KR950034762A - 고 전압 금속 산화물 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

고 전압 금속 산화물 반도체 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

고전압 PMOS 또는 NMOS 트랜지스터(7)은 드레인 영역(42)가 다른 가능한 경우에서보다 채널 영역(49)에 더 근접하여 주입될 수 있도록 게이트 필드 산화물(43)을 절단함으로써 온-저항을 향상시킨다. 드레인(42)와 채널 영역(49)사이의 물리적 거리(d2)짧게 함으로써, 고전압 장치의 드레인 대 소스의 온-저항은 감소되며, 고전압 장치(7)의 성능이 향상된다.

Description

고 전압 금속 산화물 반도체 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따라 형성된 고전압 장치를 도시한 집적 회로의 횡단면도.

Claims (7)

  1. 고전압 금속 산화물 반도체(MOS) 장치를 제조하는 방법에 있어서, 저 농도로 도핑된 그리프트 영역위에 놓인 게이트 필드 산화물을 갖는 고전압 MOS 장치를 제공하는 단계; 상기 저 농도로 도핑된 드리프트 영역의 일부분을 노출하기 위해 상기 게이트 필드 산화물의 일부분을 제거하는 단계; 및 상기 저농도로 도핑된 드리프트 영역의 상기 노출된 부분에 드레인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS장치 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 고저압 MOS 장치를 제공하는 상기 단계가 고전압 PMOS 장치를 제공하는 것을 특징으로 하는 MOS장치 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 고전압 MOS 장치를 제공하는 상기 단계가 상기 저농도로 도핑된 드리프트 영역에 인접한 채널 영역을 갖는 장치를 제공하며; 상기 게이트 필드 산화물의 일부분을 제거하는 상기 단계가 상기 저농도로 도핑된 드리프트 영역의 상기 노출된 부분이 상기 채널 영역으로부터 선정된 거리만큼 떨어지도록 제어되는 것을 특징으로 하는 MOS 장치 제조 방법.
  4. 절단된 엣지를 갖고 있으며, 저 농도록 도핑된 드리프트 영역 위에 놓여있는 게이트 필드 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압 금속 산화물 반도체 (MOS)장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 저 농도로 도핑된 드리프트 영역과 소스 사이에 채널 영역이 있으며, 상기 게이트 필드 산화물의 상기 절단된 엣지에 드레인이 인접하여 있는 것을 특징으로 하는 고전압 MOS 장치.
  6. 제5항에 있어서, 사익 드레인은 상기 소스와 드레인 양단에 인가된 동적 전압이 드리프트 영역 내에 항복 전압을 일으키는 것을 막기 위해 필요한 최소 거리만큼 상기 채널 영역으로부터 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 고전압 MOS 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 장치가 PMOS 장치인 것을 특징으로 하는 고전압 MOS 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950008216A 1994-04-08 1995-04-08 고 전압 금속 산화물 반도체 장치 및 그 제조 방법 KR950034762A (ko)

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