JPH05134271A

JPH05134271A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH05134271A
Application number: JP30074291A
Authority: JP
Inventors: Shiyuuichi Uchikoga; 修一内古閑; Masahiko Akiyama; 政彦秋山
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1991-11-15
Filing date: 1991-11-15
Publication date: 1993-05-28

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、ブラックマトリクスに起因するＴＦ
Ｔ特性や表示特性の低下を防止し得る液晶表示装置を提
供することを目的とする。【構成】透光性絶縁基板１上に形成され、画素となる領
域に開口部を有する遮光膜２と、この遮光膜２の開口部
と隙間を形成しないように、透光性絶縁基板２上に形成
された画素電極４と、この画素電極４に設けられたＴＦ
Ｔ１５と、透光性絶縁基板１と共に液晶層１１を挾持す
る対向基板１２と、透光性絶縁基板１を介して液晶層１
１に光を照射する光源とを備えていることを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリック
ス型の液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリックス型の液晶表示装
置は、薄型・軽量であるのは勿論のこと、多画素にして
もコントラスト，レスポンスの劣化がなく、しかも、中
間調表示も可能である等の特徴を有しているため、パ―
ソナルコンピュ―タや大画面カラ―テレビ等の表示装置
として期待されている。図２０は、スイッチング素子と
して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた従来のアクテ
ィブマトリックス型液晶表示装置の一画素分の断面図で
ある。

【０００３】この液晶表示装置は、平面ガラスからなる
アレイ基板８０並びに対向基板８９と、これら基板８
０，８９により挾持された液晶層８４とからなる基本構
成をとっている。

【０００４】アレイ基板８０は、透光性絶縁基板８１
と、この基板８１上にマトリックス状に配列された透光
性の画素電極８３と、この画素電極８３に接続されたＴ
ＦＴ９０などからなる。

【０００５】このＴＦＴ９０は、ボトムゲ−ト（逆スタ
ガ−）型ＴＦＴと呼ばれるもので、ゲ−ト電極９１がゲ
−ト絶縁膜８２を介して活性層９２の下部に設けられた
構成をとっている。ゲ―ト電極９１は、ゲ−ト線（不図
示）に接続され、このゲ−ト線と直角方向に設けられた
信号線（不図示）には、ドレイン電極９４が接続されて
いる。また、画素電極８３には、ソ−ス電極９５が続さ
れている。なお、活性層９２上に設けられている絶縁膜
９３はチャネル保護膜である。

【０００６】一方、対向基板８９は、透光性絶縁基板８
８と、この基板８８上に形成された各画素に対応したカ
ラ―フィルタ８６と、ブラックマトリクス８７と、透光
性の対向電極８５などからなる。しかしながら、このよ
うに構成された液晶表示装置においては次のような問題
があった。

【０００７】即ち、ブラックマトリクス８７が画素電極
８３上まで延在しているので、画素の表示面積が画素電
極８３の面積より小くなり、開口率が低下するという問
題があった。ブラックマトリクス８７が画素電極８３上
まで延在しているのは、液晶層８４をアレイ基板８０と
対向基板８９とで挾持する際に、アレイ基板８０と対向
基板８９とがずれても、ＴＦＴ９０の隣のＴＦＴにより
制御される画素電極８３ａとドレイン電極９４との間の
隙間や、画素電極８３と信号線との間の隙間からバック
ライトが漏れないように、ブラックマトリクス８７に合
わせマ−ジンを与えたからである。

【０００８】また、画素電極８３及びＴＦＴ９０の作成
には、通常、フォトリソグラフィ技術が使用される。こ
のため、装置の性能や信頼の低下を防止するには、フォ
トマスク間の位置合せを所定の精度内で行なう必要があ
る。

