KR930011275A - 박막 트랜지스터 구조 - Google Patents

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KR930011275A
KR930011275A KR1019910019992A KR910019992A KR930011275A KR 930011275 A KR930011275 A KR 930011275A KR 1019910019992 A KR1019910019992 A KR 1019910019992A KR 910019992 A KR910019992 A KR 910019992A KR 930011275 A KR930011275 A KR 930011275A
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KR
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thin film
film transistor
gate
amorphous silicon
transistor structure
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Application number
KR1019910019992A
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English (en)
Inventor
허창우
Original Assignee
이헌조
주식회사 금성사
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions

Abstract

본 발명은 강유전체를 이용한 두개의 게이트를 갖는 박막트랜지스터 구조에 관한것으로, 제1게이트위에 제1강유전체층과, 비정질실리콘층, n+ 비정질실리콘층, 소오스/드레인 전극이 적층되고 그위의 제1게이트 상방에 제2강유전체를 사이에 두고 제2게이트가 형성된 것이다.
이와같이 형성된 박막트랜지스터는 구동전류 및 문턱전압을 개선시킬수 있으므로 박막트랜지스터의 응용을 증대하는 효과가 있다.

Description

박막 트랜지스터 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 박막트랜지스터 공정단면도.

Claims (2)

  1. 제1게이트위에 제1절연층과 비정질실리콘층, n+비정질실리콘층 소오스/드레인 전극이 적층되어 상기 소오스/드레인 전극과 중간부분의 소오스/드레인 전극의 노출된 부분위에 제2절연층이 적층되고 상기 제2절연층위에 제2게이트, 비정질 실리콘나이트라이드막이 적층된 박막 트랜지스터 구조.
  2. 제1항에 있어서, 제1, 제2절연층을 페로브스키트 구조를 갖는 강유전체이고, 제1게이트, 제2게이트, 제1,제2절연층, 비정질실리콘층, n+비정질실리콘층, 소오스/드레인전극의 두께를 각각 1000Å, 4000Å, 1000Å, 2000Å, 500Å, 4000Å로 함을 특징으로 하는 박막트랜지스터 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910019992A 1991-11-11 1991-11-11 박막 트랜지스터 구조 KR930011275A (ko)

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