으로부터 기준전압(VREF)이 얻어진다.
다음에는 상기와 같이 구성되는 기준전위발생회로의 동작에 대해 설명한다.
먼저 전원전압(VDD)이 인가되면 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q1∼Q7)는 순차적으로 도통되게 되므로, 상기 절연게이트전계효과트랜지스터(Q7) (Q8) 사이의 접속점(N2)에서 전위는 접지전위(VSS)로부터 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q8)의 임계전압까지 상승시켜 안정시켜 주게 된다. 이때 전원전압(VDD)이 충분히 높아지게 상승된 다음 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)가 5극관동작을 행하게 되면, 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q1) (Q2) 사이의 접속점 (N1)에서의 전위는 상기 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)의 게이트전압 또는 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)의 임계전압에 의해 접속점(N2)의 전위보다 낮은 레벨로 셋팅되게 된다. 따라서, 접속점(N1) (N2) 사이의 전압을 상기 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q2∼Q4)의 도톤저항합과 상기 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q5∼Q7)의 도통저항합으로 비율을 취하게 됨으로써 기준전위(VREF)가 결정되게 된다.
이상과 같은 기준전위발생회로의 구성에 의하면, 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)의 임계전압에 대한 의존성의 기준전위(VREF) 는 전원전압(VDD)에 대한 의존성보다 낮아지게 됨과 더불어, 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)에서의 임계전압변동과 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q8)에서의 임계전압변동의 차이에 따르게 되고, 전압분할회로(11)의 전압분할비율은 상기 결핍형 및 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q1∼Q8)의 임계전압에서 변동의 정도차에 의해 판정되게 되며, 그에 따라 기준전위(VREF)에 대한 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)에서의 변동영향을 억제시켜 줄 수가 있게 된다. 즉, 전압분할회로(11)의 전압분할비율이 직렬로 접속된 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q2∼Q7)의 갯수변환 또는 다른 접속점으로부터 기준전위(VREF)을 획득함으로서 판정되게 된다.
제2도는 전원전압에 의해 제1도에 도시된 기준전위발생회로로부터 기준전위의존성을 설명하기 위한 도면이고, 제3도는 임계전압에 의해 제1도에 도시된 기준전위발생회로로부터 기준전위의존성을 설명하기 위한 도면으로서, 여기서 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터의 임계전압에서 변동(△VTHE)은 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터의 임계전압에서 2배의 변동(△VTHE)이다. 따라서, 전원전압에 대해 제1도에 도시된 기준전위발생회로의 의존성은 종래의 임계전압의존성기준전위발생회로보다 낮을 뿐만 아니라 임계전압에 대한 의존성도 종래의 전원전압의존성기준전위발생회로보다 낮아지게 된다. 이와 같이 구성된 기준전위발생회로는 전원전압과 트랜지스터의 임계전압의 양쪽에 대한 의존성을 낮아지게해 줄 수 있다.
제1도에 도시된 기준전위발생회로는, 예컨대 제4도에 도시된 감지증폭회로의 기준전위(VREF)를 발생시켜 주기 위해 사용되고 있는 바, 제4도에 도시된 감지증폭회로의 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q9)(Q10)는 차동입력쌍으로 구성되고, 이 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q9)(Q10)는 한단자에 서로 접속되면서 게이트가 각각의 트랜지스터의 다른단자로 교차적으로 접속되게 된다. 이어 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q11)의 드레인 및 소오스사이의 전류통로는 상기 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q9)(Q10)의 접속점과 접지단자(VSS)사이에 접속되게 되고, 이 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q11)의 도통상태는 감지증폭회로를 구동시키기 위한 신호(Ø)에 의해 제어되게 되므로 이 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q11)는 전류원으로서 작용하게 된다. 그리고, 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q12)의 드레인과 소오스사이의 전류통로는 상기 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q9)의 다른단자와 전원단자(VDD) 사이에 접속되면서 그 게이트가 전원단자(VDD)에 접속되고, 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q13)의 드레인과 소오스사이의 전류통로는 상기 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q10)의 다른단자와 전원단자(VDD) 사이에 접속되면서 그 게이트가 전원단자(VDD)에 접속된다.