【０００９】しかしながら、各フォトマスク間のずれを
全て所定の精度内に収めるのが困難であるので、ＴＦＴ
特性や表示特性の低下が起こったり、製造歩留まりが悪
くなるという問題があった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来の液
晶表示装置では、光漏れの原因となる隙間がブラックマ
トリクスで確実に覆われるように、ブラックマトリクス
に合わせマ−ジンを与えていたが、これにより開口率の
低下が生じるという問題があった。また、フォトマスク
間のずれにより、ＴＦＴ特性や表示特性が低下したり、
製造歩留まりが悪くなるという問題もあった。

【００１１】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、ブラックマトリクスに
起因するＴＦＴ特性や表示特性の低下を防止し得る液晶
表示装置を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、アレイ
基板側にブラックマトリクスの役割を果たす遮光膜を設
けたことにある。

【００１３】即ち、上記の目的を達成するために、本発
明の液晶表示装置は、透光性絶縁基板上に形成され、画
素となる領域に開口部を有する遮光膜と、この遮光膜の
開口部と隙間を形成しないように、前記透光性絶縁基板
上に形成された画素電極と、この画素電極に接続された
スイッチング素子としてのトランジスタと、前記透光性
絶縁基板と共に液晶層を挾持する対向基板と、前記透光
性基板を介して前記液晶層に光を照射する光源とを備え
たことを特徴とする。

【００１４】

【作用】本発明の液晶表示装置では、透光性絶縁基板上
に、画素となる領域に開口部を有する遮光膜を設けてい
る。したがって、遮光膜は、従来のようにトランジスタ
に照射される光を遮断するのは勿論のこと、その他の画
素領域以外の領域に照射される光も遮断する。したがっ
て、従来のように対向基板にブラックマトリクスを設け
る必要が無くなるので、ブラックマトリクスの合わせマ
−ジンより、開口率が低下するという問題は生じない。

【００１５】

【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。図１は、本発明の第１の実施例に係わる液晶表示装
置の一画素分の断面図である。

【００１６】本実施例の液晶表示装置の構成は、基本的
には従来のものと同じで、アレイ基板１６と、対向基板
１７と、アレイ基板１６と対向基板１７とで挾持された
液晶層１１と、バックライト光源（不図示）とからなる
基本構成をとっている。本実施例の液晶表示装置の特徴
は、アレイ基板１６側にブラックマトリクスの役割を果
たす遮光膜２が形成されていることにある。

【００１７】即ち、アレイ基板１６は、透光性絶縁基板
１と、この基板１上に形成された所定形状の遮光膜２
と、基板１上にマトリックス状に配列された透光性の画
素電極４と、この画素電極４に接続されたＴＦＴ１５等
で構成され、一方、対向基板１７は、透光性絶縁基板１
４と、この基板１４上に形成された各画素に対応したカ
ラ―フィルタ―１３ａ，１３ｂと、対向電極１２等で構
成されている。次に上記の如き構成された液晶表示装置
のアレイ基板１６の作成について説明する。

【００１８】図２は、図１のアレイ基板１６の平面図で
あり、図３及び図４は、図２のアレイ基板１６のＡ−Ａ
´断面における形成工程断面図であり、図５は、図２の
アレイ基板１６のＢ−Ｂ´断面図である。

【００１９】まず、図３（ａ）に示す如く、透光性絶縁
基板１上に遮光膜２となるＭｏ等の金属薄膜を堆積す
る。次いでこの金属薄膜上にフォトレジストを塗布した
後、露光工程，現像工程を行ない、不要なフォトレジス
ト、つまり、画素電極となる領域のフォトレジストを除
去し、残ったフォトレジストをマスクとして上記金属薄
膜をエッチングし、図６に示すような屈曲部Ｋを有する
田の字型の遮光膜２を形成する。この後、遮光膜２が形
成された基板１上に、酸化シリコンや窒化シリコン等の
絶縁膜３を堆積する。

【００２０】次に図３（ｂ）に示す如く、絶縁膜３上
に、画素電極４，４ａ、ソ−ス・ドレイン電極５となる
透明電極膜、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を
堆積し、続いて、このＩＴＯ膜上にオ−ミックコンタク
ト層６となるｎ⁺ 型アモルファスシリコン（ｎ⁺ ａ‐Ｓ
ｉ）膜を堆積する。

