DE19624676C1 - Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzpotentials - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines ReferenzpotentialsInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung
eines Referenzpotentials mit einem ersten Transistor, dessen
Emitter mit einem Bezugspotential verbunden ist und dessen
Basis und Kollektor miteinander verschaltet sind, mit einem
zweiten Transistor, dessen Basis mit der Basis des ersten
Transistors verbunden ist, mit einem ersten Widerstand, der
zwischen den Kollektor des ersten Transistors und einen Aus
gangsanschluß zum Abgreifen des Referenzpotentials geschaltet
ist, mit einem zweiten Widerstand, der zwischen den Kollektor
des zweiten Transistors und den Ausgangsanschluß geschaltet
ist, mit einem dritten Widerstand, der zwischen den Emitter
des zweiten. Transistors und das Bezugspotential geschaltet
ist, mit einem dritten Transistor, dessen Basis mit dem Kol
lektor des zweiten Transistors und dessen Emitter mit dem Be
zugspotential verbunden ist, mit einem vierten Transistor,
dessen Kollektor mit dem Versorgungspotential, dessen Emitter
mit dem Ausgangsanschluß und dessen Basis mit dem Kollektor
des dritten Transistors verbunden ist, wobei zwischen Basis
und Kollektor des vierten Transistors eine erste Stromquelle
geschaltet ist.
Eine derartige, auch Bandgap-Referenzspannungsquelle genannte
Schaltungsanordnung ist beispielsweise aus Paul R. Gray, Ro
bert G. Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated
Circuits, Second Edition 1984, Seiten 293 bis 296, Fig. 4, 30a auf Seite 295, bekannt und
wird in einer Vielzahl von integrierten Schaltkreisen zur
Versorgung anderer Schaltungsblöcke mit einem temperaturunab
hängigen Referenzpotential und/oder mehreren Referenzströmen
eingesetzt. In Zukunft wird es darüber hinaus zunehmend wich
tiger, daß die integrierten Schaltkreise insbesondere für die
Anwendung in batteriebetriebenen Geräten möglichst unabhängig
von der Versorgungsspannung arbeiten. Bei jedem mit konstan
ter Basis-Emitter-Spannung oder konstantem Basisstrom ange
steuerten, realen Transistor schwankt aufgrund des Early-Ef
fekts der Kollektorstrom in Abhängigkeit von der Kollektor-
Emitter-Spannung, die ihrerseits oft direkt mit der Versor
gungsspannung verknüpft ist. Der Early-Effekt ist beispiels
weise bei Paul R. Gray, Robert G. Meyer, Analysis and Design
of Analog Integrated Circuits, Second Edition 1984, Seiten 17
bis 19 beschrieben. Kritisch ist dieses Problem gerade auch
deshalb, da schnelle, moderne Transistoren hinsichtlich des
Early-Effekts eher schlechte Eigenschaften aufweisen.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltungsanordnung zur
Erzeugung eines Referenzpotentials anzugeben, bei der der
Early-Effekt weitestgehend kompensiert ist.
Die Aufgabe wird durch eine Schaltungsanordnung gemäß Patent
anspruch 1 gelöst. Ausgestaltungen und Weiterbildungen des
Erfindungsgedankens sind Gegenstand von Unteransprüchen
Vorteil der Erfindung ist es, daß eine Early-Kompensation mit geringem schaltungstechnischen Aufwand erzielt wird.
Vorteil der Erfindung ist es, daß eine Early-Kompensation mit geringem schaltungstechnischen Aufwand erzielt wird.
Dies wird insbesondere dadurch erreicht, daß der ersten
Stromquelle eine zweite Stromquelle parallel geschaltet ist,
die einen Kompensationsstrom zur Kompensation der Strom
schwankungen der ersten Stromquelle erzeugt.
Bei einer Ausgestaltung kann vorgesehen werden, daß der von
der zweiten Stromquelle erzeugte Kompensationsstrom gleich
der mit einem Faktor multiplizierten Differenz eines ersten
Early-abhängigen Stroms und eines zweiten weniger Early-ab
hängigen Stroms ist.
