KR950010096A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체장치 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 SRAM 반도체장치의 PMOS 박막트랜지스터형 부하구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 반도체기판 위에 U자홈이 형성된 제1절연층과 상기 U홈 및 주위상부에 형성된 제1도전층인 게이트전극과, 상기 제1도전층에 제2절연층인 게이트유전층과, 상기 게이트 유전층위에 U자홈과 주위상부에 T자형으로 형성된 제2도전층과, 상기 게이트전극측면을 정렬측으로 하는 상기 제2도전층안에 형성된 소오스 드레인영역과 상기 제2도전층안 소오스 드레인사이 게이트전극 위에 형성된 채널영역으로 구성된 것을 특징으로 한다. 또한 그 제조방법을 제공한다.
이상과 같이 TFT를 형성하면 종래의 TFT에 비하여 누설문제의 증가없이 더 작은 물리적 구조를 얻을 수 있다. 또한 채널폭이 늘어나서 큰 온전류(ON-CURRENT)를 얻을 수 있으며 게이트전극이 채널영역의 아래와 옆을 둘러쌈으로써 확실한 온오프(ON-OFF)특성을 얻을 수 있다.

Description

반도체장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 기술에 의한 TFT의 평면도이다,
제2도는 제1도의 A-A선의 단면도이다,
제3도는 제1도의 B-B선의 단면도이다.

Claims (4)

  1. 반도체기판 상에 U자홈이 형성된 제1절연층; 상기 제1절연층의 주위상부에 U자형으로 형성된 제1도전층인 게이트전극; 상기 제1도전층에 상에 형성된 제2절연층인 게이트유전층; 상기 제2절연층 상의 U자홈과 주위상부에 T자형으로 형성된 제2도전층; 상기 제1도전층의 측면을 정렬축으로 하여 제2도전층안에 형성된 상기 소오스영역과 드레인영역; 및 상기 제2도전층의 상기 소오스영역과 드레인영역 사이의 게이트전극 위에 형성된 채널영역으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 반도체기판 상에 형성된 역U자홈의 제1도전층; 상기 제1도전층의 주위상부에 형성된 제1절연층; 상기 제1절연층 주위상부에 형성된 제2도전층; 상기 게이트전극측면을 정열축으로 제1도전층에 형성된 채널영역을 사이에 두고 형성된 소오스 드레인영역을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 반도체기판 상에 U자홈이 제1절연층을 형성하는 공정; 상기 제1절연층과 상부주위에 제1도전층인 게이트전극을 형성하는 공정; 상기 제1도전층에 상에 제2절연층을 형성하는 공정; 상기 제2절연층 상의 U자 홈과 주위상부에 T자형으로 제2도전층을 형성하는 공정; 및 상기 게이트전극의 측면에 정렬하여 고농도 불순물을 제2도전층상에 도핑하여 소오스, 드레인, 채널영역을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1절연층 위에 제2도전층을 형성하고 게이트전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100322717B1 (ko) * 1998-05-19 2002-02-07 미다라이 후지오 화상 형성 장치
CN112951830A (zh) * 2021-02-01 2021-06-11 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 集成电路器件、存储器和电子设备

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