【００２１】次にｎ⁺ ａ‐Ｓｉ膜上にネガ型のフォトレ
ジストを塗布した後、裏面露光を行なう。この結果、遮
光膜２の上に位置するフォトレジスト以外のフォトレジ
ストが露光される。次いでフォトマスクを用いて基板１
の表面に露光光を照射する。つまり、裏面露光，表面露
光の２回の露光を同一のフォトレジストに対して行な
う。ここで、フォトマスクとしては、例えば、ソ−ス・
ドレイン電極５となる部分以外のフォトレジストに露光
光が照射されないパタ−ンのものを用いる。

【００２２】次にフォトレジストの現像を行なってフォ
トレジパタ−ンを作成し、これをマスクに用いて透明電
極膜，ｎ⁺ ａ‐Ｓｉ膜をエッチングし、画素電極４，４
ａ，ソ−ス・ドレイン電極５，そしてオ−ミックコンタ
クト層６を形成する。裏面露光を用いたので、画素電極
４は遮光膜２と自己整合的に形成される。また、画素電
極４はソ−ス・ドレイン電極を兼ねる。これは、フォト
マスクとして働く遮光膜２が屈曲部Ｋを有するので、画
素電極側のソ−ス・ドレイン電極と画素電極が同一の電
極となるからである。なお、画素電極４ａは隣接する画
素のもので、画素電極４と同様に自己整合的に形成され
る。

【００２３】次に図３（ｃ）に示す如く、活性層７とな
るアモルファスシリコン（ａ‐Ｓｉ）膜を堆積した後、
基板１上のＴＦＴが最終工程で分離するように、ａ‐Ｓ
ｉ膜をエッチングして活性層７を形成し、続いて、画素
電極４上の不要なオ−ミックコンタクト層６をエッチン
グ除去する。このとき、エッチング方法として、ＣＦ₄
ガスとＯ₂ガスとの混合ガスを使用したドライエッチン
グを用いれば、ａ‐Ｓｉ膜（活性層７）とオ−ミックコ
ンタクト層６（ｎ⁺ ａ‐Ｓｉ膜）とのエッチング選択比
が小さくなるので、ａ‐Ｓｉ膜とオ−ミックコンタクト
層６とを同時にパタ−ニングできる。

【００２４】次に図４に示す如く、酸化シリコンや窒化
シリコン等の絶縁膜からなるゲ−ト絶縁膜８を基板１上
に堆積する。次いで図５に示す如く、ゲ−ト絶縁膜８
に、ソ−ス・ドレイン電極５と後工程で形成する信号線
１０とのコンタクトを取るためのコンタクトホ−ル１８
を形成する。

【００２５】最後に、Ａｌ，Ｍｏ又はＴａ等の導電性薄
膜を堆積し、これをパタ−ニングすることでゲ−ト電極
９，信号線１０を形成する。信号線１０はオ−ミックコ
ンタクト層６を介してソ−ス・ドレイン電極５上に形成
されているので、信号線１０とソ−ス・ドレイン電極５
との電蝕を考慮する必要はない。なお、ゲ−ト絶縁膜８
を保護膜として併用しない場合には、図７に示すよう
に、ゲ−ト電極９をマスクに用いることで自己整合的に
ゲ−ト絶縁膜８を形成できる。

【００２６】このようにして得られたアレイ基板１６か
らなる液晶表示装置では、遮光膜２により活性層７に照
射されるバックライトを遮断できる。この結果、光リ−
ク電流の発生を確実に防止でき、ＴＦＴ特性が改善され
る。更に、遮光膜２は、上述した遮光膜本来の役割に他
に、ブラックマトリクスの役割も果たしている。

【００２７】即ち、基板１上の画素電極４以外の領域
は、遮光膜２で覆われているので、隣接画素の画素電極
４ａと活性層７との間の隙間や、画素電極４，４ａと信
号線１０との間の隙間などから漏れるバックライトを防
止できる。この結果、漏光による表示特性の低下を防止
できる。

