KR950004709A - 모스(mos) 차동 전압-전류 변환 회로 - Google Patents

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Abstract

MOS 트랜지스터는 차동쌍을 형성하는 제1 및 제2MOS 트랜지스터, 및 제1 및 제2MOS 트랜지스터의 소스들 사이에 접속된저항을 갖는다. 이들 제1 및 제2MOS 트랜지스터는 각각의 소스들에서 제3 및 제4MOS 트랜지스터의 소스들에 접속된다. 제3 및 제4MOS 트랜지스터를 정전류로 바이어스시킴으로써, 차동 입력 전압은 제3 및 제4MOS 트랜지스터의 게이트에 인가된다. 제3 및 제4MOS 트랜지스터의 드레인 출력은 제1 및 제2신호 송신 회로를 통해 제1 및 제2MOS 트랜지스터의 게이트에드레인 출력들을 송신하기 위한 제1 및 제2신호 송신 회로에 각각 접속된다. 제1 및 제2MOS 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 차동 출력으로 취함으로써, 전압-전류 변환 특성은 MOS 트랜지스터의 변화 특성에 관계없이 얻을 수 있다.

Description

모스(MOS) 차동 전압-전류 변환 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 싱크형 차동 전압-전류 변환 회로의 제1실시예의 회로 구성을 도시하는 도면. 제2도는 본 발명에 따른 소스형 차동 전압-전류 변환 회로의 제1실시예의 회로 구성을 도시하는 도면. 제3도는 본 발명에 따른 차동 전압-전류 변환 회로의 제1실시예의 입력/출력 특성으로 도시하는 도면.

Claims (26)

