JPH02502136A - 電圧源 - Google Patents

電圧源

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 電  圧  源 技術分野 本発明は電圧源回路に関し、詳しくは、その回路に使用するトランジスタのしき い値電圧に依存した特定の電圧を供給する電圧源回路に関する。
背景技術 このような回路は、特定の電圧を与えることが有利である0MO3ICの分野で 特に有用であり、この特定電圧■ に比例する。このトランジスタはnチャンネ ルの電界■ 効果トランジスタまたはpチャンネルの電界効果トランジスタのいずれでも可能 である。適用例の1つは論理回路であり、ここでは、回路中のトランジスタをス イッチするため、しきい値電圧によって決まる電圧が必要とされ、その結果、論 理的な決定がこの回路によって行われる。他の適用例はセンシング増幅器であり 、この場合増幅器の入力に接続されている線は、この増幅器の感度を改善するた め、しきい値電圧に比例した電圧によってあらかじめ充電される。
したがって、本発明の目的は、使用するトランジスタのしきい値電圧に依存した 電圧を発生する電圧源回路を提供することである。
発明の開示 上記目的を達成するため、本発明に従った電圧源回路は、入力および出力を有し 第1基単電位線に接続された電流ミラー:電流ミラーの入力に接続された基準電 流源;ならびに電流ミラーの出力に接続された第1電流電極、第2基準電位線に 接続された第2電流電極、および基準電流に依存する電圧を第1電流電極におい て発生するように接続された制御電極を有するバイアス・トランジスタ;によっ て構成され、前記電流ミラー出力は当該電圧源回路の出力を形成する。
基準電流源は、前記電流ミラー人力に接続された第1電流電極、前記第2基準電 位線に接続された第2電流電極および入力基準電圧を受は入れるための制tMl 電極を有するトランジスタによって構成されることが好ましい。
以下にざらに詳しく説明するように、バイアス・トランジスタの制御電極は、入 力基準電圧または電流ミラー出力における電圧レベルのいずれかが入力されるよ うに接続可能であり、どちらに接続するかは電圧源回路から出力される要求電圧 によって決まる。
図面の簡単な説明 第1図は、本発明による電圧源回路の基本的な実施例を示す回路図である。
第2図は、本発明による電圧源回路の他の実施例を示す回路図である。
発明を実施するための最良の形態 本発明は、以下に述べる図面を参照することによってざらに詳しく説明される。
第1図は、nチャンネル・トランジスタのしきい値電圧によって決まる電圧を与 える電圧源回路の回路図を示す。
この回路は、pチャンネル・トランジスタM2とM3によって構成される電流ミ ラーによって構成され、各トランジスタの電流電極の1つは電源線VDDに接続 される。トランジスタM2はダイオード結合されて第2電流電極は自己のゲート 電極に接続され、このゲート電極はまたトランジスタM3のゲート電極に接続さ れる。電流ミラーへの入力は、トランジスタM2の第2電流電極によって構成さ れ、この第2電流電極はnチャンネル・トランジスタM1の第1電流電極に接続 される。このトランジスタの第2電流電極はアース基準電位線に接続され、ゲー ト電極は入力基準電圧VREFを入力するように接続される。
電圧源回路の本実施例において、入力基準電圧VREFはnチャンネルトランジ スタのしきい値電DI V 7の2倍に設定される。したがって、 vREF =2v丁 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ (O)一般に、しきい 値電圧vTを有し、電圧Vによってバイアスされるトランジスタに流れる電流■ は、次式で与えられる。
ここでKはトランジスタのゲイン定数、トランジスタM1を流れる電流は、 ンジスタM3を流れるミラーからの電流出力は、l3−X11=XKIVT   ”””(2)ここでXはトランジスタM2およびM3の幾何学比によって決定さ れる定数である。
電流ミラーの出力はnチャンネル・バイアス・トランジスタM4のドレインに接 続され、このトレインは電圧源回路の出力を形成する。トランジスタM4のソー スはアース基準電位線に接続され、トランジスタM4のゲートは、自己のドレイ ンまたはトランジスタM1のゲート電極のいずれかに接続され、これは電圧源回 路から要求される出力電圧によって決まる。
もしトランジスタM4のゲート電極が自己のドレインに接続された場合、このト ランジスタのドレイン・ソース間上式を変形すると、次式が与えられる。
