KR950004592A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 반도체층 고농도 반도체층, 소오스/드레인전극을 차례로 형성한 후 산소이온을 주입하여 상기층의 일부를 산화시킨다.
이에 따라 고농도 반도체층을 에칭하는 공정과 보호막을 증착하는 공정을 줄여 박막트랜지스터의 제조공정을 단순화시킬 수 있도록 한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 본 발명 박막트랜지스터의 단면도, 제 4 도의 (가) 내지 (라)는 제 3 도에 대한 제조공정도.
Claims (1)
- 절연기판위에 게이트전극과 게이트절연막을 차례로 형성하는 공정과, 활성층을 형성하는 공정과, 활성층위에 소오스/드레인전극을 형성하는 공정과, 상기 활성층과 소오스/드레인전극을 산화시키는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930013941A KR950004592A (ko) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930013941A KR950004592A (ko) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950004592A true KR950004592A (ko) | 1995-02-18 |
Family
ID=67143350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930013941A KR950004592A (ko) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950004592A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101503310B1 (ko) * | 2008-09-17 | 2015-03-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터의 제조방법 |
-
1993
- 1993-07-22 KR KR1019930013941A patent/KR950004592A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101503310B1 (ko) * | 2008-09-17 | 2015-03-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터의 제조방법 |
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