KR870000804A - Cmos파워-온 검출회로 - Google Patents

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KR870000804A
KR870000804A KR1019860004800A KR860004800A KR870000804A KR 870000804 A KR870000804 A KR 870000804A KR 1019860004800 A KR1019860004800 A KR 1019860004800A KR 860004800 A KR860004800 A KR 860004800A KR 870000804 A KR870000804 A KR 870000804A
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루스즌야크 안드레아스
루스즌야크 안드레스
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모토로라 인코포레이티드
빈센트 죠셉로널
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Abstract

내용 없음.

Description

CMOS파워-온 검출회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 파워-온(power-on) 검출회로의 양호한 실시예.
제2도는 제1도의 회로에 대한 시간에 따른 공급 전위 VDD의 상승을 나타낸 그래프.

Claims (13)

  1. 제1, 제2공급 라인과, 상승 공급 전위에 응답하여 충전전류를 발생하는 용량성 수단과, 제1, 제2공급라인간에 직렬로 결합되며, 하나의 노드를 형성하기 위해 함께 결합된 드레인전극을 갖는 제1, 제2상보 MOS트랜지스터와, 충전 전류로부터 유도된 전위에 따라 제2트랜지스터를 구동시키기 위한 수단등으로 이루어지며, 상기 제1트랜지스터의 게이트 전극은 제1트랜지스터의 콘덕턴스가 공급 전위의 상승에 따라 증가되도록 접속되며, 상기 노드에서의 선정된 전위 변화에 의해 선정된 값 또는 최대값을 갖는 공급 전위의 지시가 제공되는 것을 특징으로 하는 CMOS파워-온 검출회로.
  2. 제1항에 있어서, 용량성 수단내의 충전전류가 제1, 제2 공급라인간의 용량성 수단에 직렬로 접속되며, 그들간에 제2 노드를 형성하는 제1 다이오드를 통해 발생되는 것을 특징으로 하는 CMOS파워-온 검출회로.
  3. 제2항에 있어서, 제1다이오드 수단이 제2노드에 결합된 게이트 전극을 갖는 제3 MOS트랜지스터로 형성되는 것을 특징으로 하는 CMOS파워-온 검출회로.
  4. 선행항중 임의의 항에 있어서, 제2트랜지스터를 구동하는 수단이 전류 미러수단으로 이루어지므로써 제2트랜지스터에 의해 통과되는 전류가 용량성 수단내의 충전전류에 선정된 배수가 되는 것을 특징으로 하는 CMOS파워-온 검출회로.
  5. 제4항에 있어서, 전류미러 수단이 제1, 제2공급 라인간에 직렬로 결합되며, 그들간에 제3노드를 갖는 제4트랜지스터와 제2다이오드 수단을 포함하며, 제3노드가 제2트랜지스터의 게이트 전극에 접속되며, 제4트랜지스터의 게이트 전극이 제2노드에 접속되는 것을 특징으로 하는 CMOS파워-온 검출회로.
  6. 제5항에 있어서, 제3, 제4트랜지스터가 동일한 도전형태를 갖는 것을 특징으로 하는 CMOS파워-온 검출회로.
  7. 제4항에 있어서, 전류미러 수단이 다수의 전류미러로 이루어진 것을 특징으로 하는 CMOS파워-온 검출회로.
  8. 제5항에 있어서, 제2다이오드 수단이 제3노드에 접속된 게이트 전극을 갖는 제5MOS트랜지스터로 형성되는 것을 특징으로 하는 CMOS파워-온 검출회로.
  9. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 출력수단이 상기 노드에 결합되는 것을 특징으로 하는 CMOS파워-온 검출회로.
  10. 제9항에 있어서, 출력수단이 반전수단으로 이루어진 것을 특징으로 하는 CMOS파워-온 검출회로.
  11. 제10항에 있어서, 반전수단이 두개의 CMOS인버터로 이루어진 것을 특징으로 하는 CMOS파워-온 검출회로.
  12. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 노드에서의 선정된 전위 변화에 응답하여 상기 지시에 따른 회로에 의한 전류소비를 감소시키기 위한 부가수단이 제공되는 것을 특징으로 하는 CMOS파워-온 검출회로.
  13. 제12항에 있어서, 부가수단이 전류미러 수단내의 전류를 종단시키는 수단으로 이루어진 것을 특징으로 하는 CMOS파워-온 검출회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860004800A 1985-06-18 1986-06-17 Cmos 파워-온 검출 회로 KR950001086B1 (ko)

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GB8515434 1985-06-18

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KR950001086B1 KR950001086B1 (ko) 1995-02-08

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