JPS5824874B2 - センス回路 - Google Patents
センス回路Info
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- JPS5824874B2 JPS5824874B2 JP54013061A JP1306179A JPS5824874B2 JP S5824874 B2 JPS5824874 B2 JP S5824874B2 JP 54013061 A JP54013061 A JP 54013061A JP 1306179 A JP1306179 A JP 1306179A JP S5824874 B2 JPS5824874 B2 JP S5824874B2
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- output
- input
- differential amplifier
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
- G11C11/413—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
- G11C11/417—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction for memory cells of the field-effect type
- G11C11/419—Read-write [R-W] circuits
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/01—Modifications for accelerating switching
- H03K19/017—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
- H03K19/01707—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Dram (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、任意の2つの入力信号の同相成分を抑圧し、
差動成分のみを高速検知するセンス回路に関する。
差動成分のみを高速検知するセンス回路に関する。
任意の2つの入力信号V,1,V12はその同相成分を
vc、差動成分をVdで表わすと、 ここで で表わされる。
vc、差動成分をVdで表わすと、 ここで で表わされる。
メモリ出力などは第3図のv1,,v12で示すように
犬きな同相成分VR,(=Vc)を持ち、これに僅かな
差動成分Vdが乗っている。
犬きな同相成分VR,(=Vc)を持ち、これに僅かな
差動成分Vdが乗っている。
このような出力では直ちにTTLレベルの論理インバー
タを動作させることは不可能であり、同相成分つまり直
流成分を減少しかつ差動成分を増幅する必要がある。
タを動作させることは不可能であり、同相成分つまり直
流成分を減少しかつ差動成分を増幅する必要がある。
か〜る目的に対しては第1図に示す如き差動増幅回路が
よく使われる。
よく使われる。
この回路では入力信号v11,v12は差動増幅回路を
構成するFET(電界効果トランジスタ)13,14の
ゲートに入力し、これらのトランジスタの共通ンース電
位VR,に対してセンスされる。
構成するFET(電界効果トランジスタ)13,14の
ゲートに入力し、これらのトランジスタの共通ンース電
位VR,に対してセンスされる。
電位VR,は、FET15に信号電圧VR,1を入力す
ることにより作られる。
ることにより作られる。
即ちトランジスタ15のゲートにある電圧を与えてこれ
をオンにするとトランジスタ11,13,15の経路に
電流が流れ、これらのトランジスタの各接続点には各ト
ランジスタの1mの比で決まる電圧が現われるから、基
準電圧 となるトランジスタ13と15の接続点電位が所望値に
なるように電圧VR,1を定める。
をオンにするとトランジスタ11,13,15の経路に
電流が流れ、これらのトランジスタの各接続点には各ト
ランジスタの1mの比で決まる電圧が現われるから、基
準電圧 となるトランジスタ13と15の接続点電位が所望値に
なるように電圧VR,1を定める。
11゜12は負荷となるF’ET 、VDD は例え
ば5vの電源、VSS は零(アース)電位を持つ電源
である。
ば5vの電源、VSS は零(アース)電位を持つ電源
である。
今入力電圧v1□がLレベルからHレベルになり、基準
電圧VR,に対してトランジスタ13の閾値電圧以上に
高電位になると該トランジスタ13はオンとなり、出力
電圧V21が下る。
電圧VR,に対してトランジスタ13の閾値電圧以上に
高電位になると該トランジスタ13はオンとなり、出力
電圧V21が下る。
一方、入力信号v12はvllとは逆の動作をするため
HレベルからLレベルに変り、トランジスタ14はオフ
となって出力電圧v22が上る。
HレベルからLレベルに変り、トランジスタ14はオフ
となって出力電圧v22が上る。
しかしこの出力電圧v21.V2□は第3図から分るよ
うにまだ相当に高い直流成分を持っており、このま\で
は通常の論理インバータ回路を駆動できない。
うにまだ相当に高い直流成分を持っており、このま\で
は通常の論理インバータ回路を駆動できない。
