JPS6387773A - シヨツトキバリア型電界効果トランジスタ - Google Patents

シヨツトキバリア型電界効果トランジスタ

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Publication number
JPS6387773A
JPS6387773A JP61233616A JP23361686A JPS6387773A JP S6387773 A JPS6387773 A JP S6387773A JP 61233616 A JP61233616 A JP 61233616A JP 23361686 A JP23361686 A JP 23361686A JP S6387773 A JPS6387773 A JP S6387773A
Authority
JP
Japan
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gate electrode
drain
dielectric substance
electric field
dielectric
Prior art date
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Pending
Application number
JP61233616A
Other languages
English (en)
Inventor
Hajime Ono
肇 小野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP61233616A priority Critical patent/JPS6387773A/ja
Publication of JPS6387773A publication Critical patent/JPS6387773A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/402—Field plates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はショットキバリア型電界効果トランジスタに関
する。
〔従来の技術〕
従来のショットキバリア型電界効果トランジスタ（以下
５ＢＦＥＴという）の−例を第２図の縦断面図に示す。
第２図において、１はＧ、Ａ、半絶縁性基板、２はソー
ス、３はドレイン、１４はゲート電極、５はチャネルで
ある。
第２図に示す従来例において、ドレイン３とゲート電極
１４との間に逆バイアスが印加されると空乏層がゲート
電極１４からドレイン３にかけて広がり、特にゲート電
極１４のドレイン３側エツジ付近く第２図に点線で図示
した参照番号１７の部分）に電界の集中が起こる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の５ＢＦＥＴは、ゲート電極のドレイン側
エツジ付近に起こる電界集中の度合いが大きいので、こ
の電界集中があ゛る限度を越えると降伏が起き、所望の
トレイン耐圧が得にくいという欠点がある。
本発明の目的は、上記欠点を解決して電界集中を抑える
ことによりドレイン耐圧の高い５ＢＦＥＴを提供するこ
とにある。
高いドレイン耐圧を要する場合に従来の５ＢＦＥＴが、
ドレインとゲート電極との距離を大きくとるとか、チャ
ネルの不純物濃度を小さくするとかの方法をとっている
のに対し、本発明はゲート電極の下に誘電体を埋込むこ
とによって電界の集中を抑えるという独創性を有する。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の５ＢＦＥＴは、ゲート電極のドレイン側の部分
と半導体との間に埋込まれた誘電体を有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第一の実施例を示す縦断面図である。
第１図において、１はＧ、Ａ、半絶縁性基板、２はソー
ス、３はドレイン、４はゲート電極、５はチャネル、６
はゲート電極４のトレイン３側の部分とチャネル５との
間に埋込まれた誘電体である。
第１図に示す実施例においてドレイン３とゲート電極４
との間に逆バイアスが印加されると、誘電体６とその真
上にあるゲート電極４の部分とがフィールドプレートの
働きをして、電界の集中部分が第１図に点線で図示した
参照番号７の部分のように、誘電体６のゲート電極４中
央側エツジと誘電体６の下と誘電体６およびゲート電Ｓ
４のドレイン３側エツジとに分散されるので、電界集中
の度合いは弱くなる。その結果、第１図に示す実施例の
トレイン耐圧は従来の５ＢＦＥＴのそれに比べて大きく
なる。
第３図は本発明の第二の実施例を示す縦断面図である。
第３図に示す実施例では、絶縁体８に形成されたスリッ
トを両側にオーバーラツプして覆うようにゲート電極２
４が形成されている。ゲート電極２４のうち絶縁体８の
スリットを埋めている部分が実効のゲートであり、この
実効ゲート部分のドレイン３側の部分に誘電体２６が埋
込まれている。
誘電体２６と絶縁体８とは同じ材料であってもよい。
第３図に示す実施例におけるように、誘電体はゲート電
極に全部埋込まれるのでなくはみ出た部分があってもよ
い。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明は、ゲート電極のドレ
イン側の部分に誘電体を埋込むことによってゲート電極
・トレイン間に逆バイアスを印加したときに起こる電界
の集中を抑えているので、ドレイン耐圧の高い５ＢＦＥ
Ｔを提供できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第一の実施例を示す縦断面図、第２図
は従来の５ＢＦＥＴの一例を示す縦断面図、第３図は本
発明の第二の実施例を示す縦断面図である。 １・・・Ｇ、Ａ、半絶縁性基板、２・・・ソース、３・
・・ドレイン、４・１４・２４・・・ゲート電極、５・
・・チャネル、６・２６・・・誘電体、７・１７・・・
電界集中部分、８・・・絶縁体。 代理人　弁理士　　内　原　　晋（゛２′躬１図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　ゲート電極のドレイン側の部分と半導体との間に埋込
    まれた誘電体を有することを特徴とするショットキバリ
    ア型電界効果トランジスタ。
JP61233616A 1986-09-30 1986-09-30 シヨツトキバリア型電界効果トランジスタ Pending JPS6387773A (ja)

