KR940027196A - 모스(mos) 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
MOS 트랜지스터의 LDD 구조의 제조방법에 있어서, 반도체 기판상에 제 1절연막층을 형성 제 1 개구부를 형성하고, 상기 제 1 개구부 측벽에 제 2 절연막으로 측벽을 형성하여 제 2 개구부를 형성하고 상기 제 2 개구부를 제 1 폴리 전극층으로 채우고, 제 2 절연막 측벽을 제거 측벽 하부에 제 1 도전형 불순물을 주입하고, 제 1 개구부에 다시 제 2 폴리 전극층을 채우고, 제 1 절연층을 제거 제 2도전형 저농도층을 형성한 다음 소정의 방법으로 제 2 폴리 전극에 측벽을 형성하고, 제 2도전형 고농도 불순물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법에 관한 것.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 4도는 본 발명의 공정에 의해 형성된 SPI-LDD형 MOS 트랜지스터 단면도, 제 5도 (a)∼(f)는 본 발명의 공정을 설명하는 공정도이다.
Claims (1)
- MOS 트랜지스터의 LDD 구조의 제조방법에 있어서, 반도체 기판상에 제 1 절연막층을 형성 제 1 개구부를 형성하고, 상기 제 1 개구부 측벽에 제 2 절연막으로 측벽을 형성하여 제 2 개구부를 형성하고 상기 제 2 개구부를 제 1 폴리 전극층으로 채우고, 제 2 절연막 측벽을 제거 측벽 하부에 제 1 도전형 불순물을 주입하고, 제 1개구부에 다시 제 2 폴리 전극층을 채우고, 제 1 절연층을 제거 제 2도전형 저농도층을 형성한 다음 소정의 방법으로 제 2폴리 전극에 측벽을 형성하고, 제 2도전형 고농도 불순물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019930008972A KR100299679B1 (ko) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 모스트랜지스터제조방법 |
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