KR900005612A - 4 마스크 레벨의 보호구조를 갖는 비정질 규소 박막 트랜지스터 - Google Patents
4 마스크 레벨의 보호구조를 갖는 비정질 규소 박막 트랜지스터Info
- Publication number
- KR900005612A KR900005612A KR1019880012823A KR880012823A KR900005612A KR 900005612 A KR900005612 A KR 900005612A KR 1019880012823 A KR1019880012823 A KR 1019880012823A KR 880012823 A KR880012823 A KR 880012823A KR 900005612 A KR900005612 A KR 900005612A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- thin film
- film transistor
- amorphous silicon
- silicon thin
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 비정질 규소 박막트랜지스터의 구조를 나타낸 단면도,
제4도는 본 발명의 비정질 규소 박막 트랜지스터의 제조공정을 차례로 나타낸 단면도,
제5도는 본 발명의 비정질 규소 박막트랜지스터와 화소가 연결된 일실시예를 나타낸 단면도.
Claims (1)
- 비정질 박막트랜지스터에 있어서, 유리기판(1)상에 1700 내지 2500Å의 크롬으로 된 게이트 전극(2)과 그 위에 절연막으로서 2,000 내지 4,000Å의 소정의 금속(이하"a"라 약칭함)-SiN : H막(3), 300 내지 2,000Å의 a-Si : H막(4), 1,000 내지 3,000Å의 SiNX: H막(3')(단, x는 정수이다.)이 차례로 적층되어 있고, 그 위에 n+a-Si : H막(5)과 Al 전극이 연이어 증착되어 소오스 전극(6)과 드레인 전극(7)의 오믹층을 형성하고, 상기한 드레인의 단부에 접촉된 상태로 a-SiN : H막 위에 투명전도막(8)이 형성된 것을 특징으로 하는 4 마스크 레벨의 보호구조를 갖는 비정질 규소 박막 트랜지스터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880012823A KR900005612A (ko) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 4 마스크 레벨의 보호구조를 갖는 비정질 규소 박막 트랜지스터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880012823A KR900005612A (ko) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 4 마스크 레벨의 보호구조를 갖는 비정질 규소 박막 트랜지스터 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900005612A true KR900005612A (ko) | 1990-04-14 |
Family
ID=68158326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880012823A KR900005612A (ko) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 4 마스크 레벨의 보호구조를 갖는 비정질 규소 박막 트랜지스터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR900005612A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000037842A (ko) * | 1998-12-02 | 2000-07-05 | 윤종용 | 박막트랜지스터 제조방법 |
-
1988
- 1988-09-30 KR KR1019880012823A patent/KR900005612A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000037842A (ko) * | 1998-12-02 | 2000-07-05 | 윤종용 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR880001179A (ko) | 박막트랜지스터 배열기판의 제조방법 | |
| KR970076040A (ko) | 액티브 매트릭스 액정표시장치의 제조방법 및 액티브 매트릭스 액정표시장치 | |
| EP0270323A3 (en) | A thin-film transistor | |
| KR970053623A (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR890015050A (ko) | 박막형성방법 및 액티브매트릭스 표시장치와 그 제조방법 | |
| KR940015562A (ko) | 액정표시소자 제조방법 | |
| KR890013786A (ko) | 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
| KR900005612A (ko) | 4 마스크 레벨의 보호구조를 갖는 비정질 규소 박막 트랜지스터 | |
| JPS6429821A (en) | Thin film field effect type transistor element array and its production | |
| JPS567480A (en) | Film transistor | |
| KR890017782A (ko) | 비결정 규소 박막 트랜지스터 매트릭스 어드레스지정 액정 디스플레이용 비동일 평면 전극 처리 및 구조 | |
| KR970048847A (ko) | CrOx 블랙매트릭스를 사용한 반사형 TFT- LCD와 그 제조방법 | |
| KR880013032A (ko) | 액티브 매트릭스 액정의 제조방법 | |
| KR950012754A (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | |
| KR970054476A (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 | |
| KR910010648A (ko) | 폴리 실리콘 박막트랜지스터 | |
| KR870011700A (ko) | 박막 트랜지스터 | |
| KR910005390A (ko) | 고전압용 박막 트랜지스터 및 그 제조법 | |
| KR910013488A (ko) | Difet에 의해 구동되는 박막 트랜지스터 | |
| KR970054490A (ko) | 박막 트랜지스터 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
| KR960029862A (ko) | 박막트랜지스터 액정디스플레이 소자 및 제조방법 | |
| KR970016714A (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
| KR890008995A (ko) | 박막 트랜지스터 | |
| KR900015359A (ko) | 이중게이트 구조를 갖는 tft | |
| KR890016682A (ko) | 평판 디스플레이용 박막 트랜지스터 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |