KR940020593A - 실리콘 온 인슐레이터(soi) 구조의 모스 전계효과 트랜지스터(mosfet) 및 그의 제조방법 - Google Patents
실리콘 온 인슐레이터(soi) 구조의 모스 전계효과 트랜지스터(mosfet) 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 절연층과 상기 절연층 상에 제1활성 실리콘 영역과 상기 제1활성 실리콘 영역의 상부로 확장된 제2활성 실리콘 영역을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2활성 실리콘 영역 상에 게이트 절연층을 형성하고 상기 게이트 절연층의 소정 부위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극을 마스크로하여 고농도의 소오스, 드레인 영역을 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 MOSFET의 제조방법에 관한 것.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제4도는 본 발명에 따른 MOSFET장치 제조 수순을 보인 공정도.
Claims (4)
- 절연층과 상기 절연층 상에 제1활성 실리콘 영역과 상기 제1활성 실리콘 영역의 상부로 확장된 제2활성 실리콘 영역을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2활성 실리콘 영역 상에 게이트 절연층을 형성하고 상기 게이트 절연층의 소정 부위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극을 마스크로하여 고농도의 소오스, 드레인 영역을 형성하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 MOSFET의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1활성실리콘 영역의 두께는 상기 MOSFET가 동작시 완전히 디플리션 될 수 있는 두께로 한 것을 특징으로 하는 MOSFET의 제조방법.
- 절연층상에 제1활성실리콘 영역과 상기 제1활성실리콘 영역과 접촉되어 상부로 확장된 제2활성실리콘 영역이 적어도 1개 이상 존재하고, 상기 제1 및 제2활성실리콘 영역의 상부 소정 부위에 게이트 절연층에 의해 이격된 게이트 물질층이 존재하는 것을 특징으로 하는 MOSFET장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제1활성실리콘 영역의 두께는 상기 MOSFET가 동작시 완전히 디플리션 될 수 있는 두께로 한 것을 특징으로 하는 MOSFET 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930002078A KR940020593A (ko) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 실리콘 온 인슐레이터(soi) 구조의 모스 전계효과 트랜지스터(mosfet) 및 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1019930002078A KR940020593A (ko) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 실리콘 온 인슐레이터(soi) 구조의 모스 전계효과 트랜지스터(mosfet) 및 그의 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR940020593A true KR940020593A (ko) | 1994-09-16 |
Family
ID=66866280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019930002078A KR940020593A (ko) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 실리콘 온 인슐레이터(soi) 구조의 모스 전계효과 트랜지스터(mosfet) 및 그의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR940020593A (ko) |
-
1993
- 1993-02-15 KR KR1019930002078A patent/KR940020593A/ko not_active Application Discontinuation
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