KR930024148A - Tft-lcd의 수평구조 - Google Patents

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KR930024148A
KR930024148A KR1019920008414A KR920008414A KR930024148A KR 930024148 A KR930024148 A KR 930024148A KR 1019920008414 A KR1019920008414 A KR 1019920008414A KR 920008414 A KR920008414 A KR 920008414A KR 930024148 A KR930024148 A KR 930024148A
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    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate

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Abstract

본 발명은 TFT-LCD(Thin Film Transistor)의 수평 구조에 있어서, 종래에 축적 용량(Storage Capacitance)전극이 화소 전극 아랫부분에 구비되어 발생하였던 개구율 강도를 해결하기 위하여 축적용량 전극을 소오스 드레인 라인 밑에 구성시킨 것이다.
따라서 희소전극 아랫부분의 개구면적이 늘어나게되어 좀더 밝은 양질의 박막 트랜지스터의 화면을 제공받게 된다.

Description

TFT-LCD의 수평구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본발명에 따른 TFT-LCD의 수평구조도, 제4도는 제3도의 B1-B2선 단면도.

Claims (1)

  1. 하부유리 기판상에 소정간격을 두고 게이트 전극과 축적 용량 전극이 형성되고, 상기 게이트 전극과 축적 용량 전극을 둘러싸도록 절연막이 형성되며, 상기 절연막위의 게이트 상측과 축적 용량 전극 상측 소정 영역에 반도체층과 화소전극이 각각 형성되고, 상기 반도체층위에 다른 반도체층, 베리어 메틸층, 소오스/드레인 전극이 적층되며, 전표면에 보호막이 형성되어 이루어짐을 특징으로 하는 수평구조를 같는 TFT-LCD.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920008414A 1992-05-19 1992-05-19 액정표시 장치 KR100232184B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100623443B1 (ko) * 1999-03-25 2006-09-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티 도메인 액정 표시소자

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