KR870000764A - 누설 전류개선형 mis fet 반도체장치 - Google Patents

누설 전류개선형 mis fet 반도체장치 Download PDF

Info

Publication number
KR870000764A
KR870000764A KR1019860003971A KR860003971A KR870000764A KR 870000764 A KR870000764 A KR 870000764A KR 1019860003971 A KR1019860003971 A KR 1019860003971A KR 860003971 A KR860003971 A KR 860003971A KR 870000764 A KR870000764 A KR 870000764A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
semiconductor device
electrode
mis fet
fet semiconductor
Prior art date
Application number
KR1019860003971A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900000062B1 (ko
Inventor
아끼오 네즈
Original Assignee
후지쓰 가부시끼가이샤
야마모도 다꾸마
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지쓰 가부시끼가이샤, 야마모도 다꾸마 filed Critical 후지쓰 가부시끼가이샤
Publication of KR870000764A publication Critical patent/KR870000764A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR900000062B1 publication Critical patent/KR900000062B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/402—Field plates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
    • H01L29/4238—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out characterised by the surface lay-out

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Element Separation (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

누설 전류개선형 MIS FET 반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 형광표시관의 드라이버(driver)로 사용된 MIS FET의 응용을 나타내는 회로도.
제3도 a는 기생 트랜지스터와 누설전류를 방지하기 위한 부가 트랜지스터를 설명하는 MIS FET의 등가회로도이고, 여기에서
제3도 a는 기생트랜지스터 Tr'가 종래 회로의 주트랜지스터 Tr과 병렬로 구성된 종래예에 대한 등가회로도.
제4도 a는 본 발명의 첫번째 실시예의 MIS FET에 대한 패턴의 평면도로서 여기에서 연장된 케이트는 주FET의 소오스 영역으로 제공되는 평면도.

Claims (9)

  1. 첫번쌔 도전형을 갖는 반도체기판, 상기 기판내에 형성되고 소오스 영역(4), 드레인 영역(5,5')와 채널영역(6,6')으로 구성된 액티브 영역(3), 상기 소오스 영역과 드레인 영역은 첫번째 도전형에 반대되는 두번째 도전형을 가지며, 상기 기판상에 형성되고 상기 액티브영역(3)을 포위하는 전게산화막(2), 상기 채널영역(6,6')상에 형성된 게이트 절연막(7,7'), 상기 게이트 절연막(7,7')상에 형성된 게이트 전극(8,8'), 상기 기판 전체를 덮고 있는 절연층(9), 상기 절연층(9)내에 형성된 접촉호올(hole)을 통하여 상기 드레인 영역과 접촉하기 위하여 상기 절연층(9)상에 형성된 드레인 전극(11), 상기 드레인 전극(11)과 연결하기 위하여 상기 절연층(9)상에 형성된 드레인 배선(11'), 상기 절연층(9)하의 상기 게이트 전극(8,8')으로부터 연장되고 상기 액티브 영역(3)과 상기 전계산화 영역 사이의 경게 영역을 따라 형성된 억제게이트 전극(8')을 포함하여 상기 억제게이트 전극(8")은 상기 드레인 배선(11')하에 형성되는 것을 특징으로 하는 MIS FET 반도체장치.
  2. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 억제게이트 전극(8")이 상기 소오스 영역(4)과 상기 전게산화막(2) 사이의 경게영역을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 MIS FET 반도체장치.(제4도)
  3. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 억제 게이트 전극이 상기 드레인 영역(5,5')과 상기 전게산화막 사이의 경게영역을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 MIS FET 반도체 장치.(제5도)
  4. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 억제게이트 전극이 상기 전게 산화막(2)과 상기 소오스영역(4) 사이, 그리고 상기 전게 산화막과 상기 드레인영역(5,5') 사이의 두 경게영역을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 MIS FET 반도체 장치.
  5. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 억제게이트 전극이 상기 경게영역을 따라 형성되고 상기 경계영역이 상기 액티브 영역(3) 내부에 있는 것을 특징으로 하는 MIS FET 반도체 장치.
  6. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 억제게이트 전극이 상기 경게영역을 따라 형성되고 상기 경계영역은 상기 액티브 영역(3)과 상기 전게산화막(2) 영역둘을 포함하는 것을 특징으로 하는 MIS FET 반도체 장치.
  7. 청구범위 제1항에 있어서, 더우기 상기 전게 산화막(2)하에 형성된 채널스토퍼(16)를 포함하는 것을 특징으로 하는 MIS FET 반도체 장치.
  8. 청구범위 제1항에 있어서, 더우기 상기 전게 산화막(2)의 개공내에 형성된 채널스토퍼(16)를 포함하는 것을 특징으로 하는 MIS FET 반도체장치.
  9. 청구범위 제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막이 이산화 실리콘 막인 것을 특징으로 하는 MIS FET 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860003971A 1985-06-07 1986-05-21 누설 전류 개선형 mis fet 반도체 장치 KR900000062B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP123646 1985-06-07
JP60-123646 1985-06-07
JP60123646A JPS61281554A (ja) 1985-06-07 1985-06-07 Ｍｉｓ型半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR870000764A true KR870000764A (ko) 1987-02-20
KR900000062B1 KR900000062B1 (ko) 1990-01-19

