KR900004037A - 고압 반도체 장치와 그 제조방법 - Google Patents

고압 반도체 장치와 그 제조방법 Download PDF

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KR900004037A
KR900004037A KR1019880010592A KR880010592A KR900004037A KR 900004037 A KR900004037 A KR 900004037A KR 1019880010592 A KR1019880010592 A KR 1019880010592A KR 880010592 A KR880010592 A KR 880010592A KR 900004037 A KR900004037 A KR 900004037A
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    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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Abstract

내용 없음

Description

고압 반도체장치와 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 본 발명의 고압 반도체장치 단면도.
제 3도는 고압 반도체장치로 구성된 트랜지스터의 등가회로도.
제 5도는 본 발명 반도체장치의 제조공정을 도시한 단면도.

Claims (3)

  1. 고압을 수용하기위하여 트랜지스터의 드레인 및 소오스 전극(3,4)으로부터 게이트폴리(1)에 이르는 저농도 불순물 확산영역(7)과 고농도 불순물 확산영역(5)의 이중 확산구조를 갖는 반도체장치에 있어서, 상기 저농도 불순물 확산영역(7)내에 게이트폴리(1)로부터 고농도 불순물 확산영역(5)에 이르는 중농도의 불순물 확산영역(6)을 형성하는 것을 특징으로 하는 고압 반도체 장치.
  2. 고압 반도체 장치의 제조공정에 있어서, 기판(9)위에 저농도 불순물을 확산시키는 스텝과 게이트 폴리(1)를 형성하고 중농도 불순물 확산영역(6)을 상기 저농도 불순물 확산영역(7)내에 셀프 얼라인(Self-Align)으로 형성하는 스탭과, 사진 식각법에 의해 드레인 및 소오스 전극(3,4)이 형성될 부분으로 고농도의 불순물을 확산시키는 스텝을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고압 반도체장치의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 중농도 불순물 확산영역(6)은 게이트폴리(1)로부터 고농도 불순물 확산층(5)까지의 거리(X1)가 4㎛이상인 것을 특징으로 하는 고압 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880010592A 1988-08-20 1988-08-20 고압 반도체 장치와 그 제조방법 KR930006852B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100858125B1 (ko) * 2002-07-02 2008-09-10 주식회사 포스코 마그네시아계 내화 캐스타블

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