【００２８】しかも、画素電極４は遮光膜２と自己整合
的に形成されているので、遮光膜２と画素電極４との重
ね合わせが無くなり、従来のように、ブラックマトリク
スを設けることで開口率が低下するという問題は生じな
い。

【００２９】また、図５から分かるように、画素電極４
と信号線１０とが異なる層に形成されているので、フォ
トマスクの合わせずれがあっても、画素電極４と信号線
１０とが短絡することが無くなり、歩留まりが向上す
る。更に、図８に示すように、ゲ−ト絶縁膜８上に絶縁
膜１１を介してゲ−ト電極９を形成すれば、ゲ−ト電極
９と信号線１０とが別層になるので、ゲ−ト電極９と信
号線１０との短絡も防止できる。

【００３０】また、ＴＦＴ１５のチャネル部分が遮光膜
２とゲ−ト電極９とで挟まれているので、チャネル部分
に照射される光は、遮光膜２，ゲ−ト電極９により十分
減衰される。この結果、ＴＦＴ１５の耐光性が増し、高
寿命、高信頼性の装置が得られるようになる。

【００３１】なお、本実施例では、裏面露光を用いて遮
光膜２と自己整合的に画素電極４を形成したが、マスク
露光を用いて画素電極４を形成しても良い。図９はマス
ク露光を用いて形成したアレイ基板１６の断面図であ
る。この場合、遮光膜２と画素電極４との重なりが生じ
るが、実用上はなんら問題はない。

【００３２】即ち、遮光膜２と画素電極４との重なりＬ
は露光精度（３μｍ程度）に依存するが、その精度はア
レイ基板１６と対向基板１７との張り合わせ精度（８μ
ｍ程度）より高いので、遮光膜２と画素電極４との重な
りＬによる開口率の低下は無視できる。

【００３３】なお、遮光膜２が画素電極４と重なりを持
つ場合には、遮光膜に電圧を印加することで、遮光膜２
と画素電極４との重なり部分を補助容量として利用する
ことができる。絶縁膜３としては、比誘電率ε_rが高い
絶縁膜を用いることが望ましい。例えば、ＳｉＯ₂膜等
のシリコン酸化膜（ε_r＝３．８〜５．９）、Ｓｉ₃Ｎ
₄膜等のシリコン窒化膜（ε_r＝６．０〜７．９）、Ｔ
ａ₂Ｏ₅膜等のタンタル酸化膜（ε_r＝６）、Ａｌ₂Ｏ
₃膜等のアルミニウム酸化膜（ε_r＝６〜８）、ＴｉＯ
₂膜等のチタン酸化膜（ε_r＝３０〜４０）を用いるこ
とが望ましい。また、遮光膜２と画素電極４との重なり
部分は、ネガ型のフォトレジストを裏面からオ−バ−露
光することで再現性良く形成できる。これは、オ−バ−
露光を行なうと、露光光が遮光膜２２の内側に回り込
み、遮光膜２２上のフォトレジストも露光されるからで
ある。図１０は、本発明の第２の実施例に係わる液晶表
示装置のアレイ基板の平面図であり、図１１は、図１０
のアレイ基板のＣ−Ｃ´断面図である。

【００３４】これを製造工程に従い説明すると、まず、
透光性絶縁基板２１上に、遮光膜２２となる金属薄膜を
堆積し、続いて、この金属薄膜上にフォトレジストを塗
布した後、露光工程，現像工程を行ない、図１２に示す
ような屈曲部Ｋと開口部Ｈとを有する遮光膜２２を形成
する。この後、遮光膜２２が形成された基板２１上に、
酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁膜２３を堆積す
る。

