JP2525346B2 - 定電流源回路を有する差動増幅回路 - Google Patents

定電流源回路を有する差動増幅回路

Info

Publication number
JP2525346B2
JP2525346B2 JP58200045A JP20004583A JP2525346B2 JP 2525346 B2 JP2525346 B2 JP 2525346B2 JP 58200045 A JP58200045 A JP 58200045A JP 20004583 A JP20004583 A JP 20004583A JP 2525346 B2 JP2525346 B2 JP 2525346B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
constant current
current source
circuit
source circuit
temperature coefficient
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP58200045A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6093530A (ja
Inventor
敦志 折谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP58200045A priority Critical patent/JP2525346B2/ja
Priority to CA000466044A priority patent/CA1224543A/en
Priority to EP84307366A priority patent/EP0140677B1/en
Priority to KR1019840006671A priority patent/KR890004647B1/ko
Priority to DE8484307366T priority patent/DE3483904D1/de
Priority to US06/665,877 priority patent/US4636742A/en
Publication of JPS6093530A publication Critical patent/JPS6093530A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2525346B2 publication Critical patent/JP2525346B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183Long tailed pairs
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/22Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
    • G05F3/222Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
    • G05F3/225Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only with compensation for device parameters, e.g. Early effect, gain, manufacturing process, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a current or voltage as a predetermined function of the temperature
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/24Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
    • G05F3/242Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
    • G05F3/245Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a voltage or current as a predetermined function of the temperature
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/301Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in MOSFET amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45085Long tailed pairs
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45456Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising bias stabilisation means, e.g. DC-level stability, positive or negative temperature coefficient dependent control
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45702Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising two resistors