そこで第1図の回路ではFET 16〜20からなり、
VR,よりは低い基準電圧vR2を持つ同様な差動回路
を用いて直流成分のシフト、差動成分の増幅を行なう。
VR,よりは低い基準電圧vR2を持つ同様な差動回路
を用いて直流成分のシフト、差動成分の増幅を行なう。
このようにすれば出力はV31.v32となり、インバ
ータを充分駆動できるものになる。
ータを充分駆動できるものになる。
しかしながらか〜る回路には、以下のような問題点があ
る。
る。
即ち入力信号V1、jV12とセンス回路の基準制御電
圧VRt H、VR21(これらの電源は同じではない
)との電源変動特性が異なるため入力電圧V11.V2
1に対して基準電圧vR1,vR2を最適値に保持する
のが難しく、電源変動によってセンシング速度が大きく
変動する上に、場合によってはセンシング動作そのもの
が不安定になる。
圧VRt H、VR21(これらの電源は同じではない
)との電源変動特性が異なるため入力電圧V11.V2
1に対して基準電圧vR1,vR2を最適値に保持する
のが難しく、電源変動によってセンシング速度が大きく
変動する上に、場合によってはセンシング動作そのもの
が不安定になる。
例えば基準電圧VR,が点線のように下ると入力電圧V
ttがHレベルからLレベルに変ったときトランジスタ
13をオンからオフに駆動する電圧差はΔVで示す如(
僅小となり、このため出力変化は緩漫となる。
ttがHレベルからLレベルに変ったときトランジスタ
13をオンからオフに駆動する電圧差はΔVで示す如(
僅小となり、このため出力変化は緩漫となる。
基準電圧VR1が点線位置より更に下るとトランジスタ
13,14はどちらもオンとなり、明確なH,L出力は
生じなくなってしまう。
13,14はどちらもオンとなり、明確なH,L出力は
生じなくなってしまう。
か\る理由で基準電圧VR1は入力電圧v11V12の
中央にあるのが望ましいが、電源が異なる等の理由で、
電源電圧が変動しても常にか〜る状態を維持することは
困難である。
中央にあるのが望ましいが、電源が異なる等の理由で、
電源電圧が変動しても常にか〜る状態を維持することは
困難である。
またこの第1図の回路では差動増幅器を2段接続させた
構成をとっているので第3図に示すように初段でtdl
、次段でtd2、合計td3なる遅延を生じ、動作速度
が損なわれる。
構成をとっているので第3図に示すように初段でtdl
、次段でtd2、合計td3なる遅延を生じ、動作速度
が損なわれる。
本発明はか瓦る点を改善しようとするもので、基準電圧
は従来方式のように固定にはせず、回路がセンス動作を
開始すると基準電圧を入力信号に対し逆極性の方向に移
動させ、ついでセンシングが決まりかげた段階でもう一
方のデュアルエンデッド出力端から帰還をかげ、この基
準電圧をブレークしてセンス回路を通常のインバータの
様に動作させ、直流成分を含んだ任意の2つの入力信号
の差分を検出して論理信号に高速変換するものである。
は従来方式のように固定にはせず、回路がセンス動作を
開始すると基準電圧を入力信号に対し逆極性の方向に移
動させ、ついでセンシングが決まりかげた段階でもう一
方のデュアルエンデッド出力端から帰還をかげ、この基
準電圧をブレークしてセンス回路を通常のインバータの
様に動作させ、直流成分を含んだ任意の2つの入力信号
の差分を検出して論理信号に高速変換するものである。
次に第2図に示す実施例を参照しながらこれを詳細に説
明する。
明する。
第2図で21〜26はFETであり、第1図の11〜1
5と同様に差動増幅器を構成するが、共通ソース電流源
となるトランジスタが25,2602つで構成されてい
る。
5と同様に差動増幅器を構成するが、共通ソース電流源
となるトランジスタが25,2602つで構成されてい
る。
27〜32もFETであり、同様に差動増幅器を構成す
るが、第1図のように差動増幅器11〜150次段に接
続されるのではなく差動増幅器21〜26と同じ入力電
圧v11.V12を同時に受ける。
るが、第1図のように差動増幅器11〜150次段に接
続されるのではなく差動増幅器21〜26と同じ入力電
圧v11.V12を同時に受ける。
このセンス回路の出力は第1、第2の差動増幅器の第1
、第2出力V4、とV52であり、これらの差動増幅器
の他の第2、第1の出力はFET25,31のゲート制
御信号として用いられる。
、第2出力V4、とV52であり、これらの差動増幅器
の他の第2、第1の出力はFET25,31のゲート制
御信号として用いられる。
またセンス回路の出力v41.v52も図示しない次段
インバータ駆動用に用いられると共に相手側の差動増幅
器のF’ET32.26のゲート制御用に用いられる。
インバータ駆動用に用いられると共に相手側の差動増幅
器のF’ET32.26のゲート制御用に用いられる。
次に第4図を参照しながらこの回路の動作を説明するに
、今時点T1 におけるように入力電圧v11がLレベ
ル、V12がHレベルにあるとすると、トランジスタ2
2.30はオフ、24.28はオン、電圧V41.v5
1はHレベル、V4□、■52はLレベルである。
、今時点T1 におけるように入力電圧v11がLレベ
ル、V12がHレベルにあるとすると、トランジスタ2
2.30はオフ、24.28はオン、電圧V41.v5
1はHレベル、V4□、■52はLレベルである。
またトランジスタ25.26はLレベルの電圧V42.