또 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q14)의 드레인 및 소오스는 상기 성장형 및 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q9) (Q12) 사이의 접속점 (N3)과 접지단자(VSS)에 각각 접속하게 되고, 이 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q14)의 도통상태는 외부로부터 공급되는 입력신호(VIN)에 의해 제어되어 진다. 이어 상장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q15)의 드레인과 소오스는 상기 성장형 및 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q10) (Q13) 사이의 접속점(N4)과 접지단자(VSS)에 각각 접속하게 되고, 이 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q15)의 도통상태는 제1도에 도시된 기준전위발생회로로부터 공급되는 출력전압(VREF)에 의해 제어되게 된다. 따라서, 도시되어 있지 않는 메모리셀과 모의셀은 접속점(N3) (N4)에 각각 접속되는 한편, 출력신호((
Figure kpo00001
)가 상기 접속점(N3)으로부터 얻어지면서 출력신호(VOUT)가 상기 접속점(N4)으로부터 얻어지게 된다.
상기와 같이 구성되는 감지증폭회로에서, 외부적으로 공급되는 입력신호(VIN)는 다음과 같은 판정조건 (a)(b)에 입각해서 하이레벨 또는 로우레벨로 판정하게 되는 바, 먼저 (a) 입력신호(VIN)가 2.4V보다 더 높다면 감지증폭회로는 외부적으로 공급되는 입력신호(VIN)가 하이레벨의 신호를 판정하게 되고, (b) 입력신호 (VIN)가 0.8V보다 더 낮다면 감지증폭회로는 외부적으로 공급되는 입력신호(VIN)가 로우레벨의 신호로 판정하게 된다.
이상과 같은 조건을 만족하는지 여부를 조사하기 위해서는 하이레벨 및 로우레벨의 판정기준으로 되는 전위를 설정할 필요가 있다. 그런데, 상기 동작조건을 만족시키기 위한 기준전위(VREF)는 하이레벨측 및 로우레벨측의 양쪽에 마진을 유지시킨다면 하이레벨측 하한전위인 2.4V와 로우레벨측 상한전위인 0.8V와의 중간전위인 1.6V로 된다. 따라서, 1.6V의 기준전위(VREF)는 제1도에 도시된 기준전위발생회로로부터 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q15)로 공급되게 된다.
또 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 여러종류로 변형시킬 수도 있는 바, 예컨대 상기 실시예에서는 접속점(N1)(N2)사이에 전압분할회로(11)로서 드레인과 게이트를 접속시킨 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q2∼Q7)를 이용했지만, 제5도에 도시된 바와 같이 접속점 접속점(N1)(N2) 사이에 직렬로 접속된 복수개의 저항소자(R1∼R6)를 설치해서 이들 저항소자 (R1∼R6)의 접속점으로부터 선택적으로 기준전위(VREF)를 얻을 수 있도록 해도 좋다.
제6도에 도시된 바와같이 접속점(N1)(N2) 사이에 게이트를 접지단자(VSS)에 접속시킨 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q16∼Q21)를 설치해 주거나, 제7도에 도시된 바와 같이 접속점(N1)(N2) 사이에 게이트를 전원단자(VDD)에 접속시킨 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q22∼Q27)를 설치해도 전술한 실시예와 마찬가지의 동작이 이루어질 뿐만 아니라 마찬가지의 효과가 얻어지게 된다. 제1도의 실시예에서는 드레인과 게이트를 접속시킨 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q2∼Q7)를 이용했지만, 제8도에 도시된 바와같이 소오스와 게이트를 접속시킨 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q28∼Q33)를 이용해도 좋다.
