KR930005239A - Tft의 제조방법 - Google Patents
Tft의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR930005239A KR930005239A KR1019910014773A KR910014773A KR930005239A KR 930005239 A KR930005239 A KR 930005239A KR 1019910014773 A KR1019910014773 A KR 1019910014773A KR 910014773 A KR910014773 A KR 910014773A KR 930005239 A KR930005239 A KR 930005239A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photoresist
- film
- tft manufacturing
- source
- channel portion
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 TFT의 공정단면도.
Claims (1)
- 글래스 기판(1)위에 게이트 전극(2)을 형성하고 절연막(3)과 a-Si : H막(4)을 연속 증착한후 네거티브 포토레지스트(9)를 사용하여 채널부분을 포함하는 에칭하고자 하는 부분의 포토레지스트만 남기는 공정과 n+a-Si : H막(5)과 소오스/드레인 전극(6)을 증착하고 상기 포토레지스트(9)와 포토레지스트(9)위의 n+a-Si : H막(5) 및 소오스/드레인 전극(6)을 제거하는 공정과, 상기 채널부분의 a-Si : H막(4)을 포토레지스트(10)로 덮은 후 a-Si : H막(4)을 식각하고 포토레지스트(10)을 제거하는 공정으로 이루어지는 TFT의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910014773A KR940005735B1 (ko) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | Tft의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910014773A KR940005735B1 (ko) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | Tft의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930005239A true KR930005239A (ko) | 1993-03-23 |
| KR940005735B1 KR940005735B1 (ko) | 1994-06-23 |
Family
ID=19319125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910014773A KR940005735B1 (ko) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | Tft의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940005735B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980054456A (ko) * | 1996-12-27 | 1998-09-25 | 김영환 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0111424D0 (en) * | 2001-05-10 | 2001-07-04 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electronic devices comprising thin film transistors |
-
1991
- 1991-08-26 KR KR1019910014773A patent/KR940005735B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980054456A (ko) * | 1996-12-27 | 1998-09-25 | 김영환 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940005735B1 (ko) | 1994-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960024604A (ko) | 이중 채널 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR930005239A (ko) | Tft의 제조방법 | |
| KR970072497A (ko) | 액티브 매트릭스 기판의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조되는 액티브 매트릭스 기판 | |
| KR930005241A (ko) | Tft의 제조방법 | |
| KR910001933A (ko) | Tft 제조방법 | |
| KR910017646A (ko) | 플라즈마 산화를 이용한 박막 fet트랜지스터의 제조방법 | |
| KR950015813A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR910017634A (ko) | 메모리 셀 커패시터 제조방법 | |
| KR940016852A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR920003534A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR920008957A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR900017150A (ko) | 다중 게이트 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR940016753A (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR940003088A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR930017216A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR900005560A (ko) | 박막트랜지스터의 전극 형성방법 | |
| KR930001489A (ko) | 이중 절연막을 사용한 tft 제조방법 | |
| KR920010827A (ko) | 반도체 장치의 소자격리 방법 | |
| KR910005478A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR950030384A (ko) | 박막 트랜지스터 구조 | |
| KR950004592A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR950004602A (ko) | 폴리실리콘 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR870004327A (ko) | 액정표시소자용 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR950009975A (ko) | 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR940016915A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20070402 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |