DE19501535A1

DE19501535A1 - Interne Stromversorgungsschaltung, die basierend auf einem externen Stromversorgungspotential ein internes Stromversorungspotential erzeugt

Info

Publication number: DE19501535A1
Application number: DE19501535A
Authority: DE
Inventors: Shinichi Jinbo; Shigeru Mori
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1994-01-31
Filing date: 1995-01-19
Publication date: 1995-08-03
Anticipated expiration: 2015-01-20
Also published as: KR0152068B1; DE19501535C2; JPH07220472A; KR950024349A; US5587648A

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine interne Stromver sorgungsschaltung.

Genauer bezieht sie sich auf eine Verbesserung einer internen Stromversorgungsschaltung, die basierend auf einem externen Stromversorgungspotential ein internes Stromversorgungspotential für eine interne Schaltung in einer Halbleiterspeichervorrichtung erzeugt.

Mit den zurückliegenden Fortschritten bei der Miniaturisierung von integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtungen wird einer internen Schaltung ein internes Stromversorgungspotential (zum Beispiel 3V) zugeführt, das niedriger als ein externes Stromver sorgungspotential (zum Beispiel 5V) ist. In einer solchen inte grierten Halbleiterschaltungsvorrichtung wird nur dann, wenn die interne Schaltung aktiviert ist, der für die interne Schaltung benötigte Strom zugeführt, um den Stromverbrauch zu reduzieren.

Genauer gesagt wird, wenn die interne Schaltung nicht aktiviert ist, nur für einen Standby-Zustand benötigter Strom zugeführt.

Fig. 8 ist ein Blockschaltbild, das eine interne Stromversor gungsschaltung zeigt, die ein internes Stromversorgungspotential einer Leseverstärker-Treiberschaltung eines dynamischen Speichers mit wahlfreiem Zugriff (DRAM) und einer bzw. seiner peripheren Schaltung zuführt.

Wie in Fig. 8 gezeigt ist, weist eine interne Stromversorgungs schaltung 1 einen Ausgabeknoten 2, der mit einem Stromversor gungsknoten der peripheren Schaltung verbunden ist, einen Ausga beknoten 3, der mit einem Stromversorgungsknoten der Leseverstär ker-Treiberschaltung verbunden ist, einen Herunterwandler 4 für die periphere Schaltung, der ein internes Stromversorgungspoten tial intVcc basierend auf einem externen Stromversorgungspoten tial extVcc erzeugt, und einen Herunterwandler 54 für die Lesever stärker-Treiberschaltung, der das internes Stromversorgungspoten tial intVcc basierend auf dem externen Stromversorgungspotential extVcc erzeugt, auf.

Der Herunterwandler 4 weist eine primäre Versorgungsschaltung 6 für das interne Stromversorgungspotential und eine Hilfsversor gungsschaltung 7 für das interne Stromversorgungspotential auf. Die primäre Versorgungsschaltung 6 für das interne Stromversor gungspotential liefert, basierend auf dem externen Stromversor gungspotential extVcc, das interne Stromversorgungspotential intVcc niedriger als das externe Stromversorgungspotential an den Ausgabeknoten 2. Die Hilfsversorgungsschaltung 7 für das interne Stromversorgungspotential ist als Reaktion auf ein Steuersignal Φ1 aktiviert und liefert, wenn sie aktiviert ist, das interne Stromversorgungspotential intVcc an den Ausgabeknoten 2 basierend auf dem externen Stromversorgungspotential extVcc.

Vergleichbar zu dem Herunterwandler 4 weist der Herunterwandler 5 eine primäre Versorgungsschaltung 8 für das interne Stromversor gungspotential und eine Hilfsversorgungsschaltung 9 für das in terne Stromversorgungspotential auf. Vergleichbar zu der primären Versorgungsschaltung 6 für das interne Stromversorgungspotential liefert die primäre Versorgungsschaltung 8 für das interne Strom versorgungspotential das interne Stromversorgungspotential an den Ausgabeknoten 3 basierend auf dem externen Stromversorgungspoten tial extVcc. Ähnlich wie die Hilfsversorgungsschaltung 7 für das interne Stromversorgungspotential ist die Hilfsversorgungsschal tung 9 für das interne Stromversorgungspotential als Reaktion auf ein Steuersignal Φ2 aktiviert und liefert, wenn sie aktiviert ist, das interne Stromversorgungspotential intVcc an den Ausgabe knoten 3 basierend auf dem externen Stromversorgungspotential extVcc.

Es wird nun eine Beschreibung des Betriebes der internen Strom versorgungsschaltung 1 gegeben.

In einem Standby-Zustand werden die Steuersignale Φ1 und Φ2 je weils mit einem L-Niveau an die Hilfsversorgungsschaltungen 7 bzw. 9 für das interne Stromversorgungspotential angelegt. Das L- Niveau bezeichnet ein logisch niedriges Niveau.

Wenn die Steuersignale Φ1 und Φ2 beide auf dem L-Niveau angelegt werden, erzeugen die Hilfsversorgungsschaltungen 7 und 9 für das interne Stromversorgungspotential das interne Stromversorgungs potential intVcc nicht. Andererseits erzeugen die primären Ver sorgungsschaltungen 6 und 8 für das interne Stromversorgungspo tential das interne Stromversorgungspotential intVcc unabhängig von den Steuersignalen Φ1 und Φ2 immer.

Darum wird in dem Standby-Zustand das interne Stromversor gungspotential intVcc der peripheren Schaltung über den Ausgabe knoten 2 nur durch die primäre Versorgungsschaltung 6 für das interne Stromversorgungspotential in dem Herunterwandler 4 zuge führt. Da die periphere Schaltung zu diesem Zeitpunkt in dem Standby-Zustand ist, wird wenig Strom bzw. Leistung verbraucht. Darum ist es ausreichend, eine Treiberfähigkeit der primären Ver sorgungsschaltung 6 für das interne Stromversorgungspotential zu haben, die kleiner als die der Hilfsversorgungsschaltung 7 für das interne Stromversorgungspotential ist.

In dem Standby-Zustand wird der Leseverstärker-Treiberschaltung das interne Stromversorgungspotential intVcc über den Ausgabekno ten 3 nur durch die primäre Versorgungsschaltung 8 für das inter ne Stromversorgungspotential in dem Herunterwandler 5 zugeführt. Da die Leseverstärker-Treiberschaltung zu diesem Zeitpunkt in dem Standby-Zustand ist, wird wenig Strom bzw. Leistung verbraucht. Darum ist es ausreichend, eine Treiberfähigkeit der primären Ver sorgungsschaltung 8 für das interne Stromversorgungspotential zu haben, die kleiner als diejenige der Hilfsversorgungsschaltung 9 für das interne Stromversorgungspotential ist.

Wie oben beschrieben worden ist, wird in dem Standby-Zustand das interne Stromversorgungspotential intVcc der peripheren Schaltung über den Ausgabeknoten 2 durch die primäre Versorgungsschaltung 6 für das interne Stromversorgungspotential, die eine kleine Trei berfähigkeit aufweist, und der Leseverstärker-Treiberschaltung über den Ausgabeknoten 3 durch die primäre Versorgungsschaltung 8 für das interne Stromversorgungspotential, die eine kleine Trei berfähigkeit aufweist, zugeführt. Darum wird die in dem Standby- Zustand verbrauchte Leistung sehr klein.

In einem aktiven Zustand beginnt als Reaktion auf das Abfallen eines Zeilenadressentaktsignals /RAS (nicht gezeigt) die interne Schaltung des DRAM zu arbeiten. Als Reaktion auf das Abfallen des Zeilenadressentaktsignals /RAS steigen die Steuersignale Φ1 und Φ2 von dem L-Niveau auf ein H-Niveau an. Das H-Niveau bezeichnet ein logisch hohes Niveau. Als Reaktion auf das Steuersignal Φ1 auf dem H-Niveau wird die Hilfsversorgungsschaltung 7 für das interne Stromversorgungspotential aktiviert, wodurch das interne Stromversorgungspotential intVcc der peripheren Schaltung über den Ausgabeknoten 2 zugeführt wird.

Andererseits wird als Reaktion auf das Steuersignal Φ2 auf dem H- Niveau die Hilfsversorgungsschaltung 9 für das interne Stromver sorgungspotential aktiviert, wodurch das interne Stromversor gungspotential intVcc der Leseverstärker-Treiberschaltung durch den Ausgabeknoten 3 zugeführt wird.

Wie oben beschrieben worden ist, wird in dem aktiven Zustand das interne Stromversorgungspotential intVcc der peripheren Schaltung außerdem durch die Hilfsversorgungsschaltung 7 für das interne Stromversorgungspotential, die eine große Treiberfähigkeit auf weist, zugeführt. Ähnlich wird das interne Stromversorgungspoten tial intVcc der Leseverstärker-Treiberschaltung auch durch die Hilfsversorgungsschaltung 9 für das interne Stromversorgungspo tential, die eine große Treiberfähigkeit aufweist, zugeführt. Darum arbeiten die periphere Schaltung und die Leseverstärker- Treiberschaltung stabil.

Da in dem aktiven Zustand eine Anzahl von Leserverstärkern ge trieben wird, wird in der Leseverstärker-Treiberschaltung mehr Strom bzw. Leistung verbraucht als in der peripheren Schaltung. Darum ändert sich auf das Treiben der Leseverstärker hin das Po tential des Ausgabeknotens 3 manchmal scharf bzw. sehr schnell. Da der Herunterwandler 4 und der Herunterwandler 5 in der inter nen Stromversorgungsschaltung 1 unabhängig voneinander vorgesehen sind, hat eine solche wie oben beschriebene Potentialänderung des Ausgabeknotens 3 keinen Einfluß auf den Ausgabeknoten 2.

Da zwei Herunterwandler 4 und 5 in der internen Stromversorgungs schaltung 1 vorgesehen sind, wird jedoch der Strom- bzw. Lei stungsverbrauch größer als in dem Fall, in dem ein Herunterwand ler vorgesehen ist.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine interne Stromver sorgungsschaltung mit einem kleineren Stromverbrauch anzugeben.

Diese Aufgabe wird gelöst durch eine interne Stromversorgungs schaltung nach Anspruch 1.

Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekenn zeichnet.

Die vorliegende Erfindung ermöglicht eine interne Stromversor gungsschaltung, bei der, selbst falls sich ein Potential an einem Ausgabeknoten ändert, das Potential an dem anderen Ausgabeknoten sich nicht ändern wird.

Die vorliegende Erfindung ermöglicht eine interne Stromversor gungsschaltung, die ein stabiles internes Stromversorgungspoten tial, das niedriger als ein externes Stromversorgungspotential ist, unabhängig an eine Leseverstärker-Treiberschaltung und deren periphere Schaltung in einer Halbleiterspeichervorrichtung lie fern kann.

Die vorliegende Erfindung ermöglicht eine interne Stromversor gungsschaltung, die ein stabiles internes Stromversorgungspoten tial, das höher als ein externes Stromversorgungspotential ist, unabhängig an eine Wortleitungstreiberschaltung und an eine Bit leitungstreiberschaltung in einem geteilten Leseverstärker-System in einer Halbleiterspeichervorrichtung liefern kann.

Entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist eine interne Stromversorgungsschaltung, die ein internes Stromversorgungspotential basierend auf einem externen Stromver sorgungspotential erzeugt, einen ersten Ausgabeknoten, einen zweiten Ausgabeknoten, eine primäre Versorgungsschaltung für das interne Stromversorgungspotential, eine erste Hilfsversorgungs schaltung für das interne Stromversorgungspotential, eine zweite Hilfsversorgungsschaltung für das interne Stromversorgungspoten tial und eine Schaltvorrichtung auf. Die primäre Versorgungsvor richtung für das interne Stromversorgungspotential liefert das interne Stromversorgungspotential, das basierend auf dem externen Stromversorgungspotential erzeugt wird, an den ersten Ausgabekno ten. Die erste Hilfsversorgungsschaltung für das interne Strom versorgungspotential ist als Reaktion auf das erste Steuersignal aktiviert wird, und wenn sie aktiviert ist, liefert sie das in terne Stromversorgungspotential, das basierend auf dem externen Stromversorgungspotential erzeugt wird, an den ersten Ausgabekno ten. Die zweite Hilfsversorgungsschaltung ist als Reaktion auf ein zweites Steuersignal, das synchron mit dem ersten Steuersi gnal ist, aktiviert, und wenn sie aktiviert ist, liefert sie das interne Stromversorgungspotential, das basierend auf dem externen Stromversorgungspotential erzeugt wird, an den zweiten Ausgabe knoten. Zwischen den ersten und den zweiten Ausgabeknoten ist die Schaltvorrichtung geschaltet, die als Reaktion auf das erste Steuersignal und/oder das zweite Steuersignal nicht-leitend wird.

Darum ist es entsprechend der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung möglich, daß die primäre Versorgungsschaltung für das interne Stromversorgungspotential das interne Stromversorgungs potential an den ersten Ausgabeknoten und ebenso an den zweiten Ausgabeknoten über die Schaltvorrichtung in einem Standby-Zustand liefert. Darum ist ein erster Vorteil der vorliegenden Erfindung, daß der Leistungsverbrauch, verglichen mit dem Fall, in dem zwei primäre Versorgungsschaltungen für das interne Stromversorgungs potential das interne Stromversorgungspotential an die beiden Ausgabeknoten liefern, reduziert ist.

Entsprechend der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung wird, wenn in einem aktiven Zustand die erste Hilfsversorgungs schaltung für das interne Stromversorgungspotential das interne Stromversorgungspotential an den ersten Ausgabeknoten und die zweite Hilfsversorgungsschaltung für das interne Stromversor gungspotential das interne Stromversorgungspotential an den zwei ten Ausgabeknoten liefert, die Schaltvorrichtung nicht-leitend gemacht. Darum ist es ein zweiter Vorteil der vorliegenden Erfin dung, daß eine Potentialänderung an dem ersten Ausgabeknoten kei nen Einfluß auf den zweiten Ausgabeknoten, oder daß eine Potenti aländerung an dem zweiten Ausgabeknoten keinen Einfluß auf den ersten Ausgabeknoten hat.

Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figu ren.

Von den Figuren zeigen:

Fig. 1 ein Schaltbild, das den gesamten Aufbau einer internen Stromversorgungsschaltung entspre chend Ausführungsform 1 der vorliegenden Er findung zeigt;

Fig. 2 bis 7 Blockschaltbilder, die den gesamten Aufbau der internen Stromversorgungsschaltungen ent sprechend der Ausführungsformen 2 bis 7 der vorliegenden Erfindung zeigen; und

Fig. 8 ein Blockschaltbild, das den gesamten Aufbau einer internen Stromversorgungsschaltung zeigt.

Es wird nun eine detaillierte Beschreibung von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Figuren gege ben. In den Figuren bezeichnen dieselben Bezugszeichen dieselben oder entsprechende Abschnitte bzw. Teile oder Elemente.

Ausführungsform 1

Fig. 1 ist ein Schaltbild, das den gesamten Aufbau einer internen Stromversorgungsschaltung entsprechend Ausführung 1 der vorlie genden Erfindung zeigt.

Eine interne Stromversorgungsschaltung 10 ist in einem DRAM (nicht gezeigt) ausgebildet. Der DRAM weist ein Speicherzellen feld mit einer Mehrzahl von Speicherzellen, die in einer Matrix aus Zeilen und Spalten angeordnet sind, einen Adreßpuffer, der ein internes Adreßsignal als Reaktion auf ein externes Adreßsi gnal als Reaktion auf ein externes Adreßsignal erzeugt, einen Zeilendekoder, der das interne Adreßsignal zum Auswählen einer Zeile des Speicherzellenfeldes dekodiert, einen Leseverstärker, der Daten aus Speicherzellen in einer Zeile, die durch den Zei lendekoder ausgewählt ist, verstärkt, eine Treiberschaltung, die Leseverstärker treibt, einen Spaltendekoder, der das interne Adreßsignal zum Auswählen von einem Wert aus der Mehrzahl von Daten, die durch den Leseverstärker verstärkt sind, dekodiert, und einen Daten-Eingabe-/Ausgabe-Puffer, der einen der durch den Spaltendekoder ausgewählten Werte zur Ausgabe verstärkt, auf.

Basierend auf einer externen Stromversorgungsspannung extVcc (zum Beispiel 5V) liefert die interne Stromversorgungsschaltung 10 ein internes Stromversorgungspotential intVcc (zum Beispiel 3V), das niedriger als das externe Stromversorgungspotential extVcc ist, unabhängig an die Leseverstärker-Treiberschaltung und ihre bzw. eine periphere Schaltung. Die periphere Schaltung weist den Zei lendekoder, den Spaltendekoder, den Adreßpuffer und den Daten- Eingabe-/Ausgabe-Puffer auf.

Wie in Fig. 1 gezeigt ist, weist die interne Stromversorgungs schaltung 10 einen Ausgabeknoten 12, einen Ausgabeknoten 14, ei nen Herunterwandler 16 für die periphere Schaltung, einen Herun terwandler 18 für den Leseverstärker und einen p-Kanal-MOS-Tran sistor 19 auf.

Der Ausgabeknoten 12 ist mit den entsprechenden Stromversorgungs knoten des Zeilendekoders, des Spaltendekoders, des Adreßpuffers und des Daten-Eingabe-/Ausgabe-Puffers verbunden. Der Ausgabekno ten 14 ist mit einem Stromversorgungsknoten der Leseverstärker- Treiberschaltung verbunden.

Der Herunterwandler 16 ist zum Zuführen des internen Stromversor gungspotentials intVcc zu der peripheren Schaltung wie zum Bei spiel zu dem Adreßpuffer über den Ausgabeknoten 12 vorgesehen. Der Herunterwandler 18 ist zum Zuführen des internen Stromversor gungspotentials intVcc zu der Leseverstärker-Treiberschaltung über den Ausgabeknoten 14 vorgesehen. Der p-Kanal-MOS-Transistor 19 ist zwischen den Ausgabeknoten 12 und den Ausgabeknoten 14 verbunden bzw. geschaltet.

Der Herunterwandler 16 weist eine Hilfsversorgungsschaltung 20 für das interne Stromversorgungspotential und eine primäre Ver sorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential auf. Die Hilfsversorgungsschaltung 20 für das interne Stromver sorgungspotential wird als Reaktion auf ein Steuersignal Φ1 akti viert, und wenn sie aktiviert ist, liefert sie das interne Strom versorgungspotential intVcc basierend auf dem externen Stromver sorgungspotential extVcc an den Ausgabeknoten 12. Das Steuersi gnal Φ1, das als Reaktion auf ein internes Zeilenadressentaktsi gnal /RAS erzeugt wird, steigt als Reaktion auf das Abfallen des Zeilenadressentaktsignals /RAS an. Die primäre Versorgungsschal tung 22 für das interne Stromversorgungspotential liefert das interne Stromversorgungspotential intVcc basierend auf dem exter nen Stromversorgungspotential extVcc immer an den Ausgabeknoten 12.

Der Herunterwandler 18 bildet eine Hilfsversorgungsschaltung für das interne Stromversorgungspotential. Der Herunterwandler 18 wird als Reaktion auf ein Steuersignal Φ2 aktiviert, und wenn er aktiviert ist, liefert er das interne Stromversorgungspotential intVcc basierend auf dem externen Stromversorgungspotential extVcc an den Ausgabeknoten 14. Das Steuersignal Φ2, das als Re aktion auf ein internes Zeilenadressentaktsignal /RAS erzeugt wird, steigt als Reaktion auf das Abfallen des Zeilenadressen taktsignals /RAS an.

Die Hilfsversorgungsschaltung 20 für das interne Stromversor gungspotential weist einen p-Kanal-MOS-Transistor 24, einen Dif ferentialverstärker 26 und einen Treiber-p-Kanal-MOS-Transistor 28 auf.

Der p-Kanal-MOS-Transistor 24 ist zwischen einem Stromversor gungsknoten 11 und die Gateelektrode des Treiber-p-Kanal-MOS- Transistor 28 geschaltet bzw. verbunden. Das Steuersignal Φ1 ist an die Gateelektrode des Transistors 24 angelegt. Der Treiber-p- Kanal-MOS-Transistor 28 ist zwischen den Stromversorgungsknoten 11 und den Ausgabeknoten 12 geschaltet bzw. verbunden.

Der Differentialverstärker 26 weist zwei p-Kanal-MOS-Transistoren 260 und 262, die eine Stromspiegelschaltung bilden, einen N-Ka nal-MOS-Transistor 264 mit einer Gateelektrode, an die ein kon stantes Referenzpotential Vref angelegt ist, einen N-Kanal-MOS- Transistor 266 mit einer Gateelektrode, an die das interne Strom versorgungspotential intVcc angelegt ist, und einen N-Kanal-MOS- Transistor 268 mit einer Gateelektrode, an die das Steuersignal Φ1 angelegt ist, der einen konstanten Strom an die Transistoren 260 bis 266 als Reaktion darauf, daß das Steuersignal Φ1 das H- Niveau erreicht, liefert. Ein Ausgabeknoten 269 des Differential verstärkers 26 ist mit der Gateelektrode des Treiber-p-Kanal-MOS- Transistors 28 verbunden.

Darum wird, wenn das Steuersignal Φ1 das H-Niveau erreicht, der Differentialverstärker 26 aktiviert, und der p-Kanal-MOS-Transi stor 24 wird nicht-leitend gemacht.

Wenn er aktiviert ist, vergleicht der Differentialverstärker 26 das interne Stromversorgungspotential intVcc mit dem Referenzpo tential Vref und steuert den Treiber-p-Kanal-MOS-Transistor 28 entsprechend des Vergleichsresultats (an).

Genauer gesagt, wenn das interne Stromversorgungspotential intVcc niedriger als das Referenzpotential Vref ist, fällt das Potential des Ausgabeknotens 269 ab, und der Treiber-p-Kanal-MOS-Transistor 28 wird leitend gemacht. Als ein Ergebnis steigt, da von dem Stromversorgungspotentialknoten 11 über den Treiber-p-Kanal-MOS- Transistor 28 Ladung an den Ausgabeknoten 12 geliefert wird, das interne Stromversorgungspotential intVcc an.

Andererseits steigt, wenn das interne Stromversorgungspotential intVcc höher als das Referenzpotential Vref ist, das Potential des Ausgabeknotens 269 an, und der Treiber-p-Kanal-MOS-Transistor 28 wird nicht-leitend gemacht. Als ein Ergebnis wird keine Ladung von dem Stromversorgungspotentialknoten 11 über den Treiber-p- Kanal-MOS-Transistor 28 an den Ausgabeknoten 12 geliefert. Darum fällt das interne Stromversorgungspotential intVcc ab.