  1. 제1 및 제2MOS 트랜지스터; 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터의 소스들 사이에 접속된 저항; 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터에대한 동작 전류를 공급하기 위한 제1정전류원; 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터의 소스들에 각각 접속된소스들을 갖고, 게이트에서 차동 입력 전압을 수용하는 제3 및 제4MOS 트랜지스터; 상기 제3 및 제4MOS 트랜지스터에 대한 동작 전류를 공급하기 위한 제2 및 제3정전류원; 및 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 차동 출력으로서 취하기 위해 제1 및 제2MOS 트랜지스터의 게이트에 상기 제3 및 제4MOS 트랜지스터의 드레인 출력을 송신하기 위한 제1 및 제2신호 송신 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2신호 송신 수단은 증폭 회로, 감쇄 회로 및 전압 플로워 회로 중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1정전류원은 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터의 각각에 동작 전류를 각각 공급하는2개의 정전류원을 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  4. 제1항에 있어서, 모든 상기 제1 내지 제4MOS 트랜지스터들은 동일한 도전 형태의 트랜지스터들인 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터, 및 상기 제3 및 제4MOS 트랜지스터들은 서로 반대인 도전 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 저항은 직렬로 접속된 제1 및 제2저항 소자를 포함하고, 상기 제1정전류원 상기 제1및 제2저항 소자의 직렬 접속의 접합점에 동작 전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  7. 제1 및 제2MOS 트랜지스터; 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터의 소스들 사이에 접속된 저항; 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터에 대한 동작 전류를 공급하기 위한 제1정전류원; 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터의 소스들에 각각 접속된 소스들을 갖고, 게이트에서 차동 입력 전압을 수용하는 제3 및 제4MOS 트랜지스터; 상기 제3MOS 트랜지스터의 게이트입력 및 드레인 출력을 입력으로서 수용하고, 상기 차동 출력으로서의 출력을 상기 제1MOS 트랜지스터의 게이트에 공급하는 제1차동 증폭 회로; 및 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 차동 출력으로서 취하기 위해 상기 제4MOS 트랜지스터의 게이트 입력 및 드레인 출력을 입력으로서 수용하고, 차동 출력으로서의 출력을 상기 제2MOS 트랜지스터에 공급하는 제2차동 증폭 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1정전류원은 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터에 대한 동작 전류를 공급하는 것을특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터, 및 상기 제3 및 제4MOS 트랜지스터들은 서로 반대인 도전 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  10. 제7항에 있어서, 상기 저항은 직렬로 접속된 제1 및 제2저항 소자를 포함하고, 상기 제1정전류원은 상기제1 및 제2저항 소자의 직렬 접속의 접합점에 동작 전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  11. 제1 및 제2MOS 트랜지스터; 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터의 드레인들 사이에 접속된 저항; 상기 제1 및제2MOS 트랜지스터에 대한 동작 전류를 공급하기 위한 제1정전류원; 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터의 드레인들에 각각접속된 소스들을 갖고, 게이트에서 차동 입력 전압을 수용하는 제3 및 제4MOS 트랜지스터; 상기 제3 및 제4MOS 트랜지스터에 대한 동작 전류를 공급하기 위한 제2 및 제3정전류원; 및 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 차동 출력으로서 취하기 위해 상기 제1 및 제2트랜지스터의 게이트에 상기 제3 및 제4MOS 트랜지스터의 드레인 출력을 송신하기 위한 제1 및 제2신호 송신 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 및 제2신호 송신 수단은 증폭 회로, 감쇄 회로 및 전압 플로워 회로 중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  13. 제11항에 있어서, 상기 제1정전류원은 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터의 각각에 동작 전류를 각각 공급하는 2개의 정전류원을 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  14. 제11항에 있어서, 모든 상기 제1 내지 제4MOS 트랜지스터들은 동일한 도전 형태의 트랜지스터들인 것을특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  15. 제11항에 있어서, 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터, 및 상기 제3 및 제4MOS 트랜지스터들은 서로 반대인도전 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  16. 제11항에 있어서, 상기 저항은 직렬로 접속된 제1 및 제2저항 소자를 포함하고, 상기 제1정전류원은 상기제1 및 제2저항 소자의 직렬 접속의 접합점에 동작 전류를 공급하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  17. 제1 및 제2MOS 트랜지스터; 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터의 드레인들 사이에 접속된 저항; 상기 제1 및제2MOS 트랜지스터에 동작 전류를 공급하기 위한 제1정전류원; 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터의 드레인들에 각각 접속된소스들을 갖고, 게이트에서 차동 입력 전압을 수용하는 제3 및 제4MOS 트랜지스터; 상기 제3MOS 트랜지스터의 게이트 입력 및 드레인 출력을 입력으로서 수용하고, 상기 차동 출력으로서의 출력을 상기 제1MOS 트랜지스터의 게이트에 공급하는제1차동 증폭 회로; 및 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 차동 출력으로서 취하기 위해 상기 제4MOS트랜지스터의 게이트 입력 및 드레인 출력을 입력으로서 수용하고 상기 차동 출력으로서의 출력을 상기 제2MOS 트랜지스터의 게이트에 공급하는 제2차동 증폭 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제1정전류원은 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터에 동작 전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  19. 제17항에 있어서, 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터, 및 상기 제3 및 제4MOS 트랜지스터들은 서로 반대인도전 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  20. 제17항에 있어서, 상기 저항은 직렬로 접속된 제1 및 제2저항 소자를 포함하고, 상기 제1정전류원은 상기제1 및 제2저항 소자의 직렬 접속의 접합점에 동작 전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  21. 제1 및 제2MOS 트랜지스터; 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터의 드레인들 사이에 접속된 저항; 상기 제1 및제2MOS 트랜지스터에 대한 동작 전류를 공급하기 위한 제1정전류원; 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터의 드레인들에 각각접속된 소스들을 갖고, 게이트에서 차동 입력 전압을 수용하는 제3 및 제4MOS 트랜지스터; 상기 제3MOS 트랜지스터의 드레인 출력을 전류 입력으로서 수용하고, 상기 제1MOS 트랜지스터의 게이트에 접속된 전류 출력 단자를 갖는 제1전류-미러회로; 및 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터를 통해 흐르는 전류를 차동 출력으로서 취하기 위해 상기 제4MOS 트랜지스터의드레인 출력을 전류 입력으로서 수용하고, 제2MOS 트랜지스터의 게이트에 접속된 전류 출력 단자를 제2전류-미러 회로를포함하는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  22. 제21항에 있어서, 상기 제1 및 제2전류-미러 회로의 출력 전류를 각각 싱크(sinking)시키는 제1, 제2 및제3정전류원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  23. 제21항에 있어서, 상기 제1정전류원은 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터의 각각에 동작 전류를 각각 공급하는 2개의 정전류원을 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  24. 제21항에 있어서, 모든 상기 제1 내지 제4MOS 트랜지스터들은 동일한 도전 형태의 트랜지스터들인 것을특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  25. 제21항에 있어서, 상기 제1 및 제2MOS 트랜지스터, 및 상기 제3 및 제4MOS 트랜지스터들은 서로 반대인도전 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
  26. 제21항에 있어서, 상기 저항은 직렬로 접속된 제1 및 제2저항 소자를 포함하고, 상기 제1정전류원은 상기제1 및 제2저항 소자의 직렬 접속의 접합점에 동작 전류를 공급하는 것을 특징으로 하는 MOS 차동 전압-전류 변환 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR20150126565A (ko) * 2014-05-01 2015-11-12 삼성디스플레이 주식회사 디지털 링크를 동작시키는 방법 및 직렬 데이터를 수신하는 시스템

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