제9도는 본 발명의 다른 실시예에 관한 기준전위발생회로를 도시해 놓은 것으로, 즉 전압분할회로(11)는 직렬로 접속된 다이오드(D1∼D6)로 구성되어져 있는 바, 이러한 상태에서는 전술한 실시예와 마찬가지의 동작이 이루어질 뿐만 아니라 마찬가지의 효과도 얻어진다.
제10도는 본 발명의 또다른 실시예에 관한 기준전위발생회로를 도시해 놓은 것으로, 즉 기준전위발생회로는 제1도에 도시된 기준전위발생회로에다 부하회로(12)와 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q34)를 추가로 구성되어져 있는 바, 상기 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q34)의 게이트와 드레인은 상기 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)의 게이트에 접속되면서 그 소오스가 접지단자(VS)에 접속되고, 또 부하회로(12)는 전원단자(VDD)와 상기 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q34)의 드레인사이에 접속되게 된다.
제1도 및 제5도 내지 제9도에 도시된 기준전위발생회로에서 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)의 게이트전위는 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q2)의 임계전압에 의해 결정되는 한편, 제10도에 도시된 기준전위발생회로에서 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)의 게이트전위는 부하회로(12)와 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q34)의 수단에 의해 결정되게 되므로, 상기 트랜지스터(Q1)의 게이트전위는 부하회로(12)와 트랜지스터(Q32)의 사용에 의해 자유롭게 결정되게 되며, 그에 따라 임계전압에 대해 출력전압(VREF)의 의존성을 정확하고 자유롭게 보상할 수 있게 된다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 기준전위발생회로에 의하면, 전원전압의존성과 트랜지스터의 임계전압에 대한 의존성의 양쪽을 낮힐 수 있도록 된 기준전위발생회로를 제공할 수 있게 된다.

Claims (10)

  1. 기준전압으로 사용되는 출력전압을 발생시키도록 제1전위공급원(VSS)과 제2전위공급원(VDD)사이의 전압을 분할시킬 수 있는 기준전위발생회로에 있어서, 소오스가 제1전위공급원(VSS)에 접속되면서 드레인과 게이트가 상호적으로 접속되는 성장형 제1절연게이트전계효과트랜지스터(Q8)와, 드레인이 제2전위공급원(VDD)에 접속되면서 게이트가 상기 제1절연게이트전계효과트랜지스터(Q8)의 드레인과 게이트사이의 접속점에 접속되는 결핍형 제2절연게이트전계효과트랜지스터(Q1) 및 상기 제1절연게이트전계효과트랜지스터(Q8)의 드레인과 상기 제2절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)의 소오스사이에 접속되는 접압분할수단(11)이 구성된 것을 특징으로 하는 기준전위발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1전위공급원이 접지단자(VSS)이고 상기 제2전위공급원이 전원단자(VDD)인 것을 특징으로 하는 기준전위발생회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전압분할수단(11)이, 상기 제1절연게이트전계효과트랜지스터(Q8)의 드레인과 상기 제2절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)의 소오스사이에 직렬로 접속되면서 각기 드레인과 게이트가 상호적으로 접속되는 복수개의 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q2∼Q7)로 구성되어, 상기 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터터(Q2∼Q7)의 접속점으로부터 출력전압(VREF)을 얻을 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 기준전위발생회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전압분할수단(11)이, 상기 제1절연게이트전계효과트랜지스터(Q8)의 드레인과 상기 제2절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)의 소오스사이에 직렬로 접속되는 복수개의 저항소자(R1∼R6)로 구성되어, 상기 저항소자(R1∼R6)의 접속점으로부터 출력전압(VREF)을 얻을 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 기준전위발생회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전압분할수단(11)이, 상기 제1절연게이트전계효과트랜지스터(Q8)의 드레인과 상기 제2절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)의 소오스사이에 직렬로 접속되면서 각기 통전상태로 셋팅되도록 게이트가 접지단자(VSS)에 접속되는 복수개의 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q16∼Q21)로 구성되어, 상기 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q16∼Q21)의 접속점으로부터 출력전압(VREF)을 얻을 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 기준전위발생회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 전압분할수단(11)이, 상기 제1절연게이트전계효과트랜지스터(Q8)의 드레인과 상기 제2절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)의 소오스사이에 접속되면서 각기 통전상태로 셋팅되도록 게이트가 전원단자(VDD)에 접속되는 복수개의 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q22∼Q27)로 구성되어, 상기 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q22∼Q27)의 접속점으로부터 출력전압(VREF)을 얻을 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 기준전위발생회로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 전압분할수단(11)이, 상기 제1절연게이트전계효과트랜지스터(Q8)의 드레인과 상기 제2절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)의 소오스사이에 직렬로 접속되면서 각기 소오스와 게이트가 상호적으로 접속되는 복수개의 결핍형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q28∼Q33)로 구성되어, 상기 절연게이트전계효과트랜지스터(Q28∼Q33)의 접속점으로부터 출력전압(VREF)을 얻을 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 기준전위발생회로.