v5□を受けて導通度が低く、従って基準電圧VR3は
Hレベルにある。
v5□を受けて導通度が低く、従って基準電圧VR3は
Hレベルにある。
一方、他方の増幅器の基準電圧vR4は、トランジスタ
31.32がHレベルの電圧V4] 、V51を受けて
高い導通度の状態にあるので、図示の如くLレベルにあ
る。
31.32がHレベルの電圧V4] 、V51を受けて
高い導通度の状態にあるので、図示の如くLレベルにあ
る。
このよウナ状態で電源電圧変動により、入力電圧v11
.V12が変化したとすると、この変化は電圧V11.
V12とも同じ方向に生じ、電圧V11が高くなれば電
圧V12も高くなる。
.V12が変化したとすると、この変化は電圧V11.
V12とも同じ方向に生じ、電圧V11が高くなれば電
圧V12も高くなる。
従って出力電圧V4] 、V42 、V51 、V52
ハ共に低くナリ、トランジスタ25,26,3L32
の導通度は下り、基準電圧vR3,vR4は上昇する。
ハ共に低くナリ、トランジスタ25,26,3L32
の導通度は下り、基準電圧vR3,vR4は上昇する。
従って基準電圧VR3,VR4は電源電圧が変動しても
入力電圧V、、、V、2の中央位置を占めることができ
る。
入力電圧V、、、V、2の中央位置を占めることができ
る。
電源電圧の変動により入力電圧が低くなった場合も同様
である。
である。
勿論、基準電圧が入力電圧の増減で増減するといっても
それだけでは基準電圧vR3,VR4が入力電圧v、1
.V12の中央位置を占めるということにはならず、そ
の増減に過不足があってはならないが、これはトランジ
スタ25,26,3132の9mの選定及びまたはこれ
らのトランジスタに加える電圧v41.v42.v51
.V52ノ電圧値の調節等により調整する。
それだけでは基準電圧vR3,VR4が入力電圧v、1
.V12の中央位置を占めるということにはならず、そ
の増減に過不足があってはならないが、これはトランジ
スタ25,26,3132の9mの選定及びまたはこれ
らのトランジスタに加える電圧v41.v42.v51
.V52ノ電圧値の調節等により調整する。
なおこのセンス回路では基準電圧vR3,vR4は交互
に基準電圧として機能する。
に基準電圧として機能する。
即ち時点T1では電圧VR3が入力電圧V、、jV、□
のH,L判定の基準電圧となり、時点T2 では電圧V
R4が入力電圧のH,L判定の基準電圧となる。
のH,L判定の基準電圧となり、時点T2 では電圧V
R4が入力電圧のH,L判定の基準電圧となる。
次に時点T1 から時点T2に移って入力電圧v1.が
LからHへ、入力電圧V、2がHからLへ変る状態を考
えると、トランジスタ24の導通度は下って電圧V4□
が上昇し、トランジスタ25の導通度が上って基準電圧
VR3が下る。
LからHへ、入力電圧V、2がHからLへ変る状態を考
えると、トランジスタ24の導通度は下って電圧V4□
が上昇し、トランジスタ25の導通度が上って基準電圧
VR3が下る。
この結果トランジスタ22ではゲート、ノース間電圧差
が犬となって電流が流れやすくなり、出力電圧V41は
急速に下降を始める。
が犬となって電流が流れやすくなり、出力電圧V41は
急速に下降を始める。
一方、第2の差動増幅器では入力電圧v1□がLになる
からトランジスタ28は導通度が下り、従って出力電圧
V5□は上昇し、この電圧はトランジスタ26に加わっ
てその導通度を高め、この結果基準電圧vR3はブレー
クされ、更に急速に下降する。
からトランジスタ28は導通度が下り、従って出力電圧
V5□は上昇し、この電圧はトランジスタ26に加わっ
てその導通度を高め、この結果基準電圧vR3はブレー
クされ、更に急速に下降する。
これはトランジスタ22の導通度を高め、出力電圧V4