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 定電流源回路に関し、特にPチャンネルMOSトランジ
スタおよびNチャンネルMOSトランジスタ等のしきい値
電圧の温度特性等を利用して所定の温度係数を有する定
電流源回路部を構成し、所望の温度特性を有する電流出
力を得るようにした定電流源回路を有する差動増幅回路
に関し記述される。
〔産業上の利用分野〕
本発明は定電流源回路を有する差動増幅回路に関す
る。本発明による回路は例えば計算機回路用のエミッタ
カップルドロジック回路等に用いられる。
〔従来技術、および発明が解決しようとする問題点〕
例えば、ECL(エミッタカップルドロジック)回路に
おいては、定電流源回路が用いられるが、この定電流源
回路の電流は通常電源電圧の変動に対してはかなり安定
化されているが、温度変化に対する安定度は必ずしも充
分でない場合がある。特に、多数のECL回路が多段接続
された場合には定電流源回路の電流がわずかに変動して
も出力信号の論理レベルの電圧が変動し電圧マージンが
少なくなる。
従来、ECL回路等に用いられる定電流源回路は例えば
ダイオードの順方向電圧あるいはバイポーラトランジス
タのベースエミッタ間電圧の温度特性を利用して出力電
流の温度特性を補償していた。あるいは、MOSトランジ
スタを用いた定電流回路においては、負帰還回路を用い
ることによって出力電流を安定化していた。
しかしながら、これらの従来形の定電流源回路におい
ては、出力電流の温度係数を所望の値に設定することが
極めて困難であるという問題点があった。
本発明の目的は、前述の従来形における問題点に鑑
み、所定の温度係数を有する定電流源回路部の出力を合
成するという構想に基づき、定電流源における定電流の
決定要素として正の温度係数をもった電流要素と負の温
度係数をもった電流要素の2値を組合わせることにより
3値の状態を生成し得るようにし、システムインタフェ
イス回路の温度特性をシステムインタフェイス系全体と
してマッチングがとれるような最適なものとし、それに
より出力電流の温度特性を所望の特性に設定できるよう
にした定電流源回路を有する差動増幅回路を得ることに
ある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明においては、ドレインが負荷を介して電源に接
続され、ゲートが入力信号を受け、ソースが共通接続さ
れた一対のMOSトランジスタと、該共通ソース側に接続
された第1および第2の定電流源回路とを備え、該第1
の定電流源回路は正の温度係数を有し、該第2の定電流
源回路は負の温度係数を有することにより、該定電流源
回路の出力電流が所定の温度特性を有することを特徴と
する定電流源回路を有する差動増幅回路、が提供され
る。
〔実施例〕
本発明による定電流源回路を有する差動増幅回路の原
理が第1図を参照しつつ説明される。第1図の回路は、
カレントスイッチまたは差動増幅器等の差動回路A1、差
動回路A1の共通エミッタあるいは共通ソースと電源VSS
間に挿入されたMOSトランジスタQ1およびQ2の並列回
路、トランジスタQ1のゲートに接続された第1の定電流
源回路部CS1、そしてトランジスタQ2のゲートに接続さ
れた第2の定電流源回路部CS2を具備する。なお、定電
流源回路部CS1およびCS2はそれぞれトランジスタQ1およ
びQ2と組み合わされて定電流源回路を構成してもよく、
あるいは各トランジスタQ1およびQ2のゲートにそれぞれ
の出力電流に対応する制御電圧を供給してもよい。
第1の定電流源回路が正の温度係数を、第2の定電流
源回路が負の温度係数を有するようにすることができ
る。
その場合には、トランジスタQ1のドレイン電流IS1
正の温度係数を有する定電流源回路部CS1によって制御
されるから、第2図に示すように正の温度係数を有す
る。また、トランジスタQ2のドレイン電流IS2は負の温
度係数を有する定電流源回路部CS2によって制御される
から負の温度係数を有する。したがって、これらの各電
流IS1およびIS2をトランジスタQ1およびQ2によって構成
される電流合成回路によって合成することにより第2図
に示すように温度係数0の出力電流ISを得ることができ
る。
第3図は、本発明の1実施例としての定電流源回路を
有する差動増幅回路の構成を示す。同図の回路は、ソー
スが共通接続された差動トランジスタQ3およびQ4と負荷
抵抗R1およびR2を有する差動回路A1、トランジスタQ3
よびQ4の共通ソースに接続された負の温度係数を有する
定電流源回路部CS2を構成するNチャンネルMOSトランジ
スタQ5およびQ6と抵抗R3,R4、正の温度係数を有する定
電流源回路部CS1を構成するNチャンネルMOSトランジス
タQ8、PチャンネルMOSトランジスタQ9およびQ10と抵抗
R5およびR6、および電流合成回路を構成するNチャンネ
ルMOSトランジスタQ7を具備する。なお、トランジスタQ
5は電流合成回路の1部としておよび負の温度係数を有
する定電流源回路CS2の1部として用いられている。な
お、第3図回路においては高電位電源VCCおよび低電位
電源VSSが用いられる。
第3図の回路においては、定電流源回路CS1のPチャ
ンネルMOSトランジスタQ9およびQ10のしきい値特性は、
第4図(a)に示されるように、温度が上昇すると同じ
ゲート電圧VGに対してドレイン電流IDが増加する。すな
わちゲートのしきい値電圧が低下する傾向を有する。し
たがって温度上昇に伴い抵抗R5を流れる電流が増加し、
トランジスタQ8を流れる電流も増加する。トランジスタ
Q8とトランジスタQ7とはカレントミラー回路を構成して
いるから、トランジスタQ7を流れる電流IS1も温度上昇
に伴い増加する。このため、定電流回路部CS1は温度上
昇に応じて差動回路の出力電圧Vo1およびVo2の電位を下
げる方向に作用する。
一方、定電流源回路CS2においては、NチャンネルMOS
トランジスタQ6等のしきい値特性は、第4図(b)に示
すように、温度上昇に応じてゲート電圧のしきい値が低
くなり抵抗R4を流れる電流すなわち定電流源回路部CS2
の出力電流IS2が減少する。すなわち、定電流源回路部C
S2は温度上昇に応じて差動回路の出力電圧Vo1およびVo2
を上昇させる方向に作用する。
定電流源回路CS1は正の温度係数を有し、定電流源回
路CS2は負の温度係数を有する。定電流源回路CS1と定電
流源回路CS2を組合わせることにより、出力電流の温度
係数を0,+,−の3値のいずれかへ調整することが可能
である。
このような2つの定電流源回路部CS1およびCS2の出力
電流IS1およびIS2を合成して出力電流ISを生成すること
により、定電流源回路の温度特性を完全に補償すること
が可能になる。また、トランジスタQ7とQ8のgm比を変え
ること等により任意の温度係数を有する定電流源回路を
構成できることは明らかである。
なお、第3図の回路において、各定電流源回路部CS1
およびCS2のトランジスタQ9およびQ10、およびトランジ
スタQ5およびQ6はそれぞれ負帰還回路を構成しているか
ら電源電圧VCC等の変動に対しても出力電流IS1およびIS
2が安定化されていることは明らかである。
〔発明の効果〕
このように、本発明によれば、定電流源における定電
流の決定要素として正の温度係数をもった電流要素と負
の温度係数をもった電流要素の2値を組合わせることに
より3値の状態を生成することができ、システムインタ
フェイス回路の温度特性をシステムインタフェイス系全
体としてマッチングがとれるような最適なものとするこ
とができ、所定の温度係数を有する定電流源回路部によ
って電流出力を得ることができ、ECL回路等の回路の特
性および使用条件等に応じて所望の温度係数を有する出
力電流を出力する定電流源回路を有する差動増幅回路を
実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係わる定電流源回路を有する差動増幅
回路の原理を説明するためのブロック回路図、第2図は
第1図の回路の特性を示すグラフ、第3図は本発明の1
実施例に係わる定電流源回路を示す電気回路図、第4図
(a)および(b)は第3図の回路の動作を説明するた
めのグラフ、である。 A1:差動回路、 CS1:正の温度係数を有する定電流源回路部、 CS2:負の温度係数を有する定電流源回路部、 Q1,Q2,…,Q10:MOSトランジスタ、 R1,R2,…,R6:抵抗。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ドレインが負荷を介して電源に接続され、
    ゲートが入力信号を受け、ソースが共通接続された一対
    のMOSトランジスタと、該共通ソース側に接続された第
    1および第2の定電流源回路とを備え、該第1の定電流
    源回路は正の温度係数を有し、該第2の定電流源回路は
    負の温度係数を有することにより、該定電流源回路の出
    力電流が所定の温度特性を有することを特徴とする定電
    流源回路を有する差動増幅回路。
JP58200045A 1983-10-27 1983-10-27 定電流源回路を有する差動増幅回路 Expired - Lifetime JP2525346B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58200045A JP2525346B2 (ja) 1983-10-27 1983-10-27 定電流源回路を有する差動増幅回路
CA000466044A CA1224543A (en) 1983-10-27 1984-10-22 Constant-current source circuit and differential amplifier using the same
EP84307366A EP0140677B1 (en) 1983-10-27 1984-10-26 Differential amplifier using a constant-current source circuit
KR1019840006671A KR890004647B1 (ko) 1983-10-27 1984-10-26 정전류원회로 및 이 회로를 사용한 차동증폭기
DE8484307366T DE3483904D1 (de) 1983-10-27 1984-10-26 Differentialverstaerker mit einer konstantstromquelle.
US06/665,877 US4636742A (en) 1983-10-27 1984-10-29 Constant-current source circuit and differential amplifier using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58200045A JP2525346B2 (ja) 1983-10-27 1983-10-27 定電流源回路を有する差動増幅回路