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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5281839A (en) * 1991-07-15 1994-01-25 Motorola, Inc. Semiconductor device having a short gate length
FR2700890A1 (fr) * 1993-01-27 1994-07-29 Fujitsu Ltd Dispositif à transistor composé à effet de champ ayant une électrode de Schottky.
US5384273A (en) * 1994-04-26 1995-01-24 Motorola Inc. Method of making a semiconductor device having a short gate length
US5907177A (en) * 1995-03-14 1999-05-25 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor device having a tapered gate electrode
US6703678B2 (en) 2000-10-06 2004-03-09 Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. Schottky barrier field effect transistor large in withstanding voltage and small in distortion and return-loss
JP2005150190A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Mitsubishi Electric Corp 電界効果トランジスタ
WO2006001369A1 (ja) * 2004-06-24 2006-01-05 Nec Corporation 半導体装置
US8283699B2 (en) 2006-11-13 2012-10-09 Cree, Inc. GaN based HEMTs with buried field plates
US9773877B2 (en) 2004-05-13 2017-09-26 Cree, Inc. Wide bandgap field effect transistors with source connected field plates
US11791385B2 (en) 2005-03-11 2023-10-17 Wolfspeed, Inc. Wide bandgap transistors with gate-source field plates

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57193070A (en) * 1981-05-23 1982-11-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Forming method for gate electrode of schottky junction gate type field effect transistor
JPS6088477A (ja) * 1983-10-21 1985-05-18 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPS60144980A (ja) * 1984-01-06 1985-07-31 Nec Corp 半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57193070A (en) * 1981-05-23 1982-11-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Forming method for gate electrode of schottky junction gate type field effect transistor
JPS6088477A (ja) * 1983-10-21 1985-05-18 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPS60144980A (ja) * 1984-01-06 1985-07-31 Nec Corp 半導体装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5281839A (en) * 1991-07-15 1994-01-25 Motorola, Inc. Semiconductor device having a short gate length
US5449628A (en) * 1991-07-15 1995-09-12 Motorola, Inc. Method of making semiconductor device having a short gate length
FR2700890A1 (fr) * 1993-01-27 1994-07-29 Fujitsu Ltd Dispositif à transistor composé à effet de champ ayant une électrode de Schottky.
US5384273A (en) * 1994-04-26 1995-01-24 Motorola Inc. Method of making a semiconductor device having a short gate length
US5907177A (en) * 1995-03-14 1999-05-25 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor device having a tapered gate electrode
US6703678B2 (en) 2000-10-06 2004-03-09 Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. Schottky barrier field effect transistor large in withstanding voltage and small in distortion and return-loss
JP2005150190A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Mitsubishi Electric Corp 電界効果トランジスタ
US9773877B2 (en) 2004-05-13 2017-09-26 Cree, Inc. Wide bandgap field effect transistors with source connected field plates
WO2006001369A1 (ja) * 2004-06-24 2006-01-05 Nec Corporation 半導体装置
JPWO2006001369A1 (ja) * 2004-06-24 2008-04-17 日本電気株式会社 半導体装置
US7859014B2 (en) 2004-06-24 2010-12-28 Nec Corporation Semiconductor device
JP5084262B2 (ja) * 2004-06-24 2012-11-28 日本電気株式会社 半導体装置
US11791385B2 (en) 2005-03-11 2023-10-17 Wolfspeed, Inc. Wide bandgap transistors with gate-source field plates
US8283699B2 (en) 2006-11-13 2012-10-09 Cree, Inc. GaN based HEMTs with buried field plates

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