Dabei kann die erste Stromquelle durch einen fünften Tran
sistor gebildet werden, dessen Emitter über einen fünften Wi
derstand an dem Versorgungspotential angeschlossen ist, des
sen Kollektor mit der Basis des vierten Transistors verbunden
ist und dessen Basis über einen sechsten Widerstand mit dem
Versorgungspotential gekoppelt ist. Des weiteren sind Ansteu
ermittel vorgesehen, die über dem sechsten Widerstand eine
von dem am Anschluß anliegenden Potential abhängige Spannung
erzeugen.
Eine Ausgestaltung der Erfindung enthält Ansteuermittel mit
einem sechsten Transistor, dessen Basis mit der Basis des
fünften Transistors und dessen Emitter unter Zwischenschal
tung eines siebten Widerstands mit dem Versorgungspotential
verbunden ist und mit einem siebten Transistor, dessen Basis
an den Ausgangsanschluß, dessen Emitter über einen achten Wi
derstand an das Bezugspotential und dessen Kollektor an den
Kollektor des sechsten Transistors angeschlossen ist. Weiter
hin enthalten die Ansteuermittel einen achten Transistor,
dessen Kollektor-Emitter-Strecke der Kollektor-Emitter-Strecke
des siebten Transistors parallel geschaltet ist und
dessen Basis zum einen über einen neunten Widerstand mit dem
Versorgungspotential und zum anderen über eine Diodenstrecke
und einen zehnten Widerstand in Reihe mit dem Bezugspotential
verbunden ist, sowie einen neunten Transistor, dessen Kollek
tor mit dem Versorgungspotential, dessen Emitter über eine
dritte Stromquelle mit dem Bezugspotential und dessen Basis
mit dem Kollektor des siebten Transistors gekoppelt ist.
Schließlich ist bei den Ansteuermitteln ein zehnter Tran
sistor vorgesehen, dessen Emitter mit der Basis des fünften
Transistors, dessen Kollektor mit dem Bezugspotential und
dessen Basis mit dem Emitter des neunten Transistors ver
schaltet ist.
Bei einer weiteren Ausgestaltung wird die dritte Stromquelle
durch einen elften Transistor gebildet, dessen Emitter über
einen elften Widerstand mit dem Bezugspotential, dessen Kol
lektor mit dem Emitter des neunten Transistors und dessen Ba
sis mit der Basis des achten Transistors verbunden ist.
Bei der zweiten Stromquelle können zwei miteinander gekop
pelte Teilstromquellen zur Bildung des ersten Early-abhängi
gen Stromes und des zweiten weniger Early-abhängigen Stromes,
die einerseits mit dem Versorgungspotential und andererseits
mit dem Eingangskreis bzw. dem Ausgangskreis eines Stromspie
gels verbunden sind, sowie eine mit den anderen beiden Teil
stromquellen gekoppelte dritte Teilstromquelle, die der er
sten Stromquelle parallel geschaltet ist, vorgesehen werden.
Der Knotenpunkt des Ausgangskreises des Stromspiegels und der
zweiten Stromquelle kann dabei mit dem Eingang einer Strom
verstärkerstufe verbunden sein, deren Ausgang wiederum mit
der Basis des neunten Transistors gekoppelt ist.
Bei einer Ausgestaltung der Erfindung kann die Stromverstär
kerstufe durch einen zweiten Stromspiegel gebildet werden.
Die Teilstromquellen können durch die Ausgangszweige einer
Strombank gegeben sein, deren Eingangszweig durch den sech
sten Widerstand realisiert ist.
Schließlich können die Teilstromquellen durch die Ausgangs-Zweige
einer Strombank gebildet werden, deren Eingangszweig
durch einen zwölften Widerstand gegeben ist. Dabei ist dem
zwölften Widerstand die Basis-Emitter-Strecke eines zwölften
Transistors sowie ein in Reihe dazu liegender dreizehnter Wi
derstand parallel geschaltet. Die Basis eines dreizehnten
Transistors, dessen Kollektor an das Versorgungspotential an
geschlossen ist, und der Kollektor eines vierzehnten Tran
sistors, dessen Basis mit der Basis des siebten Transistors
und dessen Emitter über einen vierzehnten Widerstand mit dem
Bezugspotential verbunden ist, sind dabei mit dem Kollektor
des zwölften Transistors gekoppelt. Die Basis eines fünfzehn
ten Transistors, dessen Kollektor mit dem Bezugspotential und
dessen Emitter mit der Basis des zwölften Transistors verbun
den ist, ist an den Emitter eines dreizehnten Transistors an
geschlossen. Die Basis eines sechzehnten Transistors, dessen
Kollektor mit der Basis des fünfzehnten Transistors und dessen
Emitter über einen fünfzehnten Widerstand mit dem Bezugspo
tential verbunden ist, ist dabei mit der Basis des achten
Transistors gekoppelt.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der in den beiden
Figuren der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele näher
erläutert, wobei gleiche Elemente mit gleichen Bezugszeichen
versehen sind. Es zeigt:
Fig. 1 eine erste Ausführungsform und
Fig. 2 eine zweite Ausführungsform einer erfindungsgemäßen
Schaltungsanordnung.