Einfach ausgedrückt sind der Differentialverstärker 26 und der Treiber-p-Kanal-MOS-Transistor 28 zum Steuern des internen Strom versorgungspotentials intVcc auf das gleiche Niveau wie das Refe renzpotential Vref vorgesehen.

Die primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversor gungspotential weist einen Differentialverstärker 30 und einen Treiber-p-Kanal-MOS-Transistor 32 auf.

Vergleichbar zu dem Differentialverstärker 26 weist der Differen tialverstärker 30 zwei p-Kanal-MOS-Transistoren 300 und 302, die eine Stromspiegelschaltung bilden, einen N-Kanal-MOS-Transistor 304 mit einer Gateelektrode, an die das Referenzpotential Vref angelegt ist, einen N-Kanal-MOS-Transistor 306 mit einer Gate elektrode, an die das interne Stromversorgungspotential intVcc angelegt ist, und einen N-Kanal-MOS-Transistor 308 mit einer Ga teelektrode, an die das externe Stromversorgungspotential extVcc angelegt ist, der einen konstanten Strom an die Transistoren 300 bis 306 liefert, auf. Ein Ausgabeknoten 309 des Differentialver stärkers 30 ist mit der Gateelektrode des Treiber-p-Kanal-MOS- Transistors 32 verbunden. Der Treiber-p-Kanal-MOS-Transistors 32 ist zwischen den Stromversorgungsknoten 11 und den Ausgabeknoten 12 geschaltet bzw. verbunden.

Da das externe Stromversorgungspotential immer an die Gateelek trode des N-Kanal-MOS-Transistors 308 angelegt ist, ist der Dif ferentialverstärker 30 anders als der Differentialverstärker 26 immer aktiviert. Darum fällt, wenn das interne Stromversorgungs potential intVcc niedriger als das Referenzpotential Vref ist, das Potential des Ausgabeknotens 309 ab, wodurch der Treiber-p- Kanal-MOS-Transistor 32 leitend wird. Wenn der Transistor 32 lei tend gemacht wird, wird Ladung von dem Stromversorgungspotential knoten 11 über den Treiber-p-Kanal-MOS-Transistor 32 an den Aus gabeknoten 12 geliefert. Darum steigt das interne Stromversor gungspotential intVcc an.

Wenn andererseits das interne Stromversorgungspotential intVcc höher als das Referenzpotential Vref ist, steigt das Potential des Ausgabeknotens 309 an, wodurch der Treiber-p-Kanal-MOS-Tran sistor 32 nicht-leitend gemacht wird. Darum wird keine Ladung von dem Stromversorgungspotentialknoten 11 an den Ausgabeknoten 12 über den Treiber-p-Kanal-MOS-Transistor 32 geliefert, und das interne Stromversorgungspotential intVcc fällt ab.

Einfach ausgedrückt ist die primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential aus dem Differentialver stärker 30 und dem Treiber-MOS-Transistor 32 aufgebaut, damit das interne Stromversorgungspotential intVcc immer auf das gleiche Niveau wie das Referenzpotential Vref gesteuert wird.

Vergleichbar zu der Hilfsversorgungsschaltung 20 für das interne Stromversorgungspotential weist die Hilfsversorgungsschaltung 18 für das interne Stromversorgungspotential einen p-Kanal-MOS-Tran sistor 34, einen Differentialverstärker 36 und einen Treiber-p- Kanal-MOS-Transistor 38 auf.

Der p-Kanal-MOS-Transistor 34 ist zwischen den Stromversorgungs knoten 11 und die Gateelektrode des Treiber-p-Kanal-MOS-Transi stors 38 geschaltet bzw. verbunden. Das Steuersignal Φ2 ist an die Gateelektrode des Transistors 34 angelegt. Der Treiber-p-Ka nal-MOS-Transistor 38 ist zwischen den Stromversorgungspotential knoten 11 und den Ausgabeknoten 14 geschaltet bzw. verbunden.

Der Differentialverstärker 36 weist p-Kanal-MOS-Transistoren 360 und 362, die eine Stromspiegelschaltung bilden, einen N-Kanal- MOS-Transistor 364 mit einer Gateelektrode, an die das Referenz potential Vref angelegt ist, einen N-Kanal-MOS-Transistor 366 mit einer Gateelektrode, an die das interne Stromversorgungspotential intVcc angelegt ist, und einen N-Kanal-MOS-Transistor 368 mit einer Gateelektrode, an die das Steuersignal Φ2 angelegt ist, der einen konstanten Strom an die Transistoren 360 bis 366 als Reak tion auf das Erreichen des H-Niveaus durch das Steuersignal Φ2 liefert, auf. Der Ausgabeknoten 369 des Differentialverstärkers 36 ist mit der Gateelektrode des Treiber-p-Kanal-MOS-Transistors 38 verbunden.

Darum wird bei der Hilfsversorgungsschaltung 18 für das interne Stromversorgungspotentital als Reaktion auf das Steuersignal Φ2 auf dem L-Niveau der p-Kanal-MOS-Transistor 34 leitend und der N- Kanal-MOS-Transistor 368 nicht-leitend gemacht, wie das in der Hilfsversorgungsschaltung 20 für das interne Stromversorgungspo tential ist. Da das externe Stromversorgungspotential extVcc an die Gateelektrode des Treiber-p-Kanal-MOS-Transistors 38 von dem Stromversorgungsknoten 11 über den p-Kanal-MOS-Transistor 34 an gelegt ist, wird der Treiber-p-Kanal-MOS-Transistor 38 nicht-lei tend gemacht. Darum arbeitet die Hilfsversorgungsschaltung 18 für das interne Stromversorgungspotential nicht.

Wenn andererseits das Steuersignal Φ2 auf dem H-Niveau angelegt ist, wird der p-Kanal-MOS-Transistor 34 nicht-leitend und der N- Kanal-MOS-Transistor 368 leitend gemacht. Als ein Ergebnis steu ert die Hilfsversorgungsschaltung 18 für das interne Stromversor gungspotential das interne Stromversorgungspotential intVcc auf das gleiche Niveau wie das Referenzpotential Vref.

Die Hilfsversorgungsschaltung 18 für das interne Stromversor gungspotential unterscheidet sich von der Hilfsversorgungsschal tung 20 für das interne Stromversorgungspotential dadurch, daß die Größe des Treiber-p-Kanal-MOS-Transistors 38 größer als die des Transistors 28 in der Hilfsversorgungsschaltung 20 für das interne Stromversorgungspotential ist, und dadurch, daß die Fä higkeit zum Treiben einer mit dem Ausgabeknoten 14 verbundenen Last größer als die der Hilfsversorgungsschaltung 20 für das in terne Stromversorgungspotential ist.

Der p-Kanal-MOS-Transistor 19 ist zwischen den Ausgabeknoten 12 und den Ausgabeknoten 14 geschaltet, wobei das Steuersignal Φ1 an seine Gateelektrode angelegt ist.

Es wird nun eine Beschreibung des Betriebes der internen Strom versorgungsschaltung 10 entsprechend Ausführungsform 1 gegeben.

(1) Standby-Zustand

Zuerst wird der Betrieb der internen Stromversorgungsschaltung 10 in einem Standby-Zustand beschrieben.

In dem Standby-Zustand sind, da das Zeilenadressentaktsignal/RAS auf dem H-Niveau ist, die Steuersignale Φ1 und Φ2 beide auf dem L-Niveau. Auf das Anlegen des Steuersignals Φ1 auf dem L-Niveau an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistors 24 und die Ga teelektrode des n-Kanal-MOS-Transistors 268 in dem Differential verstärker 26 hin, wird der Differentialverstärker 26 deaktiviert und der p-Kanal-MOS-Transistor 24 wird leitend gemacht. Als ein Ergebnis wird das externe Stromversorgungspotential extVcc an die Gateelektrode des Treiber-p-Kanal-MOS-Transistors 28 über den Transistor 24 angelegt. Darum wird der Treiber-p-Kanal-MOS-Tran sistor 28 nicht-leitend gemacht.

Vergleichbar wird, wenn das Steuersignal Φ2 auf dem L-Niveau an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistors 34 und die Gatee lektrode des n-Kanal-MOS-Transistors 368 in dem Differentialver stärker 36 angelegt wird, der Differentialverstärker 36 deakti viert und der p-Kanal-MOS-Transistor 34 leitend gemacht. Als ein Ergebnis wird das externe Stromversorgungspotential extVcc an die Gateelektrode des Treiber-p-Kanal-MOS-Transistors 38 über den Transistor 34 angelegt. Darum wird der Treiber-p-Kanal-MOS-Tran sistor 38 nicht-leitend gemacht.

Andererseits liefert die primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential das interne Stromversorgungs potential intVcc gleich dem Referenzpotential Vref immer an den Ausgabeknoten 12, da der Differentialverstärker 30 immer akti viert ist.

Da das Steuersignal Φ1 auf dem L-Niveau außerdem an die Gateelek trode des p-Kanal-MOS-Transistors 19 angelegt wird, sind der Aus gabeknoten 12 und der Ausgabeknoten 14 leitend gemacht bzw. ver bunden. Darum liefert, obwohl die Hilfsversorgungsschaltung 18 für das interne Stromversorgungspotential das interne Stromver sorgungspotential intVcc nicht an den Ausgabeknoten 14 liefert, die primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversor gungspotential das interne Stromversorgungspotential intVcc immer über den p-Kanal-MOS-Transistor 19 an den Ausgabeknoten 14.

Wie oben beschrieben worden ist, wird in dem Standby-Zustand das interne Stromversorgungspotential intVcc an den Ausgabeknoten 12 und ebenso an den Ausgabeknoten 14 über den p-Kanal-MOS-Transi stor 19 durch eine (einzelne) primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential geliefert. Darum wird, ver glichen mit dem Fall, in dem das interne Stromversorgungspotenti al intVcc unabhängig an die Ausgabeknoten 2 und 3 durch zwei pri märe Versorgungsschaltungen 6 und 8 für das interne Stromversor gungspotential geliefert wird, wie das bei der in Fig. 8 gezeig ten internen Stromversorgungsschaltung 1 der Fall ist, der Strom verbrauch wesentlich reduziert.

In dem Standby-Zustand arbeiten die Hilfsversorgungsschaltungen 20 und 18 für das interne Stromversorgungspotential, die einen großen Stromverbrauch haben, nicht, und nur die primäre Versor gungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential mit dem kleinen Stromverbrauch arbeitet. Darum wird wenig Strom bzw. Leistung verbraucht. Zusätzlich wird, da weder die Leseverstär ker-Treiberschaltung noch deren periphere Schaltung in dem Stand by-Zustand arbeiten, der für die Leseverstärker-Treiberschaltung und seine periphere Schaltung benötigte Strom in einem nicht-ak tiven Zustand nur durch die primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential garantiert bzw. zur Verfü gung stellt.

Da die Leseverstärker nicht arbeiten, wird kein großer Strom- bzw. Leistungsbetrag durch die Leseverstärker verbraucht, und das Potential intVcc des Ausgabeknotens 14 fällt nicht wesentlich ab. Darum tritt, selbst falls der Ausgabeknoten 12 und der Ausgabe knoten 14 durch den p-Kanal-MOS-Transistor 19 verbunden sind, kein Problem auf.