1の下降を一層速める。
1の下降を一層速める。
同様なことは、他方の出力電圧V、2についても生じる
。
。
即ちトランジスタ30は入力電圧V1.がHレベルにな
るので導通度が上り、従って電圧v、1が下り、トラン
ジスタ31の導通度が下り、基準電圧vR4が上昇する
。
るので導通度が上り、従って電圧v、1が下り、トラン
ジスタ31の導通度が下り、基準電圧vR4が上昇する
。
これはLレベルへ落ちる電圧V1゜を受けるトランジス
タ28の導通度を益々下げ、出力電圧V5□の上昇を速
める。
タ28の導通度を益々下げ、出力電圧V5□の上昇を速
める。
また電圧v4.が降下するからトランジスタ32の導通
度は下り、電圧VR4およびv52の上昇を速める。
度は下り、電圧VR4およびv52の上昇を速める。
時点T2からT3へ移って入力電圧V11がHからLに
、入力電圧v1□がLからHになる場合も同様であり、
唯この場合は電圧VR4が基準電圧となり、第2の差動
増幅器が出力切換えの最初の動作を起こす。
、入力電圧v1□がLからHになる場合も同様であり、
唯この場合は電圧VR4が基準電圧となり、第2の差動
増幅器が出力切換えの最初の動作を起こす。
この回路では出力電圧V41 、 V52が第4図に示
す如くグランドレベル側に大きくシフトされており、か
つ振iつまりv41−V5□も大きい。
す如くグランドレベル側に大きくシフトされており、か
つ振iつまりv41−V5□も大きい。
従ってこの出力v44.v52で直ちにインバータを駆
動することができる。
動することができる。
出力電圧V419 V52が上記の如くなる理由は基準
電圧VR3,vR4がH,Lに大きく変ることに起因す
る。
電圧VR3,vR4がH,Lに大きく変ることに起因す
る。
またこの回路では、従来のように基準レベルが固定では
なく、上記の如く回路がセイス動作を開始すると基準レ
ベルが下がり始め、次いでセンシングが決まりかげた段
階で第2の差動増幅器から帰還が力ちり、基準レベルを
ブレークして更に急速に下降させ、また第2の差動増幅
器では同様に12かし逆方向に基準レベルを上昇させる
ので、出力変化が急速となる。
なく、上記の如く回路がセイス動作を開始すると基準レ
ベルが下がり始め、次いでセンシングが決まりかげた段
階で第2の差動増幅器から帰還が力ちり、基準レベルを
ブレークして更に急速に下降させ、また第2の差動増幅
器では同様に12かし逆方向に基準レベルを上昇させる
ので、出力変化が急速となる。
以上詳細に説明したように本発明によれば、共通モード
除去比が大きいので任意の入力信号の電源変動に対して
安定でしかも同様成分に無関係に差動成分が同一量なら
同=速度でセンシングできるうえ、インバータ論理レベ
ルに変換できるので、直流レベルシフタを内蔵した形と
なる。
除去比が大きいので任意の入力信号の電源変動に対して
安定でしかも同様成分に無関係に差動成分が同一量なら
同=速度でセンシングできるうえ、インバータ論理レベ
ルに変換できるので、直流レベルシフタを内蔵した形と
なる。
またセンス回路の基準レベルがトランジスタ11.13
゜15の9m比で決めることができ、従来回路のように
入力信号の直流レベルが変動する基準レベルとの相関々
係がくずれてセンス速度が遅くなったり、センス不能に
なったりすることがない利点が1得られる。
゜15の9m比で決めることができ、従来回路のように
入力信号の直流レベルが変動する基準レベルとの相関々
係がくずれてセンス速度が遅くなったり、センス不能に
なったりすることがない利点が1得られる。
第1図は従来のセンス回路の回路図、第2図は本発明の
実施例を示す回路図、第3図および第4図は動作説明用
の波形図である。 Vll、V12は第1、第2の入力電圧、21〜26.