Bei dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel ist ein
npn-Transistor T1 vorgesehen, dessen Emitter mit dem Bezugspoten
tial M verbunden ist und dessen Basis und Kollektor miteinan
der verschaltet und über einen gemeinsamen Widerstand R1 mit
einem ein Referenzpotential führenden Ausgangsanschluß U ge
koppelt sind. An Basis und Kollektor des Transistors T1 ist
die Basis eines npn-Transistors T2 angeschlossen, dessen
Emitter über einen Widerstand R3 mit dem Bezugspotential M
und dessen Kollektor über einen Widerstand R2 mit dem Aus
gangsanschluß U gekoppelt ist.
An dem Ausgangsanschluß U ist darüber hinaus der Emitter ei
nes npn-Transistors T4 angeschlossen, dessen Kollektor mit
einem Versorgungspotential V verbunden ist. Die Basis des
Transistors T4 ist mit dem Kollektor eines npn-Transistors T3
verbunden, dessen Emitter an das Bezugspotential M und dessen
Basis an den Kollektor des Transistors T2 angeschlossen ist.
Die Basis des Transistors T4 ist darüber hinaus über eine
Stromquellenschaltung an das Versorgungspotential V ange
schlossen. Die Stromquellenschaltung weist einen pnp-Tran
sistor T5 auf, dessen Emitter über einen Widerstand R5 mit
dem Versorgungspotential V und dessen Kollektor mit der Basis
des Transistors T4 bzw. dem Kollektor des Transistors T3 ver
bunden ist. Die Basis des Transistors T5 ist mit der Basis
eines pnp-Transistors T6 verschaltet, dessen Emitter über ei
nen Widerstand R6 mit dem Versorgungspotential V gekoppelt
ist, dessen Emitter über einen Widerstand R6 mit dem Versor
gungspotential V gekoppelt ist. Der Kollektor des Transistors
T6 ist darüber hinaus mit dem Kollektor eines npn-Transistors
T7 verbunden, dessen Emitter über einen Widerstand R4 an das
Bezugspotential M angeschlossen ist und dessen Basis mit dem
Ausgangsanschluß U verbunden ist. Weiterhin ist der Kollek
tor-Emitter-Strecke des Transistors T7 die Kollektor-Emitter-Strecke
eines npn-Transistors T8 parallel geschaltet. Die Ba
sis des Transistors T8 ist unter Zwischenschaltung eines Wi
derstandes R8 an das Versorgungspotential V angeschlossen.
Die Basis des Transistors T8 ist zudem mit dem Eingangszweig
eines Stromspiegels verbunden. Der Eingangszweig wird durch
einen npn-Transistor T11 gebildet, dessen Basis und Kollektor
miteinander sowie mit der Basis des Transistors T8 verschal
tet sind und dessen Emitter unter Zwischenschaltung eines Wi
derstandes R10 an das Bezugspotential M angeschlossen ist.
Die Basen der Transistoren T7 und T8 sind zudem über einen
Widerstand R7 miteinander gekoppelt.
Der Ausgangszweig des Stromspiegels wird durch einen
npn-Transistor T12 gebildet, dessen Basis mit der Basis des Tran
sistors T11 verbunden ist und dessen Emitter unter Zwischen
schaltung eines Widerstandes R9 an das Bezugspotential M an
geschlossen ist. Der Kollektor des Transistors T12 ist aus
die Basis eines pnp-Transistors T10, dessen Kollektor mit dem
Bezugspotential M und dessen Emitter mit den Basen der Tran
sistoren T5 und T6 verbunden ist sowie auf den Emitter eines
npn-Transistors T9, dessen Kollektor mit dem Versorgungspo
tential V und dessen Basis mit dem Kollektor des Transistors
T6 verschaltet ist, geführt. Schließlich ist ein Widerstand
R11 zwischen die Basen der Transistoren T5 und T6 einerseits
und das Versorgungspotential V andererseits geschaltet.