  8. 제1항에 있어서, 상기 전압분할수단(11)이, 상기 제1절연게이트전계효과트랜지스터(Q8)의 드레인과 상기 제2절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)의 소오스사이에 직렬로 접속되는 복수개의 다이오드(D1∼D6)로 구성되어, 상기 다이오드(D1∼D6)의 접속점으로부터 출력전압(VREF)을 얻을 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 기준전위발생회로.
  9. 제1항에 있어서, 감지증폭회로의 기준전압(VREF)을 발생시킬 수 있도록 이루어진 것을 특징으로 하는 기준전위발생회로.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제2절연게이트전계효과트랜지스터(Q1)의 소오스와 상기 제1전위공급원(VSS) 사이에 접속되는 드레인-소오스통로를 갖춘 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q34)와, 상기 성장형 절연게이트전계효과트랜지스터(Q34)의 드레인과 게이트가 일단에 접속되면서 상기 제2전위공급원(VDD) 이 타단에 접속되는 부하수단(12)이 구비된 것을 특징으로 하는 기준전위발생회로.
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Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0690655B2 (ja) * 1987-12-18 1994-11-14 株式会社東芝 中間電位発生回路
JPH0673092B2 (ja) * 1988-04-12 1994-09-14 日本電気株式会社 定電圧発生回路
JP2751422B2 (ja) * 1988-06-27 1998-05-18 日本電気株式会社 半導体装置
JP2736789B2 (ja) * 1988-09-24 1998-04-02 三菱電機株式会社 ドライバ回路装置
US5079441A (en) * 1988-12-19 1992-01-07 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit having an internal reference circuit to supply internal logic circuits with a reduced voltage
US5182468A (en) * 1989-02-13 1993-01-26 Ibm Corporation Current limiting clamp circuit
US5261913A (en) * 1989-07-26 1993-11-16 J.B.S. Limited Company Device for straightening, securing, compressing and elongating the spinal column
US5029278B1 (en) * 1990-01-02 1993-03-16 Transducer interface circuit
US5008565A (en) * 1990-01-23 1991-04-16 Triquint Semiconductor, Inc. High-impedance FET circuit
US5029283A (en) * 1990-03-28 1991-07-02 Ncr Corporation Low current driver for gate array
US5010385A (en) * 1990-03-30 1991-04-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Resistive element using depletion-mode MOSFET's
US5146151A (en) * 1990-06-08 1992-09-08 United Technologies Corporation Floating voltage reference having dual output voltage
JP2642512B2 (ja) * 1990-11-16 1997-08-20 シャープ株式会社 半導体集積回路
KR920010633A (ko) * 1990-11-30 1992-06-26 김광호 반도체 메모리 장치의 기준전압 발생회로
US5233289A (en) * 1991-04-23 1993-08-03 Harris Corporation Voltage divider and use as bias network for stacked transistors
KR930008661B1 (ko) * 1991-05-24 1993-09-11 삼성전자 주식회사 반도체메모리장치의 데이타입력버퍼
JPH0555881A (ja) * 1991-08-27 1993-03-05 Toshiba Corp 遅延回路
US5229662A (en) * 1991-09-25 1993-07-20 National Semiconductor Corporation Logic circuit capable of operating with any one of a plurality of alternative voltage supply levels
US5281906A (en) * 1991-10-29 1994-01-25 Lattice Semiconductor Corporation Tunable voltage reference circuit to provide an output voltage with a predetermined temperature coefficient independent of variation in supply voltage
US5276361A (en) * 1991-11-25 1994-01-04 Ncr Corporation TTL compatible input buffer
US5221864A (en) * 1991-12-17 1993-06-22 International Business Machines Corporation Stable voltage reference circuit with high Vt devices
DE69306603T2 (de) * 1992-02-11 1997-06-05 Philips Electronics Nv Stromteiler sowie integrierte Schaltung mit mehreren Stromteilern