したがって、出力電圧V4は、XK1/に4を適当に選ぶことによって、V丁に 対する1より大きい所定の比率にすることができる。
同様に、もしトランジスタM4のゲート電極がトランジスタM1のゲート電極に 接続された場合、トランジスタM4はトライオード領域で動作させることができ る。このに選ぶことによりしきい値電圧VTより低くすることができることが理 解できる。
したがって、トランジスタM4のゲート電極をトランジスタM1のゲート電極に 接続することによって、比V4/VTは1未満であり、トランジスタM4のゲー ト電極をトランジスタM4のドレインN極に接続することによって比■4/v工 は1よりも大きくなる。
上述の計算はVREF−2VTとして行われたが、V REFは(n+1>・V 丁のいずれの値を用いても同様の結果が得られる。この場合、 トランジスタM4 のゲート電極を自己のドレイン電極に接続することによって 、(2)、(3)式と同様に次式をトランジスタM1に電流を発生させるために は、nはOより大きくなくてはならない。しかしVREFが直列に接続されたダ イオード接続トランジスタによって発生された場合、比VREF /VTを2よ り(すなわち3または4または5以上)大きくするためには電源電圧VDDを高 くする必要がめる。したがって、便宜上vREF””2VTに設定すると便利で ある。
はぼ2V丁の値を有する電圧VREFが発生されている1つの回路を第2図に示 す。この図において、トランジスタM1ないしM4は第1図のそれと同等で、こ れの出力電圧は■4である。基準電圧VREF”’Vlは電圧供給線■ひDと基 準電位線との間に直列に接続された、抵抗RおよびトランジスタMO1aよびM O2によって発生される。しかし、この基準電圧VREFは、ダイオード結合さ れているトランジスタMolおよびMO2のために正確に2VTにならない。こ れらにかかる電圧は次式で与えられる。
ここで1゜はトランジスタMO1およびMO2を流れる電流、KOはこれらのゲ イン定数。
工0もKoもどちらも一定の値を有するとは考えられないが、IOは電源電圧V DDによって決まり、Koはプロセス・パラメータおよび温度の関数である。第 1図の回路において(0)式を参照して、電圧V1によって制御される電流■3 は次式で与えられる。
+41o/に0)・・・・・・・(12)この電流はトランジスタM4に供給さ れる。
比v4/■■をX KI VT ”と正確に等しい値にするた第2図に示すよう に、この値の電流は、別のトランジスタM5、M6およびM7を使用してI3か ら減じることができる。トランジスタM5、およびM7はアース基準電位線と電 流ミラーの出力との間に直列に接続され、この電流ミラーはトランジスタM3お よびM4によって構成される。
トランジスタM5のゲートはトランジスタM1のゲートに接続され、トランジス タM7のゲートはトランジスタMO1およびMO2の接続点に接続される。トラ ンジスタM6はアース基準電位線と電流ミラーの入力との間に接続され、トラン ジスタM6のゲートはトランジスタM7のゲートに接続される。
トランジスタM7は広いチャンネルを有し、電圧フォロワとして働く。トランジ スタM7の出力電圧v5は次式でトランジスタM5を流れ、トライオード領域で 動作する雪上式に(13)式を代入して次式が得られる。
I5 =に5  (2VT r +3Io/に□ >・・・・・(14) K5 を次のように設定する。
K5−2XK1 上式を(14)式に代入し、次式が得られる。
I5−2 X K1  (2VT n +3 fBラヘτ)これはxK1■T2 の必要な値に近いが、比V4/v■を非常に正確に実現するためには21o/K Qの項をざらに打ち消す必要がある。
このことは、電流11にトランジスタM6を流れる電流16を加えることによっ て実現できる。K6=2Klと設定することにより次式が得られる。
2 。
I4 =X (11+16 >  I5 =XKI VT  ・(17)トラン ジスタM4に流れる電流I4は必要とされる値を上式はトランジスタM4のゲー トが自己のドレインに接続される場合であり、さらに、 上式はトランジスタM4のゲートがトランジスタM1のゲートに接続される場合 の電圧を示す。
上述の説明は、本発明による回路の実施例を参照し、電圧は本発明の回路で発生 され、この電圧値はnチャンネルトランジスタのしきい値電圧に比例している。
nチャンネルトランジスタのしきい値電圧に比例して電圧を発生させるために、 上述の回路に相補的な回路を使用することが可能である。
FIG、7 国際調査報告 SA    24770