Mit dem Kollektor des Transistors T6 ist der Kollektor eines
pnp-Transistors T13 verbunden, dessen Emitter über einen Wi
derstand R12 mit dem Versorgungspotential V verschaltet ist
und dessen Basis mit Basis und Kollektor eines pnp-Tran
sistors T14, mit dem Kollektor eines pnp-Transistors T15 so
wie mit dem Kollektor eines npn-Transistors T18 gekoppelt
ist. Die Emitter der beiden Transistoren T14 und T15 sind
über jeweils einen Widerstand R13 bzw. R14 an das Versor
gungspotential V angeschlossen. Der Emitter des Transistors
T18 ist über einen Widerstand R17 mit dem Bezugspotential M
verbunden. Der Transistor T15 bildet ebenso wie pnp-Tran
sistoren T16 und T17, deren Emitter über jeweils einen Wider
stand R15 bzw. R16 mit dem Versorgungspotential V verbunden
sind, Ausgangszweige eines Stromspiegels, dessen Eingangs
zweig durch den Widerstand R11 gebildet wird. Dazu sind die
Basen der Transistoren T15, T16 und T17 mit den Basen der
Transistoren T5 und T6 gekoppelt. Der Kollektor des Tran
sistors T16 ist mit Basis und Kollektor eines npn-Transistors
T19 sowie mit der Basis des Transistors T18 verschaltet. Der
Emitter des Transistors T19 ist über einen Widerstand R18 mit
dem Bezugspotential M gekoppelt. Der Kollektor des Tran
sistors T17 schließlich ist mit der Basis des Transistors T4
verbunden.
Gegenüber dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel ist
die Ausführungsform nach Fig. 2 dahingehend geändert, daß
die Basen der Transistoren T15, T16 und T17 nicht über den
Widerstand R11 sondern über einen Widerstand R17 mit dem Ver
sorgungspotential V verbunden sind. Die Basen der Transisto
ren T15, T16, T17 sind zudem mit dem Emitter eines pnp-Tran
sistors T18 sowie mit der Basis eines pnp-Transistors T20
verschaltet. Der Kollektor des Transistors T18 ist dabei an
das Bezugspotential M angeschlossen. Der Kollektor des Tran
sistors T20 ist zum einen mit der Basis eines npn-Transistors
T19 verbunden, dessen Kollektor an das Versorgungspotential V
angeschlossen ist, und zum anderen mit dem Kollektor eines
Transistors T21 verschaltet, dessen Basis mit dem Anschluß U
und dessen Emitter unter Zwischenschaltung eines Widerstandes
R19 mit dem Bezugspotential M gekoppelt ist. Die Basis des
Transistors T18 und der Emitter des Transistors T19 sind zu
sammen an dem Kollektor eines npn-Transistors T22 angeschlos
sen, dessen Emitter über einen Widerstand R20 mit dem Bezugs
potential M verbunden ist und dessen Basis mit den Basen der
Transistoren T11 und T12 gekoppelt ist.
Um schließlich auch einen Referenzausgangsstrom erzeugen zu
können, ist ein pnp-Transistor T23 vorgesehen, dessen Basis
mit der Basis des Transistors T5 verschaltet ist und dessen
Emitter über einen Widerstand R21 an das Versorgungspotential
V angeschlossen ist. Der Kollektor ist mit einem Ausgangsan
schluß I verschaltet, an dem der Referenzstrom abgreifbar
ist.
Die getrennte Optimierung der Betriebsspannungsunterdrückung
sowohl im Hinblick auf das Bandgap-Referenzpotential am Aus
gang U sowie auf den Referenzausgangsstrom am Anschluß I kann
getrennt erfolgen durch Einstellen der Emitterfläche des
Transistors T14 im Verhältnis zur Emitterfläche des Tran
sistors T13 sowie durch Anpassung der Widerstände R17 und
R18. Ein kleinerer Widerstandswert der beiden Widerstände R17
und R18 bewirkt eine schwächere Stromgegenkopplung, so daß
die Early-Spannungskorrektur entsprechend stärker ist. Es
kann auch ein Absinken beispielsweise des Ausgangsstromes
eingestellt werden, wenn es gilt, einen Vorhalt zu realisie
ren. Zudem können eigene, ggf. abschaltbare Stromausgangsstu
fen vorgesehen werden, die durch weitere Stromausgänge der
aus den Transistoren T13 und T14 in Verbindung mit den Wider
ständen R12 und R13 gebildeten Strombank zur Early-Kompensa
tion der Ausgangsstufen herangezogen werden.
