KR920003552A - 반도체 장치 - Google Patents

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KR920003552A
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fet
insulating film
gate insulating
semiconductor device
film thickness
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KR1019910011293A
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Inventor
가즈히코 가키조에
히로아키 무라카미
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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Publication date
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 따른 구조를 나타낸 사시도.

Claims (10)

  1. 제1게이트 절연막두께(x)를 갖춘 FET(전계효과 트랜지스터)와, 제1게이트 절연막두께(x)보다 두꺼운 제2게이트 절연막두께(y)를 갖추면서 소스영역 또는 드레인 영역 (2a)중 어느 한쪽이 외부단자(13)에 접속됨과 더불어 다른쪽이 전원(12)에 접속되어 이루어진 FET를 구비한 입출력 보호회로를 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1게이트 절연막두께(x)를 갖춘 제1FET와, 제1게이트 절연막두께(x)보다 두꺼운 제2게이트 절연막두께(y)를 갖춘 제2FET 및 제2게이트 절연막두께(y)를 갖추면서 소오스영역(2a) 또는 드레인 영역(2a)중 어느 한쪽이 외부단자(13)에 접속됨과 더불어 다른쪽이 전원(12)에 접속되어 이루어진 제3FET를 구비한 입출력 보호회로를 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2게이트 절연막을 갖춘 FET는 그 게이트가 1층 이상의 반도체 다결정층(14a, 16a)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서, 모든 반도체 다결정층 또는 일부의 반도체 다결정층(17a)이 단락되어 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제3FET의 소오스영역 및 드레인 영역(2a, 23a)이 LDD 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 제3FET의 소오스영역 및 드레인 영역(2a, 23a)이 고농도 확산층만으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 고농도 확산층의 농도가 1×1020㎝-3이상의 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기 제2게이트 절연막을 가춘 FET 는 그 게이트가 1층 이상의 반도체 다결정층(20c)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 제8항에 있어서, 모든 반도체 다결정층 또는 일부의 반도체 다결정층(17c)이 단락되어 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910011293A 1990-07-06 1991-07-04 반도체 장치 KR920003552A (ko)

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