KR900010529A - 전압 발생회로 - Google Patents

전압 발생회로 Download PDF

Info

Publication number
KR900010529A
KR900010529A KR1019890019726A KR890019726A KR900010529A KR 900010529 A KR900010529 A KR 900010529A KR 1019890019726 A KR1019890019726 A KR 1019890019726A KR 890019726 A KR890019726 A KR 890019726A KR 900010529 A KR900010529 A KR 900010529A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
collector
potential
base
resistor
Prior art date
Application number
KR1019890019726A
Other languages
English (en)
Other versions
KR920005259B1 (ko
Inventor
유키히로 우라카와
마사타카 마츠이
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아오이 죠이치, 가부시키가이샤 도시바 filed Critical 아오이 죠이치
Publication of KR900010529A publication Critical patent/KR900010529A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR920005259B1 publication Critical patent/KR920005259B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/613—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in parallel with the load as final control devices
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S323/00—Electricity: power supply or regulation systems
    • Y10S323/907—Temperature compensation of semiconductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

전압 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 전압발생회로의 한 실시예를 나타낸 회로도, 제2도는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 회로도, 제4도는 본 발명의 또다른 실시예를 나타낸 회로도, 제5도는 ECL논리회로의 한 예를 나타낸 회로도, 제6도는 종래의 전압발생회로를 나타낸 회로도, 제10도는 제6도의 전압발생회로에 있어서 정전류 및 출력전위의 Vcc 전원전압의존성을 나타낸 특성도.

Claims (3)

  1. 베이스·콜렉터 상호가 접속되고 에미터가 낮은 전위측의 제1전위(VEE)에 접속되어 있는 제1NPN트랜지스터(Q1)와, 이 제1NPN트랜지스터(Q1)의 콜렉터와 제1정전류원 사이에 접속된 제1저항(R1), 상기 제1NPN트랜지스터(Q1)의 콜렉터·베이스 상호접속점에 베이스가 접속된 제2NPN트랜지스터(Q2), 이 제2NPN트랜지스터(Q2)의 콜렉터와 제2정전류원의 사이에 접속된 제2저항(R2), 상기 제2NPN트랜지스터(Q2)의 에미터와 상기 제1전위(VEE) 사이에 접속된 제3저항(R3), 상기 제2NPN트랜지스터(Q2)의 콜렉터에 베이스가 접속되고 콜렉터·에미터간이 제3정전류원과 상기 제1전위(VEE)와의 사이에 접속된 제3NPN트랜지스터(Q3)를 구비한 전압발생회로에 있어서, 상기 제3정전류원은 상기 제3NPN트랜지스터(Q3)의 콜렉터에 베이스가 접속된제4NPN트랜지스터(Q4)와, 이 제4NPN트랜지스터(Q4)의 에미터와 상기 제1전위(VEE)의 사이에 접속된 제4저항(R4), 높은 전위측의 제2전위(Vcc)와 상기 제4NPN트랜지스터(Q4)의 콜렉터 사이에 소오스·드레인간이 접속되고 게이트·드레인 상호가 접속된 제1P챈널 MOS트랜지스터(P1)의 게이트·드레인 상호접속점에 게이트가 접속되며 소오스가상기 제2전위(Vcc)에 접속되고 드레인이 상기 제3NPN트랜지스터(Q3)의 콜렉터에 접속된 제2P챈널 MOS트랜지스터(P2)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 전압발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1정전류원 및 제2정전류원은 베이스가 상기 제3NPN트랜지스더(Q3)의 콜렉터에 접속되고 에미터가 상기 제1저항(R1) 및 제2저항(R2)의 각 일단에 공통으로 접속되며 콜렉터가 상기 제2전위(Vcc)에 접속된 제5NPN트랜지스터(Q5)로 구성되거나 ; 상기 제1정전류원이 상기 제3NPN트랜지스터(Q3)의콜렉터에 베이스가 접속되고 에미터가 상기 제1저항(R1)의 일단에 접속된 제6NPN트랜지스터(Q6)로 구성되고, 상기 제2정전류원이 상기 제3NPN트랜지스더(Q3)의 콜렉더에 베이스가 접속되고 에미터가 상기 제2저항(R2)의 일단에 접속된 제7NPN트랜지스터(Q7)로 구성된 것을 특징으로 하는 전압발생회로.
  3. 제1항또는 제2항에 있어서, 상기 제3NPN트랜지스터(Q3)의 에미터와 제1전위(VEE)의 사이에 각각 콜렉터·베이스 상호가 접속된 복수개의 NPN트랜지스터(Q31,…,Q3(n-1))가 직렬로 삽입되어 있는 것을 특징으로하는 전압발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890019726A 1988-12-28 1989-12-27 전압발생회로 KR920005259B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63-333608 1988-12-28
JP88-333608 1988-12-28
JP63333608A JPH0727425B2 (ja) 1988-12-28 1988-12-28 電圧発生回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900010529A true KR900010529A (ko) 1990-07-07
KR920005259B1 KR920005259B1 (ko) 1992-06-29

Family

ID=18267951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890019726A KR920005259B1 (ko) 1988-12-28 1989-12-27 전압발생회로