Wie zu ersehen ist, wird dem Ausgangsstrom der durch den
Transistor T5 in Verbindung mit dem Widerstand R5 gebildeten
Stromquelle ein Kompensationsstrom überlagert, indem der Aus
gangsstrom der durch den Transistor T17 in Verbindung mit dem
Widerstand R16 gebildeten Stromquelle ebenfalls in die Basis
des Transistors T4 eingespeist wird und der Eingangskreis des
Transistors T15 über die Transistoren T9 bis T14 beeinflußt
wird. Mit steigender Versorgungsspannung steigt nämlich auch
der durch den Kollektorstrom des Transistors T5 gegebene Aus
gangsstrom an. Ursache hierfür ist in erster Linie die
Early-Spannungsabhängigkeit der Kollektorströme der Transistoren T5
bis T12. Über den Transistor T4 wirkt sich diese Abhängigkeit
direkt auf den Ausgangsanschluß U aus. Der diesen überlagerte
Kompensationsstrom wird nun aus der Differenz eines ersten
Early-abhängigen Stroms der Stromquelle mit dem Transistor
T16 in Verbindung mit dem Widerstand R15 und eines weniger
Early-abhängigen Stroms der Stromquelle mit dem Transistor
T15 in Verbindung mit dem Widerstand R14 gebildet und mit ei
nem Faktor multipliziert, der durch das Stromverhältnis der
Transistoren T13 und T14 sowie das Verhältnis der Widerstände
R17 und R18 gegeben ist. Dabei wird die Dimensionierung so
gewählt, daß eine lineare Abhängigkeit des Kompensations
stroms erzielt wird und damit insgesamt eine Unabhängigkeit
von der Versorgungsspannung erreicht wird.
Claims (10)
1. Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzpotentials
mit einem ersten Transistor (T1), dessen Emitter mit einem
Bezugspotential (M) verbunden ist und dessen Basis und Kol
lektor miteinander verschaltet sind,
mit einem zweiten Transistor (T2), dessen Basis mit der Basis des ersten Transistors (T1) verbunden ist,
mit einem ersten Widerstand (R1), der zwischen den Kollektor des ersten Transistors (T1) und einen Ausgangsanschluß (U) zum Abgreifen des Referenzpotentials geschaltet ist,
mit einem zweiten Widerstand (R2), der zwischen den Kollektor des zweiten Transistors (T2) und den Ausgangsanschluß (U) ge schaltet ist,
mit einem dritten Widerstand (R3), der zwischen den Emitter des zweiten Transistors (T2) und das Bezugspotential (M) ge schaltet ist,
mit einem dritten Transistor (T3), dessen Basis mit dem Kol lektor des zweiten Transistors (T2) und dessen Emitter mit dem Bezugspotential (M) verbunden ist,
mit einem vierten Transistor (T4), dessen Kollektor mit dem Versorgungspotential (V), dessen Emitter mit dem Ausgangsan schluß (U) und dessen Basis mit dem Kollektor des dritten Transistors (T3) verbunden ist, wobei zwischen Basis und Kol lektor des vierten Transistors (T4) eine erste Stromquelle (R5, T5) geschaltet ist,
gekennzeichnet durch eine der ersten Stromquelle (R5, T5) parallel geschaltete zweite Stromquelle (T17, R16), die einen Kompensationsstrom zur Kompensation der Stromschwankungen der ersten Stromquelle (R5, T5) erzeugt.