27,32は第1、第2の差動増幅器のトランジスタ、
25,26および31,32は基準電圧を決定する第1
、第2のトランジスタ、v41゜V4□およびV51.
v52は第1および第2の差動増幅器の第1、第2の出
力である。
実施例を示す回路図、第3図および第4図は動作説明用
の波形図である。 Vll、V12は第1、第2の入力電圧、21〜26.
27,32は第1、第2の差動増幅器のトランジスタ、
25,26および31,32は基準電圧を決定する第1
、第2のトランジスタ、v41゜V4□およびV51.
v52は第1および第2の差動増幅器の第1、第2の出
力である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1互いに逆方向に変化する第1、第2の入力信号を入力
される差動増幅器、該差動増幅器の共通ソース回路に接
続されて基準電圧を決定する基準トランジスタからなり
、該基準トランジスタは前記第1、又は第2の入力信号
と同極性の方向に変化する信号により導通制御されるこ
とを特徴とするセンス回路。 2互いに逆方向に変る第1、第2の入力電圧を共通に入
力される第1、第2の差動増幅器からなり、該差動増幅
器の共通ソース回路に接続されて基準電圧を決定する基
準トランジスタからなり、第1の差動増幅器の該基準ト
ランジスタが第1及び又は第2の差動増幅器の第2の出
力を制御電圧として受け、又第2の差動増幅器の該基準
トランジスタが第1及び又は第2の差動増幅器の第1の
出力を制御電圧として受げ、該第1の差動増幅郡の第1
の出力及び該第2の差動増幅器の第2の出力が本センス
回路の出力とされたことを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のセンス回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54013061A JPS5824874B2 (ja) | 1979-02-07 | 1979-02-07 | センス回路 |
EP80300235A EP0015070B1 (en) | 1979-02-07 | 1980-01-24 | Sense amplifier circuit |
DE8080300235T DE3070766D1 (en) | 1979-02-07 | 1980-01-24 | Sense amplifier circuit |
US06/116,993 US4375039A (en) | 1979-02-07 | 1980-01-30 | Sense amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54013061A JPS5824874B2 (ja) | 1979-02-07 | 1979-02-07 | センス回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55105436A JPS55105436A (en) | 1980-08-13 |
JPS5824874B2 true JPS5824874B2 (ja) | 1983-05-24 |
Family
ID=11822608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54013061A Expired JPS5824874B2 (ja) | 1979-02-07 | 1979-02-07 | センス回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4375039A (ja) |
EP (1) | EP0015070B1 (ja) |
JP (1) | JPS5824874B2 (ja) |
DE (1) | DE3070766D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0412085U (ja) * | 1990-05-19 | 1992-01-31 |
Families Citing this family (32)
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JPS5856198B2 (ja) * | 1980-09-25 | 1983-12-13 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JPS5838873B2 (ja) * | 1980-10-15 | 1983-08-25 | 富士通株式会社 | センス回路 |
JPS5783930A (en) * | 1980-11-12 | 1982-05-26 | Fujitsu Ltd | Buffer circuit |
JPH0831278B2 (ja) * | 1981-03-09 | 1996-03-27 | 富士通株式会社 | メモリ回路 |
USRE34060E (en) * | 1981-06-01 | 1992-09-08 | Hitachi, Ltd. | High speed semiconductor memory device having a high gain sense amplifier |
JPS57198594A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-06 | Hitachi Ltd | Semiconductor storage device |
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