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61283060A Division JP2545374B2 (ja) 1986-11-29 1986-11-29 定電流源回路を有する差動増幅回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6093530A JPS6093530A (ja) 1985-05-25
JP2525346B2 true JP2525346B2 (ja) 1996-08-21

Family

ID=16417904

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58200045A Expired - Lifetime JP2525346B2 (ja) 1983-10-27 1983-10-27 定電流源回路を有する差動増幅回路

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4636742A (ja)
EP (1) EP0140677B1 (ja)
JP (1) JP2525346B2 (ja)
KR (1) KR890004647B1 (ja)
CA (1) CA1224543A (ja)
DE (1) DE3483904D1 (ja)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4677368A (en) * 1986-10-06 1987-06-30 Motorola, Inc. Precision thermal current source
JPS63213493A (ja) * 1987-03-02 1988-09-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 3相電流出力回路
US4853646A (en) * 1988-07-19 1989-08-01 Fairchild Semiconductor Corporation Temperature compensated bipolar circuits
US4970415A (en) * 1989-07-18 1990-11-13 Gazelle Microcircuits, Inc. Circuit for generating reference voltages and reference currents
DE69000803T2 (de) * 1989-10-20 1993-06-09 Sgs Thomson Microelectronics Stromquelle mit niedrigem temperaturkoeffizient.
FR2653574B1 (fr) * 1989-10-20 1992-01-10 Sgs Thomson Microelectronics Source de courant a faible coefficient de temperature.
DE69122797T2 (de) * 1990-03-30 1997-04-03 Texas Instruments Inc Referenzspannungs mit steilem Temperaturkoeffizent und Betriebsweise
JPH03296118A (ja) * 1990-04-13 1991-12-26 Oki Micro Design Miyazaki:Kk 基準電圧発生回路
US5068595A (en) * 1990-09-20 1991-11-26 Delco Electronics Corporation Adjustable temperature dependent current generator
US5200654A (en) * 1991-11-20 1993-04-06 National Semiconductor Corporation Trim correction circuit with temperature coefficient compensation
US5448770A (en) * 1993-04-05 1995-09-05 Motorola, Inc. Temperature-coefficient controlled radio frequency signal detecting circuitry
US5410745A (en) * 1993-05-20 1995-04-25 Motorola, Inc. Detector and video amplifier
JPH07225622A (ja) * 1994-02-10 1995-08-22 Fujitsu Ltd 電界効果トランジスタを用いた定電流回路
JP3479408B2 (ja) * 1996-04-23 2003-12-15 アルプス電気株式会社 Agc電圧補正回路
US5818294A (en) * 1996-07-18 1998-10-06 Advanced Micro Devices, Inc. Temperature insensitive current source
US5856749A (en) * 1996-11-01 1999-01-05 Burr-Brown Corporation Stable output bias current circuitry and method for low-impedance CMOS output stage
GB2332760A (en) * 1997-12-24 1999-06-30 Motorola Inc Low voltage stabilised current source
US6265857B1 (en) 1998-12-22 2001-07-24 International Business Machines Corporation Constant current source circuit with variable temperature compensation
US6087820A (en) * 1999-03-09 2000-07-11 Siemens Aktiengesellschaft Current source
DE10066032B4 (de) * 2000-07-28 2010-01-28 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zur Steuerung der Verstärkung einer Verstärkerschaltung
JP4141111B2 (ja) * 2001-03-29 2008-08-27 三洋電機株式会社 信号増幅装置
DE10147101A1 (de) * 2001-09-25 2003-04-24 Infineon Technologies Ag Temperaturstabilisierte Verstärkerschaltung
JP3874247B2 (ja) * 2001-12-25 2007-01-31 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
US6614305B1 (en) * 2002-02-19 2003-09-02 Texas Instruments Incorporated Method and circuit for trimming offset and temperature drift for operational amplifiers and voltage references
JP2006521053A (ja) * 2003-03-20 2006-09-14 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 回路構成およびトランジスタ制御方法
JP4522299B2 (ja) * 2005-03-29 2010-08-11 富士通セミコンダクター株式会社 定電流回路
JP4755875B2 (ja) * 2005-09-30 2011-08-24 三洋電機株式会社 温度補償回路
US8072259B1 (en) * 2008-04-30 2011-12-06 Integrated Device Technology, Inc. Voltage reference and supply voltage level detector circuits using proportional to absolute temperature cells
CN104765405B (zh) * 2014-01-02 2017-09-05 意法半导体研发(深圳)有限公司 温度和工艺补偿的电流基准电路
CN114812846B (zh) * 2022-04-13 2023-03-24 湖南四灵电子科技有限公司 一种兼容正负温度系数传感器的温度采样电路