US5175490A (en) * 1992-04-03 1992-12-29 Hewlett Packard Company Reference voltage source
US5321319A (en) * 1992-06-08 1994-06-14 Advanced Micro Devices, Inc. High speed CMOS bus driver circuit that provides minimum output signal oscillation
JPH0637337A (ja) * 1992-07-16 1994-02-10 Kawasaki Steel Corp 半導体集積回路
JPH06223568A (ja) * 1993-01-29 1994-08-12 Mitsubishi Electric Corp 中間電位発生装置
DE69322866T2 (de) * 1993-09-30 1999-05-20 St Microelectronics Srl Schaltung zur Begrenzung des über einen Leistungs MOS an eine Last abgegebenen Maximalstroms
US5955889A (en) 1994-05-20 1999-09-21 Fujitsu Limited Electronic circuit apparatus for transmitting signals through a bus and semiconductor device for generating a predetermined stable voltage
EP0704901B1 (en) * 1994-09-30 1999-12-15 STMicroelectronics S.r.l. Tolerant integrated circuit to great manufacturing faults
JPH09139085A (ja) * 1995-11-16 1997-05-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体電位供給装置およびこれを用いた半導体記憶装置
US5859558A (en) * 1997-04-11 1999-01-12 Raytheon Company Low voltage analog front end
TW457688B (en) * 1999-12-20 2001-10-01 Winbond Electronics Corp Input/output port with high voltage tolerance
US6617836B1 (en) * 2002-05-08 2003-09-09 National Semiconductor Corporation CMOS sub-bandgap reference with an operating supply voltage less than the bandgap
US6897702B2 (en) * 2002-05-30 2005-05-24 Sun Microsystems, Inc. Process variation compensated high voltage decoupling capacitor biasing circuit with no DC current
KR100594227B1 (ko) * 2003-06-19 2006-07-03 삼성전자주식회사 피크 전류가 감소된 인버터를 가지는 저전력 저잡음 비교기
US7411433B2 (en) * 2003-12-18 2008-08-12 Stmicroelectronics, Inc. Reset ramp control
US20050280447A1 (en) * 2004-06-16 2005-12-22 Curtis Susan A Low voltage selection control circuit for dual power supply systems
US7621463B2 (en) * 2005-01-12 2009-11-24 Flodesign, Inc. Fluid nozzle system using self-propelling toroidal vortices for long-range jet impact
US7362084B2 (en) 2005-03-14 2008-04-22 Silicon Storage Technology, Inc. Fast voltage regulators for charge pumps
JP2006311731A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Seiko Instruments Inc 電子回路
US20080284489A1 (en) * 2007-05-14 2008-11-20 Mediatek Singapore Pte Ltd Transconductor and mixer with high linearity
US7642853B2 (en) 2007-08-23 2010-01-05 Qualcomm, Incorporated High-swing operational amplifier output stage using adaptive biasing
US20100194465A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 Ali Salih Temperature compensated current source and method therefor
US7808308B2 (en) * 2009-02-17 2010-10-05 United Microelectronics Corp. Voltage generating apparatus
FR2943866B1 (fr) * 2009-03-24 2011-04-01 Dolphin Integration Sa Circuit d'alimentation pour mode de sommeil
JP5337613B2 (ja) * 2009-07-28 2013-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 レギュレータ回路、および非接触データキャリア
US8924765B2 (en) * 2011-07-03 2014-12-30 Ambiq Micro, Inc. Method and apparatus for low jitter distributed clock calibration