(2) Aktiver Zustand

In einem aktiven Zustand fällt das Zeilenadressentaktsignal/RAS von dem H-Niveau auf das L-Niveau. Als Reaktion auf das Abfallen steigen die Steuersignale Φ1 und Φ2 von dem L-Niveau auf das H- Niveau an.

Wenn das Steuersignal Φ1 auf dem H-Niveau an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistors 24 und die Gateelektrode des n-Kanal- MOS-Transistors 268 in dem Differentialverstärker 26 angelegt wird, wird der p-Kanal-MOS-Transistor 24 nicht-leitend und der n- Kanal-MOS-Transistor 268 leitend gemacht. Als ein Ergebnis wird der Differentialverstärker 26 aktiviert und der Treiber-p-Kanal- MOS-Transistor 28 so gesteuert, daß das Potential intVcc des Aus gabeknotens 12 gleich dem Referenzpotential Vref wird bzw. bleibt. Darum wird das interne Stromversorgungspotential intVcc dem Ausgabeknoten 12 durch die Hilfsversorgungsschaltung 20 für das interne Stromversorgungspotential zugeführt. Zu diesem Zeit punkt wird das interne Stromversorgungspotential intVcc dem Aus gabeknoten 12 außerdem durch die primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential zugeführt.

Wenn andererseits das Steuersignal Φ2 auf dem H-Niveau an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistors 34 und die Gateelektro de des n-Kanal-MOS-Transistors 368 in dem Differentialverstärker 36 angelegt wird, wird der p-Kanal-MOS-Transistor 34 nicht-lei tend und der n-Kanal-MOS-Transistor 368 leitend gemacht. Als ein Ergebnis steuert der Differentialverstärker 36 den Treiber-p-Ka nal-MOS-Transistor 38 so, daß das Potential intVcc des Ausgabe knotens 14 gleich dem Referenzpotential Vref wird bzw. bleibt. Darum wird das interne Stromversorgungspotential intVcc dem Aus gabeknoten 14 durch die Hilfsversorgungsschaltung 18 für das in terne Stromversorgungspotential zugeführt.

Zu diesem Zeitpunkt wird, das Steuersignal Φ1 auf dem H-Niveau außerdem an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistors 19 an gelegt wird, der p-Kanal-MOS-Transistors 19 nicht-leitend ge macht. Als ein Ergebnis werden der Ausgabeknoten 12 und der Aus gabeknoten 14 elektrisch getrennt.

Wie oben beschrieben worden ist, können in dem aktiven Zustand der Herunterwandler 16 und der Herunterwandler 18 das interne Stromversorgungspotential intVcc unabhängig an den Ausgabeknoten 12 bzw. den Ausgabeknoten 14 liefern. Genauer gesagt werden der Ausgabeknoten 12 und der Ausgabeknoten 14 durch den p-Kanal-MOS- Transistor 19 elektrisch getrennt. Darum wird, selbst falls der Betrieb der Leseverstärker einen großen Strom- bzw. Leistungsbe trag verbraucht, was die Leseverstärker-Treiberschaltung zum Ver brauch eines großen Strom- bzw. Leistungsbetrages bringt, wodurch das Potential intVcc des Ausgabeknotens 14 sich wesentlich ändert bzw. ändern kann, die Änderung keinen Einfluß auf den Ausgabekno ten 12 bzw. das an diesem Ausgabeknoten anliegende Potential ha ben.

Ein großer Strombetrag wird in der Leseverstärker-Treiberschal tung verbraucht, da im allgemeinen in einem DRAM eine Anzahl von Leseverstärkern vorgesehen ist, und da, wenn eine Zeile eines Speicherzellenfeldes durch einen Zeilendekoder ausgewählt ist, aus den Speicherzellen der Zeile ausgelesene Daten alle durch diese Leseverstärker verstärkt werden.

In dem aktiven Zustand arbeiten sowohl die Leseverstärker-Trei berschaltung als auch ihre periphere Schaltung. Darum wird ein großer Strom- bzw. Leistungsbetrag verbraucht. Jedoch arbeiten beide Hilfsversorgungsschaltungen 20 und 18 für das interne Stromversorgungspotential, die eine große Treiberfähigkeit aufweisen, zum Garantieren eines ausreichenden Strom, der von der Leseverstärker-Treiberschaltung und eine bzw. seine peripheren Schaltung benötigt wird.

Ausführungsform 2

Fig. 2 ist eine Blockdarstellung, die den gesamten Aufbau der internen Stromversorgungsschaltung entsprechend Ausführung 2 der vorliegenden Erfindung zeigt.

Vergleichbar zu der internen Stromversorgungsschaltung 10 ent sprechend Ausführungsform 1 ist die interne Stromversorgungs schaltung 40 entsprechend Ausführungsform 2 in einem DRAM ausge bildet, der eine Leseverstärker-Treiberschaltung und eine bzw. seine periphere Schaltung aufweist.

Wie in Fig. 2 gezeigt ist, weist die interne Stromversorgungs schaltung 40 einen Ausgabeknoten 12, der mit den entsprechenden Stromversorgungsknoten der peripheren Schaltung verbunden ist, einen Ausgabeknoten 14, der mit einem Stromversorgungsknoten der Leseverstärker-Treiberschaltung verbunden ist, einen Herunter wandler 16 für die periphere Schaltung, einen Herunterwandler für den Leseverstärker (Hilfsversorgungsschaltung 18 für das interne Stromversorgungspotential) und einen p-Kanal-MOS-Transistor 42 auf.

Vergleichbar zu Ausführungsform 1 weist der Herunterwandler 16 eine Hilfsversorgungsschaltung 20 für das interne Stromversor gungspotential, die als Reaktion auf das Steuersignal Φ1 akti viert ist, und die, wenn sie aktiviert ist, das interne Stromver sorgungspotentials intVcc niedriger als das externe Stromversor gungspotentials extVcc basierend auf dem externen Stromversor gungspotential extVcc an den Ausgabeknoten 12 liefert, und eine primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungs potential, die immer das interne Stromversorgungspotential basie rend auf dem externen Stromversorgungspotential an den Ausgabe knoten 12 liefert, auf.

Der Herunterwandler 18 wird von der Hilfsversorgungsschaltung 18 für das interne Stromversorgungspotential gebildet, die als Re aktion auf das Steuersignal Φ2 aktiviert ist und die, wenn sie aktiviert ist, das interne Stromversorgungspotential intVcc ba sierend auf dem externen Stromversorgungspotential extVcc an den Ausgabeknoten 14 liefert.

Der p-Kanal-MOS-Transistor 42 ist zwischen den Ausgabeknoten 12 und den Ausgabeknoten 14 geschaltet bzw. verbunden, wobei das Steuersignal Φ2 an seine Gateelektrode angelegt ist. Die Steuer signale Φ1 und Φ2, die als Reaktion auf das interne Zeilenadres sentaktsignal /RAS erzeugt werden, steigen als Reaktion auf das Abfallen des internen Zeilenadressentaktsignals /RAS an.

Ausführungsform 2 unterscheidet sich von der Ausführungsform 1 dadurch, daß das Steuersignal Φ2 (nicht das Steuersignal Φ1) an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistor 42 (nicht des p-Ka nal-MOS-Transistor 19) angelegt ist.

Der Betrieb der internen Stromversorgungsschaltung 40 entspre chend Ausführungsform 2 wird nun beschrieben.

(1) Standby-Zustand

In einem Standby-Zustand sind, da die Steuersignale Φ1 und Φ2 beide auf dem L-Niveau an die Hilfsversorgungsschaltungen 20 bzw. 18 für das interne Stromversorgungspotential angelegt werden, diese Hilfsversorgungsschaltung 20 und 18 für das interne Strom versorgungspotential nicht aktiviert. Andererseits ist die primä re Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspoten tial immer aktiviert. Darum wird das interne Stromversorgungspo tential intVcc im Ausgabeknoten 12 durch die primäre Versorgungs schaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential zugeführt. Da das Steuersignal Φ2 auf dem L-Niveau außerdem an die Gateelek trode des p-Kanal-MOS-Transistors 42 angelegt wird, ist der Tran sistor 42 leitend gemacht. Darum wird das interne Stromversor gungspotential intVcc, das durch die primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential erzeugt wird, außer dem an dem Ausgabeknoten 14 über den p-Kanal-MOS-Transistor 42 angelegt.

Darum wird der Stromverbrauch verglichen mit dem Fall, in dem das interne Stromversorgungspotential intVcc unabhängig an die Aus gabeknoten 2 und 3 durch zwei primäre Versorgungsschaltungen 6 und 8 für das interne Stromversorgungspotential angelegt wird, wie das bei der in Fig. 8 gezeigten internen Stromversorgungs schaltung 1 der Fall ist, wesentlich reduziert.

(2) Aktiver Zustand

In einem aktiven Zustand sind, da die Steuersignale Φ1 und Φ2 beide auf dem H-Niveau an die Hilfsversorgungsschaltungen 20 bzw. 18 für das interne Stromversorgungspotential angelegt sind, diese Hilfsversorgungsschaltung 20 und 18 für das interne Stromversor gungspotential beide aktiviert. Da das Steuersignal Φ2 auf dem H- Niveau außerdem an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistors 42 angelegt wird bzw. ist, ist der p-Kanal-MOS-Transistor 42 nicht-leitend gemacht.

Darum wird in dem Herunterwandler 16 das interne Stromversor gungspotential intVcc, dem Ausgabeknoten 12 nicht nur durch die primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungs potential, sondern auch durch die Hilfsversorgungsschaltung 20 für das interne Stromversorgungspotential zugeführt. In dem Her unterwandler für den Leseverstärker wird das interne Stromversor gungspotential intVcc dem Ausgabeknoten 14 durch die Hilfsversor gungsschaltung 18 für das interne Stromversorgungspotential zu geführt. Zu diesem Zeitpunkt sind der Ausgabeknoten 12 und der Ausgabeknoten 14 durch den p-Kanal-MOS-Transistor 42 elektrisch getrennt. Darum wird, selbst falls eine Anzahl von Leseverstär kern gleichzeitig arbeitet und ein großer Strom- bzw. Leistungs betrag in der Leseverstärker-Treiberschaltung verbraucht wird, eine Potentialänderung am Ausgabeknoten 14 keinen Einfluß auf den Ausgabeknoten 12 haben.

Wie oben beschrieben worden ist, kann anstelle des Steuersignals Φ1 das Steuersignal Φ2 an die Gateelektrode des Transistors 42 zum Umschalten (Verbinden bzw. Trennen) zwischen dem Ausgabekno ten 12 und dem Ausgabeknoten 14 angelegt werden.

Ausführungsform 3

Fig. 3 ist ein Blockschaltbild des gesamten Aufbau der internen Stromversorgungsschaltung entsprechend Ausführung 3 der vorlie genden Erfindung zeigt.

Vergleichbar zu den Ausführungsformen 1 und 2 ist eine interne Stromversorgungsschaltung 50 entsprechend Ausführungsform 3 in einem DRAM ausgebildet, der eine Leseverstärker-Treiberschaltung und seine periphere Schaltung aufweist.