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.電圧源回路であって: 入力および出力を有し、第1基準電位線に接続された電流ミラー; 該電流ミラーの入力に接続された基準電流源;ならびに前記電流ミラーの出力に 接続された第1電流電極、第2基準電位線に接続された第2電流電極、および基 準電流に依存する電圧を第1電流電極において発生するように接続された制御電 極を有するバイアス・トランジスタ;によって構成され、前記電流ミラーの出力 が当該電圧源回路の出力を形成することを特徴とする電圧源回路。
  2. 2.前記基準電流源は、前記電流ミラーの入力に接続された第1電流電極、前記 第2基準電位線に接続された第2電流電極および入力基準電圧を入力するための 制御電極を有するトランジスタによって構成される;ことを特徴とする請求の範 囲第1項記載の電圧源回路。
  3. 3.前記入力基準電圧は、前記基準電流源を形成するトランジスタのしきい値電 圧のほほ2倍の値を有する;ことを特徴とする請求の範囲第2項記載の電圧源回 路。
  4. 4.前記バイアス・トランジスタの制御電極は、前記入力基準電圧を入力するよ うに接続される;ことを特徴とする請求の範囲第2項または第3項のいすれかに 記載の電圧源回路。
  5. 5.前記バイアス・トランジスタの制御電極は、前記電圧ミラーの出力に接続さ れる; ことを特徴とする請求の範囲第2項または第3項のいすれかに記載の電圧源回路 。
  6. 6.前記入力基準電圧は、第2ダイオード結合トランジスタと前記第1基準電位 線との間に接続された第1ダイオード結合トランジスタのゲート電極で発生する ;ことを特徴とする請求の範囲第3項に記載の電圧源回路。
  7. 7.電圧源回路の出力にむける電圧を修正するため、電流ミラーの入力および出 力における電流を調整する手段;によってさらに構成されることを特徴とする請 求の範囲第6項記載の電圧源回路。
  8. 8.前記調整手段は第1調整トランジスタと第2調整トランジスタとから構成さ れ、第1調整トランジスタは前記電流ミラーの出力と第2調整トランジスタの第 1電流電極との間に直列に接続され、第2調整トランジスタは調整電流を電流ミ ラーの出力で発生する電流から減じるよう、前記第2基準電位線に接続された第 2電流電極と前記入力基準電圧を入力するように接続されたゲート電極とを有し 、第1調整トランジスタのゲート電極は前記第2ダイオード接合トランジスタの ゲート電極に接続される;ことを特徴とする請求の範囲第7項記載の電圧源回路 。
  9. 9.前記調整手段は、電流ミラーの入力と第2基準電位線との間に接続された第 3調整トランジスタによってさらに構成され、調整電流を基準電流源によって発 生された電流に加えるため、前記第3調整トランジスタのゲート電極が前記第2 ダイオード接合トランジスタに接続される;ことを特徴とする請求の範囲第8項 記載の電圧源回路。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950010284B1 (ko) * 1992-03-18 1995-09-12 삼성전자주식회사 기준전압 발생회로
US5349286A (en) * 1993-06-18 1994-09-20 Texas Instruments Incorporated Compensation for low gain bipolar transistors in voltage and current reference circuits
US5793247A (en) * 1994-12-16 1998-08-11 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Constant current source with reduced sensitivity to supply voltage and process variation
US5581209A (en) * 1994-12-20 1996-12-03 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Adjustable current source
US5596297A (en) * 1994-12-20 1997-01-21 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Output driver circuitry with limited output high voltage
US5598122A (en) * 1994-12-20 1997-01-28 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Voltage reference circuit having a threshold voltage shift
US6132625A (en) 1998-05-28 2000-10-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for treatment of aqueous streams comprising biosolids

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3823332A (en) * 1970-01-30 1974-07-09 Rca Corp Mos fet reference voltage supply
FR2454651A1 (fr) * 1979-04-20 1980-11-14 Radiotechnique Compelec Generateur de tension constante pour circuits integres
GB2090442B (en) * 1980-12-10 1984-09-05 Suwa Seikosha Kk A low voltage regulation circuit
EP0084021A1 (en) * 1981-05-18 1983-07-27 Mostek Corporation Reference voltage circuit
JPS6091425A (ja) * 1983-10-25 1985-05-22 Sharp Corp 定電圧電源回路
JPS60243715A (ja) * 1984-10-24 1985-12-03 Hitachi Ltd 電子装置
JPH0690656B2 (ja) * 1985-01-24 1994-11-14 ソニー株式会社 基準電圧の形成回路
US4588941A (en) * 1985-02-11 1986-05-13 At&T Bell Laboratories Cascode CMOS bandgap reference
JPS6269719A (ja) * 1985-09-24 1987-03-31 Toshiba Corp レベル変換論理回路
US4751463A (en) * 1987-06-01 1988-06-14 Sprague Electric Company Integrated voltage regulator circuit with transient voltage protection

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EP0354932B1 (en) 1993-12-29
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