US20130127515A1 (en) * 2011-11-22 2013-05-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Voltage dividing circuit
WO2013137910A1 (en) * 2012-03-16 2013-09-19 Tseng Richard Y A low-impedance reference voltage generator
US9110486B2 (en) * 2012-09-06 2015-08-18 Freescale Semiconductor, Inc. Bandgap reference circuit with startup circuit and method of operation
EP2779456B1 (en) * 2013-03-15 2018-08-29 Dialog Semiconductor B.V. Method for reducing overdrive need in mos switching and logic circuit
CN104660248B (zh) * 2013-11-19 2018-06-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 上拉电阻电路
US9436196B2 (en) * 2014-08-20 2016-09-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Voltage regulator and method
US9813056B2 (en) * 2015-09-21 2017-11-07 Analog Devices Global Active device divider circuit with adjustable IQ
CN106959716B (zh) * 2016-01-12 2019-08-27 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 参考电压发生装置
JP7075172B2 (ja) * 2017-06-01 2022-05-25 エイブリック株式会社 基準電圧回路及び半導体装置
US11650656B1 (en) 2022-04-20 2023-05-16 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Low-power voltage detector for low-voltage CMOS processes

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3956661A (en) * 1973-11-20 1976-05-11 Tokyo Sanyo Electric Co., Ltd. D.C. power source with temperature compensation
US4100437A (en) * 1976-07-29 1978-07-11 Intel Corporation MOS reference voltage circuit
JPS5434044A (en) * 1977-08-19 1979-03-13 Seiko Instr & Electronics Ltd Constant voltage circuit
US4224539A (en) * 1978-09-05 1980-09-23 Motorola, Inc. FET Voltage level detecting circuit
GB2034937B (en) * 1978-11-14 1983-01-06 Philips Electronic Associated Regulated power supply
JPS5672530A (en) * 1979-11-19 1981-06-16 Nec Corp Semiconductor circuit
US4446383A (en) * 1982-10-29 1984-05-01 International Business Machines Reference voltage generating circuit
US4636664A (en) * 1983-01-10 1987-01-13 Ncr Corporation Current sinking responsive MOS sense amplifier
JPS59218042A (ja) * 1983-05-26 1984-12-08 Toshiba Corp 半導体集積回路
US4614882A (en) * 1983-11-22 1986-09-30 Digital Equipment Corporation Bus transceiver including compensation circuit for variations in electrical characteristics of components
JPH0679262B2 (ja) * 1984-02-28 1994-10-05 シャープ株式会社 参照電圧回路
JPH0756613B2 (ja) * 1984-09-10 1995-06-14 シャープ株式会社 基準電圧発生回路
US4663584B1 (en) * 1985-06-10 1996-05-21 Toshiba Kk Intermediate potential generation circuit
JPS6299817A (ja) * 1985-10-25 1987-05-09 Seiko Instr & Electronics Ltd 定電圧回路
US4686451A (en) * 1986-10-15 1987-08-11 Triquint Semiconductor, Inc. GaAs voltage reference generator

Also Published As

Publication number Publication date
KR880014568A (ko) 1988-12-24
US4833342A (en) 1989-05-23
JPH0679263B2 (ja) 1994-10-05
JPS63282815A (ja) 1988-11-18
EP0291062B1 (en) 1992-07-15
DE3872762T2 (de) 1993-02-25
EP0291062A1 (en) 1988-11-17
DE3872762D1 (de) 1992-08-20

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