Wie in Fig. 3 gezeigt ist, weist die interne Stromversorgungs schaltung 50 einen Ausgabeknoten 12, der mit den entsprechenden Stromversorgungsknoten der peripheren Schaltung verbunden ist, einen Ausgabeknoten 14, der mit einem Stromversorgungsknoten der Leseverstärker-Treiberschaltung verbunden ist, einen Herunter wandler 16 für die periphere Schaltung, einen Herunterwandler für den Leseverstärker (Hilfsversorgungsschaltung 18 für das interne Stromversorgungspotential), einen p-Kanal-MOS-Transistor 52, ein NOR-Gatter 54 und einen Inverter 56 auf.

Vergleichbar zu den Ausführungsformen 1 und 2 weist der Herunter wandler 16 eine Hilfsversorgungsschaltung 20 für das interne Stromversorgungspotential, die als Reaktion auf das Steuersignal Φ1 aktiviert wird, und die, wenn sie aktiviert ist, das interne Stromversorgungspotential intVcc basierend auf dem externen Stromversorgungspotentials extVcc an den Ausgabeknoten 12 lie fert, und eine primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential, die immer aktiviert ist und immer das interne Stromversorgungspotential basierend auf dem externen Stromversorgungspotential extVcc an den Ausgabeknoten 12 liefert, auf.

Der Herunterwandler 18 besteht aus der Hilfsversorgungsschaltung 18 für das interne Stromversorgungspotential, die als Reaktion auf das Steuersignal Φ2 aktiviert wird und die, wenn sie akti viert ist, das interne Stromversorgungspotential intVcc basierend auf dem externen Stromversorgungspotential extVcc an den Ausgabe knoten 14 liefert.

Der p-Kanal-MOS-Transistor 52 ist zwischen den Ausgabeknoten 12 und den Ausgabeknoten 14 geschaltet bzw. verbunden, wobei die Steuersignale Φ1 und Φ2 an die Gateelektrode über ein ODER-Gatter (nicht gezeigt), das aus dem NOR-Gatter 54 und dem Inverter 56 aufgebaut ist, angelegt wird.

Ausführungsform 3 unterscheidet sich von den Ausführungsformen 1 und 2 dadurch, daß die Steuersignale Φ1 und Φ2 über ein ODER-Gat ter beide an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistor 52 an gelegt werden. In den Ausführungsformen 1 und 2 wird das Steuer signal Φ1 oder Φ2 direkt an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS- Transistors angelegt.

Der Betrieb der internen Stromversorgungsschaltung 50 entspre chend Ausführungsform 3 wird nun beschrieben.

(1) Standby-Zustand

In einem Standby-Zustand sind, da die Steuersignale Φ1 und Φ2 beide auf dem L-Niveau an die Hilfsversorgungsschaltungen 20 bzw. 18 für das interne Stromversorgungspotential angelegt werden, diese Hilfsversorgungsschaltungen 20 und 18 für das interne Stromversorgungspotential nicht aktiviert. Andererseits wird, da die primäre Versorgungsschaltung 20 für das interne Stromversor gungspotential immer aktiviert ist, das interne Stromversorgungs potential intVcc dem Ausgabeknoten 12 durch die primäre Versor gungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential zu geführt. Da die Steuersignale Φ1 und Φ2 beide auf dem L-Niveau an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistors 52 über das NOR- Gatter 54 und den Inverter 56 angelegt werden, ist der p-Kanal- MOS-Transistor 52 leitend bzw. leitend gemacht. Darum wird das interne Stromversorgungspotential intVcc, das durch die primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential erzeugt wird, außerdem dem Ausgabeknoten 14 über den p-Kanal-MOS- Transistor 52 zugeführt.

Wie oben beschrieben worden ist, wird in dem Standby-Zustand das interne Stromversorgungspotential intVcc sowohl dem Ausgabeknoten 12 als auch dem Ausgabeknoten 14 durch eine (einzelne) primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential zugeführt. Darum ist der Strom- bzw. Leistungsverbrauch vergli chen mit dem Fall, in dem das interne Stromversorgungspotential intVcc dem Ausgabeknoten 2 und dem Ausgabeknoten 3 durch zwei primäre Versorgungsschaltungen 6 und 8 für das interne Stromver sorgungspotential zugeführt wird, wie das bei der in Fig. 8 ge zeigten internen Stromversorgungsschaltung 1 der Fall war, we sentlich reduziert. Zusätzlich wird, da das interne Stromversor gungspotential intVcc nur durch die primäre Stromversorgungs schaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential, die in dem Standby-Zustand einen kleinen Strom- bzw. Leistungsverbrauch aufweist, zugeführt wird, nur wenig Strom bzw. Leistung ver braucht.

Wie in den Ausführungsformen 1 und 2 kann das Steuersignal Φ1 oder Φ2 direkt an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistor 19 oder 42 (in diesem Fall 52) angelegt werden. Jedoch können die Steuersignale Φ1 und Φ2 wie in Ausführungsform 3 beide an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistors 52 angelegt werden, so daß der Ausgabeknoten 12 und der Ausgabeknoten 14 als Reaktion auf eines der Steuersignale Φ1 und Φ2 elektrisch getrennt werden.

Ausführungsform 4

Fig. 4 ist ein Blockschaltbild, das den gesamten Aufbau einer in ternen Stromversorgungsschaltung 60 entsprechend Ausführung 4 zeigt.

Vergleichbar zu den Ausführungsformen 1 bis 3 ist die interne Stromversorgungsschaltung 60 in einem DRAM ausgebildet, der eine Leseverstärker-Treiberschaltung und seine periphere Schaltung aufweist.

Wie in Fig. 4 gezeigt ist, weist die interne Stromversorgungs schaltung 60 einen Ausgabeknoten 12, der mit den entsprechenden Stromversorgungsknoten der peripheren Schaltung verbunden ist, einen Ausgabeknoten 14, der mit einer Stromversorgungsschaltung der Leseverstärker-Treiberschaltung verbunden ist, einen Herun terwandler für die periphere Schaltung (Hilfsversorgungsschaltung 20 für das interne Stromversorgungspotential), einen Herunter wandler 61 für den Leseverstärker und einen p-Kanal-MOS-Transi stor 62 auf.

Der Herunterwandler 20 besteht aus der Hilfsversorgungsschaltung 20 für das interne Stromversorgungspotential, die als Reaktion auf das Steuersignal Φ1 aktiviert wird und die, wenn sie akti viert ist, das interne Stromversorgungspotential intVcc basierend auf dem externen Stromversorgungspotential extVcc an den Ausgabe knoten 12 liefert.

Der Herunterwandler 61 weist die primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential, die immer aktiviert ist und immer das interne Stromversorgungspotential intVcc an den Ausgabeknoten 14 basierend auf dem externen Stromversorgungspo tential extVcc liefert, und die Hilfsversorgungsschaltung 18 für das interne Stromversorgungspotential, die als Reaktion auf das Steuersignal Φ2 aktiviert wird, und die, wenn sie aktiviert ist, das interne Stromversorgungspotential intVcc an den Ausgabeknoten 14 basierend auf dem externen Stromversorgungspotential extVcc liefert, auf.

Der p-Kanal-MOS-Transistor 62 ist zwischen den Ausgabeknoten 12 und den Ausgabeknoten 14 geschaltet, wobei das Steuersignal Φ2 an die Gateelektrode angelegt ist.

Ausführungsform 4 unterscheidet sich von Ausführungsform 2 da durch, daß der Herunterwandler 61 für den Leseverstärker die pri märe Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspo tential aufweist. In Ausführungsform 2 weist der Herunterwandler 16 für die periphere Schaltung die primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential auf.

Der Betrieb der internen Stromversorgungsschaltung 60 entspre chend Ausführungsform 4 wird nun beschrieben.

(1) Standby-Zustand

In einem Standby-Zustand sind, da die Steuersignale Φ1 und Φ2 beide auf dem L-Niveau an die Hilfsversorgungsschaltungen 20 bzw. 18 für das interne Stromversorgungspotential angelegt sind, diese Hilfsversorgungsschaltungen 20 und 18 für das interne Stromver sorgungspotential nicht aktiviert.

Andererseits wird, da die primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential unabhängig von den Steuersigna len Φ1 und Φ2 immer aktiviert ist, das interne Stromversorgungs potential intVcc dem Ausgabeknoten 14 durch die primäre Versor gungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential zu geführt. Da zu diesem Zeitpunkt das Steuersignal Φ2 auf dem L- Niveau außerdem an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistors 62 angelegt wird, wird das durch die primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential erzeugte Stromver sorgungspotential intVcc außerdem durch den p-Kanal-MOS-Transi stor 62 dem Ausgabeknoten 12 zugeführt.

Wie oben beschrieben worden ist, wird in dem Standby-Zustand das interne Stromversorgungspotential intVcc den beiden Ausgabeknoten 12 und 14 durch eine (einzelne) primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential zugeführt. Darum wird der Strom- bzw. Leistungsverbrauch verglichen mit dem Fall, in dem das interne Stromversorgungspotential intVcc den beiden Aus gabeknoten 2 und 3 unabhängig voneinander durch zwei primäre Ver sorgungsschaltungen 6 und 8 für das interne Stromversorgungspo tential zugeführt wird, wie das bei der in Fig. 8 gezeigten in ternen Stromversorgungsschaltung 1 der Fall ist, wesentlich redu ziert. Zusätzlich wird, da das interne Stromversorgungspotential intVcc nur durch die primäre Stromversorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential, die einen niedrigen Leistungs verbrauch in dem Standby-Zustand aufweist, zugeführt wird, nur wenig Leistung verbraucht.

(2) Aktiver Zustand

In einem aktiven Zustand sind, da die Steuersignale Φ1 und Φ2 beide auf dem H-Niveau an die Hilfsversorgungsschaltungen 20 bzw. 18 für das interne Stromversorgungspotential angelegt sind, diese Hilfsversorgungsschaltungen 20 und 18 für das interne Stromver sorgungspotential aktiviert. Als ein Ergebnis wird das interne Stromversorgungspotential intVcc dem Ausgabeknoten 12 durch die Hilfsversorgungsschaltung 20 für das interne Stromversorgungspo tential und dem Ausgabeknoten 14 nicht nur durch die primäre Ver sorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential, sondern außerdem durch die Hilfsversorgungsschaltung 18 für das interne Stromversorgungspotential zugeführt.

Da zu diesem Zeitpunkt das Steuersignal Φ2 auf dem H-Niveau an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistors 62 angelegt ist, ist der p-Kanal-MOS-Transistor 62 nicht-leitend gemacht.

Darum wird, selbst falls eine Anzahl von Leseverstärkern gleich zeitig arbeitet und ein großer Strom- bzw. Leistungsbetrag ver braucht wird, eine Potentialänderung am Ausgabeknoten 14 keinen Einfluß auf den Ausgabeknoten 12 haben.

Wie oben beschrieben worden ist, können in dem aktiven Zustand, das das interne Potential intVcc der Leseverstärker-Treiberschal tung und ihrer peripheren Schaltung unabhängig zugeführt wird, diese Schaltungen beide stabil arbeiten bzw. betrieben werden.

Wie in Ausführungsform 4 gezeigt ist, kann der Herunterwandler 61 für den Leseverstärker die primäre Versorgungsschaltung 22 auf weisen.

Ausführungsform 5

Fig. 5 ist ein Blockschaltbild, das den gesamten Aufbau einer in ternen Stromversorgungsschaltung 70 entsprechend Ausführung 5 der vorliegenden Erfindung zeigt.