mit einem zweiten Transistor (T2), dessen Basis mit der Basis des ersten Transistors (T1) verbunden ist,
mit einem ersten Widerstand (R1), der zwischen den Kollektor des ersten Transistors (T1) und einen Ausgangsanschluß (U) zum Abgreifen des Referenzpotentials geschaltet ist,
mit einem zweiten Widerstand (R2), der zwischen den Kollektor des zweiten Transistors (T2) und den Ausgangsanschluß (U) ge schaltet ist,
mit einem dritten Widerstand (R3), der zwischen den Emitter des zweiten Transistors (T2) und das Bezugspotential (M) ge schaltet ist,
mit einem dritten Transistor (T3), dessen Basis mit dem Kol lektor des zweiten Transistors (T2) und dessen Emitter mit dem Bezugspotential (M) verbunden ist,
mit einem vierten Transistor (T4), dessen Kollektor mit dem Versorgungspotential (V), dessen Emitter mit dem Ausgangsan schluß (U) und dessen Basis mit dem Kollektor des dritten Transistors (T3) verbunden ist, wobei zwischen Basis und Kol lektor des vierten Transistors (T4) eine erste Stromquelle (R5, T5) geschaltet ist,
gekennzeichnet durch eine der ersten Stromquelle (R5, T5) parallel geschaltete zweite Stromquelle (T17, R16), die einen Kompensationsstrom zur Kompensation der Stromschwankungen der ersten Stromquelle (R5, T5) erzeugt.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß der von
der zweiten Stromquelle (T17, R16) erzeugte Kompensations
strom gleich der mit einem Faktor multiplizierten Differenz
eines ersten Early-abhängigen Stroms und eines zweiten weni
ger Early-abhängigen Stroms ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die erste
Stromquelle durch einen fünften Transistor (T5) gebildet
wird, dessen Emitter über einen fünften Widerstand (R5) an
dem Versorgungspotential (V) angeschlossen ist, dessen Kol
lektor mit der Basis des vierten Transistors (T4) verbunden
ist, und dessen Basis über einen sechsten Widerstand (R11)
mit dem Versorgungspotential (V) gekoppelt ist, und daß An
steuermittel vorgesehen sind, die über den sechsten Wider
stand (R11) eine von dem Anschluß (U) anliegendem Potential
abhängige Spannung erzeugen.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, durch Ansteu
ermittel mit einem sechsten Transistor (T6), dessen Basis mit
der Basis des fünften Transistors (T5) und dessen Emitter un
ter Zwischenschaltung eines siebten Widerstands (R6) mit dem
Versorgungspotential (V) verbunden ist, mit einem siebten
Transistor (T7), dessen Basis an den Ausgangsanschluß (U),
dessen Emitter über einen achten Widerstand (R4) an das Be
zugspotential (M) und dessen Kollektor an den Kollektor des
sechsten Transistors (T6) angeschlossen ist,
mit einem achten Transistor (T8), dessen Kollektor-Emitter-Strecke der Kollektor-Emitter-Strecke des siebten Transistors (T7) parallel geschaltet ist und dessen Basis zum einen über einen neunten Widerstand (R8) mit dem Versorgungspotential (V) und zum anderen über eine Diodenstrecke (T11) und einen zehnten Widerstand (R10) in Reihe mit dem Bezugspotential (M) verbunden ist,
mit einem neunten Transistor (T9), dessen Kollektor mit dem Versorgungspotential (V), dessen Emitter über eine dritte Stromquelle (T12, R9) mit dem Bezugspotential (M) und dessen Basis mit dem Kollektor des siebten Transistors (T7) ,gekop pelt ist, und
mit einem zehnten Transistor (T10), dessen Emitter mit der Basis des fünften Transistors (T5), dessen Kollektor mit dem Bezugspotential (M) und dessen Basis mit dem Emitter des neunten Transistors (T9) verschaltet ist.
mit einem achten Transistor (T8), dessen Kollektor-Emitter-Strecke der Kollektor-Emitter-Strecke des siebten Transistors (T7) parallel geschaltet ist und dessen Basis zum einen über einen neunten Widerstand (R8) mit dem Versorgungspotential (V) und zum anderen über eine Diodenstrecke (T11) und einen zehnten Widerstand (R10) in Reihe mit dem Bezugspotential (M) verbunden ist,
mit einem neunten Transistor (T9), dessen Kollektor mit dem Versorgungspotential (V), dessen Emitter über eine dritte Stromquelle (T12, R9) mit dem Bezugspotential (M) und dessen Basis mit dem Kollektor des siebten Transistors (T7) ,gekop pelt ist, und
mit einem zehnten Transistor (T10), dessen Emitter mit der Basis des fünften Transistors (T5), dessen Kollektor mit dem Bezugspotential (M) und dessen Basis mit dem Emitter des neunten Transistors (T9) verschaltet ist.
