KR870006572A - Bimos메모리 감지 증폭기 - Google Patents

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KR870006572A
KR870006572A KR860010095A KR860010095A KR870006572A KR 870006572 A KR870006572 A KR 870006572A KR 860010095 A KR860010095 A KR 860010095A KR 860010095 A KR860010095 A KR 860010095A KR 870006572 A KR870006572 A KR 870006572A
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KR
South Korea
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coupled
bipolar
transistor
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voltage supply
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Application number
KR860010095A
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English (en)
Inventor
엘·맥로프린 케빌
Original Assignee
빈센트 죠셉로너
모토로라 인코포레이티드
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Publication date
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/22—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
    • H03K5/24—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude
    • H03K5/2436—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using a combination of bipolar and field-effect transistors
    • H03K5/2445—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude using a combination of bipolar and field-effect transistors with at least one differential stage
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
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    • G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
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Abstract

내용 없음.

Description

BIMOS메모리 감지 증폭기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도면은 본 발명의 BIMOS메모리 감지 증폭기의 양호한 실시예에 대한 도시도.

Claims (7)

  1. 출력단자를 포함하며, 제1및 제2 전류사이를 차동화하기 위하여 제1및 제2전류를 수신하도록 결합된 제1바이폴라 수단과, 출력을 공급하기 위해 상기 출력 단자에 결합된 제2바이폴라 수단과, 잡음 여유도를 개선하기 위하여 상기 제1및 제2 바이폴라 수단 사이에 결합된 제1MOS수단을 포함하는 것을 특징으 로 BIMOS메모리 감지 증폭기.
  2. 입력 단자와, 출력 단자와, 제1 및 제2전압 공급단자 사이에 결합되고, 각각 및 제2 입력신호 제1를 수신하도록 결합된 베이스를 구비하며, 각각 제1 및 제2출력을 제공하도록 결합된 콜렉터를 구비하는 차동 접속의 바이폴라 트랜지스터 쌍과, 상기 출력다자에 전압을 제공하기 위해 상기 출력 단자에 결합된 제1바이폴라 수단과, 상기 출력단자로부터의 전류를 싱크하기 위하여 상기 출력 단자에 결합된 제2바이폴라 수단과, 상기 제1바이폴라 수단 및 상기 제2바이폴라 수단을 바이어스하기 위하여 상기 차동 접속의 트랜지스터 쌍과, 상기 제1바이폴라 수단 및 제2바이폴라 수단사이에 결합된 제1MOS수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 BIMOS메모리 감지 증폭기.
  3. 제2항에 있어서 상기 제1MOS수단은 상기 제1바이폴라 수단을 바이어스하기 위하여 상기 차동접속의 바이폴라 트랜지스터 쌍과 상기 제1바이폴라 수단 사이에 결합된 제2MOS수단과, 상기 제2바이폴라 수단을 바이어스 하기 위하여 상기 제2MOS수단과, 상기 제2바이폴라 수단 사이에 결합된 MOS수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 BIMOS메모리 감지 증폭기.
  4. 제1전압 급공단자와, 제2전압 공급단자와, 입력단자와, 출력단자와, 상기 제1전압 공급단자와 상기 출력단자 사이에 결합된 제1바이폴라 트랜지스터와, 상기 출력단자와 상기 제2 전압공급단자 사이에 결합된 제2바이폴라 트랜지스터와, 상기 제1및 제2전압 공급단자 사이에 결합되고, 각각 제1및 제2입력신호를 수신하도록 결합된 베이스를 구비하고 각각 제1및 제2출력을 수신하도록 결합된 콜렉터를 구비하는 차동 접속의 바이폴라 트랜지스터 쌍과, 제1 및 제2전압 공급단자 사이에 결합되고, 상기 제1바이폴라 트랜지스터를 바이어스하기 위한 전압을 제공하도록 상기 차동 접속의 트랜지스터에 결합되며, 상기 차동 접속의 트랜지스터 쌍에 고임피던스를 제공하는 제1수단과, 상기 출력 단자와 상기 제2전압 공급단자 사이에 결합되고, 상기 제2바이폴라 트랜지스터를 바이어스하도록 상기 제1수단 및 상기 제2바이폴라 트랜지스터에 결합된 제2수단을 포합하는 것을 특징으로 하는 BIMOS메모리 감지 증폭기.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1수단은 상기 제1전압 공급단자에 결합된 소스와, 상기 차동 접속의 트랜지스터 쌍중 한 트랜지스터의 콜렉터에 결합된 게이트와, 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 상기 베이스에 결합된 드레인을 구비하는 제1P채널 MOS 트랜지스터와, 상기 제1전압 공급단자에 결합된 소스와, 상기 차동접속의 트랜지스터 쌍중 다른 트랜지스터에 결합된 게이트를 구비하는 제2P채널 MOS트랜지스터와, 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 베이스에 결합된 드레인과, 상기 제2전압 공급단자에 결합된 소스를 구비하는 제1N채널 MOS트랜지스터와, 드레인과, 상기 제1N채널 트랜지스터의 게이트와, 상기 제2P채널 MOS트랜지스터의 드레인에 결합된 게이트와, 상기 제2전압 공급단자에 결합된 소스를 구비하는 제2N채널 MOS트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 BIMOS메모리 감지 증폭기.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2수단은 상기 출력단자에 결합된 소스와, 상기 제2바이폴라 트랜지스터의 베이스에 결합된 드레인과, 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 상기 베이스에 결합된 게이트를 구비하는 제2P채널 MOS트랜스터와, 상기 제2바이폴라 트랜지스터의 베이스에 결합된 드레인과, 상기 제2전압 공급단자에 결합된 소스와, 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 상기 베이스에 결합된 게이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 BIMOS메모리 감지 증폭기.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제2수단은 상기 출력 단자에 결합된 소스와, 상기 제2바이폴라 트랜지스터의 베이스에 결합된 드레인과, 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 상기 베이스에 결합된 게이트를 구비하는 제3P채널 MOS트랜지스터와, 상기 제2바이폴라 트랜지스터의 상기 베이스와 상기 제2전압 공급단자 사이에 결합된 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 BIMOS메모리 감지 증폭기.
    ※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR860010095A 1985-12-02 1986-11-28 Bimos메모리 감지 증폭기 KR870006572A (ko)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/803,279 US4636665A (en) 1985-12-02 1985-12-02 BIMOS memory sense amplifier
US803,279 1991-12-05