Vergleichbar zu den Ausführungsformen 1 bis 4 ist die interne Stromversorgungsschaltung 70 in einem DRAM ausgebildet, der eine Leseverstärker-Treiberschaltung und seine periphere Schaltung aufweist.

Wie in Fig. 5 gezeigt ist, weist die interne Stromversorgungs schaltung 70 einen Ausgabeknoten 12, der mit entsprechenden Stromversorgungsknoten der peripheren Schaltung verbunden ist, einen Ausgabeknoten 14, der mit einem Stromversorgungsknoten der Leseverstärker-Treiberschaltung verbunden ist, einen Herunter wandler 20 für die periphere Schaltung (Hilfsversorgungsschaltung 20 für das interne Stromversorgungspotential), einen Herunter wandler 71 für den Leseverstärker und einen p-Kanal-MOS-Transi stor 72 auf.

Der Herunterwandler 20 wird von der Hilfsversorgungsschaltung 20 für das interne Stromversorgungspotential gebildet, die als Reak tion auf das Steuersignal Φ1 aktiviert wird, und die, wenn sie aktiviert ist, das interne Stromversorgungspotential intVcc dem Ausgabeknoten 12 basierend auf dem externen Stromversorgungspo tential extVcc zuführt.

Der Herunterwandler 71 weist eine primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential, die immer aktiviert ist, und die das interne Stromversorgungspotential intVcc dem Ausgabeknoten 14 basierend auf dem externen Potential extVcc zu führt, und eine Hilfsversorgungsschaltung 18 für das interne Stromversorgungspotential, die als Reaktion auf das Steuersignal Φ2 aktiviert wird, und die, wenn sie aktiviert ist, das interne Potential intVcc dem Ausgabeknoten 14 basierend auf dem externen Potential extVcc zuführt, auf.

Der p-Kanal-MOS-Transistor 72 ist zwischen den Ausgabeknoten 12 und den Ausgabeknoten 14 geschaltet, wobei das Steuersignal Φ1 an die Gateelektrode angelegt ist.

Ausführungsform 5 unterscheidet sich von Ausführungsform 4 da durch, daß das Steuersignal Φ1 (nicht das Steuersignal Φ2) an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistors 72 (nicht den p-Kanal- MOS-Transistor 62) angelegt wird.

Der Betrieb der internen Stromversorgungsschaltung 70 entspre chend Ausführungsform 5 wird nun beschrieben.

(1) Standby-Zustand

In einem Standby-Zustand sind, da die Steuersignale Φ1 und Φ2 beide auf dem L-Niveau an die Hilfsversorgungsschaltungen 20 bzw. 18 angelegt sind, diese Hilfsversorgungsschaltungen 20 und 18 nicht aktiviert.

Da die primäre Versorgungsschaltung 22 immer unabhangig von den Steuersignalen Φ1 und Φ2 aktiviert ist, wird das interne Potenti al intVcc dem Ausgabeknoten 14 durch die primäre Versorgungs schaltung 22 zugeführt. Da zu diesem Zeitpunkt das Steuersignal Φ1 auf dem L-Niveau außerdem der Gateelektrode des p-Kanal-MOS- Transistors 72 zugeführt wird, ist der p-Kanal-MOS-Transistor 72 leitend gemacht. Darum wird das interne Potential intVcc, daß durch die primäre Versorgungsschaltung 22 erzeugt wird, außerdem dem Ausgabeknoten 12 über den p-Kanal-MOS-Transistor 72 zuge führt.

Wie oben beschrieben worden ist, wird in dem Standby-Zustand das interne Potential intVcc den beiden Ausgabeknoten 12 und 14 durch eine (einzelne) primäre Versorgungsschaltung 22 zugeführt. Darum ist der Leistungsverbrauch verglichen mit dem Fall, in dem das interne Potential intVcc den beiden Ausgabeknoten 2 und 3 durch zwei primäre Versorgungsschaltungen 6 und 8 zugeführt wird, wie das bei der in Fig. 8 gezeigten internen Stromversorgungsschal tung 1 der Fall ist, wesentlich reduziert. Zusätzlich wird, da das interne Potential intVcc den beiden Ausgabeknoten 12 und 14 nur durch die primäre Stromversorgungsschaltung 22, die in dem Standby-Zustand einen kleinen Leistungsverbrauch aufweist, zuge führt wird, wenig Leistung verbraucht.

(2) Aktiver Zustand

In einem aktiven Zustand sind, da die Steuersignale Φ1 und Φ2 beide auf dem H-Niveau an die Hilfsversorgungsschaltungen 20 bzw. 18 angelegt sind, diese Hilfsversorgungsschaltungen 20 und 18 beide aktiviert. Als ein Ergebnis wird das interne Potential intVcc dem Ausgabeknoten 12 durch die Hilfsversorgungsschaltung 20 und ebenso dem Ausgabeknoten 14 durch die Hilfsversorgungs schaltung 18 zugeführt.

Da zu diesem Zeitpunkt das Steuersignal Φ1 auf dem H-Niveau au ßerdem an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistors 72 ange legt ist, ist der p-Kanal-MOS-Transistor 72 nicht-leitend ge macht. Darum wird, selbst falls eine Anzahl von Leseverstärkern gleichzeitig arbeitet und ein großer Strom- bzw. Leistungsbetrag verbraucht wird, eine Potentialänderung am Ausgabeknoten 14 kei nen Einfluß auf den Ausgabeknoten 12 haben. Darum können die Le severstärker-Treiberschaltungen und ihre periphere Schaltung in dem aktiven Zustand stabil arbeiten.

Wie in Ausführungsform 5 kann der Herunterwandler 71 für den Le severstärker, nicht der Herunterwandler für die periphere Schal tung, die primäre Versorgungsschaltung 22 aufweisen. Desweiteren kann das Steuersignal Φ1, nicht das Steuersignal Φ2, an die Ga teelektrode des p-Kanal-MOS-Transistors 72 angelegt sein.

Ausführungsform 6

Fig. 6 ist ein Blockschaltbild, das den gesamten Aufbau einer in ternen Stromversorgungsschaltung 80 entsprechend Ausführung 6 der vorliegenden Erfindung zeigt.

Vergleichbar zu den Ausführungsformen 1 bis 5 ist die interne Stromversorgungsschaltung 80 in einem DRAM ausgebildet, der eine Leseverstärker-Treiberschaltung und seine periphere Schaltung aufweist.

Wie in Fig. 6 gezeigt ist, weist die interne Stromversorgungs schaltung 80 einen Ausgabeknoten 12, der mit entsprechenden Stromversorgungsknoten der peripheren Schaltung verbunden ist, einen Ausgabeknoten 14, der mit einem Stromversorgungsknoten der Leseverstärker-Treiberschaltung verbunden ist, einen Herunter wandler 16 für die periphere Schaltung, einen Herunterwandler 18 für den Leseverstärker (Hilfsversorgungsschaltung 18 für das in terne Stromversorgungspotential) und einen p-Kanal-MOS-Transistor 82 auf.

Der Herunterwandler 16 weist eine Hilfsversorgungsschaltung 20 für das interne Stromversorgungspotential, die als Reaktion auf das Steuersignal Φ1 aktiviert wird, und die, wenn sie aktiviert ist, das interne Stromversorgungspotential intVcc dem Ausgabekno ten 12 basierend auf dem externen Stromversorgungspotential extVcc zuführt, und eine primäre Versorgungsschaltung 22 für das interne Stromversorgungspotential, die immer aktiviert ist, und die das interne Stromversorgungspotential intVcc dem Ausgabekno ten 12 basierend auf dem externen Stromversorgungspotential extVcc immer zuführt, auf.

Der Herunterwandler 18 besteht aus der Hilfsversorgungsschaltung 18 für das interne Stromversorgungspotential, die als Reaktion auf das Steuersignal Φ2 aktiviert wird, und die, wenn sie akti viert ist, das interne Stromversorgungspotential intVcc dem Aus gabeknoten 14 basierend auf dem externen Stromversorgungspotenti al extVcc zuführt.

Der p-Kanal-MOS-Transistor 82 ist zwischen den Ausgabeknoten 12 und den Ausgabeknoten 14 geschaltet bzw. verbunden, wobei die Gateelektrode mit einem Masseknoten 13 verbunden ist.

Ausführungsform 6 unterscheidet sich von den Ausführungsformen 1 bis 3 dadurch, daß die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistors mit dem Masseknoten 13 verbunden ist.

Der Betrieb der internen Stromversorgungsschaltung 80 wird nun beschrieben.

(1) Standby-Zustand

In einem Standby-Zustand sind, da die Steuersignale Φ1 und Φ2 beide auf dem L-Niveau an die Hilfsversorgungsschaltungen 20 bzw. 18 werden, diese Hilfsversorgungsschaltungen 20 und 18 nicht ak tiviert.

Da die primäre Versorgungsschaltung 22 unabhängig von den Steuer signalen Φ1 und Φ2 immer aktiviert ist, wird das interne Potenti al intVcc dem Ausgabeknoten 12 durch die primäre Versorgungs schaltung 22 immer zugeführt. Zu diesem Zeitpunkt ist der p-Ka nal-MOS-Transistors 82 leitend gemacht, da das Massepotential an die Gateelektrode angelegt ist. Darum wird das durch die primäre Versorgungsschaltung 22 erzeugte interne Potential intVcc außer dem an den Ausgabeknoten 14 über den p-Kanal-MOS-Transistor 82 angelegt.

Wie oben beschrieben worden ist, wird in dem Standby-Zustand, da das interne Potential intVcc den beiden Ausgabeknoten 12 und 14 durch eine (einzelne) primäre Versorgungsschaltung 22 zugeführt wird, der Strom- bzw. Leistungsverbrauch verglichen mit dem Fall, in dem das interne Potential intVcc den beiden Ausgabeknoten 2 und 3 durch zwei primäre Versorgungsschaltungen 6 und 8 zugeführt wird, wie das bei der in Fig. 8 gezeigten internen Stromversor gungsschaltung 1 der Fall ist, wesentlich reduziert. Zusätzlich wird, da das interne Potential intVcc nur durch die primäre Stromversorgungsschaltung 22, die in dem Standby-Zustand einen niedrigen Leistungsverbrauch aufweist, zugeführt wird, nur wenig Leistung verbraucht.

(2) Aktiver Zustand

In einem aktiven Zustand sind, da die Steuersignale Φ1 und Φ2 beide auf dem H-Niveau an die Hilfsversorgungsschaltungen 20 bzw. 18 angelegt sind, diese Hilfsversorgungsschaltungen 20 und 18 beide aktiviert. Als ein Ergebnis wird das interne Potential intVcc dem Ausgabeknoten 12 nicht nur durch die primäre Versor gungsschaltung 22, sondern außerdem durch die Hilfsversorgungs schaltung 20 und außerdem dem Ausgabeknoten 14 durch die Hilfs versorgungsschaltung 18 zugeführt.