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5049806A (ko)
JP (1) JPH0727425B2 (ko)
KR (1) KR920005259B1 (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5121049A (en) * 1990-03-30 1992-06-09 Texas Instruments Incorporated Voltage reference having steep temperature coefficient and method of operation
IT1245237B (it) * 1991-03-18 1994-09-13 Sgs Thomson Microelectronics Generatore di tensione di riferimento variabile con la temperatura con deriva termica prestabilita e funzione lineare della tensione di alimentazione
US5994755A (en) * 1991-10-30 1999-11-30 Intersil Corporation Analog-to-digital converter and method of fabrication
US5369309A (en) * 1991-10-30 1994-11-29 Harris Corporation Analog-to-digital converter and method of fabrication
US5451860A (en) * 1993-05-21 1995-09-19 Unitrode Corporation Low current bandgap reference voltage circuit
JP3156447B2 (ja) * 1993-06-17 2001-04-16 富士通株式会社 半導体集積回路
US5696464A (en) * 1993-10-22 1997-12-09 At&T Global Information Solutions Company Output driver adaptable to power supply variation
JP2734420B2 (ja) * 1995-08-30 1998-03-30 日本電気株式会社 定電圧源回路
DE19621110C1 (de) * 1996-05-24 1997-06-12 Siemens Ag Ein-/Ausschaltbare Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzpotentials
DE19624676C1 (de) * 1996-06-20 1997-10-02 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzpotentials
US6181121B1 (en) * 1999-03-04 2001-01-30 Cypress Semiconductor Corp. Low supply voltage BICMOS self-biased bandgap reference using a current summing architecture
JP3519646B2 (ja) * 1999-09-13 2004-04-19 東光株式会社 半導体装置
CA2303543A1 (en) * 2000-03-30 2001-09-30 Nortel Networks Corporation Voltage reference source
EP1501001A1 (en) * 2003-07-22 2005-01-26 STMicroelectronics Limited Bias Circuitry
US7826998B1 (en) 2004-11-19 2010-11-02 Cypress Semiconductor Corporation System and method for measuring the temperature of a device
US7477095B2 (en) * 2006-06-15 2009-01-13 Silicon Laboratories Inc. Current mirror architectures
JPWO2014200027A1 (ja) * 2013-06-12 2017-02-23 シャープ株式会社 電圧発生回路
US20160091910A1 (en) * 2013-06-27 2016-03-31 Sharp Kabushiki Kaisha Voltage generation circuit
US10041842B2 (en) * 2014-11-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Method for measuring temperature by refraction and change in velocity of waves with magnetic susceptibility
US10739808B2 (en) * 2018-05-31 2020-08-11 Richwave Technology Corp. Reference voltage generator and bias voltage generator

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3893018A (en) * 1973-12-20 1975-07-01 Motorola Inc Compensated electronic voltage source
US4100477A (en) * 1976-11-29 1978-07-11 Burroughs Corporation Fully regulated temperature compensated voltage regulator
US4100478A (en) * 1977-02-28 1978-07-11 Burroughs Corporation Monolithic regulator for CML devices
US4176308A (en) * 1977-09-21 1979-11-27 National Semiconductor Corporation Voltage regulator and current regulator
US4277739A (en) * 1979-06-01 1981-07-07 National Semiconductor Corporation Fixed voltage reference circuit
JPS59224923A (ja) * 1983-06-03 1984-12-17 Hitachi Ltd 定電圧発生回路
US4553083A (en) * 1983-12-01 1985-11-12 Advanced Micro Devices, Inc. Bandgap reference voltage generator with VCC compensation
US4644249A (en) * 1985-07-25 1987-02-17 Quadic Systems, Inc. Compensated bias generator voltage source for ECL circuits
US4628248A (en) * 1985-07-31 1986-12-09 Motorola, Inc. NPN bandgap voltage generator
JPS62191907A (ja) * 1986-02-19 1987-08-22 Hitachi Ltd 半導体回路
IT1201848B (it) * 1986-10-02 1989-02-02 Sgs Microelettronica Spa Circuito di interfaccia logica ad alta stabilita' e bassa corrente di riposo
US4795918A (en) * 1987-05-01 1989-01-03 Fairchild Semiconductor Corporation Bandgap voltage reference circuit with an npn current bypass circuit
US4849933A (en) * 1987-05-06 1989-07-18 Advanced Micro Devices, Inc. Bipolar programmable logic array
JP2748414B2 (ja) * 1988-07-20 1998-05-06 日本電気株式会社 電圧源回路

Also Published As

Publication number Publication date
KR920005259B1 (ko) 1992-06-29
JPH02178716A (ja) 1990-07-11
JPH0727425B2 (ja) 1995-03-29
US5049806A (en) 1991-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900010529A (ko) 전압 발생회로
KR900013380A (ko) 전압 제어회로
KR880010575A (ko) 논리회로
KR880014568A (ko) 기준 전위 발생회로
KR850006277A (ko) 입력버퍼 및 임계 전압 증가방법
KR840002176A (ko) 반도체 집적회로 장치
KR880010576A (ko) 논리회로
KR910010268A (ko) 전류미러회로
KR900002558A (ko) 출력회로
KR880012009A (ko) BiMOS 논리회로
KR860003712A (ko) 논리게이트 회로
KR910021017A (ko) BiCMOS용 출력회로
KR930007095A (ko) 조정된 바이폴라 시모스 출력 버퍼
KR870009478A (ko) 입력회로
KR940008261A (ko) 바이씨모스(bicmos) 레벨 변환 회로
KR910010877A (ko) Ecl 회로
KR920015734A (ko) 입력 버퍼 재생 래치
KR900011153A (ko) 반도체 논리회로
KR910019340A (ko) 반도체 집적회로
KR850008253A (ko) 차동 증폭기
KR910010866A (ko) Bi-CMOS회로
KR910010860A (ko) 출력회로
KR910015123A (ko) Ecl논리회로
KR920003659A (ko) 저 잡음형 출력 버퍼 회로
KR950010062A (ko) BiCMOS 논리 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030530

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee