KR910020930A - 반도체 소자의 구동 방법 및 구동장치 - Google Patents

반도체 소자의 구동 방법 및 구동장치 Download PDF

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KR910020930A
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가쯔요시 마세
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아오이 죠이찌
가부시끼가이샤 도시바
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 소자의 구동 방법 및 구동장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 MAGT의 제1실시예로 구동 방법을 포함한 동작의 타이밍 챠트.

Claims (3)

  1. 적어도 사이리스터와, 이 사이리스터의 베이스에 채널 영역을 갖는 FET를 구조적으로 복합하여, 사이리스터 동작 및 FET 동작 모두를 행하는 반도체 소자의 구동 방법에 있어서, 상기 반도체 소자를 턴 오프 시킬때, 상기 사이리스터 동작을 정지시키고 그후 상기 FET 동작을 정지시키는 것을 특징으로하는 반도체 소자의 구동 방법.
  2. 반도체 기판(10)의 한쪽 면으로 노출하는 제1도전형의 제1에미터층(12)와, 상기 제1에미터층에 접하고, 상기 기판의 다른쪽 면으로 일부를 노출하는 제2도전형의 제1베이층(14)와, 상기 제1베이스층내에 형성되고 상기 다른쪽 면으로 노출하는 제1도전형의 제2베이스층(16)과, 상기 제2베이스층내에 형성되고 상기 다른쪽 면으로 노출하는 제2도전형의 제2베이스층(18)을 갖고 있고, 상기 제1에미터층 및 제2에미터층에 각각 형성된 제1주전극(32) 및 제2주전극(28)과, 상기 제1베이스층 및 제2에미터층을 각각 드레인/소스로 하여 상기 제2베이스층의 다른쪽 면 영역의 일부를 채널 영역(22)으로 하여 이 채널 영역상에 게이트 절연막(24)을 끼워 게이트 전극(26)을 형성시켜 MOS트랜지스터를 구성하고, 상기 제2베이스층에 직접 접속하는 베이스 전극(30)이 형성되어 GTO사이리스터가 형성된 반도체 소자의 구동 방법에 있어서, 상기 제2베이스층에 소정 전위를 인가하여 상기 GTO사이리스터를 동작시키고, 상기 게이트 전극에 소정 전위가 인가되어 상기 MOS트랜지스터를 동작시키며, 상기 반도체 소자는 GTO 사이리스터 및 MOS 트랜지스터 쌍방의 동작을 행하는 도통 상태이고, 상기 반도체 소자를 턴오프 시킬때, 상기 베이스 전극에 소정 전위를 인가해서 상기 제2에미터층과 제2베이스층을 역바이어스로 하여 GTO사이리스터 동작을 정지시키고, 그후, 상기 게이트 전극에 인가되고 있는 소정 전위를 변동시켜 상기 MOS트랜지스터 동작을 정지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 구동 방법.
  3. 반도체 기판(10)의 한쪽 면으로 노출하는 제1도전형의 제1에미터층(12)와, 상기 제1에미터층에 접하고, 상기 기판의 다른쪽면으로 일부를 노출하는 제2도전형의 제1베이층(14)와, 상기 제1베이스층내에 형성되어 상기 다른쪽 면으로 노출하는 제1도전형의 제2베이스층(16)과, 상기 제2베이스층내에 형성되어 상기 다른쪽 면으로 노출하는 제2도전형의 제2베이스층(18)을 갖고 있고, 상기 제1에미터층 및 제2에미터층에 각각 형성된 제1의 주전극(32) 및 제2의 주전극(28)과, 상기 제1베이스층 및 제2에미터층을 각각 드레인/소스로 하여 상기 제2베이스층의 다른쪽 면 영역의 일부를 채널 영역(22)으로 하고 그 채널 영역상에 게이트 절연막(24)을 끼워 게이트 전극(26)을 형성시킴으로써 MOS트랜지스터를 구성되고, 상기 제2베이스층에 직접 접속하는 베이스 전극(30)이 형성되어 GTO 사이리스터가 구성된 반도체 소자의 구동 장치에 있어서, 제1제어 신호를 받아서 상기 베이스전극에 소정 전위를 인가해서 제2에미터층과 제2베이스층을 역바이어스로 해서 상기 GTO 사이리스터 동작을 정지시키는 제1정지수단과, 그후 제2제어 신호를 받아서 상기 게이트 전극으로 인가되고 있는 소정 전위를 변동시켜 상기 MOS트랜지스터 동작을 정지시키는 제2정지수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 구동 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910007840A 1990-05-16 1991-05-15 반도체 소자의 구동 방법 및 구동장치 KR910020930A (ko)

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JP02-124191 1990-05-16
JP2124191A JPH0421211A (ja) 1990-05-16 1990-05-16 半導体素子の駆動方法およびその駆動装置

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EP0463325A3 (en) 1992-03-04
JPH0421211A (ja) 1992-01-24
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