KR870007513A - 출력회로 - Google Patents

출력회로 Download PDF

Info

Publication number
KR870007513A
KR870007513A KR1019860006503A KR860006503A KR870007513A KR 870007513 A KR870007513 A KR 870007513A KR 1019860006503 A KR1019860006503 A KR 1019860006503A KR 860006503 A KR860006503 A KR 860006503A KR 870007513 A KR870007513 A KR 870007513A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
output circuit
voltage generator
circuit
voltage
field effect
Prior art date
Application number
KR1019860006503A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900002472B1 (ko
Inventor
요오이찌 도비다
Original Assignee
시기 모리야
미쓰비시 뎅기 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시기 모리야, 미쓰비시 뎅기 가부시끼 가이샤 filed Critical 시기 모리야
Publication of KR870007513A publication Critical patent/KR870007513A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR900002472B1 publication Critical patent/KR900002472B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/06Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1048Data bus control circuits, e.g. precharging, presetting, equalising
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

출력회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 출력회로의 일 실시예를 표시한 회로도
제2도(a)∼(e)는 제1및 제2의 전압 발생 회로의 동작을 설명하기 위한 평면도
제4도는 출력단자의 이상 전압의 일예를 표시한 파형도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 전원단자 2 : 집지단자 3 : 출력단자
4 : P채널 전계효과 트랜지스터 5 : N채널 전계효과 트랜지스터
20 : 신호 발생회로 70 : 제1의 전압 발생회로
80 : 제2의 전압 발생회로
(도면중 동일부호는 동일 또는 상당부분을 표시함)

Claims (4)

  1. 고전위 전원과 저전위전원 간에 직렬로 접속된 P채널 전계효과 트랜지스터 및 N채널 전계효과 트랜지스터로 구성되고 전기 양 전계효과 트랜지스터의 접속점에 출력단자를 설치한 출력회로에 있어서 전기 P채널 전계효과 트랜지스터의 백 게이트 전극에 전기 고전위 전원에서 높은 전압을 공급하는 제1의 전압 발생 회로와 전기 N채널 전계효과 트랜지스터의 백 게이트 전극에 전기 저전위 전원에서 낮은 전압을 공급하는 제2의 전압 발생회로와를 구비하는 것을 특징으로 한 출력회로.
  2. 제1항에 있어서 제1의 전압 발생회로 및 제2의 전압 발생회로가 출력회로와 동일한 칩상에 구성된 것을 특징으로 한 출력회로.
  3. 제1항에 있어서 제1의 전압 발생회로 및 제2의 전압 발생회로가 각각 1개의 용량성 소자와 2개의 정류성 소자로 구성하는 것을 특징으로한 출력회로.
  4. 제1항에 있어서 제1의 전압 발생회로 및 제2의 전압 발생회로가 교류신호를 받아서 동작하는 것을 특징으로하는 출력회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860006503A 1986-01-22 1986-08-07 출력회로 KR900002472B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61013088A JPS62171151A (ja) 1986-01-22 1986-01-22 出力回路
JP13088 1986-01-22
JP61-13088 1986-01-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR870007513A true KR870007513A (ko) 1987-08-19
KR900002472B1 KR900002472B1 (ko) 1990-04-16

Family

ID=11823407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019860006503A KR900002472B1 (ko) 1986-01-22 1986-08-07 출력회로

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPS62171151A (ko)
KR (1) KR900002472B1 (ko)
DE (1) DE3701175A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19912360A1 (de) 1999-03-19 2000-09-21 Aesculap Ag & Co Kg Strangförmiges Implantat aus resorbierbarem Polymermaterial, Verfahren zu seiner Herstellung und Anwendung in der Chirurgie

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3311756A (en) * 1963-06-24 1967-03-28 Hitachi Seisakusho Tokyoto Kk Electronic circuit having a fieldeffect transistor therein
DE1919406C3 (de) * 1968-04-23 1981-11-05 Naamloze Vennootschap Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven Feldeffekttransistor und seine Verwendung in einer Schaltungsanordnung für einen Miller-Integrator

Also Published As

Publication number Publication date
KR900002472B1 (ko) 1990-04-16
JPS62171151A (ja) 1987-07-28
DE3701175A1 (de) 1987-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR890001290A (ko) Mos 기법의 집적회로용 파워링 회로
KR940006345A (ko) 부스트 전압 발생 회로
KR950015938A (ko) 정전압 발생 회로
KR870005393A (ko) 반도체 메모리
KR860007754A (ko) 정전압 발생회로
KR880012008A (ko) 전원절환회로
KR880013251A (ko) 모놀리틱 집적회로 소자
KR840008099A (ko) 출력회로
KR880001109A (ko) 집적논리회로
JPS6435799A (en) Semiconductor integrated circuit
KR910002116A (ko) 반도체 장치를 위한 전압 발생회로
KR910008863A (ko) 반도체 집적회로
KR860007753A (ko) 반도체 집전회로
KR860009423A (ko) 반도체 승압 신호 발생회로
KR900011152A (ko) 전원전압 강하검파 및 초기화회로 재설정 회로
KR920005439A (ko) 정전압 발생회로
KR970063275A (ko) 반도체집적회로 및 그것을 사용한 회로장치
KR880004579A (ko) 래치업 방지회로를 cmos 직접회로 장치
KR890011216A (ko) Mos형 집적회로의 전원 재공급회로
KR850006902A (ko) 전압레벨 검출회로
KR930005369A (ko) 레벨변환회로
KR870007513A (ko) 출력회로
KR900019367A (ko) 펄스형 신호 발생 회로
KR890004495A (ko) 리셋트신호 발생회로
KR890012445A (ko) 푸시-풀 출력회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060410

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term