KR900008674A - 반도체 비휘발성 메모리 - Google Patents

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KR900008674A
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semiconductor
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semiconductor region
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요시까즈 고지마
Original Assignee
하라 레이노스께
세이꼬 덴시 고교 가부시끼 가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 비휘발성 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 반도체 비휘발성 메모리의 제1실시예를 채널 영역의 길이 방향을 따라 절취한 단면도,
제3도는 반도체 비휘발성 메모리의 채널 영역의 폭 방향을 따라 절취한 제1실시예의 다른 단면도,
제4도는 본 발명의 반도체 비휘발성 메모리의 제2실시예를 도시한 단면도.

Claims (4)

  1. 반도체 비휘발성 메모리에 있이서, 한 도전 타입의 베이스 반도체 영역과, 베이스 반도체 영역의 표면부에 형성되며, 베이스 반도체 영역의 불순물 밀도보다 높은 불순물 밀도를 가지는 한 도전 타입의 제1반도체 영역과, 제1반도체 영역의 표면부에서 서로 대향되는 도전 타입으로 형성되며, 서로 떨어져 있는 관계로 되는 한쌍의 소스영역 및 드레인 영역과, 제1반도체 영역 내부에 형성되며, 대향되는 도전 타입의 불순물을 포함하는 제2반도체 영역과, 제2반도체 영역으로부터 전기적으로 절연되며, 그 상부에 형성되는 부상 게이트 전극과, 부상 게이트 전극으로루터 전기적으고 절연되며, 그 상부에 형성되는 제어 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 비휘발성 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 제이 게이트 전극은 소스 영역과 드레인 영역 사이에서 정해지는 패널 영역을 간접적으로 제어하기 위해, 부상 게이트 전극에 용량적으로 결합된 섹션을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 비휘발성 메모리.
  3. 제2항에 있어서, 제어 게이트 전극은 채널 영역의 일부로부터 전기적으로 절연되며, 그 상부에 형성되어 채널 영역을 직접 제어하는 또다른 섹션을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 비휘발성 메모리.
  4. 제3항에 있어서, 상기 또다른 섹션 하부에 형성되며, 제2반도체 영역내에 포함된 대향 도전 타입의 불순물을 효과적으로 게거시키기 위한 한 도전 타입의 불순물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 비휘발성 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890016452A 1988-11-17 1989-11-14 반도체 비휘발성 메모리 KR900008674A (ko)

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JP88-290547 1988-11-17
JP29054788A JPH02135782A (ja) 1988-11-17 1988-11-17 半導体不揮発性メモリ
JP18806989A JPH0352269A (ja) 1989-07-20 1989-07-20 紫外線消去型半導体不揮発性メモリ
JP88-188069 1989-07-20
JP1190185A JP2844475B2 (ja) 1989-07-21 1989-07-21 半導体不揮発性メモリ
JP88-190185 1989-07-21

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EP0369676A2 (en) 1990-05-23
EP0369676A3 (en) 1990-12-05
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