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ID=25186104

Family Applications (1)

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KR860010095A KR870006572A (ko) 1985-12-02 1986-11-28 Bimos메모리 감지 증폭기

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US (1) US4636665A (ko)
JP (1) JPS62132419A (ko)
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1186108B (it) * 1985-11-27 1987-11-18 Sgs Microelettronica Spa Circuito ripetitore di tensione a basso offset
JPS62154917A (ja) * 1985-12-27 1987-07-09 Hitachi Ltd デジタル回路
US4980578A (en) * 1988-12-20 1990-12-25 Texas Instruments Incorporated Fast sense amplifier
JPH0334192A (ja) * 1989-06-29 1991-02-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
US4994694A (en) * 1989-08-23 1991-02-19 Tektronix, Inc. Complementary composite PNP transistor
JPH03166821A (ja) * 1989-11-27 1991-07-18 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US5012128A (en) * 1990-01-24 1991-04-30 International Business Machines Corporation High speed push-pull driver having current mirror pull-down
US5017812A (en) * 1990-03-20 1991-05-21 Integrated Device Technology, Inc. Combined ECL-to-TTL translator and decoder
US5191321A (en) * 1990-05-09 1993-03-02 Motorola, Inc. Single cell bimos electroluminescent display driver
US5049765A (en) * 1990-06-19 1991-09-17 Intel Corporation BiCMOS noninverting buffer and logic gates
US5283479A (en) * 1991-04-30 1994-02-01 Microunity Systems Engineering, Inc. BiCMOS logic gate having plural linearly operated load FETs
KR940001816B1 (ko) * 1991-07-26 1994-03-09 삼성전자 주식회사 슬루우레이트 스피드엎 회로
US5270591A (en) * 1992-02-28 1993-12-14 Xerox Corporation Content addressable memory architecture and circuits

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3444472A (en) * 1967-06-12 1969-05-13 Sylvania Electric Prod Sense amplifier circuit
US4267517A (en) * 1977-12-07 1981-05-12 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Operational amplifier
JPS5824874B2 (ja) * 1979-02-07 1983-05-24 富士通株式会社 センス回路
US4271394A (en) * 1979-07-05 1981-06-02 Rca Corporation Amplifier circuit
US4553053A (en) * 1983-10-03 1985-11-12 Honeywell Information Systems Inc. Sense amplifier

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JPS62132419A (ja) 1987-06-15
US4636665A (en) 1987-01-13

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