【００３５】次に絶縁膜２３上に、画素電極２４，ソ−
ス・ドレイン電極２５となるＩＴＯ等の透明電極膜，オ
−ミックコンタクト層２６となるｎ⁺ ａ‐Ｓｉ等の半導
体膜膜を順次堆積した後、この半導体膜上にネガ型のフ
ォトレジストを塗布して裏面露光を行ない、遮光膜２２
と自己整合的なフォトレジパタ−ンを形成する。次いで
このフォトレジストパタ−ンをマスクにして透明電極
膜，半導体膜をエッチングし、画素電極２４，ソ−ス・
ドレイン電極２５、オ−ミックコンタクト層２６を形成
する。なお、画素電極２４ａは隣接画素の画素電極であ
る。

【００３６】次にＭｏ薄膜，Ｔａ薄膜又はＭｏ−Ｔａ薄
膜の不透明導電薄膜を堆積し、これをパタ−ニングして
信号線３０を形成する。この信号線３０の形状は、図１
１に示すように、信号線３０と後工程で形成するゲ−ト
電極２９とで遮光膜２２の開口部Ｈが塞がれるような形
状でも良いし、或いは信号線３０のみで開口部Ｈが塞が
れるような形状でも良い。

【００３７】次に活性層２７となるａ‐Ｓｉ膜等の半導
体膜を堆積した後、ＴＦＴが最終工程で分離するように
半導体膜をエッチングして活性層２７を形成する。次い
で画素電極２４上の不要なオ−ミックコンタクト層２６
を除去する。

【００３８】最後に、ゲ−ト絶縁膜２８を基板２１上に
形成した後、導電性薄膜を堆積し、これをパタ−ニング
してゲ−ト電極２９を形成する。なお、ゲ−ト絶縁膜２
８を保護膜として併用しない場合には、図１３に示すよ
うに、ゲ−ト電極２９をマスクに用いることで自己整合
的にゲ−ト絶縁膜２８を形成できる。

【００３９】このようにして得られたアレイ基板からな
る液晶表示装置でも、先の実施例と同様な効果が得られ
るのは勿論のこと、本実施例では、遮光膜２２に開口部
Ｈを設けたので、ソ−ス・ドレイン電極２５も自己整合
的に形成できる。この結果、ＴＦＴ特性が更に改善され
る。

【００４０】なお、マスク露光により画素電極２４を形
成しても、露光精度は張り合わせ精度より高いので、遮
光膜２２と画素電極２４との重なりによる開口率の低下
は、ほとんど起こらない。また、遮光膜２２と画素電極
２４との重なり部分を形成して、その重なり部分を補助
容量に利用しても良い。

【００４１】ところで、第１，第２の実施例では、トッ
プゲ−ト型のＴＦＴを用いたが、遮光膜として金属膜を
用いているので、上記ＴＦＴをバックゲ−ト型のＴＦＴ
として用いることもできる。

【００４２】即ち、遮光膜は活性層の裏面側にあるの
で、遮光膜に電圧を印加することにより、遮光膜と活性
層との間にチャネルを形成できる。遮光膜に印加するべ
き電圧は次のようにして決まる。ゲ−トに印加する電圧
をＶ_gとし、しきい値電圧Ｖ_THとすると、Ｖ_g＝Ｖ_THの
ときに活性層内に発生する電荷の量Ｑは、Ｑ＝ε₀・εｇ_i・Ｖ_TH／ｄｇ_i となる。ここで、ε₀は真空の誘電率、εｇ_iはゲ−ト
絶縁膜の比誘電率、Ｖ_THはＴＦＴのしきい値電圧、ｄｇ
_iはゲ−ト絶縁膜の厚さである。一方、ゲ−トに電圧を
印加せずに、遮光膜に印加する電圧をＶ_lsとすると、活
性層内に発生する電荷の量Ｑ_lsは、Ｑ_ls＝ε₀・ε_i・Ｖ_ls／ｄ_i となる。ここで、ε_iは遮光膜上の絶縁膜の厚さ、ｄ_i
は遮光膜上の絶縁膜の比誘電率である。ＴＦＴをオフに
するには、Ｑ_ls＜Ｑであれば良い。したがって、Ｖ_ls＜
εｇ_i・ｄ_i・Ｖ_TH／ε_i／εｇ_iであれば、ＴＦＴを
オフにできる。図１４は、本発明の第３の実施例に係わ
るアレイ基板の断面図である。これは本発明を逆スタガ
−型のＴＦＴを用いたアレイ基板に適用したものであ
る。

