KR960026428A - 박막트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
박막트랜지스터의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 절연기판상에 절연물질을 증착시켜 버퍼 절연막을 형성하는 공정과, 상기 버퍼절연막 위에 실리콘을 도포하여 활성층을 형성하는 공정과, 상기 활성층 위에 레이저광을 조사하여 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 절연막 위에 금속물질을 증착시킨 후 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극을 마스크로 하여 상기 활성층 내부 양측에 오믹 접촉층을 형성하는 공정과, 상기 오믹 접촉층이 형성된 결과물 전면에 절연물질을 증착시킨 후 상기 오믹 접촉층이 노츨되도록 상기 게이트 절연막과 함께 식각하고 금속물질을 증착시킨 후 패터닝하여 상기 오믹 접촉층과 접촉하는 소스/드레인 전극을 형성하는 공정을 포함하여 구성되며, 상기 게이트 절연막 형성시 산소 또는 질소분위기에서 레이저로 활성층의 표면을 산화나 질화시켜 게이트 절연막을 형성함으로써 막질을 개선하여 소자의 전류전압특성을 향상시키고, 활성층과 게이트 절연막의 계면특성이 우수하므로 대면적의 박막트랜지스터를 제조할 수 있으며, 기판을 제조공정상의 고온으로부터 보호할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 제1실시예의 박막트랜지스터의 제조방법을 도시한 단면도, 제3도는 본 발명에 의한 제2실시예의 박막트랜지스터의 단면도.
Claims (3)
- 절연기판상에 절연물질을 증착시켜 버퍼 절연막을 형성하는 공정과, 상기 버퍼절연막 위에 실리콘을 도포하여 활성층을 형성하는 공정과, 상기 활성층 위에 레이저광을 조사하여 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 절연막 위에 금속물질을 증착시킨 후 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극을 마스크로 하여 상기 활성층 내부 양측에 오믹 접촉층을 형성하는 공정과, 상기 오믹 접촉층이 형성된 결과물 전면에 절연물질을 증착시킨 후 상기 오믹 접촉층이 노츨되도록 상기 게이트 절연막과 함께 식각하고 금속물질을 증착시킨 후 패터닝하여 상기 오믹 접촉층과 접축하는 소스/드레인 전극을 형성하는 공정을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막 형성 후 층간절연막과의 사이에 저온증착법에 의한 저온절연막을 더 형성하는 공정을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 산소 또는 질소 분위기나 산소와 질소의 혼합분위기중 어느 하나에서 형성되는 것을 특징으로 하느 박막트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940032471A KR960026428A (ko) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940032471A KR960026428A (ko) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026428A true KR960026428A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66648957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940032471A KR960026428A (ko) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026428A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100447893B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2004-09-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 제조방법 |
| KR100964283B1 (ko) * | 2005-03-18 | 2010-06-16 | 코비오 인코포레이티드 | 레이저로 패터닝한 금속 게이트를 가지는 모스(ｍｏｓ)트랜지스터와 그 제조방법 |
| CN107086483A (zh) * | 2017-06-13 | 2017-08-22 | 河南森源电气股份有限公司 | 一种绝缘型金属活门板及其制备方法 |
-
1994
- 1994-12-01 KR KR1019940032471A patent/KR960026428A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100447893B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2004-09-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 제조방법 |
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| CN107086483A (zh) * | 2017-06-13 | 2017-08-22 | 河南森源电气股份有限公司 | 一种绝缘型金属活门板及其制备方法 |
| CN107086483B (zh) * | 2017-06-13 | 2024-03-26 | 河南森源电气股份有限公司 | 一种绝缘型金属活门板及其制备方法 |
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