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5614572U (ja) * 1979-07-13 1981-02-07
JPS5835614A (ja) * 1981-08-27 1983-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積化基準電圧・電流源回路

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3431508A (en) * 1966-03-16 1969-03-04 Honeywell Inc Ph detecting device using temperature compensated field-effect transistor differential amplifier
US3419810A (en) * 1967-04-07 1968-12-31 Ibm Temperature compensated amplifier with amplitude discrimination
US3740658A (en) * 1970-03-03 1973-06-19 Motorola Inc Temperature compensated amplifying circuit
US3886435A (en) * 1973-08-03 1975-05-27 Rca Corp V' be 'voltage voltage source temperature compensation network
JPS5952321A (ja) * 1982-09-17 1984-03-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電流源回路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5614572U (ja) * 1979-07-13 1981-02-07
JPS5835614A (ja) * 1981-08-27 1983-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積化基準電圧・電流源回路

Also Published As

Publication number Publication date
US4636742A (en) 1987-01-13
EP0140677B1 (en) 1991-01-09
EP0140677A2 (en) 1985-05-08
CA1224543A (en) 1987-07-21
KR890004647B1 (ko) 1989-11-21
DE3483904D1 (de) 1991-02-14
EP0140677A3 (en) 1987-05-20
JPS6093530A (ja) 1985-05-25
KR850003085A (ko) 1985-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2525346B2 (ja) 定電流源回路を有する差動増幅回路
US5525897A (en) Transistor circuit for use in a voltage to current converter circuit
US4663584A (en) Intermediate potential generation circuit
US4430582A (en) Fast CMOS buffer for TTL input levels
US4583037A (en) High swing CMOS cascode current mirror
US5266887A (en) Bidirectional voltage to current converter
US3961279A (en) CMOS differential amplifier circuit utilizing a CMOS current sinking transistor which tracks CMOS current sourcing transistors
US7317358B2 (en) Differential amplifier circuit
US5021730A (en) Voltage to current converter with extended dynamic range
KR0126911B1 (ko) 기준전압 발생회로 및 발생방법
US5656952A (en) All-MOS differential high speed output driver for providing positive-ECL levels into a variable load impedance
US5583425A (en) Voltage comparator with controlled output current proportional to difference voltage
KR100363139B1 (ko) 버퍼회로및바이어스회로
EP0266112B1 (en) Cml bias generator
US5886571A (en) Constant voltage regulator
JP2545374B2 (ja) 定電流源回路を有する差動増幅回路
US5349307A (en) Constant current generation circuit of current mirror type having equal input and output currents
GB2209254A (en) Current minor amplifier with reduced supply voltage sensitivity
JPH02502136A (ja) 電圧源
JP3252875B2 (ja) 電圧比較器
US5945842A (en) Output circuit for conversion from CMOS circuit level to ECL circuit level
JP2615005B2 (ja) 半導体集積回路
JP2772069B2 (ja) 定電流回路
JPH0424813A (ja) 定電圧回路
JPH04104517A (ja) バイアス回路