KR940003093A - 반도체 장치의 박막 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 높은 누설전류를 감소시킬 수 있는 반도체 장치의 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 LDD 박막 트랜지스터의 경우 누설전류 방지를 위해 이온 농도 차이를 두기위한 공정을 추가로 해야하며 단위소자의 면적이 컸고, 수직 오프-셋 박막 트랜지스터의 경우는 누설전류 방지를 위한 활성층이 두껍기 매문에 게이트 전원을 승압시켜야 하는 결점이 있었으나, 본 발명에서는 엑시머 레이저빔을 이용하여 접합부위의 비정질실리콘을 폴리 실리콘으로 재결정화 하므로써 채널 양측의 저항을 크게하므로 누설 전류를 방지하여 상기 결점을 개선시킬 수 있는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명 박막 트랜지스터 제조의 일실시예를 나타낸 공정단면도.
제4도는 본 발명의 다른 실시예를 나타낸 단면도.
Claims (4)
- 기판(11)위에 절연막(12)을 형성하고, 절연막(12)위에 활성층(13)을 400-7OOÅ의 두께로 형성하는 단계와, 상기 활성층(13)의 중앙을 제외한 전표면에 비정질실리콘(14)을 600Å 이상의 두께로 형성하는 단계와, 표면에 엑시머 레이저빔을 쬐어 재결정화 하므로써 활성층(13)과 비정질 실리콘(14)을 에워싸되 활성층(3)의 양측을 우회하는 다결정 실리콘막(15)을 형성하는 단계와, 전표면에 게이트 절연체를 형성하고, 게이트 절연체위의 채널영역에 게이트 전극을 형성하는 단계를 차례로 실시하여 이루어지는 반도체 장치의 박막 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 절연막(12)위 양측에 비정질실리콘(16)을 형성하고, 절연막(12) 표면 및 비정질실리콘(16) 내측부위가 도포되도록 활성층(17)을 형성하는 단계와, 표면에 엑시머 레이저빔을 쬐어 비정질실리콘(16)과 활성층(17)을 에워싸되 비정질실리콘(16)의 내측을 우회하는 다결정 실리콘막(18)을 형성하는 단계를 차례로 실시하여 이루어지는 반도체 장치의 박막 트랜지스터 제조방법,
- 제1항에 있어서, 다결정실리콘막(15)의 영역 (I,J)저항은 다결정실리콘막(15)의 영역(H)저항보다 큰 반도체 장치의 박막 트랜지스터 제조방법.
- 제2항에 있어서, 다결정실리콘막(18)의 영역(L,M)저항은 다결정실리콘막(18)의 영역 (K)저항보다 큰 반도체 장치의 박막 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920012235A KR940003093A (ko) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 반도체 장치의 박막 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920012235A KR940003093A (ko) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 반도체 장치의 박막 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940003093A true KR940003093A (ko) | 1994-02-19 |
Family
ID=67147349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920012235A KR940003093A (ko) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 반도체 장치의 박막 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940003093A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020085577A (ko) * | 2001-05-09 | 2002-11-16 | 아남반도체 주식회사 | 게이트전극 제조방법 |
-
1992
- 1992-07-09 KR KR1019920012235A patent/KR940003093A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020085577A (ko) * | 2001-05-09 | 2002-11-16 | 아남반도체 주식회사 | 게이트전극 제조방법 |
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