【００４３】これを製造工程に従い説明すると、まず、
透光性絶縁基板３１上に、図１５に示すような田の字型
の遮光膜３２を形成する。次いで絶縁膜３３を基板３１
上に堆積した後、ゲ−ト電極３９を形成する。

【００４４】次に基板３１上にゲ−ト絶縁膜３８を堆積
した後、このゲ−ト絶縁膜３８上に画素電極３４，３４
ａとなる透明電極膜を堆積し、続いて、この上にネガ型
のフォトレジストを塗布する。そして、裏面露光を行な
って遮光膜３２と自己整合的なフォトレジストパタ−ン
を形成し、これをマスクとして透明電極膜をエッチング
して画素電極３４，３４ａを形成する。なお、画素電極
３４ａは隣接画素の画素電極である。

【００４５】次に、例えば、ａ‐Ｓｉ膜，ｎ⁺ ａ‐Ｓｉ
膜を順次堆積した後、これら半導体膜を所定の形状にパ
タ−ニングし，活性層３７，オ−ミックコンタクト層３
６を形成する。次いでチャネル上の位置するオ−ミック
コンタクト層３６を除去した後、この部分にチャネル保
護膜４０を形成する。最後に、電極材料を堆積し、これ
を所定の形状にパタ−ニングしてソ−ス・ドレイン電極
３５を形成する。

【００４６】このようにして得られたアレイ基板からな
る液晶表示装置でも、遮光膜３２が遮光膜の本来の役割
に加え、ブラックマトリクスの役割も果たすので、先の
実施例と同様な効果が得られる。なお、先の実施例と同
様にマスク露光により画素電極３４を形成しても良い。
更に、遮光膜３２と画素電極３４との重なり部分を形成
して、その重なり部分を補助容量として用いても良い。
図１６は、本発明の第４の実施例に係わるアレイ基板の
平面図であり、図１７は、図１６のアレイ基板のＤ−Ｄ
´断面図である。

【００４７】これを製造工程に従い説明すると、まず、
透光性絶縁基板４１上に遮光膜４２を形成する。遮光膜
４２の形状は、図１８に示すように、屈曲部Ｋと開口部
Ｈとを有するものとする。

【００４８】次に基板４１上に絶縁膜４３を堆積し、続
いて、この絶縁膜４３上にゲ−ト電極４９となる電極材
料膜を堆積する。次いでこの電極材料膜上にネガ型のフ
ォトレジストを塗布して裏面露光とマスク露光とを行な
い、フォトレジストパタ−ンンを形成する。裏面露光を
行なうことで、チャネル長方向の寸法を遮光膜４２と自
己整合的に決めることができる。

【００４９】次にゲ−ト絶縁膜４８を堆積した後、活性
層４７，オ−ミックコンタクト層４６を形成する。次い
でチャネル保護膜となる絶縁膜を堆積し、この絶縁膜上
にネガ型のフォトレジストを塗布する。次いで裏面露光
とマスク露光とを行ない、フォトレジストパタ−ンンを
形成し、これをマスクに用いて上記絶縁膜をエッチング
する。この結果、チャネル長方向に関して自己整合的な
チャネル保護膜５０が形成される。最後に、画素電極４
４，４４ａ，信号線４５を形成する。

【００５０】このようにして得られたアレイ基板からな
る液晶表示装置でも、遮光膜４２により、リ−ク電流の
発生や，開口率の低下を招くこと無く光漏れを防止で
き、先の実施例と同様な効果が得られる。また、本実施
例では、上述した形状の遮光膜４２を用いたので、チャ
ネル長方向に関して、ゲ−ト電極４９及びチャネル保護
膜５０を自己整合的に形成できる。また、遮光膜４２と
画素電極４４との重なり部分を形成して、その重なり部
分を補助容量として利用しても良い。

