KR970048847A - CrOx 블랙매트릭스를 사용한 반사형 TFT- LCD와 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 TFT-LCD와 그 제조방법에 관한 것으로 블랙매트릭스로 CrOx를 사용하여 저반사 효과와 공정의 단순화를 도모하는 것을 목적으로 한다.

이를 위한 본 발명은 유리기판상에 형성된 Cr/CrOx 이중막의 게이트전극과, 게이트전극상에 형성된 게이트 절연막과, 게이트절연막위에 a-Si 반도체층, n+ a-Si 오믹층을 개재하여 형성된 소오스/드레인전극과, 전면에 형성된 블랙매트릭스와 블랙매트릭스상에 형성된 Al 반사판으로 구성된 반사형 TFT-LCD에 있어서, 블랙매트릭스가 CrOx로 이루어진 것을 특징으로 한다.

이와 같이 형성된 본 발명에 의하면 CrOx 자체가 절연체이기 때문에 별도의 보호막을 필요로 하지 않아 공정을 단순화할 수 있고 제조코스트를 줄일 수 있다. 또한 CrOx 자체가 절연체이기 때문에 별도의 보호막을 필요로 하지 않아 공정을 단순화할 수 있고 제조코스트를 줄일 수 있다. 또한 CrOx가 데이타 라인과 오버밸되는 부분에서는 Cr/CrOx의 저반사 효과를 기대할 수 있다.

Description

CrOx 블랙매트릭스를 사용한 반사형 TFT-LCD와 그 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명의 TFT 단면도,

제3도는 본 발명의 콘택 부위의 단면도,

제4도는 본 발명의 제조 공정도.

Claims (3)

1. 유리기판(1)상에 형성된 Cr/CrOx(2,2′) 이중막의 게이트전극(3)과, 상기 게이트전극상에 형성된 게이트 절연막(4)과, 상기 게이트절연막위에 a-Si 반도체층(5), n + a-Si 오믹층(6)을 개재하여 형성된 소오스/드레인전극(7,8)과 전면에 형성된 블랙매트릭스(9)와 상기 블랙매트릭스상에 형성된 Al 반사판(10)으로 구성된 반사형 TFT-LCD에 있어서, 상기 블랙매트릭스(9)는 CrOx로 이루어진 것을 특징으로 하는 반사형 TFT-LCD.
2. 제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인전극(7,8)은 Cr로 이루어진 것을 특징으로 하는 반사형 TFT-LCD.
3. Cr(2)과 CrOx(2′)를 연속적층하고 패터닝하여 게이트전극(3)을 형성하고 게이트절연막(4)을 올리는 제1공정과, a-Si(5), n + a-Si(6)을 증착한 후 액티브 마스크로 패터닝하여 아일랜드(5′,6′)을 형성하는 제2공정과, Cr을 증각하고 패턴하여 소오스/드레인(7)을 형성하는 제3공정과, 전면에 CrOx(9)를 증각하고 상기 CrOx(9)과 패드부분(11)의 상기 게이트절연막을 오픈시켜 콘택을 형성하는 제4공정과, Al을 중착한 후 상기 CrOx(9)와 함께 패터닝하여 반사판(10)을 형성하는 제5공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사형 TFT-LCD의 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.