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die
dritte Stromquelle durch einen elften Transistor (T12) gebil
det wird, dessen Emitter über einen elften Widerstand (R9)
mit dem Bezugspotential (M), dessen Kollektor mit dem Emitter
des neunten Transistors (T9) und dessen Basis mit der Basis
des achten Transistors (T8) verbunden ist.
6. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß bei der
zweiten Stromquelle zwei miteinander gekoppelte Teilstrom
quellen (R14, R15, T15, T16) zur Bildung des ersten Early-ab
hängigen Stromes und des zweiten weniger Early-abhängigen
Stromes, die einerseits mit dem Versorgungspotential (V) und
andererseits mit dem Eingangskreis bzw. Ausgangskreis eines
Stromspiegels (T18a, T19a, R17a, R18a) verbunden sind, sowie
eine mit den anderen beiden Teilstromquellen eingangsseitig
gekoppelte dritte Teilstromquelle (T17, R16), die der ersten
Stromquelle (T5, R5) parallel geschaltet ist, vorgesehen ist.
7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß der Kno
tenpunkt des Ausgangskreises des Stromspiegels (T18a, T19a,
R17a, R18a) und der zweiten Stromquelle (R14, R15, T15, T16)
mit dem Eingang einer Stromverstärkerstufe (T13, T14, R12,
R13) verbunden sind, deren Ausgang mit der Basis des neunten
Transistors (T9) gekoppelt ist.
8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6 oder 7,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Stromverstärkerstufe durch einen zweiten Stromspiegel (T13,
T14, R12, R13) gebildet wird.
9. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß die Teil
stromquellen durch die Ausgangszweige einer Strombank gebil
det werden, deren Eingangszweig durch den sechsten Widerstand
(R11) gegeben ist.
10. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, daß die Teil
stromquellen durch die Ausgangszweige einer Strombank gebil
det werden, deren Eingangszweig durch einen zwölften Wider
stand (R17) gegeben ist, daß dem zwölften Widerstand (R17)
die Basis-Emitter-Strecke eines zwölften Transistors (T20) in
Reihe mit einem dreizehnten Widerstand (R18) parallel ge
schaltet ist,
daß die Basis eines dreizehnten Transistors (T19), dessen Kollektor an das Versorgungspotential (V) angeschlossen ist, und der Kollektor eines vierzehnten Transistors (T21), dessen Basis mit der Basis des siebten Transistors (T7) und dessen Emitter über einen vierzehnten Widerstand (R19) mit dem Be zugspotential (M) verbunden ist, mit dem Kollektor des zwölf ten Transistors (T20) gekoppelt ist,
daß die Basis eines fünfzehnten Transistors (T18), dessen Kollektor mit dem Bezugspotential (M) und dessen Emitter mit der Basis des zwölften Transistors (T20) verbunden ist, an den Emitter des dreizehnten Transistors (T19) angeschlossen ist, und daß die Basis eines sechzehnten Transistors (T22), dessen Kollektor mit der Basis des fünfzehnten Transistors (T18) und dessen Emitter über einen fünfzehnten Widerstand (R20) mit dem Bezugspotential (M) verbunden ist, mit der Ba sis des achten Transistors (T8) gekoppelt ist.
daß die Basis eines dreizehnten Transistors (T19), dessen Kollektor an das Versorgungspotential (V) angeschlossen ist, und der Kollektor eines vierzehnten Transistors (T21), dessen Basis mit der Basis des siebten Transistors (T7) und dessen Emitter über einen vierzehnten Widerstand (R19) mit dem Be zugspotential (M) verbunden ist, mit dem Kollektor des zwölf ten Transistors (T20) gekoppelt ist,
daß die Basis eines fünfzehnten Transistors (T18), dessen Kollektor mit dem Bezugspotential (M) und dessen Emitter mit der Basis des zwölften Transistors (T20) verbunden ist, an den Emitter des dreizehnten Transistors (T19) angeschlossen ist, und daß die Basis eines sechzehnten Transistors (T22), dessen Kollektor mit der Basis des fünfzehnten Transistors (T18) und dessen Emitter über einen fünfzehnten Widerstand (R20) mit dem Bezugspotential (M) verbunden ist, mit der Ba sis des achten Transistors (T8) gekoppelt ist.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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