Das Massepotential ist an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS- Transistors 82 angelegt. Da jedoch keine Spannung zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode des p-Kanal-MOS-Tran sistor 82 angelegt ist, ist der p-Kanal-MOS-Transistor 82 im we sentlichen nicht-leitend. Darum wird, selbst falls eine Anzahl von Leseverstärkern gleichzeitig arbeitet und ein großer Strom- bzw. Leistungsbetrag verbraucht wird, eine Potentialänderung an dem Ausgabeknoten 14 keinen Einfluß auf den Ausgabeknoten 12 ha ben. In diesem Sinne bzw. auf diese Art und Weise dient der p- Kanal-MOS-Transistor 82 als ein Hochpaß-Filter (HPF), der die Komponenten einer schnellen Potentialänderung am Ausgabeknoten 14 entfernt bzw. herausfiltert.

Wie oben beschrieben worden ist, können, da in dem aktiven Zu stand die Potentialänderung an dem Ausgabeknoten 14 auf der Lese verstärkerseite keinen Einfluß auf den Ausgabeknoten 12 auf der Seite der peripheren Schaltung hat, die Leseverstärker-Treiber schaltung und seine periphere Schaltung immer stabil arbeiten.

Obwohl das Steuersignal Φ1 und/oder Φ2 an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistors, der zwischen den Ausgabeknoten 12 und den Ausgabeknoten 14 geschaltet bzw. verbunden ist, wie in den Ausführungsformen 1 bis 5 angelegt werden kann bzw. können, kann bei Ausführungsform 6 das Massepotential an die Gateelektrode angelegt werden.

Ausführungsform 7

Fig. 7 ist ein Blockschaltbild, das den gesamten Aufbau einer in ternen Stromversorgungsschaltung 90 entsprechend Ausführung 7 der vorliegenden Erfindung zeigt.

Im wesentlichen vergleichbar zu den Ausführungsformen 1 bis 6 ist die interne Stromversorgungsschaltung 90 in einem DRAM ausgebil det, der eine Bitleitung-Auswahlschaltung und eine Wortleitungs- Treiberschaltung aufweist. In dem DRAM wird ein sogenanntes ge teiltes Leseverstärker-System eingesetzt, bei dem zwei Bitlei tungspaare auf beiden Seiten eines Leseverstärkers angeordnet sind. Darüber hinaus ist ein Transfergatter wie ein n-Kanal-MOS- Transistor zum Auswählen von einem der beiden Bitleitungspaare zwischen jede Bitleitung und den Leseverstärker geschaltet bzw. verbunden.

Die Spannung einer Bitleitung steigt im allgemeinen maximal auf das Stromversorgungspotential (zum Beispiel 5V). Wenn man eine Schwellspannung des Transfergatters in Betracht zieht, muß ein Potential, das um die Schwellspannung höher als das Stromversor gungspotential ist, mindestens an die Gateelektrode angelegt wer den. Darum ist die Bitleitungs-Auswahlschaltung zum selektiven Anlegen, an die Gateelektrode von einem der Transfergatter an beiden Enden des Leseverstärkers, eines Bitleitungs-Auswahlsi gnals BLI (nicht gezeigt), das um mindestens die Schwellspannung höher als das externe Stromversorgungspotential extVcc ist, vor gesehen. Darum ist es notwendig, der Bitleitungs-Auswahlschaltung ein verstärktes Stromversorgungspotential Vpp, das um mindestens die Schwellspannung höher als das externe Stromversorgungspoten tial extVcc ist, zuzuführen.

Allgemein gesagt wird, wenn eine Wortleitung durch einen Zeilen dekoder ausgewählt ist, das Potential der Wortleitung auf ein Potential gesetzt, das um die Schwellspannung eines Transfergat ters in einer Speicherzelle höher als das externe Stromversor gungspotential extVcc ist. Das dient zum Schreiben von Daten auf dem externen Stromversorgungspotential extVcc in einen Kon densator der Speicherzelle.

Darum ist es notwendig, außerdem der Wortleitungstreiberschaltung das verstärkte Stromversorgungspotential Vpp, das um die Schwell spannung höher als das externe Stromversorgungspotential extVcc ist, zuzuführen.

Basierend auf dem Obigen weist die interne Stromversorgungs schaltung 90 einen Ausgabeknoten 91, der mit einem Stromversor gungsknoten der Wortleitungstreiberschaltung verbunden ist, einen Ausgabeknoten 92, der mit einem Stromversorgungsknoten der Bit leitungs-Auswahlschaltung verbunden ist, einen Wortleitungs-Hoch wandler 93, einen Bitleitungs-Hochwandler (Hilfsversorgungsschal tung 94 für das interne Stromversorgungspotential) und einen p- Kanal-MOS-Transistor 95 auf.

Der Wortleitungs-Hochwandler 93 weist eine Hilfsversorgungsschal tung 96 für das interne Stromversorgungspotential, die als Reak tion auf das Steuersignal Φ1 aktiviert wird, und die, wenn sie aktiviert ist, das verstärkte Stromversorgungspotential Vpp an den Ausgabeknoten 91 basierend auf dem externen Stromversorgungs potential extVcc liefert, und eine primäre Versorgungsschaltung 97 für das interne Stromversorgungspotential, die immer aktiviert ist und die immer das verstärkte Stromversorgungspotential Vpp an den Ausgabeknoten 91 basierend auf dem externen Stromversorgungs potential extVcc liefert, auf.

Der Bitleitungs-Hochwandler 94 besteht aus der Hilfsversorgungs schaltung 94 für das interne Stromversorgungspotential, die als Reaktion auf das Steuersignal Φ2 aktiviert wird, und die, wenn sie aktiviert ist, das verstärkte Stromversorgungspotential Vpp an den Ausgabeknoten 92 basierend auf dem externen Stromversor gungspotential extVcc liefert.

Der p-Kanal-MOS-Transistor 95 ist zwischen den Ausgabeknoten 91 und den Ausgabeknoten 92 verbunden bzw. geschaltet, wobei das Steuersignal Φ1 an die Gateelektrode angelegt ist.

Ausführungsform 7 unterscheidet sich von Ausführungsform 1 da durch, daß das interne Stromversorgungspotential Vpp, das höher als das externe Stromversorgungspotential extVcc ist, erzeugt wird, daß die primäre Versorgungsschaltung 97 für das interne Stromversorgungspotential basierend auf dem externen Stromversor gungspotential extVcc das interne Stromversorgungspotential Vpp, das höher als das externe Stromversorgungspotential extVcc ist, erzeugt, und daß beide Hilfsversorgungsschaltungen 96 und 94 für das interne Stromversorgungspotential basierend auf dem externen Stromversorgungspotential extVcc das interne Stromversorgungspo tential Vpp, das höher als das externe Stromversorgungspotential extVcc ist, erzeugen.

Der Betrieb der internen Stromversorgungsschaltung 90 wird nun beschrieben.

(1) Standby-Zustand

In einem Standby-Zustand sind, da die Steuersignale Φ1 und Φ2 beide auf dem L-Niveau an die Hilfsversorgungsschaltungen 93 bzw. 94 angelegt werden, diese Hilfsversorgungsschaltungen 93 und 94 nicht aktiviert.

Da die primäre Versorgungsschaltung 97 unabhängig von den Steuer signalen Φ1 und Φ2 immer aktiviert ist, wird das verstärkte Po tential Vpp dem Ausgabeknoten 91 durch die primäre Versorgungs schaltung 97 zugeführt. Da zu dieser Zeit außerdem das Steuersi gnal Φ1 an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistors 95 ange legt ist, ist der p-Kanal-MOS-Transistor 95 leitend. Als ein Er gebnis wird das verstärkte Potential Vpp, das durch die primäre Versorgungsschaltung 97 erzeugt wird, außerdem an den Ausgabekno ten 92 über den p-Kanal-MOS-Transistor 95 angelegt.

Wie oben beschrieben worden ist, wird in dem Standby-Zustand, das verstärkte Potential Vpp den beiden Ausgabeknoten 91 und 92 durch eine (einzelne) primäre Versorgungsschaltung 97 zugeführt. Darum wird der Strom- bzw. Leistungsverbrauch verglichen mit dem Fall, in dem die verstärkte Spannung Vpp zwei Ausgabeknoten durch zwei primäre Versorgungsschaltungen zugeführt würde, wesentlich redu ziert. Zusätzlich wird, da das verstärkte Potential Vpp nur durch eine primäre Stromversorgungsschaltung 97, die in dem Standby-Zu stand einen kleinen Leistungsverbrauch aufweist, erzeugt wird, nur wenig Leistung verbraucht.

(2) Aktiver Zustand

In einem aktiven Zustand sind, da die Steuersignale Φ1 und Φ2 beide auf dem H-Niveau an die Hilfsversorgungsschaltungen 96 bzw. 94 angelegt sind, diese Hilfsversorgungsschaltungen 96 und 94 aktiviert. Als ein Ergebnis wird das verstärkte Potential Vpp dem Ausgabeknoten 91 nicht nur durch die primäre Versorgungs schaltung 97, sondern außerdem durch die Hilfsversorgungsschal tung 96 zugeführt. Zusätzlich wird das verstärkte Potential Vpp dem Ausgabeknoten 92 durch die Hilfsversorgungsschaltung 94 zuge führt.

Da zu diesem Zeitpunkt das Steuersignal Φ1 auf dem H-Niveau an die Gateelektrode des p-Kanal-MOS-Transistors 95 angelegt ist, ist der p-Kanal-MOS-Transistor 95 nicht-leitend. Darum wird, selbst falls eine Anzahl von Bitleitungen gleichzeitig ausgewählt ist und ein großer Strom- bzw. Leistungsbetrag verbraucht wird, eine Potentialänderung an dem Ausgabeknoten 92 keinen Einfluß auf den Ausgabeknoten 91 haben. Darum können in dem aktiven Zustand sowohl die Bitleitungs-Auswahlschaltung als auch die Wortlei tungs-Treiberschaltung beide stabil arbeiten.

Es ist zu bemerken, daß die interne Stromversorgungsschaltung 90 entsprechend Ausführungsform 7 eine interne Stromversorgungs schaltung vom verstärkten Typ ist, auf die Ausführungsform 1 an gewendet wurde.

Andere Ausführungsformen

Die p-Kanal-MOS-Transistoren 19, 42, 52, 62, 72, 82 und 95, die zwischen den Ausgabeknoten 12 bzw. 91 und den Ausgabeknoten 14 bzw. 92 in den Ausführungsformen 1 bis 7 verbunden sind, können n-Kanal-MOS-Transistoren sein. In diesem Fall ist es notwendig, einen Inverter direkt vor die Gateelektrode des n-Kanal-MOS-Tran sistors zu schalten bzw. zu setzen, oder das logische Niveau des Steuersignals Φ1 oder Φ2 denjenigen in den Ausführungsformen 1 bis 5 und 7 entgegengesetzt zu setzen. In Ausführungsform 6 ist es notwendig, die Gateelektrode des n-Kanal-MOS-Transistors mit einem Stromversorgungsknoten zu verbinden und das externe Strom versorgungspotential extVcc an die Gateelektrode anzulegen. Dar über hinaus ist die vorliegende Erfindung nicht auf eine Halblei terspeichervorrichtung wie einen DRAM begrenzt, sondern sie kann auf eine interne Stromversorgungsschaltung zum Zuführen eines internen Stromversorgungspotentials zu mindestens zwei Vorrich tungen angewendet werden.