Family

ID=14865746

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019860003971A KR900000062B1 (ko) 1985-06-07 1986-05-21 누설 전류 개선형 mis fet 반도체 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4785343A (ko)
EP (1) EP0204336B1 (ko)
JP (1) JPS61281554A (ko)
KR (1) KR900000062B1 (ko)
DE (1) DE3688809T2 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02114533A (ja) * 1988-10-24 1990-04-26 Nec Corp 半導体装置
US5200637A (en) * 1988-12-15 1993-04-06 Kabushiki Kaisha Toshiba MOS transistor and differential amplifier circuit with low offset
JPH02136340U (ko) * 1989-04-18 1990-11-14
JPH04239761A (ja) * 1991-01-23 1992-08-27 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP3189327B2 (ja) * 1991-10-08 2001-07-16 ソニー株式会社 電荷検出装置
GB9201004D0 (en) * 1992-01-17 1992-03-11 Philips Electronic Associated A semiconductor device comprising an insulated gate field effect device
JP2713258B2 (ja) * 1995-07-25 1998-02-16 日本電気株式会社 半導体装置およびその検査方法
US5998850A (en) * 1998-02-24 1999-12-07 Sun Microsystems, Inc. Tunable field plate
JP3472476B2 (ja) * 1998-04-17 2003-12-02 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその駆動方法
US10553687B2 (en) * 2013-10-11 2020-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device having conductive feature overlapping an edge of an active region

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5055275A (ko) * 1973-09-12 1975-05-15
JPS5285484A (en) * 1976-01-09 1977-07-15 Hitachi Ltd Mis type semiconductor device
JPS53132276A (en) * 1977-04-22 1978-11-17 Nec Corp Insulation gate type field effect semiconductor device
FR2420209A1 (fr) * 1978-03-14 1979-10-12 Thomson Csf Structure de circuit integre fonctionnant a haute tension
JPS55130170A (en) * 1979-03-30 1980-10-08 Hitachi Ltd Semiconductor device and method of fabricating the same
JPS57154875A (en) * 1981-03-20 1982-09-24 Hitachi Ltd Mos semiconductor device
JPS6092667A (ja) * 1983-10-27 1985-05-24 Fujitsu Ltd Ｍｉｓ型トランジスタ

Also Published As

Publication number Publication date
KR900000062B1 (ko) 1990-01-19
EP0204336A2 (en) 1986-12-10
EP0204336A3 (en) 1988-04-20
JPS61281554A (ja) 1986-12-11
DE3688809T2 (de) 1993-11-18
DE3688809D1 (de) 1993-09-09
US4785343A (en) 1988-11-15
EP0204336B1 (en) 1993-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900019265A (ko) 트랜치 게이트 mos fet
KR920008966A (ko) 반도체장치
KR910017676A (ko) 박막트랜지스터
KR890003036A (ko) 반도체장치
KR960039436A (ko) 박막트랜지스터 및 그것을 사용한 액정표시장치
KR950034767A (ko) Mis형 반도체장치
KR910003816A (ko) 반도체기억장치의 셀구조
KR960015962A (ko) 박막트랜지스터
KR970059803A (ko) 액정표시장치용 박막트랜지스터 및 액정표시장치
KR870009479A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR900013652A (ko) 감소된 온 저항을 가진 soi구조의 고전압 반도체 장치
KR870000764A (ko) 누설 전류개선형 mis fet 반도체장치
KR900002462A (ko) 반도체 장치
KR920008967A (ko) 반도체장치
ATE127618T1 (de) Halbleiteranordnung mit verbessertem transistor vom isolierten gatetyp.
KR910008844A (ko) 반도체 장치
KR930024194A (ko) 반도체 장치
KR850005162A (ko) 전계효과형 트랜지스터
KR930001502A (ko) 박막 트랜지스터와 이것을 제조하기위한 방법
KR840005929A (ko) Mos 트랜지스터 집적회로
KR910020930A (ko) 반도체 소자의 구동 방법 및 구동장치
KR920015367A (ko) 반도체 메모리장치
KR960019769A (ko) 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR900005561A (ko) 반도체장치
KR950010138A (ko) 엠엔오에스(mnos)형 반도체장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050110

Year of fee payment: 16

LAPS Lapse due to unpaid annual fee