【００５１】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。例えば、図１５の逆スタガ−型ＴＦＴ
用の遮光膜３２を用いて、図１９に示すようなトップゲ
−ト型ＴＦＴを用いたアレイ基板も形成できる。図中、
斜線部は遮光膜、５４は画素電極、５７は活性層、５９
はゲ−ト電極、６０はソ−ス・ドレイン電極を表してい
る。また、上記実施例では、スイッチング素子としてＴ
ＦＴを用いた場合について説明したが、他のトランジス
タを用いても同様な効果が得られる。また、上記実施例
では、遮光膜として金属薄膜を用いたが、絶縁性薄膜を
用いても良い。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施できる。

【００５２】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、従
来のように対向基板にブラックマトリクスを設けるので
はなく、透光性基板にブラックマトリクスの役割を果た
す遮光膜を設けたので、ブラックマトリクスの合わせマ
−ジンによる開口率の低下を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係わる液晶表示装置の
一画素分の断面図。

【図２】図１の液晶表示装置のアレイ基板１６の平面
図。

【図３】図２のアレイ基板のＡ−Ａ´断面図における形
成工程断面図。

【図４】図２のアレイ基板のＡ−Ａ´断面図における形
成工程断面図。

【図５】図２のアレイ基板のＢ−Ｂ´断面図。

【図６】遮光膜の形状を示す図。

【図７】ゲ−ト絶縁膜が自己整合的に形成されたアレイ
基板の断面図。

【図８】ゲ−ト電極と信号線とが別層のアレイ基板の断
面図。

【図９】マスク露光を用いて画素電極を形成した場合の
アレイ基板の断面図。

【図１０】本発明の第２の実施例に係わる液晶表示装置
のアレイ基板の平面図。

【図１１】図１０のアレイ基板のＣ−Ｃ´断面図。

【図１２】遮光膜の形状を示す図。

【図１３】ゲ−ト絶縁膜が自己整合的に形成されたアレ
イ基板の断面図。

【図１４】本発明の第３の実施例に係わるアレイ基板の
断面図。

【図１５】遮光膜の形状を示す図。

【図１６】本発明の第４の実施例に係わるアレイ基板の
平面図。

【図１７】図１６のアレイ基板のＤ−Ｄ´断面図。

【図１８】遮光膜の形状を示す図。

【図１９】図１５の逆スタガ−用の遮光膜をトップゲ−
ト型ＴＦＴに適用した場合のアレイ基板の断面図。

【図２０】従来の液晶表示装置の断面図。

【符号の説明】

１，１４，２１，３１，４１…透光性絶縁基板、２，２
２，３２，４２…遮光膜、３，２３，３３，４３…絶縁
膜、４，４ａ，２４，２４ａ，３４，３４ａ，４４，４
４ａ，５４…画素電極、５，２５，３５，６０…ソ−ス
・ドレイン電極、６，２６，３６，４６…オ−ミックコ
ンタクト層、７，２７，３７，４７，５７…活性層、
８，２８，３８，４８…ゲ−ト絶縁膜、９，２９，３
９，４９，５９…ゲ−ト電極、１０，３０，４５…信号
線、１１…液晶層、１２…対向電極、１３ａ，１３ｂ…
カラ―フィルタ―、１５…ＴＦＴ、１６…アレイ基板、
１７…対向基板、１８…コンタクトホ−ル、４０，５０
…チャネル保護膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 27/12 Ａ 8728−4Ｍ 29/784

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透光性絶縁基板上に形成され、画素となる
領域に開口部を有する遮光膜と、この遮光膜の開口部と隙間を形成しないように、前記透
光性絶縁基板上に形成された画素電極と、この画素電極に接続されたスイッチング素子としてのト
ランジスタと、前記透光性絶縁基板と共に液晶層を挾持する対向基板
と、前記透光性絶縁基板を介して前記液晶層に光を照射する
光源とを具備してなることを特徴とする液晶表示装置。