Claims

1. Interne Stromversorgungsschaltung zum Erzeugen eines inter nen Stromversorgungspotentials (intVcc, Vpp) basierend auf einem externen Stromversorgungspotential (extvcc) mit:
einem ersten Ausgabeknoten (12, 91),
einem zweiten Ausgabeknoten (14, 92),
einer primären Versorgungsvorrichtung (22, 94) für das interne Stromversorgungspotential zum Zuführen des internen Stromversor gungspotentials zu dem ersten Ausgabeknoten basierend auf dem externen Stromversorgungspotential,
einer ersten Hilfsversorgungsvorrichtung (20, 96) für das interne Stromversorgungspotential zum selektiven Zuführen des internen Stromversorgungspotentials zu dem ersten Ausgabeknoten basierend auf dem externen Stromversorgungspotential,
einer zweiten Hilfsversorgungsvorrichtung (18, 94) für das inter ne Stromversorgungspotential zum selektiven Zuführen des internen Stromversorgungspotentials zu dem zweiten Ausgabeknoten basierend auf dem externen Stromversorgungspotential, und
einer Schaltvorrichtung (19, 42, 52, 62, 72, 82, 95), die zwi schen den ersten und den zweiten Ausgabeknoten geschaltet ist und die nicht-leitend gemacht wird, wenn die erste bzw. die zweite Hilfsversorgungsvorrichtung für das interne Stromversorgungspo tential das interne Stromversorgungspotential liefert.

2. Interne Stromversorgungsschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Hilfsversorgungsvorrichtung (20, 96) für das inter ne Stromversorgungspotential auf ein erstes Steuersignal (Φ1) mit dem Zuführen des internen Stromversorgungspotentials zu dem er sten Ausgabeknoten reagiert,
daß die zweite Hilfsversorgungsvorrichtung (18, 94) für das in terne Stromversorgungspotential auf ein zweites Steuersignal mit dem Zuführen des internen Stromversorgungspotentials zu dem zwei ten Ausgabeknoten reagiert, und
daß die Schaltvorrichtung (19, 42, 52, 62, 72, 95) auf das erste Steuersignal und/oder das zweite Steuersignal so reagiert, daß sie nicht-leitend wird.

3. Interne Stromversorgungsschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das interne Stromversorgungspotential (intVcc) niedriger als das externe Stromversorgungspotential (extvcc) ist.

4. Interne Stromversorgungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, die basierend auf dem externen Stromversorgungspotential (extVcc) das interne Stromversorgungspotential (intVcc) für eine Leseverstärker-Treiberschaltung und eine periphere Schaltung ei ner Halbleiterspeichervorrichtung erzeugt, dadurch gekennzeich net, daß der erste Ausgabeknoten (12) mit einem Stromversorgungs knoten der peripheren Schaltung verbunden ist, und daß der zweite Ausgabeknoten (14) mit einem Stromversorgungskno ten der Leseverstärker-Treiberschaltung verbunden ist.

5. Interne Stromversorgungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite Hilfsversorgungsvorrichtung (18) für das interne Stromversorgungspotential auf das zweite Steuersignal, das syn chron mit dem ersten Steuersignal ist, mit dem Zuführen des in ternen Stromversorgungspotentials zu dem zweiten Ausgabeknoten reagiert, und
daß die Schaltvorrichtung (19, 42, 52, 62, 72, 95), die zwischen den ersten und den zweiten Ausgabeknoten geschaltet ist, auf das erste Steuersignal und/oder das zweite Steuersignal so reagiert, daß sie nicht-leitend wird.

6. Interne Stromversorgungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet,
daß die primäre Versorgungsvorrichtung für das interne Stromversorgungspotential
einen ersten Treibertransistor (32), der zwischen einen externen Stromversorgungsknoten (11), dem das externe Stromversorgungspo tential zugeführt wird, und den ersten Ausgabeknoten geschaltet ist, und
eine erste Vergleichsvorrichtung (30) zum Vergleichen eines Po tentials an dem ersten Ausgabeknoten mit einem extern angelegten konstanten Referenzpotential (Vref), die den ersten Treibertran sistor leitend macht, wenn das Potential an dem ersten Ausgabe knoten niedriger als das konstante Referenzpotential ist, und die den ersten Treibertransistor nicht-leitend macht, wenn das Poten tial an dem ersten Ausgabeknoten höher als das konstante Refe renzpotential ist, aufweist.

7. Interne Stromversorgungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Hilfsversorgungsvorrichtung für das interne Strom versorgungspotential
einen zweiten Treibertransistor (28), der zwischen den externen Stromversorgungsknoten und den ersten Ausgabeknoten geschaltet ist,
eine zweite Vergleichsvorrichtung (26), die auf das erste Steuer signal mit dem Vergleichen des Potentials des ersten Ausgabekno tens mit dem konstanten Referenzpotential reagiert, die den zwei ten Treibertransistor leitend macht, wenn das Potential an dem ersten Ausgabeknoten niedriger als das konstante Referenzpotenti al ist, und die den zweiten Treibertransistor nicht-leitend macht, wenn das Potential an dem ersten Ausgabeknoten höher als das konstante Referenzpotential ist, und
eine Vorrichtung (24) zum Bringen des zweiten Treibertransistors in einen nicht-leitenden Zustand, wenn die zweite Vergleichsvor richtung nicht aktiviert ist, aufweist.

8. Interne Stromversorgungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite Hilfsversorgungsvorrichtung für das interne Strom versorgungspotential
einen dritten Treibertransistor (38), der zwischen den externen Stromversorgungsknoten und den zweiten Ausgabeknoten geschaltet ist,
eine dritte Vergleichsvorrichtung (36) zum Vergleichen eines Po tentials an dem zweiten Ausgabeknoten mit dem konstanten Referenzpotential, die den dritten Treibertransistor leitend macht, wenn das Potential an dem zweiten Ausgabeknoten niedriger als das konstante Referenzpotential ist, und die den dritten Treibertransistor nicht-leitend macht, wenn das Potential an dem zweiten Ausgabeknoten höher als das konstante Referenzpotential ist, und
eine Vorrichtung (34) zum Bringen des dritten Transistors in ei nen nicht-leitenden Zustand, wenn die dritte Vergleichsvorrich tung nicht aktiviert ist, aufweist.

9. Interne Stromversorgungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die primäre Versorgungsvorrichtung für das interne Stromver sorgungspotential
einen ersten p-Kanal-MOS-Transistor (32) mit einer Source-Elek trode, die mit einem externen Stromversorgungsknoten (11), dem das externe Stromversorgungspotential zugeführt ist, verbunden ist, und einer Drain-Elektrode, die mit dem ersten Ausgabeknoten verbunden ist, und
eine Differentialverstärkungsvorrichtung (30) zum Verstärken ei ner Differenz zwischen einem Potential an dem ersten Ausgabekno ten und einem extern zugeführten konstanten Referenzpotential (Vref) zum Zuführen des Ausgabepotentials an die Gateelektrode des ersten p-Kanal-MOS-Transistors aufweist.

10. Interne Stromversorgungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Hilfsversorgungsvorrichtung für das interne Strom versorgungspotential
einen zweiten p-Kanal-MOS-Transistor (28) mit einer Source-Elek trode, die mit dem externen Stromversorgungsknoten verbunden ist, und einer Drain-Elektrode, die mit dem ersten Ausgabeknoten ver bunden ist,
eine Differentialverstärkungsvorrichtung (26), die auf das erste Steuersignal mit dem Verstärken einer Differenz zwischen dem Po tential an dem ersten Ausgabeknoten und dem konstanten Referenz potential zum Zuführen des Ausgabepotentials an die Gateelektrode des zweiten p-Kanal-MOS-Transistors reagiert, und
einen dritten p-Kanal-MOS-Transistor (24) mit einer Source-Elek trode, die mit dem externen Stromversorgungsknoten verbunden ist, einer Drain-Elektrode, die mit der Gateelektrode des zweiten p- Kanal-MOS-Transistors verbunden ist, und einer Gateelektrode, die das erste Steuersignal empfängt, aufweist.

11. Interne Stromversorgungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite Hilfsversorgungsvorrichtung für das interne Strom versorgungspotential
einen vierten p-Kanal-MOS-Transistor (38) mit einer Source-Elek trode, die mit dem externen Stromversorgungsknoten verbunden ist, und einer Drain-Elektrode, die mit dem zweiten Ausgabeknoten ver bunden ist,
eine Differentialverstärkungsvorrichtung (36), die auf das zweite Steuersignal mit dem Verstärken einer Differenz zwischen einem Potential an dem zweiten Ausgabeknoten und dem konstanten Refe renzpotential zum Zuführen des Ausgabepotentials an die Gateelek trode des vierten p-Kanal-MOS-Transistors reagiert, und
einen fünften p-Kanal-MOS-Transistor (34) mit einer Source-Elek trode, die mit dem externen Stromversorgungsknoten verbunden ist, einer Drain-Elektrode, die mit der Gateelektrode des vierten p- Kanal-MOS-Transistors verbunden ist, und einer Gateelektrode, die das zweite Steuersignal empfängt, aufweist.

12. Interne Stromversorgungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schaltvorrichtung eine logische Summenschaltung (54, 56), die das erste und das zweite Steuersignal empfängt, und
einen selektiven Transistor (52), der zwischen den ersten Ausga beknoten und den zweiten Ausgabeknoten geschaltet ist und auf ein Ausgabesignal von der logischen Summenschaltung so reagiert, daß er nicht-leitend wird.

13. Interne Stromversorgungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltvorrichtung einen p-Kanal-MOS-Transistor (82) auf weist, dessen eine Source/Drain-Elektrode mit dem ersten Ausgabe knoten verbunden ist, dessen andere Source/Drain-Elektrode mit dem zweiten Ausgabeknoten verbunden ist, und dessen Gateelektrode ein Massepotential empfängt.

14. Interne Stromversorgungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, gekennzeichnet durch die Erzeugung, basierend auf dem externen Stromversorgungspotential (extvcc), des internen Strom versorgungspotential (Vpp) höher als das externe Stromversor gungspotential.

15. Interne Stromversorgungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltvorrichtung (95), die zwischen den ersten und den zweiten Ausgabeknoten geschaltet ist, auf das erste Steuersignal und/oder das zweite Steuersignal so reagiert, daß sie nicht-lei tend wird.

16. Interne Stromversorgungsschaltung nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet,
daß das interne Stromversorgungspotential (Vpp), das höher als das externe Stromversorgungspotential ist, für eine Bitleitungs- Auswahlschaltung und für eine Wortleitungs-Auswahlschaltung einer Halbleiterspeichervorrichtung erzeugt wird,
daß der erste Ausgabeknoten (91) mit einem Stromversorgungsknoten der Wortleitungstreiberschaltung verbunden ist, und
daß der zweite Ausgabeknoten (92) mit einem Stromversorgungskno ten der Bitleitungsauswahlschaltung verbunden ist.

17. Interne Stromversorgungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Hilfsversorgungsvorrichtung (18, 94) das interne Stromversorgungspotential dem zweiten Ausgabeknoten selektiv dann zuführt, wenn die erste Hilfsversorgungsvorrichtung für das in terne Stromversorgungspotential das interne Stromversorgungspo tential liefert.

18. Interne Stromversorgungsschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltvorrichtung (19, 42, 52, 62, 72, 82, 95), die zwi schen den ersten und den zweiten Ausgabeknoten geschaltet ist, dann leitend gemacht wird, wenn weder die erste noch die zweite Hilfsversorgungsvorrichtung für das interne Stromversorgungspo tential das interne Stromversorgungspotential liefern.